【課題】より高性能、高信頼性の記憶装置、及びその記憶装置を備えた半導体装置を低コストで、歩留まりよく作製できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】第１の導電層と、第１の導電層の側端部と接して設けられる第１の絶縁層と、第１の導電層及び第１の絶縁層上に設けられる第２の絶縁層と、第２の絶縁層上に設けられる第２の導電層とを有し、第２の絶縁層は、絶縁性材料によって形成されており、絶縁性材料が流動化したときの流動化物に対するぬれ性は、第１の導電層より第１の絶縁層の方が高い。 （もっと読む）

【要約書】
【課題】 半導体用銅合金配線自体に自己拡散抑制機能を有せしめ、活性なＣｕの拡散による配線周囲の汚染を効果的に防止することができ、またエレクトロマイグレーション（ＥＭ）耐性、耐食性等を向上させ、バリア層が任意に形成可能かつ容易であり、さらに半導体用銅合金配線の成膜工程の簡素化が可能である半導体用銅合金配線及び同配線を形成するためのスパッタリングターゲット並びに半導体用銅合金配線の形成方法を提供する。
【解決手段】 Ｍｎ０．０５〜５ｗｔ％を含有し、Ｓｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ａｇ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ａｓから選択した１又は２以上の元素の総量が１０ｗｔｐｐｍ以下、残部Ｃｕであることを特徴とする自己拡散抑制機能を備えた半導体用銅合金配線。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置中のクラックの伝播を抑制し、他の領域に影響を与えないようにする。
【解決手段】 シリコン基板１０１上に設けられたＳｉＣＮ膜１０５およびＳｉＯＣ膜１０７を貫通する凹部の側面を覆う界面補強膜１１５を設ける。界面補強膜１１５はＳｉＯＣ膜１１３と連続一体に形成され、エアギャップ１１７を有する。 （もっと読む）

【課題】 ｌｏｗ−ｋ膜のような疎水性膜を使用した多層配線構造において、層間絶縁膜に使用する疎水性膜とライナー膜又はバリア膜として使用する親水性膜との界面剥離の発生を防止する。
【解決手段】 電子デバイスは、図示しない基板上に形成された第１の層間絶縁膜１１の下層配線溝１１ａを埋め込むように形成された下層配線１２と、下層配線１２の上に形成されたバリア膜１３と、第１の層間絶縁膜１１及びバリア膜１３の上に形成された第２の層間絶縁膜１４とを備えている。そして、電子デバイスは、第１の層間絶縁膜１１と第２の層間絶縁膜１２とが接合している界面を有している。 （もっと読む）

【課題】 ヒューズの飛び散りを原因とする、回路素子、配線、及び半導体基板に対する損傷を防止できる半導体装置を提供する。
【解決手段】 表面に回路素子が設けられた半導体基板上に絶縁層が形成され、絶縁層上にレーザートリミングされるヒューズが形成され、ヒューズ上に保護膜が形成されてなる半導体装置であって、ヒューズ近傍に少なくとも１以上の空洞を形成してなる。 （もっと読む）

金属ライン（８（ｉ））の間および誘電体内にエアギャップを形成する方法である。方法は、デュアルダマシン（dual damascene）構造を得ること、拡散バリア層（１０）を、平坦化された面に直接加えること、およびリソグラフィステップを行なうことからなり、これにより、金属ラインを、拡散バリア層の下に遮蔽する。任意として、金属ライン（８（ｉ））間の大きな誘電体領域（６）のいくつかの部分も、遮蔽される。露出した拡散バリア層部分および下にある誘電体がエッチングされる。典型的には１５０〜４５０℃の温度に加熱することにより、揮発性成分に分解することができる材料の層が加えられ、エッチングまたはＣＭＰにより平坦化される。分解性生成物に対して透過性である誘電体層（２０）が堆積され、その後、基板は加熱される。次いで、使い捨て層が分解し、透過性の誘電体層を通じて消滅し、その後に、金属ライン（８（ｉ））および大きな誘電体領域の間に、エアギャップ（２２）を残す。
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