【課題】画像認識によってセラミックグリーンシートと導体パターン層を容易に識別することを可能にする、セラミック原料粉末およびその製造方法、セラミックグリーンシートおよびその製造方法、ならびにセラミック基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミック原料粉末は、酸化性雰囲気にて第１の原料粉末を仮焼することによって作製された仮焼粉末と、仮焼されていない第２の原料粉末とを混合して含むセラミック原料粉末であって、第１の原料粉末は酸化性雰囲気にて仮焼されても実質的に変色しない成分からなり、第２の原料粉末は酸化性雰囲気にて仮焼されると実質的に変色する成分を含む。 （もっと読む）

【課題】電子部品の実装に用いるセラミックス多層配線板の製造には、従来、グリーンシート法が用いられていたが、ビアが微細化すると、導体ペーストを充填する際、導体ペーストのビア未充填の確率が増加してオープン不良が発生しやすく配線板の製造歩留まりが著しく低下するという問題があった。
【解決手段】導電性バンプ上に揮発性の溶媒を含む絶縁性スラリーをコーティングし、加熱又は乾燥により一部の溶媒を蒸発させ、形成した絶縁性被膜の厚さを減少させることにより、導電性バンプの頭出しを行うことにした。導電性バンプの微細化が可能で、製造歩留まりが向上する。 （もっと読む）

【課題】効率よく冷却できるとともに，発熱時にも半導体素子に大きな応力が加わることのない積層配線板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のプリント配線基板１は，３枚以上のセラミック板を積層してなるとともに，少なくとも一方の面上に発熱素子を搭載するものであって，３枚以上のセラミック板のうち１枚が，全厚にわたり導電体で構成された熱伝導部１５を有する熱伝導板であり，３枚以上のセラミック板のうち熱伝導板以外の１枚が，厚さ方向に貫通して形成され冷媒を流通させる流路１６を，熱伝導板における熱伝導箇所の面内位置と同じ面内位置に有する冷却板であり，熱伝導板が，３枚以上のセラミック板の積層順序における一方の端に位置しており，冷却板が，３枚以上のセラミック板の積層順序中，両端以外に位置しており，発熱素子の搭載箇所は，熱伝導板の熱伝導箇所の上であるものである。 （もっと読む）

【課題】セラミック多層配線板の各層における寸法精度を高精度にすることができるとともに、セラミック多層配線板の積層枚数にかかわらずにセラミック多層配線板の設備費用を安価にすることができるセラミック多層配線板の製造方法およびセラミック多層配線板を提供する。
【解決手段】本発明のセラミック多層配線板１の製造方法においては、４層のセラミックグリーンシート２１、２２、２３、２４は、１枚マザーシート２に各層の配線パターンのすべてを形成した後にマザーシート２を分割することにより形成されている。そしてこれらを積層焼成することにより本発明のセラミック多層配線板１が得られる。これより、全層のセラミックグリーンシート２１、２２、２３、２４の製造時期が一致し、それらの有機溶剤の揮発量および残存量が一定になる。マザーシート２が１種類なら冶工具も少なくてすむ。 （もっと読む）

【課題】コストの増大をなくし、かつ、信号配線から外部に漏洩する不要電磁波を抑制し、特に信号配線の近隣に存在する電源・ＧＮＤプレーンや他の信号配線への干渉の影響を抑制する。
【解決手段】基板構造は、第１の導体からなる配線と、絶縁体からなる絶縁層中に形成され、配線に接続するスルーホール又はビアと、スルーホール又はビアと間隔を置いて且つスルーホール又はビアの周囲を囲むように形成されたリング状導体と、リング状導体と同層に形成されると共に、リング状導体と間隔を置いて且つリング状導体を挟んでスルーホール又はビアと対抗するように形成された第２の導体とを備えている。 （もっと読む）

導電金属層と、誘電率が約３．５未満であり誘電正接が約０．００６未満である誘電体複合材料とを含む回路基板積層体であり、誘電体複合材料は、ポリマー樹脂と、酸化鉄含有量が３重量パーセント以下である、約１０〜約７０体積パーセントのセノスフェアとを含む。
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【課題】実装強度に優れるとともに導体部分の電気抵抗が低く、しかも同時焼成により反りや剥がれ等を起こすことなく製造可能なセラミック配線基板を提供すること。
【解決手段】本発明のセラミック配線基板１０は、銅の融点よりも高い温度で焼結するセラミックを主体とするセラミック基体１１に導体１８，１９，２３，２７，２８が形成されたものである。導体１８，１９，２３，２７，２８は、フィラーと銅との混合相からなる。フィラーは、銅よりも高融点であるクロム系の無機金属酸化物を主体とする。無機金属酸化物の含有量は１０体積％以上６０体積％以下である。フィラー中の無機金属酸化物としては、例えば酸化クロムまたは銅クロム複合酸化物が好適である。 （もっと読む）

【課題】分割溝に無電解めっき被膜、個片体断面に導体配線を有さない安価なセラミックパッケージの製造方法及びパッケージを提供する。
【解決手段】導体配線１９、スルーホール２０、分割溝１８、無電解めっき被膜を設け、個片体に分割するセラミックパッケージの製造方法において、グリーンシート１１に貫通孔１２と、導体パターン１３を隙間１４を設けて形成する工程、積層体１５の挿通孔１６壁面に導体パターン１７と、隙間１４部分を通る分割溝１８を形成し、焼成して複数個取りセラミック多層基板２１を形成する工程、これにパラジウム触媒付着、塩素含有水溶液で水洗してエチレンジアミンと、オキシカルボン酸含有水溶液で分割溝１８中のパラジウム残渣を不活性化させる工程、導体配線に無電解めっき被膜を形成し、分割溝１８中に形成させない工程、個片体の分割断面に導体配線を形成させない工程を有する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁基板を構成する複数の絶縁層の層間に、対向する一対の容量電極が形成された容量内蔵基板において、容量電極間のばらつきが効果的に抑制された容量内蔵基板を提供する。
【解決手段】 複数の絶縁層11が積層されてなる絶縁基板１に、絶縁層11の一部を間に配して上下に対向し合う容量電極２ａ，２ｂが形成された容量内蔵基板９であって、容量電極２ａ，２ｂが２層以上の絶縁層11を間に配して対向しており、対向し合う容量電極２ａ，２ｂの間に位置する絶縁層11の層間に、平面視で容量電極２ａ，２ｂの外縁部分と重なる接地導体層３が形成されている容量内蔵基板９である。容量電極２ａ，２ｂの絶縁層11を間に配して対向し合う面積が、接地導体層３と重なる部分の内側の面積に応じて定まるので、絶縁層11の積層ずれに起因する容量電極２ａ，２ｂ間の静電容量の変化を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 絶縁樹脂層とセラミック配線基板との間に熱応力発生したとしても、配線が破断してしまう可能性がより低減された高信頼性の配線基板を提供すること。
【解決手段】 セラミック配線基板１と、セラミック配線基板１の上面に積層された複数の絶縁樹脂層２と、複数の絶縁樹脂層２それぞれの上面の配線層３と、絶縁樹脂層２の上下に位置する配線層３・３間を接続するビア導体４と、セラミック配線基板１内から最下層の絶縁樹脂層２の上面に至り、セラミック配線基板１の内部配線５と最下層の絶縁樹脂層２の上面の配線層３とを接続する貫通導体６とを具備する配線基板。熱応力が大きくなるセラミック配線基板１と最下層の絶縁樹脂層２との界面に、比較的接続強度の弱いビア導体４の接続部を有さないので、配線が破断してしまう可能性が低減された高信頼性の配線基板となる。 （もっと読む）

【課題】導体配線との間の充分な密着強度を確保しつつ、光電変換素子から発せられる光を高効率に反射して発光効率を向上することができる光電変換素子実装用セラミックス基板を提供する。
【解決手段】アルミナ及びシリカを含有し、且つシリカの含有率が２質量％以上である材質からなる基材１の表面に、この基材１の表層におけるシリカを除去すると共にアルミナを残存させることでこの基材１よりもアルミナ含有率が高い材質からなる被覆層２を形成する。この被覆層２の表面に金属導体層３を形成する。これにより、被覆層２と金属導体層３との間で高い密着性が得られて、金属導体層３のピール強度を向上することができ、且つ基材１表面においては高い光反射性が維持される。 （もっと読む）

【課題】接続端子との密着性、すなわち接合強度に優れた、新規なセラミック基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】結晶性のフィラーと、ガラスとを含み、少なくとも１つに導体層が形成された複数のグリーンシートを積層してグリーンシート多層体を形成し、前記グリーンシート多層体の上面及び下面に、前記複数のグリーンシートそれぞれの焼成温度よりも高い焼成温度を有する材料で構成される拘束層を圧着して焼成し、セラミック焼成体を得る。次いで、残存する拘束層を除去した後、前記セラミック焼成体の前記上面及び前記下面の少なくとも一方を、前記セラミック焼成体の前記上面及び前記下面の少なくとも一方に露出した前記フィラーの占有面積Ｓｒと、前記セラミック焼成体の内部における前記フィラーの占有面積Ｓｖとの比率Ｓｒ／Ｓｖが０．９５〜１．０５となるように研磨し、セラミック基板を得る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、セラミック多層デバイスの電子デバイスレベルにおける誘電率の温度特性向上と機械的強度向上とを同時に満たすことが課題であった。
【解決手段】セラミック誘電体層１の材料として希土類及び酸化チタンの少なくとも一方を用いることでセラミック誘電体層１の誘電率の温度特性を向上させ、またセラミック誘電体層の主表面部４に圧縮応力を導入することで機械的強度を向上させているので、機械的強度向上と誘電率の温度特性向上の２つを同時に満たすことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】複数のセラミック層を積層してなり、内部に中空部、その底面に形成した単一の導体層、および該中空部と表面または外壁面などとの間を貫通する貫通孔を有し、形状・寸法精度に優れた配線基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】複数のセラミック層ｓ１〜ｓ６を積層してなり、平面視が矩形の表面３、裏面４、およびこれらの間に位置する４つの外壁面５ａ，５ｂを有する基板本体２と、該基板本体２の内部に形成され、且つ上記複数のセラミック層ｓ１〜ｓ６のうち、最上層と最下層のセラミック層ｓ１，ｓ６および下層側のセラミック層ｓ５を除いた中層のセラミック層ｓ２〜ｓ４の内側に形成された中空部６と、該中空部６の床面７を形成する下層側のセラミック層ｓ５の表面に平面形状に形成された単一の導体層１０と、中空部６の天井面９と基板本体２の表面３との間を貫通する複数の貫通孔ｈ１と、を含む、配線基板１ａ。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスによる特性バラツキの発生を抑制するとともに小型のモジュールを提供できるようにすること。
【解決手段】本発明は、フェライト１から構成される磁性体領域と、非磁性体２から構成される非磁性体領域とが同一基板内に混載しているハイブリッド基板１００である。また、本発明は、このハイブリッド基板１００におけるフェライト１から構成される磁性体領域と非磁性体領域との各々に対応して導体３のコイルによるインダクタを設けたインダクタモジュールＭ１でもある。 （もっと読む）

【課題】セラミックスラリーを用いるセラミック基板の製造方法において、高寸法精度な導体が形成でき、高い電気特性を有するセラミック基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】支持体１の上に導電ペースト２ａを塗布して乾燥させた導電層２の上に導電ペースト２ａを覆うようにセラミックスラリー３ａを塗布するセラミック基板の製造方法において、導電ペースト２ａが、溶解度パラメーターの異なる第１の有機バインダーおよび第２の有機バインダーの少なくとも２種を含むとともに、セラミックスラリー３ａが、第１の有機バインダーの溶解度パラメーターに近似する溶解度パラメーターを有する溶媒を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】高寸法精度、低抵抗配線導体、高耐熱性、高耐薬品性を有し、大きな磁器強度を備えるセラミック多層配線基板およびその製造方法を提案する。
【解決手段】セラミック積層基板１１は、ガラスセラミックス１４と、ガラスセラミックス１４より高温で焼結されたセラミック焼結体１３とで成り、セラミック焼結体１３の間にガラスセラミックス１４を挟んで焼結されている。 （もっと読む）

【課題】ビア導体を備える多層セラミック基板を製造する場合、セラミックグリーンシートの積層後にキャリアフィルムを剥離すると、ビア導体がキャリアフィルムとともに持ち去られ、ビア抜けが生じることがある。
【解決手段】ビア導体４を形成するための導電性ペーストに含まれる導体粉末として、最小粒径が１μｍ以上の導体粉末を含み、かつこの最小粒径が１μｍ以上の導体粉末のうち、粒径５μｍ以上の導体粉末としての粗粉末２８が１０重量％以上含むものを用い、他方、導体膜６を形成するための導電性ペーストに含まれる導体粉末として、粒径０．５μｍ以下の導体粉末としての微粉末２９を１０重量％以上含むものを用いる。これによって、導体膜用導電性ペーストに含まれる微粉末２９の一部をビア導体４に移動させ、ビア導体４の充填密度を高め、ビア抜けを生じさせにくくする。 （もっと読む）

【課題】基板本体の内部に位置する複数のセラミック層をビア導体が軸方向に連続して貫通しても、該ビア導体の突き上げに起因するクラックの発生や電気的短絡を防止でき、且つ最外層のセラミック層の表・裏面を平坦にして、それらの上に電子部品などを精度良く実装できる配線基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】貫通孔ｈが形成された複数のセラミック層Ｓ１〜Ｓ５を積層してなり、表面３および裏面４を有する基板本体２と、該基板本体２の内部に配置され、且つその厚み方向に沿って複数の貫通孔ｈが連続したビアホール１０と、を備え、該ビアホール１０を構成する複数の貫通孔ｈのうち、最外側のセラミック層Ｓ１，Ｓ５以外のセラミック層Ｓ３の貫通孔ｈの内壁面に沿って形成されたスルーホール導体Ｔと、該スルーホール導体Ｔが形成された貫通孔ｈを除いたビアホール１０を構成する他の貫通孔ｈに充填されたビア導体Ｖと、が連続して配置されている、配線基板１ａ。 （もっと読む）

【課題】 ビア凸の発生が抑制されるとともに、抵抗の上昇が極力抑制された配線基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、複数のガラスセラミック絶縁層１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅが積層されてなる絶縁基体１と、少なくとも表層を構成するガラスセラミック絶縁層１ａ、１ｅの内部に形成された金、銀および銅のうちいずれかを主成分とする貫通導体３とを具備してなる多層配線基板において、貫通導体３が、Ｓｂ、Ａｓ、Ｆ、ＮおよびＳの群から選ばれる少なくとも１種を合計で０．０１〜０．５ｍｏｌ％含有するガラス転移温度が６５０〜８００℃のガラスを含んでいることを特徴とする。 （もっと読む）