【課題】高温において安定して動作する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置であるトランジスタ１は、炭化珪素からなるｎ^＋−ＳｉＣ層４０と、ｎ^＋−ＳｉＣ層４０との間でヘテロ接合を構成するようにｎ^＋−ＳｉＣ層４０上に形成されたダイヤモンドからなるｐ⁻−ダイヤモンド層５０とを備えている。そして、ｐ⁻−ダイヤモンド層５０には、ｐ⁻−ダイヤモンド層５０を構成するダイヤモンドの核発生領域を除去するための開口部９９が形成されている。 （もっと読む）

【課題】パワーアンプの歪特性及び効率を悪化させずに耐破壊性を向上させることが可能なヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供すること
【解決手段】本発明にかかるヘテロ接合バイポーラトランジスタは、第１導電型のサブコレクタ層２と、第１導電型不純物を含む第１のコレクタ層４１と、第１のコレクタ層４１より第１導電型不純物の濃度が高い第３のコレクタ層４３と、前記第１のコレクタ層４１より第１導電型不純物の濃度が低い第２のコレクタ層４２と、第２導電型のベース層５と、ベース層５よりもバンドギャップの広い半導体を含む第１導電型のエミッタ層６と、第１導電型のエミッタキャップ層８と、を有するものである。 （もっと読む）

【課題】 単結晶ベース及びエミッタを有するヘテロ接合バイポーラ・トランジスタ（ＨＢＴ）及びこれに関連する方法を提供すること。
【解決手段】 ヘテロ構造バイポーラ・トランジスタ（ＨＢＴ）及び関連する方法が開示される。一実施形態において、ＨＢＴは、基板と、基板の上の単結晶エミッタと、基板内のコレクタと、コレクタに隣接した少なくとも１つの分離領域と、各分離領域の上に延びる単結晶シリコン・ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）真性ベースと、単結晶シリコン外部ベースとを含む、ヘテロ構造バイポーラ・トランジスタ（ＨＢＴ）を含む。方法は、真性ベース、外部ベース及びエミッタを単結晶として形成するステップを含むことができ、外部ベース（及びエミッタ）が、多孔質シリコン上での選択的なエピタキシャル成長を用いて、自己整合された方法で形成される。その結果、幾つかのマスク・レベルを省略することができ、これを通常の処理に代わる低価格の代替物とすることができる。 （もっと読む）

【課題】バイポーラトランジスタおよびその製造方法に関し、エミッタ・ベース接合部における正孔に対する価電子帯端のエネルギー障壁を大きくするとともに、欠陥の少ないエミッタ・ベース接合部を形成してベース電流の再結合電流成分を抑えることで、電流増幅率を大きくすることができる。
【解決手段】Ｓｉ元素からなるコレクタ層と、Ｓｉ，Ｇｅ，Ｃの元素から成るベース層と、Ｓｉ，Ｃの元素から成るＳｉＣｘ（ｘはＣの元素の組成比）を含むエミッタ層を備え、前記エミッタ層と前記ベース層との界面で、前記エミッタ層のＳｉＣｘはｘ＝０であり、前記エミッタ層と前記ベース層との界面から前記エミッタ層に向かう方向に、前記エミッタ層のＳｉＣｘのｘの値が増加することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体基板１０１の裏面から半導体基板１０１の表面にある金属配線１０８ｂまで至るよう形成されたビアホール１１６を有する半導体基板１０１と半導体基板１０１の表面にありビアホール１１６によって半導体基板１０１の表面に開口部を有する位置にある金属配線１０８ｂとの密着性を向上させた半導体装置１００の構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成された金属層と、前記金属層の下に前記半導体基板と前記金属層が合金化反応して形成された合金化反応層と、前記半導体基板の裏面側から前記金属層または前記合金化反応層に至るよう形成されたビアホールとを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】素子分離領域を通過するリーク電流を感度高く検出できる半導体装置を提供する。
【解決手段】ベース電極を含むバイポーラトランジスタ領域と、抵抗を含む抵抗領域と、前記抵抗の一方の端部と、前記ベース電極と、を接続する配線層と、前記バイポーラトランジスタ領域と前記抵抗領域とを分離する素子分離領域と、を備え、前記バイポーラトランジスタ領域内のコレクタ層と前記抵抗との間において、前記素子分離領域を通過して前記抵抗に流れるリーク電流を、前記配線層を介して前記ベース電極に供給することを特徴とする半導体装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】ベース層へのＨ^＋の混入を抑え、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）のコレクタ電流初期通電時に電流ゲインが良化する電流ゲイン初期変動を抑制する。
【解決手段】半絶縁性ＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ^＋−ＧａＡｓサブコレクタ層１０２、ｎ−ＧａＡｓコレクタ層１０３、カーボンをドープしたｐ^＋−ＧａＡｓベース層１０４、ＧａＡｓの格子定数に整合したｎ−ＩｎＧａＰ水素ストッパ層１０５、ｎ−ＩｎＧａＰエミッタ層１０６、ｎ−ＧａＡｓエミッタ層１０７、ｎ^＋−ＧａＡｓエミッタ層１０８、ｎ^＋−ＩｎＧａＡｓ−Ｇｒａｄｉｎｇ層１０９、ｎ^＋−ＩｎＧａＡｓキャップ層１１０のエピタキシャル層を順に形成してＨＢＴを構成する。 （もっと読む）

【課題】厚膜化しない場合であっても格子不整合を０．０８５％未満に緩和することが可能であり、これによりデバイス特性を向上させることの可能なメタモルフィックデバイスを提供する。
【解決手段】メタモルフィックバッファ層１２が基板１１（ＧａＡｓ基板）とトランジスタ動作部２０との間に設けられている。メタモルフィックバッファ層１２は基板１１上にＩｎＰ層（図示せず）を結晶成長させると共にそのＩｎＰ層の全体にＡｓをドープすることにより形成されたＡｓドープＩｎＰ層１２Ａである。 （もっと読む）

【課題】 微少な電極とコンタクト層との間のコンタクト抵抗を低くできる化合物半導体素子およびそのような半導体素子を工程数を増やすことなく製造する方法を提供する。
【解決手段】 ＧａＡｓ基板１上に、所定の半導体層２，３，４，５を形成した後、ＩｎＧａＡｓから構成されるオーミックコンタクト層６を、その表面が凹凸となるように、ＭＯＣＶＤ法またはＭＢＥ法によって形成する。そして、オーミックコンタクト層６の凹凸表面上に、横幅が１０μｍ以下である金属電極９を形成する。オーミックコンタクト層６と金属電極９の界面における凹凸状の構造は、高低差が０．１μｍから０．５μｍの範囲内にあり、かつ、隣り合う山と山との間隔が０．１μｍから０．５μｍの範囲内にある。 （もっと読む）

【課題】多重型トランジスタ半導体構造を提供すること。
【解決手段】半導体構造が２つの異なった部分を用いて形成される。第１の部分は第１のトランジスタを形成し、第２の部分は第２のトランジスタを形成する。第１のトランジスタの複数の部分が第２のトランジスタの複数の部分をも構成する。すなわち、第１のトランジスタ及び第２のトランジスタの両方が、同一の構造における複数の部分により構成される。 （もっと読む）

【課題】ヘテロバリア効果による高電流動作時でのトランジスタ特性の劣化を抑制した、高性能なＳｉＧｅ−ＨＢＴを提供することにある。
【解決手段】ベース領域４は、エミッタ領域９からコレクタ領域３に向かい、Ｇｅ組成比が連続的に減少する第１の領域４ａと第２の領域４ｂを有し、第１の領域４ａにおけるＧｅ組成比の減少率が、第２の領域４ｂにおけるＧｅ組成比の減少率よりも小さくなっている。また、エミッタ領域９に接するベース領域５は、エミッタ領域９からコレクタ領域３に向かいＧｅ組成比が増加している。 （もっと読む）

【課題】高出力化に付随して要求される破壊耐圧に優れた高耐圧化特性を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓサブコレクタ層１０１と、ｎ型ＧａＡｓサブコレクタ層１０１上に位置し、ＧａＡｓよりバンドギャップが広いＩｎＧａＰから構成されるｎ型ＩｎＧａＰ第３コレクタ層１０２と、ｎ型ＩｎＧａＰ第３コレクタ層１０２上に位置するｎ型ＧａＡｓ第２コレクタ層１０３と、ｎ型ＧａＡｓ第２コレクタ層１０３上に位置し、ＧａＡｓよりバンドギャップが広いＩｎＧａＰから構成されるｎ型ＩｎＧａＰ第２コレクタ層１０９とを備える。 （もっと読む）

【課題】ELO（エピタキシャルリフトオフ）を用いた半導体装置の製造方法において、短時間で確実に半導体基板と支持基板（デバイス層側）との分離を行うこと。
【解決手段】本発明は、半導体基板１に犠牲層２を介して成長させたデバイス層４に所定のデバイスを形成し、そのデバイス層４側に支持基板１０を貼り合わせた状態で犠牲層２をエッチングにより除去して半導体基板１とデバイス層４とを分離する工程を備えた半導体装置の製造方法であり、犠牲層２を除去するにあたり、予めデバイス層４から犠牲層２まで溝ｄを形成しておき、この溝ｄを介してエッチング液を犠牲層２まで浸透させる方法である。 （もっと読む）

【課題】高温アニーリングにより、キャリア捕獲中心を効果的に減少または除去するＳｉＣ層の質を向上させる方法、および該方法により作製されたＳｉＣ半導体素子を提供する。
【解決手段】（ａ）最初のＳｉＣ結晶層（Ｅ）における浅い表面層（Ａ）に炭素原子(Ｃ)、珪素原子、水素原子、またはヘリウム原子をイオン注入して、注入表面層に余剰な格子間炭素原子を導入する工程と、（ｂ）当該層を加熱することにより、注入表面層（Ａ）からバルク層（Ｅ）へ格子間炭素原子（Ｃ）を拡散させるとともにバルク層における電気的に活性な点欠陥を不活性化する工程と、を含む、幾つかのキャリア捕獲中心を除去または減少することによりＳｉＣ層の質を向上させる方法および該方法により作製された半導体素子。上記工程の後、表面層（Ａ）を、エッチングするかまたは機械的に除去してもよい。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの半導体素子を備える半導体本体（１）を備える半導体デバイス（１０）を製造する方法に関し、半導体本体（１）の上には、メサ形状半導体領域（２）が形成され、マスキング層（３）が、メサ形状半導体領域（２）の上に蒸着され、その頂部でメサ形状半導体領域（２）の側面と境界を接するマスキング層（３）の一部（３Ａ）が取り除かれ、導電性接続領域（４）が、結果として得られる構造の上に形成され、メサ形状半導体領域（２）のための接点を形成する。本発明によれば、マスキング層（３）の部分（３Ａ）の除去後、導電性接続領域（４）の形成前に、メサ形状半導体領域（２）が、マスキング層（３）の部分（３Ａ）の除去によって自由にされるメサ形状半導体領域（２）の側面で追加的半導体領域（５）によって広げられる。このようにして、極めて低い接触抵抗を有するデバイス（１０）が簡単な方法で得られる。好ましくは、メサ形状半導体領域（２）は、ＶＬＳのようなさらなるエピタキシアル成長プロセスによってナノワイヤによって形成される。追加的領域（５）は、例えば、ＭＯＶＰＥによって得られ得る。

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【課題】本発明は、半導体装置において、装置の性能を向上できるようにすることを最も主要な特徴とする。
【解決手段】たとえば、Ｓｉ基板１１の主表面上には、その垂直方向に対し、板状（あるいは、棒状）のＳｉポスト１１ａが形成されている。Ｓｉポスト１１ａでのキャリア移動度を向上させるために、Ｓｉポスト１１ａの各側面には、Ｓｉ基板１１の主表面と直交する垂直方向に伸び応力を与えるための、ストレス印加層２１が設置されてなる構成となっている。 （もっと読む）

【課題】２次元正孔ガス層をｐ型ベースとし且つ窒化物系半導体からなり高速に動作するバイポーラトランジスタを実現できるようにする。
【解決手段】バイポーラトランジスタは、窒化物半導体からなる第１の半導体層１４を含むエミッタ層と、第１の半導体層１４と比べてバンドギャップが小さい窒化物半導体からなり且つ第１の半導体層１４と接して形成された第２の半導体層１５を含むベース層と、第２の半導体層１５における第１の半導体層１４とは反対側の面と接して形成された窒化物半導体からなる第３の半導体層１６を含むコレクタ層とを備えている。第２の半導体層１５における第１の半導体層１５と第２の半導体層１４との界面領域には、２次元正孔ガス層が発生し、ベース層の一部と接するように選択的に形成されたベース電極１９は、２次元正孔ガス層とオーミック接続している。 （もっと読む）

本発明は、基板（１００）上にアクティブ層（１０１）を形成する段階および少なくとも基板（１００）が出現するまで、トレンチ（１０２）をアクティブ層（１０１）内に形成することでコンポーネントを個別化する段階を含む、電子コンポーネント（１１１）のマトリクスを製造する方法に関する。この方法は、アクティブ層（１０１）上に機能材料の層（１０２）を蒸着する段階と、前記トレンチ（１０２）を充填し、電子コンポーネント（１１１）の上側面に薄膜（１１５）を形成するように、材料の層（１０３）上に感光性樹脂（１０４）を蒸着する段階と、トレンチの樹脂の部分の露光を少なくしつつ樹脂（１０４）を放射線に少なくとも部分的に曝露する段階と、適切に露光された部分を除去するように樹脂（１０４）を現像する段階と、現像段階の後、外面に現われる機能材料の層（１０３）の部分を除去する段階と、樹脂の残り部分を除去する段階とを含む。
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【課題】ベース抵抗が小さく優れた高周波特性を有する窒化物半導体バイポーラトランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体バイポーラトランジスタにおいて、エミッタ層に接する形で形成されたコンタクト層がｎ型ＩｎＡｌＧａＮ４元混晶により形成され、前記エミッタ層と前記コンタクト層はその上に形成されたエミッタとの障壁高さが小さくＩｎＡｌＧａＮ４元混晶上ではオーミック電極コンタクト抵抗を小さくできる例えばＷＳｉエミッタ電極が庇となるように選択的に除去されており、このエミッタ電極をマスクとしてベース電極がセルフアライン工程にて形成される。このような構成にすることにより、エミッタ段差とベース電極端との間の距離を、十分に小さくし、ベース抵抗を低減できる。この結果、良好な高周波特性を有するバイポーラトランジスタを実現することが可能となる。 （もっと読む）

半絶縁エピタキシャル層を製造する方法は、基板の表面上あるいは第１のエピタキシャル層の表面上にホウ素注入領域を形成するために、基板あるいは基板上に形成された第１のエピタキシャル層にホウ素イオンを注入すること、および半絶縁エピタキシャル層を形成するために基板のホウ素注入領域上あるいは第１のエピタキシャル層のホウ素注入領域上に第２のエピタキシャル層を成長させることを含む。

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