パターン内に存在する土地を横方向にトリミングしながら、パターンを上にある層から下にある層に転写するシステムおよび方法を記載する。パターンの転写は、プロセスレシピに基づくエッチング処理を用いて行われ、プロセスレシピ内の少なくとも１つの可変パラメーターは、目標トリム量を仮定して調節される。可変パラメーターの調節は、トリム量データを可変パラメーターに関連付けるために確立されたプロセスモデルを用いて行われる。
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コンタクトホールのエッチングにおいて、エッチングの途中においてイオン照射のエネルギーだけでなく、ガス組成を変化させ、高速エッチングから低速エッチングに切り替え、ダメージを低減させる。低速エッチングでは、ガス組成をも変化させることにより、コンタクトホール底部に、強固なフロロカーボン膜を形成し、シリコン表面を保護した状態でエッチングすることができる。このため、シリコンにドープされた不純物の不活性化を防止できる。
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二重周波数カソードを有するプラズマ増強型半導体処理チャンバ用二重周波数整合回路が提供される。この整合回路は、共通出力部に結合された可変分流器を備えた２つの整合回路を含む。この整合回路は、動作中、処理チャンバ内のプラズマの負荷に対し、独立したＲＦ電源の負荷を釣り合わせる。
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【課題】基板上の誘電体レイヤにおいてトレンチ深さまでトレンチをエッチングする方法を提供する。
【解決手段】ＡＲＣが前記誘電体レイヤ上に設けられる。厚さを有するフォトレジストマスクが前記ＡＲＣ上に形成される。前記ＡＲＣがエッチングされる。１：１および２：１の間であるフォトレジストに対する誘電体のエッチング選択性で、トレンチが前記誘電体レイヤ中へエッチングされる。 （もっと読む）

本発明は、蒸着／エッチング交互処理によりプラズマエッチングする場合、基体上にＳＯＩ構造体を形成する際に観察されるノッチングを、カソードへ印加されるＲＦバイアスを変調することにより減少するか又は無くすための方法及び装置を与える。カソードへのバイアス電圧への変調は、蒸着／エッチング交互処理の間に、少なくとも二つの周波数の間で別々に行うか、又は連続的に行われる。
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【課題】基板上のマスクを通してエッチングレイヤ中にフィーチャをエッチングする方法を提供する。
【解決手段】基板がプロセスチャンバ内に置かれる。プロセスチャンバにエッチングプラズマが供給され、エッチングプラズマがエッチングを始める。エッチングプラズマでエッチングレイヤ中にフィーチャがエッチングされる。フィーチャのエッチングのあいだに少なくとも１つのエッチングプラズマパラメータがランピングされることによって、プラズマパラメータを変化するエッチング深さに最適化し、フィーチャがフィーチャ深さまでエッチングされるまでランピングされたプラズマでエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板に異方性エッチングにより深さが大きい凹部を形成するための、簡便な方法およびプラズマエッチングシステムの使用方法を提供する。
【解決手段】反応性エッチングガスをエネルギー励起するためにプラズマを用いる。反応性エッチングガスは、連続的に流れるガスフローの成分である。凹部は、エッチング時に、上記ガスフローを中断することなく少なくとも５０マイクロメートルの深さに形成される。その結果、深さの大きい凹部を製造するための簡便な方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】 ＨＩＧＨ−Ｋ誘電材料をエッチングする方法とシステム。
【解決手段】 プラズマを使用した、第１のプロセスと、第２のプロセスとの間での基板を加熱する方法は、記載されている。この加熱方法は、熱伝達ガスの裏面供給を取りやめ、クランプ力を取り除くこととによって基板ホルダ上の基板を熱的にアイソレートすることを具備する。さらにまた、希ガスのような不活性ガスは、プラズマ処理システムに導入され、プラズマは、点火される。基板は、第１の温度（すなわち、一般的に１００℃未満）から第２の温度（すなわち、一般的に４００℃オーダー）まで基板の温度を上昇させるのに十分な期間、不活性プラズマにさらされる。 （もっと読む）

半導体ウェーハ処理装置（１０）のチャンバ（１６）と、清掃されるべき表面にバイアス電圧を掛けることなくガス混合物中に高密度プラズマを生成するためのみのＩＣＰ電源と、に供給される、水素及び不活性ガスから成る清掃ガス混合物、例えば、水素含有量が体積で２０％から８０％の間にある混合物を使用する清掃方法が提供される。本発明の実施形態では、Ｓｉ及びＳｉＯ_２汚染物質又はＣＦｘ汚染物質は引き続く金属被着に先立ってシリコン・コンタクト（４６）から清掃される。本発明の別の実施形態では、基準酸化物エッチング速度を回復するために酸化物をエッチングする以前にシリコン残留物は内部チャンバ表面から清掃される。

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【技術課題】 基板に損傷や表面汚染を与えることなく、エッチングや成膜が行え、チャンバや電極等の構造は同一であるにも拘らず、導入するガスやプラズマ励起周波数を変えることにより、エッチングや成膜にも応用可能であり、生産性に優れるとともに、低価格で高性能なプラズマプロセス用装置を提供すること。
【解決手段】 容器内105に対向するように設けられ夫々平板状に形成された第１及び第２電極102，104と、プラズマに対して安定な材料から成り第１電極102上を覆うように設けられる保護部材101と、第２電極104上に被処理物103を取り付けるための保持手段と、第１電極102に接続される第１の高周波電源111と、第２電極104に接続される第２の高周波電源110と、容器105内に所望のガスを導入するためのガス供給手段とを少くとも備え、第１の高周波電源の周波数が前記第２の高周波電源の周波数より高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被処理物へのチャージングダメージを抑制しつつ、被処理物に面内均一なプラズマ処理を施す。
【解決手段】下部電極２および上部電極３に高周波電力が供給されて、下部電極２および上部電極３間のプラズマによるエッチング処理が開始されてから第１次処理時間が経過すると、上部高周波電源６から出力される高周波電力の大きさがコントローラ７により制御されて、上部高周波電源６から上部電極３に印加される高周波電力の大きさが約２００Ｗから約３００Ｗに変更される。
【効果】エッチング処理の全期間を通じて、プラズマ中の電子の分布を均一に保つことができ、半導体ウエハＷ上のプラズマ密度をほぼ面内均一に保つことができる。 （もっと読む）