【課題】高密度かつ複雑な三次元微細構造の加工を可能にする。
【解決手段】基板上の三次元微細構造は、以下の方法で作製される。第１工程では、真空中でIII−Ｖ族化合物半導体基板１の表面に電子ビームを照射することにより、当該基板１の表面の自然酸化膜２をIII族酸化物３に置換させ、改質マスク部３を周期的に形成する。第２工程では、真空中で前記基板１を昇温させることにより、前記改質マスク部３以外の部分の前記自然酸化膜２を脱離させて基板表面を露出させる。第３工程では、真空にＶ族原料を供給した環境下で前記基板１を所定温度で加熱することで、前記基板表面の露出部分からIII族原子を優先的に剥離させて前記改質マスク部３上をホッピングさせ、当該露出部分に窪み４を形成する。第４工程では、固体成長原料を用いた分子線エピタキシャル成長法を行うことで、前記窪み４の部分にIII−Ｖ族化合物半導体結晶５を選択成長させる。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンのトリミングの際にパターン倒れが発生し難く、パターンの縦方向のエッチング量を少なくすることができるプラズマ処理方法およびトリミングに先立ってレジストパターンを改質するレジストパターンの改質方法を提供する。
【解決手段】処理容器１０内にパターン化されたフォトレジストが形成された基板を搬入し、前記下部電極に載置する工程と、処理容器１０内に改質用処理ガスを供給する工程と、上部電極３４に第１の高周波印加手段４８から高周波電力を印加して処理ガスのプラズマを生成し、さらに、上部電極３４に直流電圧印加手段５０から負の直流電圧を印加することにより前記レジストパターンを改質する工程と、改質されたレジストパターンをプラズマエッチングしてトリミングする工程とを有する工程とを有する。 （もっと読む）

本発明は、ガリウムで汚染された層（１２０），（２２０）の電子ビーム誘起エッチング方法に関する。本方法は、エッチングガスとして、少なくとも１種類の第１ハロゲン化合物を、電子ビームが層（１２０），（２２０）に衝突する位置に供給する方法ステップ、および、ガリウムを同位置において除去する前駆体ガスとして、少なくとも１種類の第２ハロゲン化合物を供給する方法ステップ、を含むものである。 （もっと読む）

【課題】簡便かつ効果的なレジスト改質法によりレジストパターンのエッチング耐性を強化して、薄膜加工の精度・安定性を向上させる。
【解決手段】チャンバ１０内で上部電極（シャワーヘッド）６０より吐出された処理ガスが両電極１２，６０間で高周波放電により解離・電離してプラズマＰＲが生成される。ここで、可変直流電源８０より直流電圧Ｖ_DCを負極性の高圧で上部電極６０に印加する。そうすると、γ放電によって電極板６２より放出された２次電子ｅ^-は、上部イオンシースＳＨ_Uの電界でイオンとは逆方向に加速されてプラズマＰＲを通り抜け、さらに下部イオンシースＳＨ_Lを横断して、サセプタ１２上の半導体ウエハＷ表面のレジストパターン１００に所定の高エネルギーで打ち込まれる。 （もっと読む）

【課題】スループットの低下を抑えつつ、レジスト膜のエッチング耐性を向上させることの可能な半導体装置の製造方法等を提供する。
【解決手段】
レジスト膜９７からなるパターンマスク、反射防止膜９６及び被エッチング膜９０２が上からこの順に積層された積層体９０１を備えた被処理基板Ｗを気密な第１の処理容器２内に搬入し、レジスト膜９７のエッチング耐性を向上させるが反射防止膜９６にはエッチング耐性を与えない程度のエネルギーで被処理基板の表面に対して真空雰囲気下で電子線を照射し、その後、前記被処理基板を気密な第２の処理容器３内に搬送し、パターンマスクを介して反射防止膜９７及び被エッチング膜９０２をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】シリカ系絶縁膜を用いた半導体装置の製造方法に関し、ドライエッチングのダメージに起因する誘電率増加を回復するとともに、大気放置による誘電率の増加を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００上に、シリカ系の絶縁材料の絶縁膜１０２を形成し、絶縁膜１０２をドライエッチングにより加工し、加工した絶縁膜１０２にシラン化合物を作用させることにより、ドライエッチングのダメージによって絶縁膜１０２内に導入されたＳｉ−ＯＨ結合にシラン化合物を反応させて疎水化し、絶縁膜１０２に光照射又は電子線照射を行うことにより、シラン化合物と反応していないＳｉ−ＯＨ結合を縮合させる。 （もっと読む）

【課題】高密度かつ複雑な三次元微細構造を基板の表面に形成可能な三次元微細加工方法を提供する。
【解決手段】第１工程では、真空中でIII−Ｖ族化合物半導体基板１の表面に電子ビームを照射することにより、当該基板１の表面の自然酸化膜２を化学的に安定なIII族酸化物３に置換させ、改質マスク部３を周期的に形成する。第２工程では、真空中で前記基板１を昇温させることにより、前記改質マスク部３以外の部分の前記自然酸化膜２を脱離させて基板表面を露出させる。第３工程では、真空にＶ族原料を供給した環境下で前記基板１を所定温度で加熱することで、前記基板表面の露出部分からIII族原子を優先的に剥離させて前記改質マスク部３上をホッピングさせ、当該露出部分に窪み４を形成する。第４工程では、固体成長原料を用いた分子線エピタキシャル成長法を行うことで、前記窪み４の部分にIII−Ｖ族化合物半導体結晶５を選択成長させる。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜のドライエッチング工程を含む半導体装置の製造方法において、エッチング加工制御性を向上する手段を提供する。
【解決手段】下部構造部１０上のストッパー膜１１上に炭素元素を含む絶縁膜である被加工膜１２を形成する。この上にマスクパターン１３ａを形成し、このマスクパターンをマスクに被加工膜に向けて電子線等のエネルギー注入を行って被加工膜に硬化部位１２ａを形成し、このマスクパターンをマスクに被加工膜の硬化部位を異方性エッチングし溝１２ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】パターン間隔が狭くなっても近接効果を起こさずに超微細加工を行うことができるシリコン基板の加工方法を提供すること。
【解決手段】シリコン基板１１上にシリコン酸化膜１２を形成する。このようにシリコン基板１１上に形成されたシリコン酸化膜１２の溝加工領域に電子線１３を照射して、溝加工領域のシリコン酸化物を還元してシリコン１４にする。このシリコン酸化膜１２をマスクとして溝加工領域のシリコン１４及びシリコン基板１１をシリコンに対するエッチャント１６を用いてエッチングして溝１５を加工する。シリコン酸化物に対するエッチャント１７を用いてシリコン基板１１上に残存したシリコン酸化膜１２をエッチングして除去する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓを含むＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ａｓ_ｚＰ_１−ｚ層表面に、自然に形成されているＡｓ_２Ｏ_３、Ａｓ_２Ｏ、Ｇａ_２Ｏ等の表面酸化膜を予め除去する必要性がなく、また、複雑で微細化された回路パターンを形成するためのドライエッチング用マスクを形成することなく、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ａｓ_ｚＰ_１−ｚ層表面に、量子デバイスに用いられる微細な回路パターンをその場で形成する電子ビーム微細加工方法を提供する。
【解決手段】単体のＧａＡｓ及びＩｎＰ基板を含む、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ａｓ_ｚＰ_１−ｚ（０≦ｘ、ｙ、ｚ≦１）層表面に、任意の電子ビーム径、電流密度に制御した電子ビームを照射し、前記Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ａｓ_ｚＰ_１−ｚ層表面に形成されている自然酸化膜を選択的にＧａ_２Ｏ_３又はＧａ_２Ｏに置換又は生成させた後、前記Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ａｓ_ｚＰ_１−ｚ層表面を臭素化物により一原子層単位でドライエッチングし、前記Ｇａ_２Ｏ_３又はＧａ_２Ｏに置換した部分以外の前記自然酸化膜及びＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ａｓ_ｚＰ_１−ｚ基板を除去する。 （もっと読む）