【課題】内蔵された半導体素子と上層との接続を短くし、更に電極がスズ、ニッケル、銅で形成された一般市販品の安価なチップ部品および、銅バンプ等の安価なバンプ付半導体素子までも内蔵可能な配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子３及びチップ部品４の電子部品が実装される配線基板１において、電子部品の電極に対応する位置の銅箔上にエッチング液に対するストッパ材２を形成し、電子部品を実装後、絶縁層５を介し積層し、銅箔をエッチング除去した後、配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】大きな静電容量を有し、かつ長期信頼性の高い多層配線板内蔵用キャパシタを歩留まり良く、効率的に提供することが可能な多層配線板内蔵用キャパシタ形成材、当該キャパシタ形成材を用いてなる高信頼性かつ小型の多層配線板内蔵用キャパシタの製造方法、および当該キャパシタを備えるキャパシタ内蔵多層配線板を提供すること。
【解決手段】第１の導電層１０８と、第２の導電層１０９と、前記第１の導電層１０８および前記第２の導電層１０９の間に形成された金属酸化物層１０５と、を備え、前記第１の導電層１０８および前記第２の導電層１０９の双方またはいずれか一方の導電層が銅以外の金属層１０３および該金属層１０３上に形成された銅パターン１０２からなり、隣接する前記銅パターン１０２およびこれら銅パターン間下部に位置する前記金属層１０３により過電流遮断素子を構成していることを特徴とする、多層配線板内蔵用キャパシタ形成材。 （もっと読む）

【課題】発光素子を実装する電極部が放熱性と平坦性に優れており、かつ、表層及び内層に微細な導体配線パターンを形成することが可能な発光素子実装用多層配線基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子実装用多層配線基板１は、内部にビア８が設けられたセラミック製の絶縁層６と高融点金属を主成分とする導体層７が交互に積層された矩形状の積層セラミック基板２の両面に発光素子実装用電極４ａ，４ｂ及び端子部５ａ，５ｂがそれぞれ形成されたものであり、発光素子実装用電極４ａ，４ｂは銅ペーストの印刷・焼成によって絶縁層６の外表面に形成される銅膜と、それに被着された銅メッキ層によって形成されている。 （もっと読む）

【課題】リフロー後の変形が防止され、実装性に優れた多層配線板を提供する。
【解決手段】多層配線板１は、配線層１１と絶縁層１０１とが交互に積層された多層構造を有し、最外層として互いに厚さの異なる第１の導体層１２Ａと第２の導体層１２Ｂとが形成されている。第１の導体層１２Ａより厚みが大きい第２の導体層１２Ｂは、プリント基板と接続する側とすることが好ましく、第１の導体層１２Ａには半導体素子２０１実装用のバンプ２０３Ａ形成用の開口等のパターンが形成され、第２の導体層１２Ｂにはプリント基板実装用のバンプ２０３Ｂ形成用の開口等のパターンが形成されている。 （もっと読む）

【課題】正確なデータを受信する。
【解決手段】受信側基板７１は、受信用IC７２およびアンテナ７３とを備えており、アンテナ７３は、送信側基板において発生する磁界の変化により、誘導起電力を発生する。受信用IC７２は、外部の電源から供給される電力により駆動し、アンテナ７３が発生した誘導起電力に応じて、送信側基板から送信される信号を出力するバッファ７５を有している。そして、バッファ７５の電源端子に接続されるICピン８３と、バッファ７５の接地端子に接続されるICピン８５と、バッファ７５の出力端子に接続されるICピン８４とが、隣り合わされている。本発明は、例えば、非接触で通信を行う通信装置に適用できる。 （もっと読む）

【課題】電子素子と回路パターン間の回路接続の信頼性が改善でき、印刷回路基板の内部に電子素子を内蔵する際の製造工程を短縮できる電子素子内蔵印刷回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】電子素子が内蔵された印刷回路基板の製造方法は、ベース基板１４の一面に接続バンプ１６及び電極バンプ１８を形成する段階と、電極バンプと電子素子の接続端子２１とが対応するように電子素子２０を載置する段階と、ベース基板の一面に接続バンプが貫通するように電子素子に対応する開口部が形成された絶縁層２２を積層する段階と、開口部に充填材２４を充填する段階と、絶縁層に金属層２６を積層する段階とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、電子組立体（４００）、及びその電子組立体（４００）の製造方法（８００、９００、１０００、１２００、１４００、１５００、１７００）を提供する。前記組立体（４００）は、はんだを使用しない。Ｉ／Ｏリード線（４１２）を備える部品（４０６）又は部品パッケージ（４０２、８０２、８０４、８０６）が、平坦な基板（８０８）上へ配置される（８００）。前記組立体は、電気絶縁材料９０８で封入され（９００）、バイア（４２０、１００２）が、前記基板（８０８）を貫き部品のリード線（４１２）まで形成又は穿孔される（１０００）。次いで、前記組立体は、めっきされ（１２００）、封入及び穿孔の工程（１５００）が、繰り返され、所望の層（４２２、１５０２、１７０２）を構築する。
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【課題】１０００℃以下の低温で焼成することができ、ＡｇやＣｕとの共焼結が可能であり、誘電率が低く、Ｑ値が高く、高周波用途に適した焼結体を得ることを可能とする絶縁体セラミック組成物の提供。
【解決手段】スピネル（ＭｇＡｌ₂Ｏ₄）を含むセラミック粉末と、酸化ケイ素をＳｉＯ₂換算で３０〜６０モル％および酸化マグネシウムをＭｇＯ換算で２０〜５５モル％含むガラス粉末と、を含有する絶縁体セラミック組成物であって、絶縁体セラミック組成物はさらにセラミック粉末中に、酸化チタン、酸化銅を含有し、ガラス粉末には、酸化ホウ素、ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯおよびＺｎＯからなる群から選択された少なくとも１種の酸化物、酸化アルミニウム、Ｌｉ₂Ｏ，Ｋ₂ＯおよびＮａ₂Ｏからなる群から選択された少なくとも１種のアルカリ金属酸化物が、添加物として添加される場合には一定量以下添加されていることを特徴とする絶縁体セラミック組成物。 （もっと読む）

【課題】抵抗を覆うオーバーコートガラスのめっき耐性の高いセラミック基板を確実に製造することが可能なセラミック基板の製造方法、および信頼性の高いセラミック基板、および該セラミック基板を用いた電子装置を提供する。
【解決手段】一方主面１ａに抵抗１５となる抵抗膜１１５が形成され、抵抗膜を覆うように、収縮開始温度が、抵抗膜のそれより高い第１のガラス膜１１１を形成し、形成された第１のガラス膜１１１を覆うように、第１のガラス膜を構成するガラス材料よりめっき耐性が大きいガラス材料を含む第２のガラス膜１１２を形成し、かつ、少なくとも一方主面１ａに、焼成工程で焼結しないセラミック材料からなる収縮抑制用グリーンシート１０２が配置された積層体を形成し、この積層体を、セラミックグリーンシートが焼結し、収縮抑制用グリーンシートが実質的に焼結しない温度で焼成する。 （もっと読む）

【課題】従来のプリント配線板の場合、その表面にレーザー照射でビルドアップビアを形成する場合、レーザー照射時に発生する熱が加工部に篭りやすく、レーザー加工の高速化が難しい場合があった。
【解決手段】プリント配線板の表面にレーザー照射でビルドアップビア１４を形成する際、ビルドアップビアを形成する第１の絶縁層１１に、熱伝導率の高い材料を用いることで、レーザー照射時に発生する熱が加工部に篭りにくいため、レーザー加工の高速化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】ビルドアップ型多層基板の薄型化、ファインパターン形成化に貢献し、高い層間絶縁信頼性を有するビルドアップ型多層基板用接着シート及びそれを用いた回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁フィルムの片面又は両面に接着剤層を設けたビルドアップ型多層基板用接着シートであって、絶縁フィルムがポリイミド又はアラミドからなるものであり、かつ、接着剤層が、無機充填材を１５〜８０体積％含む熱硬化性樹脂組成物からなるビルドアップ型多層基板用接着シート及びこのビルドアップ型多層基板用接着シートを用いた回路基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】分割露光を行いつつ、歩留まりの向上や生産性の向上を図ることが可能な配線基
板の製造方法を提供する。
【解決手段】導体層と樹脂絶縁層とをこの順番で基板に積層する工程と、前記導体層と前
記樹脂絶縁層が積層された前記基板に位置合わせマークを形成する工程と、前記位置合わ
せマークが形成された基板上に感光性材料を配置する工程と、前記位置合わせマークを基
準として、前記位置合わせマークを配置した境界領域によって区分される複数の露光領域
の前記感光性材料を順次露光する工程と、前記基板の前記複数の露光領域間を、前記境界
領域の幅と略同じ切断幅で前記位置合わせマーク上を切断して、前記位置合わせマークを
消失させる工程と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【解決手段】下記成分（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）の有機固形分の総量１００重量部当たり、（Ａ）ジヒドロベンゾオキサジン環を有する化合物を主成分とする熱硬化性樹脂３５〜７５重量部；（Ｂ）フェノール類とトリアジン環を有する化合物とアルデヒド類の重縮合物１０〜２５重量部；及び（Ｃ）エポキシ樹脂１０〜４０重量部を含み、かつ該成分（Ｃ）中に、成分（Ｃ）の０〜１００重量％の量で、(i)重量平均分子量１，０００〜３，０００であるビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、又は(ii)重量平均分子量１，０００〜３，０００であるビスフェノールＦ型エポキシ樹脂とビスフェノールＡ型エポキシ樹脂との混合エポキシ樹脂を含む熱硬化性樹脂組成物を提供する。
【効果】プリプレグ、配線板用積層板及び配線板が得られる。 （もっと読む）

【課題】片面積層よりなる多層回路基板において、反りが少ない多層回路基板を製造することであり、半導体素子を実装する工程、半導体素子を実装した後の信頼性試験を行う工程において反りが少ない多層回路基板及び半導体装置を提供する。
【解決手段】複数組の導体回路層と絶縁層から形成され、ビア接続により導通接続したスルーホールを有するコア基板を含まない片面積層の多層回路基板であって、絶縁層のガラス転移温度が１７０℃以上であり、ガラス転移温度以下の線膨張係数が３５ｐｐｍ以下であり、弾性率が５ＧＰａ以上であること。 （もっと読む）

【課題】電子部品を内蔵した基板において、電子部品の駆動時に発生した熱を効率良く放熱させ、電子部品の動作を安定させる。
【解決手段】本発明は、電子部品３と、電子部品３を収容するための空間を規定する貫通孔２５Ａ，２６Ａ，２７Ａを有する１以上の絶縁層２５，２６，２７と、を備えた電子部品内蔵基板に関する。貫通孔２５Ａ〜２７Ａは、平面視において凹凸を有している。好ましくは、貫通孔２５Ａ〜２７Ａは、平面視において連続した凹凸状、たとえば複数の円弧２５Ａ′，２６Ａ′，２７Ａ′が連なった形状を有している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体素子と配線基板との接着力を向上させることが可能な部品内蔵基板を提供することを目的とする。また、製造工程を単純化することが可能な部品内蔵基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】凹部１４を有する配線基板２と、凹部１４に収容される半導体素子３と、半導体素子３を被覆する絶縁層８と、を備えた部品内蔵基板１であって、半導体素子３の下面または凹部１４の底面の少なくとも一方は、凹凸状に形成されており、絶縁層８の一部は、半導体素子３の下面と凹部１４の底面との隙間に充填されていることを特徴とする部品内蔵基板１。 （もっと読む）

【課題】アニール工程において複数のコア基板に対して均一に熱を伝え、基板の収縮バラツキを低減することができる多層配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】多層配線基板は、コア基板と、そのコア基板の上面及び下面に配置されるビルドアップ層とを備える。この多層配線基板の製造方法において、準備工程では、樹脂材料を含んで構成された絶縁基板の主面上に金属箔を貼着してなる複数の両面銅張積層板４８が準備される。アニール工程では、熱風乾燥装置５１内において、収納ラック５０を用いて複数の両面銅張積層板４８が空隙を設けた状態で縦置きで配置され、各両面銅張積層板４８が加熱される。 （もっと読む）

【課題】 シート表面の表面粗度が小さい場合にも、該表面に形成した無電解めっき皮膜との接着性に優れ、且つ優れた回路埋め込み性、取り扱い性、低熱膨張性、ドライフィルムレジスト密着性を有する絶縁性接着シート、積層体、及びプリント配線板を提供する。
【解決手段】 一方の最外層Ａが金属層を形成するための層であり、他方の最外層Ｂが、形成された回路と対向させるための層である絶縁性接着シートであって、前記最外層Ａは、特定の表面粗さであり、且つ（ａ）樹脂組成物成分及び（ｂ）特定の比表面積のフィラーを含むフィラー成分を必須成分として含有し、且つ特定の弾性率であり、前記最外層Ｂは、（ｃ）樹脂組成物成分及び（ｄ）特定の平均粒径のフィラーを含むフィラー成分を必須成分として含有することを特徴とする絶縁性接着シートによって上記課題を解決しうる。 （もっと読む）

【課題】部品内蔵基板を用いた電子チューナ等の電子モジュールを搭載した電子機器において、この電子機器に搭載された他の通信装置の通信特性を向上させること。
【解決手段】部品内蔵基板６は、内部または下面にグランド板７を有する回路基板８と、この回路基板８の上面に実装された半導体集積回路９と、この半導体集積回路９を覆うように回路基板８の上に積層された第１誘電体１０と、この第１誘電体１０の上に積層された第２誘電体１１とを備え、第２誘電体１１の誘電率は第１誘電体１０の誘電率より小さい構成である。この構成により、半導体集積回路９から部品内蔵基板６の上面に向かってノイズが輻射されても、第１誘電体１０の誘電率より第２誘電体１１の誘電率が小さいことにより、第１誘電体１０と第２誘電体１１との境界で、そのノイズの一部が反射される。 （もっと読む）

【課題】セラミックを含む複数の絶縁層を積層してなり、基板本体の裏面に広い面積を占める導体層を有し、金属メッキ後の反りが少ない配線基板を提供する。
【解決手段】セラミックを含む絶縁層ｓ１，ｓ２１〜ｓ２３を積層してなる基板本体２の厚み方向における表面３と裏面４との中間に、仮想の平面を中間平面Ｆとした時に、中間平面Ｆから表面３側に位置し、且つ含有するセラミックの平均粒径が他の絶縁層ｓ２１〜ｓ２３よりも大きな第１絶縁層ｓ１と、中間平面Ｆから表面３側に位置し、且つ第１絶縁層ｓ１と他の絶縁層ｓ２１との間に形成され、平面視で第１絶縁層ｓ１の表面における面積の５０％以上を占める単一の内部導体層６と、裏面４に形成され、かかる裏面４の面積の５０％以上を占める単一の裏面導体層８と、表面３に形成され、各々の表面に金属メッキ層１１，１２が形成され、且つ裏面導体層８よりも小さな複数の表面導体層５とを含む配線基板１。 （もっと読む）