【課題】基板を保持した基板ホルダを搬送装置内に高精度に収納する。
【解決手段】複数枚のウエハを収納可能なポッド（フープ）にウエハホルダによって保持されたウエハを収納する際に用いられる治具であり、台座部９１と位置決めブロック９２とグリップ部９３とを有しており、台座部９１に一段下がったザグリ面９１ｂが形成され、ザグリ面９１ｂにウエハホルダの回転方向を位置決めする３つの突起部９１ｆが設けられ、位置決めブロック９２の突出部９２ａとポッドとで位置決めを行ってポッドに前記ウエハホルダを収納する。 （もっと読む）

【課題】基板を基板収納容器から確実に取り出すことができる載置プレート、基板移載装置および基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ１をポッドに出し入れするツィーザ５０において、ツィーザ５０はウエハ１を載置する基端側載置部５２、５２および先端側載置部５４、５４と、ウエハ１を前記ポッドから取り出す際にウエハ１の前記ポッド内の奥側の周縁部を引っ掛ける先端側引っ掛け部５５、５５と、ウエハ１の位置ずれを防止する座ぐり５１と、を具備し、先端側引っ掛け部５５、５５は先端側が二股に分かれて配置され、先端側載置部５４、５４の載置面との夾角Θｂが直角または鋭角に設定され、ウエハ１を引っ掛ける際には、前記ポッド内の位置決め部の近傍に位置するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】 ＳｉＣ部材の表面近傍に残留している金属元素を、ＳｉＣ部材の破損を抑制しつつ、短時間かつ低コストで除去する。
【解決手段】 炭化珪素からなる部材が内部に露出した反応容器と、反応容器内を加熱する加熱部と、反応容器内に非酸化性ガスを供給するガス供給部と、反応容器内を排気する排気部と、反応容器内に非酸化性ガスを供給しつつ反応容器内を排気すると共に、反応容器内を処理温度に加熱して所定時間保持するように、ガス供給部、排気部、及び加熱部を制御する制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】面内均一性の高い膜を形成する。
【解決手段】石英材で構成された複数のリング状プレートを、少なくとも表面が炭化珪素材で構成された複数本の支柱にて支持したボートにて、各リング状プレートの内周側に基板周縁が配置されるように複数の基板を保持しつつ処理室に搬入する工程と、前記処理室にシリコン含有ガスと酸素含有ガスを供給し、前記ボートに保持された前記複数の基板上及び前記複数のリング状プレートに酸化シリコン膜を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】同時に複数枚の基板をバッチ処理する場合において、基板間の処理の均一性を向上させる。
【解決手段】基板を処理する処理室と、処理室内で複数の基板を保持する基板保持体と、処理室内へ所定の処理ガスを供給するガス供給部と、処理室内からガスを排出するガス排出部と、を備え、基板保持体は、複数本の支柱と、支柱の長手方向に沿って配列するように複数設けられ、基板を支持する基板支持部と、基板支持部に支持される基板の外周を囲うリング形状のプレートと、を備え、プレートの表面には表面パターンが形成されており、複数のプレートのうち第１プレートに形成されている表面パターンと、複数のプレートのうち少なくとも第２プレートに形成されている表面パターンと、が異なる。 （もっと読む）

【課題】被処理体を直接的に載置する熱分散板の耐久性を向上させて破損し難くし、接続端子が腐食されないようにすることが可能な載置台構造を提供する。
【解決手段】排気が可能になされた処理容器３２内に設けられて処理すべき被処理体Ｗを載置するための載置台構造において、被処理体を加熱する加熱手段７２が設けられた載置台本体７４と、載置台本体上に設けられると共に、その上面に被処理体を載置する熱分散板７６と、載置台本体内に設けられた電極７８と、載置台本体を支持するために処理容器の底部より起立された筒体状の支柱７０と、支柱内に挿通されると共に上端部が加熱手段に接続されたヒータ給電部材１１０（１１０Ａ〜１１０）と、支柱内に挿通されると共に上端部が電極に接続された電極給電部材１１２とを備えたことを特徴とする載置台構造である。 （もっと読む）

【課題】表面のパーティクルや、微少凹凸を高い除去率で取り除くことができる炭化ケイ素部材の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る炭化ケイ素部材の製造方法では、炭化ケイ素を含む炭化ケイ素部材１を、酸素含有雰囲気中で８００〜１２００℃の温度範囲で加熱することにより、前記炭化ケイ素部材１の表面２に酸化被膜６を形成する酸化処理工程と、前記炭化ケイ素部材１を酸洗浄することにより、前記酸化被膜６および炭化ケイ素部材１の表面２の少なくとも一部を除去する酸洗浄工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】シール材および窒素ガスの使用の増加を防止しつつ、外気の侵入を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ１が待機する待機室１２を形成した筐体１１と、待機室１２内に形成されて窒素ガス３０が循環する循環路３１と、循環路３１の途中に設けられて窒素ガス３０を循環させる送風機４３を有するクリーンユニット４１とを備えた熱処理装置１０において、筐体１１内の送風機４３の吸込側空間５５に隔離室５１を形成する仕切板５０を設け、隔離室５１を排気する排気ダクト５２を設ける。窒素ガスが循環路を循環する際に、筐体の隙間から酸素を含む外気が送風機の吸込側空間に侵入する現象を防止する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の搭載のためにホルダーが装着されるバッチ型半導体の製造装置のボートにおいて、製造が簡単な半導体基板ホルダーの製造方法及びこのホルダーを通じてよりコンパクトな半導体基板のボート搭載を遂行してその生産性が向上するバッチ式ボートとそれを用いた半導体基板のローディング／アンローディング方法並びにこれらが含まれた半導体の製造装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の底部が安着される外周と内周大きさを有するパイプ形状のホルダー基材１０を成形し、ホルダー基材１０を半導体基板のローディング用ボートで半導体基板の配置間隔に合わせてリング形状に切断してホルダーリング１２を製作する。 （もっと読む）

【課題】300mm径以上、特に、450mm径の半導体シリコン基板を熱処理する際に発生が懸念されるスリップを低減させ、かつ基板上のパーティクルを抑制することができる半導体シリコン基板の熱処理治具およびその治具を用いた熱処理方法を提供する。
【解決手段】厚さが10〜50μm、かつ表面粗度Raが0.5〜2μmのクリストバライト化させた酸化膜を形成した熱処理治具を用いて、熱処理用のシリコン基板を支持し、熱処理をする。 （もっと読む）

【課題】様々な半導体加工用部品とこうした半導体加工用部品を形成する方法を提供する。
【解決手段】半導体加工用部品はＳｉＣで形成され、および、この半導体加工用部品の外側表面部分が、内部不純物レベルの１０倍以下である表面不純物レベルを有する。半導体加工用部品を処理する方法は、この半導体加工用部品を高温度においてハロゲン気体に曝露することと、酸化物層を形成するために半導体加工用部品を酸化させることと、この酸化物層を除去することとを含む。 （もっと読む）

【課題】比較的重量に富み、脆弱な板状部材を損傷することなく、位置決め搬送する方法及び装置を提供する。
【解決手段】搬送ロボットＢによって位置決め部１２の第１ガラス基板受け部２０Ａ、２０Ｂを構成する溝にガラス基板１００を載置位置決めする。第１ガラス基板受け部２０Ａ、２０Ｂは緩衝部材で構成されているために衝撃なくガラス基板１００を受け止める。次いで、リフター７４が搬送処理部１４を上方へと変位させると、前記ガラス基板１００は搬送処理部１４の第２ガラス基板受け部５０Ａ、５０Ｂに移載され、且つガラス基板側部受け部３２Ａ〜３２Ｄ、３４Ａ〜３４Ｄによって横方向への変位を阻止されながら、トランスファーマシンＥによりセレン化処理炉Ｆへと搬送される。 （もっと読む）

【課題】支持具に支持される基板間のピッチを縮小し、処理枚数を増大させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１０は、基板７２を処理する反応炉４０と、反応炉４０内で基板７２を支持する支持具３０とを有し、支持具３９は、基板７２と接触する支持板５８と、支持板５８を支持する支持片６６とを有し、支持片６６はスケルトン構造であり、支持板５８には少なくとも一つの貫通孔８４が設けられ、支持片６６は貫通孔８４とは重ならないように構成されている。 （もっと読む）

【課題】ウエハ面内膜厚分布均一性の低下を防止する。
【解決手段】複数枚のウエハ１を一括して収容する処理室３２と、３本の保持柱２５ｃで複数枚のウエハを積層保持するボート２５と、ボート２５を回転させる回転駆動装置２８と、処理室３２内に処理ガスを噴出する吹出口４６と、を有する基板処理装置において、コントローラ６０は回転駆動装置２８を回転速度と角度位置とをパラメータとして制御し、保持柱２５ｃの角度位置に応じてボート２５を回転させる速度を増減させる。 （もっと読む）

【課題】一度に複数枚の被処理体を処理してスループットを向上させることができ、更に過大な反射波の発生を抑制し、インターロック機能を設ける必要がなく、投入電力を増加させることができる処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対して電磁波を用いて熱処理を施すようにした処理装置２において、所定の長さを有する金属製の処理容器４と、処理容器の一端に設けられた搬出入口６と、搬出入口に設けられる開閉蓋５２と、搬出入口より処理容器内へ搬出入され、複数枚の被処理体を所定の間隔を隔てて保持すると共に電磁波を透過する材料よりなる保持手段４２と、処理容器内へ電磁波を導入する電磁波供給手段１４と、処理容器内へ必要なガスを導入するガス導入手段２２と、処理容器内の雰囲気を排気する排気手段３２とを備える。 （もっと読む）

多様な温度を含むプロセスの間、半導体ウエハを支持するためのウエハ支持体。ウエハ支持体は、上表面の一部がウエハを支持するように、半導体ウエハを受容するように適合される上表面を有する本体を含む。上表面は、陥凹領域の底面から隆起する傾斜表面を含む陥凹領域を有する。傾斜表面は、約１０度以下の傾斜角度を有する。
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半導体ウェハの支持体は、ウェハを支持するためのサポート表面と、上記サポート表面から離れて形成されそれにより上記ウェハから離間される窪んだ表面と、を有するプレートを含む。複数のホールが、上記窪んだ表面から延び、サポート表面には、ウェハの汚染を防止するため、ホールが存在しない。
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【課題】少ない台数のイオン発生手段で例えば被処理体移載エリア内の広範囲に亘って帯電箇所の除電及び浮遊する帯電塵の除電を行うことが可能な被処理体の移載機構を提供する。
【解決手段】複数の被処理体Ｗを複数段に亘って保持して収容することが可能な収容ボックス６と、複数の被処理体を複数段に亘って保持し、被処理体に対して所定の処理を施すための処理容器６４内へロード及びアンロードされる被処理体保持手段１８との間で、被処理体の移載を行う被処理体の移載機構５２において、昇降手段５４により上下方向へ昇降可能になされた昇降台５６と、昇降台に設けられて、被処理体を載置して前進、後退及び旋回可能になされたフォーク手段５８と、フォーク手段に設けられて静電気を除去するイオンを発生させるイオン発生手段６０とを備える。 （もっと読む）

【課題】スリップの成長を抑制し、熱処理でのシリコンウェーハの歩留まりが高まるウェーハ支持治具へのウェーハ支持方法を提供する。
【解決手段】各装填溝の奥壁からシリコンウェーハの最外周縁までの長さを４〜１０ｍｍとしたので、ウェーハ熱処理時、ウェーハ外周部と各装填溝の奥壁との間に大きい空間が形成される。これにより、炉心管からシリコンウェーハが受ける輻射熱を、ウェーハ面内で均一化できる。その結果、ウェーハ面内の温度差が小さくなり、スリップの進展に寄与する応力を低下させ、スリップの成長を抑制し、熱処理によるシリコンウェーハの歩留まりの低下が抑えられる。 （もっと読む）

【課題】ポッドの有無を確実に検出する。
【解決手段】ポッド２を開閉するポッドオープナが設置されたロードポートに、ポッド２を載置しポッドオープナに対して遠近動作する内側載置ユニット１５と、内側載置ユニット１５と別体でポッド２を載置しポッドオープナに対して並行方向に昇降動作する外側載置ユニット１７とを設け、内側載置ユニット１５には内側載置ユニット１５上のポッド２を検出する内側検出器９１を設け、外側載置ユニット１７上のポッド２を検出する外側検出器９２を設ける。内側載置ユニットの進退中および前進後においても内側載置ユニット上のポッドを検出できる。外側載置ユニットの昇降中においても外側載置ユニット上のポッドを確実に検出できる。 （もっと読む）