【課題】構造部の断面をミル処理する際の、局部的な形状変化を制御する改良された方法であって、測定精度を向上させるため、記録ヘッドの断面での局部的な形状変化を抑制する際に使用される方法である。
【解決手段】局部的な形状変化は、大きな入射角において、その入射角における構造部のミル処理速度とほぼ等しいミル処理速度を有する材料からなる保護層によって抑制される。大きな入射角において、その入射角における構造部のミル処理速度とは異なるミル処理速度を有する材料を含む保護層を用いて、局部的な形状変化を意図的に導入することも可能である。 （もっと読む）

【課題】凹凸構造の角部分の形状変形を防いで固体表面の加工を行う。
【解決手段】上部にクラスター保護層が被覆形成された凸部とクラスター保護層が被覆形成されない凹部とでなる凹凸構造を固体表面に形成するクラスター保護層形成工程と、クラスター保護層形成工程において凹凸構造が形成された固体表面に対してガスクラスターイオンビームを照射する照射工程と、クラスター保護層を除去する除去工程とを有するガスクラスターイオンビームによる固体表面の加工方法とする。ガスクラスターイオンビームのドーズ量をｎ、クラスター保護層のエッチング効率を１クラスターあたりのエッチング体積Ｙとした場合に（但しａ及びｂは定数）、クラスター保護層の厚さＴは、


を満たす。 （もっと読む）

【課題】固体表面に存在する数１０ｎｍ〜１００μｍ程度の周期の表面粗さをガスクラスターイオンビームの照射によって低減する。
【解決手段】固体表面の法線とガスクラスターイオンビームとがなす角度を照射角度とし、固体とこの固体に衝突したクラスターとが相互作用する距離が飛躍的な増大に転じる照射角度を臨界角として、予め固体表面の形状データを取得する過程と、臨界角以上の照射角度で固体表面に対して、形状データに含まれる８００ｎｍ以上１．１μｍ以下の範囲の周期をもつ表面の凹凸のうねりの方向と照射方向とを一致させてガスクラスターイオンビームを照射する照射過程とを有する固体表面の平坦化方法とする。この臨界角は７０°である。 （もっと読む）

【課題】 フィン型ＦＥＴデバイス及びこれの製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体デバイスは、基板を準備しそして基板上に半導体含有層を形成することにより形成される。次いで、複数個の開口を有するマスクが、半導体含有層上に形成され、ここでマスクの複数個の開口のうち互いに隣接する開口は、最小構造寸法だけ離されている。その後、半導体含有層の第１部分にドーパントを導入するために、角度付けしたイオン注入が行われ、ここでドーパントがほぼ存在しない残りの部分がマスクの下側に存在する。サブリソグラフィック寸法のパターンを形成するために、半導体含有層のうちドーパントを含む第１部分がこの半導体層のうちドーパントをほぼ含まない残りの部分に対して選択的に除去され、そしてサブリソグラフィック寸法のフィン構造を生じるために、パターンが基板に転写される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板に対してヘリコン波プラズマを斜めから照射して洗浄箇所を効率的に洗浄できるようにした基板洗浄装置を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明は、減圧した真空チャンバ内に酸素と水蒸気を導入して高周波によりプラズマを発生させ、水平に保持した基板のレジストを剥離するプラズマアッシャーにおいて、前記真空チャンバを傾けて基板に対してプラズマを斜めから照射することを特徴とする基板洗浄装置の構成とした。 （もっと読む）

【課題】サイドエッチングおよびオーバーエッチングの双方を抑制することができる金属パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】基板１上に金属膜２が堆積される。金属膜２上に金属膜２の一部を覆うマスク３が形成される。異方性エッチングにより金属膜２のマスク３から露出された部分を厚み方向に部分的にエッチングすることで、金属膜２に異方性エッチングにともなう再付着膜４に覆われた側壁が形成される。側壁を有する金属膜２ｍのマスク３から露出された部分と再付着膜４とを基板１の材質のエッチング速度よりも金属膜２ｍの材質のエッチング速度が大きくなるようなエッチング条件で等方性エッチングによりエッチングすることで、金属パターン２ｐが形成される。 （もっと読む）

【課題】斜めエッチングによる加工に際し、斜め開孔のパターン形状の制御を容易に行うことが可能となるエッチングマスクの形成方法、３次元構造体の製造方法及び３次元フォトニック結晶レーザー素子の製造方法を提供する。
【解決手段】エッチングマスクの形成方法において、基板２００表面に、集束イオンビームを照射し、該照射領域にイオン含有部分からなる斜めエッチングに用いるエッチングマスク２０４を形成する構成とする。また、３次元構造体を製造するに際して、基板２００を準備する工程と、前記基板２００表面に、上記したエッチングマスクの形成方法を用い、エッチングマスク２０４を形成するマスク形成工程と、前記エッチングマスク２０４を用い、前記基板を斜め方向からドライエッチングして複数の開孔を形成するエッチング工程と、を有する製造方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】 大型化することなく、イオンを被処理基体に対して斜めにも入射させ、被処理基体の側面の膜の除去や改質を行えるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】真空容器１０７の大気を排気する排気手段と、真空容器１０７にガスを導入するマスフローコントローラ１０８と、真空容器にプラズマを発生させるプラズマ発生手段（スロットアンテナ１０５等）と、被処理基体１１０が載置される基板支持台１１１と、高周波を印加する複数の高周波電源２０２と、高周波電源２０２から印加される高周波の位相を制御する位相制御手段２０３と、位相制御された複数の高周波が各々印加される複数の高周波電極２０１とを基板支持台１１１が有する。位相制御手段２０３により複数の高周波電極２０１に各々印加される前記高周波の位相が隣接する前記高周波電極２０１間でずらされる。 （もっと読む）

【課題】大面積に亘って大きなエッチング角で斜方向プラズマエッチングを行う方法を提供する。
【解決手段】基材２１の表面に、それに対して傾斜した形状の縁２３を持つ電界制御板２２を前記表面に対して平行に載置し、プラズマ中のイオンにバイアス電圧を印加することによりイオンを基材２１の表面に入射させる。電界制御板２２の縁２３がオーバーハングしているため、一見すると縁２３の直下の領域２６にはイオンが到達しないようにも思われるが、実際には縁２３に沿って電界制御板２２の下面側に等電位面が引き込まれるように変形することにより、領域２６にイオンが回り込んで入射する。これにより、大面積に亘って、基材２１の表面の法線に対して40°〜50°という大きなエッチング角で斜方向エッチングを行うことができ、それにより３次元フォトニック結晶を好適に作製することができる。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィによらないでウィグル形状パターンを形成する半導体装置のパターン形成方法を提供することである。
【解決手段】本発明の１態様による半導体装置のパターン形成方法は、半導体基板の上方に被加工膜を堆積する工程と、前記被加工膜上に不純物を添加することによりエッチング特性が変化するマスク膜を堆積する工程と、前記マスク膜にラインパターンを形成する工程と、前記ラインパターンを形成したマスク膜の所望の領域にエッチング速度を変化させる不純物を選択的に添加する工程と、前記マスク膜からなる前記ラインパターンを選択的にエッチングして部分的に線幅の異なるウィグル形状を含むマスクパターンを形成する工程と、前記マスクパターンをマスクとして前記被加工膜をエッチングしてウィグル形状パターンを形成する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】露光装置の解像限界に依存せずに、微小なパターン幅を有する薄膜パターンを高精度に形成することが可能な薄膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】アンダーカット部を有するマスクパターンを使用して薄膜を選択的にエッチングすることによりプレ薄膜パターン（上面２Ａ，側面２Ｂ）を形成し、引き続きプレ薄膜パターンの上面２Ａおよび側面２Ｂを覆うようにエッチング保護膜を形成したのち、そのエッチング保護膜をマスクとしてプレ薄膜パターンを選択的にエッチングすることにより薄膜パターン７（側面２Ｃ）を形成する。２段階のエッチング工程を経て形成される２つの側面２Ｂ，２Ｃに基づいて薄膜パターン７のパターン幅が決定される。しかも、上面２Ａの幅および側面２Ｂ，２Ｃの傾斜角度に基づいて薄膜パターン７のパターン幅が高精度に制御される。 （もっと読む）

固体表面にガスクラスターイオンビームを照射してその固体表面を平坦化する方法において、その固体表面とガスクラスターイオンビームとのなす照射角度θを１°と３０°未満との間にする。固体表面が比較的粗い場合は、第１段階としてまず照射角度θを９０°程度としてビームを照射し、その後、第２段階として照射角度θを１°〜３０°未満として照射して処理効率を上げる。あるいは、前記第１段階と第２段階の組を複数回繰り返す。
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【課題】 所望のエッチング角度を容易に設定することができると共に、コストを低減することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 エッチング処理装置１は、半導体デバイス用のウエハＷを収容する真空処理室２と、該真空処理室２内においてウエハＷに対向するように配置された誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）ソース４と、ウエハＷ及びＩＣＰソース４の間に配置される遮蔽板５とを備え、遮蔽板５の貫通孔１１は、ＩＣＰソース４の直下以外の箇所において開口する。 （もっと読む）

【課題】 被エッチング膜に対して、左右の側壁の傾斜角が互いに異なるトレンチを形成することができるトレンチ形成方法、２つの側壁の傾斜角が互いに異なる充填材のパターンの形成方法、これを用いた充填材のパターン及びデバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】 基板１上に形成された被エッチング膜１０の一部をエッチングしてトレンチを形成するトレンチ形成方法であって、被エッチング膜１０上にトレンチに対応する開口３５を有するドライエッチングマスク３０を形成する工程と、ドライエッチングマスク３０をマスクとして被エッチング膜１０をエッチングしてトレンチを形成する工程と、を備え、ドライエッチングマスク３０において開口３５を挟んで対向する２つの側壁３５Ｌ，３５Ｒの傾斜角θＤＬ，θＤＲが互いに異なる。 （もっと読む）

【課題】 微細なコンタクトホールを精度良く形成することができるようにしたコンタクトホールの形成方法及びドライエッチング装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板２０表面のＳ／Ｄ領域２５上を覆う層間絶縁膜４０にＳ／Ｄ領域２５に至るコンタクトホールを形成する方法であって、層間絶縁膜４０上にＳ／Ｄ領域２５の上方を開口するレジストパターン５０を形成する。次に、このレジスパターン５０をマスクに層間絶縁膜４０を半導体基板２０表面に対して垂直にドライエッチングして、層間絶縁膜４０にＳ／Ｄ領域２５に至る開口部１００´を形成する。そして、このレジストパターン５０をマスクに、開口部１００´が形成された層間絶縁膜４０を半導体基板２０表面に対して斜めにドライエッチングする。 （もっと読む）

【課題】マイクロ・マシーン製造上の鍵となる被加工プレートに対する傾斜構造を少ない工程数で、短時間かつ低コストで形成可能なプラズマエッチング技術を提供する。
【解決手段】 プラズマエッチング時においては、基板上の電位勾配は、基板に対して垂直になる。そこで、基板1上に幅の小さな被加工プレート３を角度を設けて置いた場合、ベースとなる基板と基板上に置いた被加工プレートの両方の影響を受けた電位勾配が生じる。イオンは、この電場勾配に沿って被加工プレートに入射されるため、被加工プレートに対して傾いた方向にエッチングが進む。これを利用すると、傾いた構造体７を得ることができる。 （もっと読む）

波形ナノ構造を形成する本発明の方法は、周期的な波形ナノ構造が材料表面に形成され、および該ナノ構造の波峰がイオンの入射面に対して垂直方向に配向するように、分子状窒素Ｎ_２^＋イオン流束を用いて半導体材料に照射するものである。ナノ構造振幅を増大させるため、更なる照射をＯ_２^＋イオン流束を用いて、そのイオンボンバードメント面を窒素Ｎ_２^＋イオンによるボンバードメント面に一致させて実施する。Ｏ_２^＋イオンボンバードメントのエネルギーおよび角度は、形成できる波形ナノ構造の波長がＮ_２^＋イオンおよびＯ_２^＋イオンの単独照射におけるものと一致するように選択する。また、規則的な波形ナノ構造をヒ素、ガリウムおよびシリコンの構造体に形成する３つの変形体も開示される。 （もっと読む）