本発明の一形態において、本発明の半導体製造システムは、不活性ガスが吸気及び排気できる真空ハウジングと、システム内に配置された多数の蒸着チャンバとを含む。本発明の装置は基板２２２、支え電極２２４、基板電源２３６、ガス吸入口２３２、質量流量計２３３、ガス供給源２８、真空ポンプシステム２３４、ポンピングポート２３６、磁石１０２、１０４、１０６、１０８、ターゲット１１０、１２０、電子制限区域１３０及び電源１４０を含む。

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ウエハを主清浄ステーションへと搬送する複数の搬送ローラを備えた搬送装置と、ウエハを搬送する搬送ローラと清浄する清浄ローラとを備え、該清浄ローラ組に清浄用媒体を供給する供給源が設けられた主清浄ステーションと、ロボットがウエハを取り上げて乾燥ステーションへと搬送する取り出しステーションと、主清浄化ステーションと取り出しステーションとの間の水クッション搬送ラインと、主清浄ステーションと取り出しステーションとの間に位置する停止ステーションと、搬送装置の搬送ローラの速度および主清浄ステーションの搬送ローラ組の速度の速度比を予め設定し、停止ステーションにウエハが存在しなくなるまでは供給ステーションへの搬送を許さず、取り出しステーションにウエハが存在しない場合にのみ、ウエハを取り出しステーションへと解放する制御装置と、を備えることを特徴とするＣＭＰプロセスを用いたウエハ清浄装置。
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【課題】複数のロボットを用いた加工システムのスケジュール用の技術を提供する。
【解決手段】ロボット20を用いた製造システム10であって、製造プロセスの一連のステージ14間で材料を搬送するために複数のロボット20を備えていてもよい。効率を向上させるため、これらロボット20の各々は、加工の流れとは逆に、操作の周期的なスケジュールに従って、独立して操作されてもよい。 （もっと読む）

【課題】小型で、しかも安価でありながら、汎用性に優れた基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理部ＰＳでは、それぞれが互いに異なる現像処理を施す２つの現像処理ユニット１０Ａ、１０Ｂと、現像処理された基板に超臨界乾燥処理を施す超臨界乾燥処理ユニット２０と、これらの処理ユニット１０Ａ、１０Ｂ、２０に取り囲まれるように配置された主搬送ロボット３０とが設けられている。この主搬送ロボット３０は未処理基板Ｗを受け取ると、該基板Ｗに形成されているレジスト膜の膜材料に対応する現像処理ユニットに基板Ｗを搬送する。そして、現像処理が完了すると、いずれの現像処理ユニット１０Ａ、１０Ｂで現像処理されたのかを問わず、主搬送ロボット３０は現像処理を受けた基板Ｗを超臨界乾燥処理ユニット２０にウェット搬送する。 （もっと読む）

【課題】 占有スペースをそれ程大きくすることなく、簡単なプロセスを含めた多種多様な処理を行う。
【解決手段】 被処理体Ｗに対して所定の処理を行う複数の処理装置３２Ａ〜３２Ｆと、前記複数の処理装置に共通に接続された共通搬送室３４と、前記共通搬送室内に設けられて前記処理装置との間で前記被処理体を搬送するための第１及び第２の２つの搬送手段４０、４２と、前記共通搬送室内であって前記２つの搬送手段のそれぞれの搬送範囲が重なる範囲内に設置されて、両側がゲートバルブ５８Ａ、５８Ｂによって開閉されて密閉空間となるバッファ部５０、５２と、前記共通搬送室に接続されて真空引き可能になされたロードロック室３６Ａ、３６Ｂと、前記ロードロック室に接続された導入側搬送室３８と、前記導入側搬送室内に設けられて、前記被処理体を複数収容するカセットと前記ロードロック室との間で前記被処理体を搬送する導入側搬送手段１２４とを備えた。 （もっと読む）