Fターム[5F033JJ34]の内容
半導体集積回路装置の内部配線 (234,551) | 層間接続のコンタクト層の材料 (22,060) | 化合物 (4,106) | 窒化物 (3,695) | WN (404)
Fターム[5F033JJ34]に分類される特許
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配線構造
【課題】 銅を配線材として用いても、微細な配線構造の形成が可能で、製造の工程数が少なく、低コスト化が可能な配線構造を提供する。
【解決手段】 半導体素子が形成された基板上に絶縁膜103が多層形成され、絶縁膜103に形成された配線溝およびビアホールに金属配線剤が充填されて、配線および接続プラグが形成された配線構造において、絶縁膜103のうち少なくとも一層が対電子線感光性を有する材料から形成されており、絶縁膜103の層間にはバリア絶縁膜104を有し、前記金属配線剤は銅を含むものである。
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配線構造の製造方法
【課題】 銅を配線材として用いても、微細な配線構造の形成が可能で、製造の工程数が少なく、低コスト化が可能な配線構造の製造方法を提供する。
【解決手段】 配線構造の製造方法が、半導体素子201の上にWプラグ203(下層配線)が形成された基板上に、対電子線感光性を有する材料を含む第二層間絶縁膜204(絶縁膜)を形成する工程と、第二層間絶縁膜204に電子線を照射して、第二層間絶縁膜204を露光する工程と、第二層間絶縁膜204を現像して未露光部を除去し、配線溝および/またはビアホールおよび/またはコンタクトホールを形成する工程とを有する。
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多層配線構造の製造方法及びその構造
【課題】 上層配線層と下層配線層とを、アスペクト比の高いビアコンタクトで接続した多層配線構造を提供する。
【解決手段】 多層配線構造のビアコンタクト形成工程が、ビアホールの底面上に触媒層を設け、触媒層上にビアホールの上方に向ってめっき金属層を成長させ、めっき金属層でビアホールを充填する無電解めっき工程からなる。
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多層スピンオン多孔性誘電体からなるlow−k配線構造
【課題】その中にマイクロトレンチを含まない低誘電体層間絶縁膜金属導体配線構造およびそのような構造の形成方法を提供する。
【解決手段】導体抵抗に対する制御は、第1の原子組成を有する多孔性の低誘電体層間絶縁膜の線とバイア誘電体層との間に位置する第2の原子組成を有する埋込みエッチング停止層により行われる。本発明の配線構造は、また、二重波形模様タイプの配線構造を形成する際に助けになるハードマスクを含む。第1および第2の組成は、エッチング選択性が少なくとも10:1またはそれ以上になるように選択され、特定の原子組成および他の発見できる量を有する多孔性の低誘電体層間絶縁膜有機材料または無機材料の特定のグルーブから選択される。
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