【課題】半導体装置の製造過程において生じるウエハ外周部分からのパーティクルの発生を防止し、十分な歩留りを実現する。
【解決手段】ウエハにゲート電極となる導電膜４、５を形成する第一工程と、導電膜４、５の中の、ウエハの外周部分に形成された導電膜４、５の上に選択的に保護膜７を形成する第二工程と、導電膜４、５の上に第一レジストパターンを形成し、前記第一レジストパターンをマスクとして導電膜４、５をエッチングすることにより、ゲート電極を形成する第三工程と、前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜を形成する第四工程と、前記層間絶縁膜の上に第二レジストパターンを形成し、前記第二レジストパターンをマスクとして前記層間絶縁膜をエッチングすることにより、コンタクトホールを形成する第五工程と、を有する半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハ上に形成された第１の保護膜上にポリイミド系樹脂等からなる第２の保護膜を形成するとき、半導体ウエハが反りにくいようにする。
【解決手段】 所定の相隣接する２本の配線７の接続パッド部７ｂ間に形成された５本の引き回し線部７ｃおよびその両側における相隣接する２つの接続パッド部７ｂの周辺部を含む第１の保護膜５の上面に、スクリーン印刷法やインクジェット法等により、ポリイミド系樹脂等からなる第２の保護膜１０を形成する。この場合、当該５本の引き回し線部７ｃの互いに平行とされた部分がエレクトロマイグレーションに起因するショートが発生しやすい領域であるので、この領域のみを第２の保護膜１０で覆えば、当該領域でエレクトロマイグレーションに起因するショートが発生しにくいようにすることができる。この結果、第２の保護膜１０の形成領域を可及的に小さくすることができ、これにより半導体ウエハ２１が反りにくいようにすることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の再配線層において配線を狭ピッチ化して隣接する配線間距離が著しく近接しても、配線間でイオンマイグレーションを効果的に抑制する。
【解決手段】一方の主面１１ａに半導体デバイスおよび電極１１ｃが設けられた半導体基板１１と、一方の主面１１ａの上に形成された層間絶縁層１２と、層間絶縁層１２上において個々の配線パターンに沿って複数形成されたポリイミドからなる樹脂パターン部１３と、樹脂パターン部１３の上にそれぞれ形成された再配線層１４と、再配線層１４の上を封止する封止絶縁層１５とを有し、樹脂パターン部１３の側面１３ａが、配線パターンの長手方向に垂直な断面において凹凸状とされている。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、半導体基板が樹脂層により被覆されない構造のため、半導体基板端部が欠け易い問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置１では、シリコン基板２上面に配線層１３が形成され、配線層１３を被覆するように樹脂層１４が形成される。配線層１３上には樹脂層１４の開口領域１５を介してバンプ電極１８が形成される。また、保護シート１９は、シリコン基板２の裏面及びシリコン基板２の側面２０の一部を被覆する。この構造により、シリコン基板２の裏面側では、保護シート１９が緩衝材として機能し、シリコン基板２のチッピングが防止される。 （もっと読む）

【課題】回路基板に確実に実装可能で、且つ、加熱に起因して発生する応力が抑制可能な半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子１０において、複数の電極パッド１３の上方に、中央部Ａより中間部Ｂで、更に中間部Ｂより端部Ｃで膜厚が厚くなるように形成した絶縁部材１５を設ける。各電極パッド１３に接続するアンダーバンプメタル１７は、それぞれ絶縁部材１５から突出させ、その先端にそれぞれバンプ１８を形成する。 （もっと読む）

【課題】応力集中に対して内部電極が断線、剥離しにくい半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１１と、半導体基板１１を厚み方向に貫通して設けられた貫通電極１７と、半導体基板１１の表面の貫通電極１７が到達する部分に設けられ、貫通電極１７と電気的に接続された内部電極１２と、内部電極１２の一部を除外して半導体基板１１の表面を覆う第一の保護膜１３Ａと、内部電極１２の第一の保護膜１３Ａで覆われない部分に、第一の保護膜１３Ａと離間して設けられた第二の保護膜１３Ｂと、半導体基板１１の裏面に設けられ、貫通電極１７と電気的に接続された金属配線１８とを備える。 （もっと読む）

【解決手段】
単一チップ区域を個々のサブ区域（１つ以上の応力緩和領域２８０ａ、２８０ｂに基く２００ａ、２００ｂ、２００ｃ）に分割することによって、サブ区域の各々内に熱的に誘起される応力は、複雑な集積回路の動作の間に低減することができ、それにより低ｋ誘電体材質又はＵＬＫ材質を備えた複雑なメタライゼーションシステムの全体的な信頼性を高めることができる。その結果、従来の戦略と比較して、多数の積層メタライゼーション層を半導体チップ（２００）の大きな横方向寸法との組み合わせにおいて用いることができる。 （もっと読む）

【課題】 ウェハ貫通ビアおよびこれを作成する方法を提供する。
【解決手段】 ウェハ貫通ビア構造である。この構造は、上面（１０５）および反対側の底面（３２０）を有する半導体基板（１００）と、少なくとも１つの導電性ウェハ貫通ビア（１３０）および少なくとも１つの非導電性ウェハ貫通ビア（１２５）を含むウェハ貫通ビアのアレイであって、ウェハ貫通ビアのアレイの各ウェハ貫通ビアが基板（１００）の上面（１０５）から基板（１００）の底面（３２０）への中間点を越えたところと全域との間まで延びている、ウェハ貫通ビアのアレイとを含む。また、このウェハ貫通ビア構造を製作するための方法である。 （もっと読む）

【課題】レーザ照射により切断されるヒューズを備えた半導体装置において、レーザの反射率の増加を抑えてヒューズへ加わるエネルギーの低下を抑制することにより、ヒューズの飛散を防止できるようにする。
【解決手段】絶縁膜１上に、密着層２ａ、メタル層３ａ及びＴｉＮ反射防止膜４ａから構成されるヒューズ１１が形成されている。ヒューズ１１を覆うように絶縁膜１上にシリコン酸化膜５が形成されている。シリコン酸化膜５上にシリコン窒化膜８が形成されている。ヒューズ１１上に位置するシリコン酸化膜５ａにおけるヒューズ１１の短辺方向の断面は三角形状を有している。 （もっと読む）

【課題】導電性プラグの上に低誘電率絶縁膜を堆積させる場合、低誘電率絶縁膜の膜厚均一性の悪化による配線のオープン不良もしくはショート不良の発生を抑え、また低誘電率絶縁膜の機械強度や密着性の低下による信頼性の低下を抑えることを目的とする。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板の上に、第１の絶縁膜を形成する工程（ａ）と、工程（ａ）の後に、第１の絶縁膜を貫通する導電性プラグを形成する工程（ｂ）と、工程（ｂ）の後に、導電性プラグの上面に保護膜を形成する工程（ｃ）と、工程（ｃ）の後に、第１の絶縁膜の上および保護膜の上に第２の絶縁膜を形成する工程（ｄ）と、工程（ｄ）の後に、保護膜の上面に達するように第２の絶縁膜を貫通する配線溝を形成する工程（ｅ）と、工程（ｅ）の後に、保護膜を除去する工程（ｆ）と、工程（ｆ）の後に、配線溝内に配線を形成する工程（ｇ）とを備えている。 （もっと読む）

【目的】膜切れの無い均一なシード膜を形成する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、基体上に絶縁膜を形成する工程（Ｓ１０２）と、絶縁膜に開口部を形成する工程（Ｓ１０４）と、開口部内に光触媒膜を形成する工程（Ｓ１１０）と、Ｃｕを含有する溶液に光触媒膜を浸漬させた状態で光触媒膜に紫外線を照射する工程（Ｓ１１２）と、開口部内に電解めっき法によりＣｕを埋め込む工程（Ｓ１１４）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ソースドレイン領域のサイズが増大することがない局所配線構造を備えた半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１１の上に形成されたゲート電極２２及び半導体基板１１におけるゲート電極２２の両側方にそれぞれ形成された第１のソースドレイン領域２９Ａ及び第２のソースドレイン領域２９Ｂを有するトランジスタ１２と、半導体基板１１の上における第１のソースドレイン領域２９Ａを挟んでゲート電極２２と反対側に形成されたゲート配線４２と、ゲート配線４２と第１のソースドレイン領域２９Ａとを接続する局所配線構造６０とを備えている。局所配線構造６０は、第１のソースドレイン領域２９Ａ及びゲート配線４２の上面に跨って形成されたＳｉＧｅ層６１によって構成されている。 （もっと読む）

【課題】配線間に設けられた絶縁膜への電界集中が抑制され、微細化されても、絶縁破壊が抑制され、十分な信頼性を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板上に形成され、ビアホール５０６ｃと、ビアホール５０６ｃの上部に連結された配線溝（上層配線溝）５０５ｃとを有する第１の絶縁膜（第２の層間絶縁膜）５０４と、ビアホール５０６ｃに埋め込まれたビア５０６と、ビア５０６に電気的に接続され、配線溝（上層配線溝）５０５ｃに埋め込まれた金属配線（上層配線）５０５と、ビアホール５０６ｃの側面に設けられ、金属配線（上層配線）５０５の側面と第１の絶縁膜（第２の層間絶縁膜）５０４との間に挟まれて形成された第２の絶縁膜（絶縁膜）５０８とを備えている。平面的に見て、ビア５０６は、隣接する金属配線（上層配線）５０５間の領域に、はみ出す事無く形成されている。 （もっと読む）

【課題】 相互接続積層物内の誘電層間にナノスケール波形界面を有するデバイス構造を提供する。
【解決手段】 相互接続積層物においてナノメートル・スケール波形界面を有する界面を含む誘電複合構造は、接着強度および界面破壊靭性の向上をもたらす。また、波形接着促進物層（１１４）を更に含んで固有の界面接着を更に向上させる複合構造も記載する。また、自己アセンブリング・ポリマー系およびパターン転送プロセスを用いてこれらの構造を可能とするための、ナノメートル・スケール波形界面を形成するための方法も記載する。 （もっと読む）

【課題】ｎチャネル型電界効果トランジスタとｐチャネル型電界効果トランジスタを有する半導体装置において、ｎチャネル型電界効果トランジスタ、ｐチャネル型電界効果トランジスタ共にドレイン電流特性に優れた半導体装置を実現する。
【解決手段】ｎチャネル型電界効果トランジスタ１０と、ｐチャネル型電界効果トランジスタ３０とを有する半導体装置において、ｎチャネル型電界効果トランジスタ１０のゲート電極１５を覆う応力制御膜１９には、膜応力が引張応力側の膜を用いる。ｐチャネル型電界効果トランジスタ３０のゲート電極３５を覆う応力制御膜３９には、膜応力が、ｎチャネル型トランジスタ１０の応力制御膜１９より、圧縮応力側の膜を用いることにより、ｎチャネル型、ｐチャネル型トランジスタの両方のドレイン電流の向上が期待できる。このため、全体としての特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】配線間隔の狭い回路において配線容量を低減させた配線構造及び半導体装置、並びにそれらの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】導電性の配線層８を形成する工程と、配線層８に配線パターンを形成する工程と、前記配線パターンの配線１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ間に絶縁性の配線層間膜１１を形成する工程と、配線層間膜１１の厚さ方向に、縦穴状の微細孔１４を複数形成する工程を有することを特徴とする。また、微細孔１４は、ナノ粒子１２またはナノ粒子１２を含有する材料からなるマスクを用いて、エッチングすることにより形成することができる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板を備え、高周波信号を導通させたときに発生する高調波が小さい半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１において、シリコン基板２上にシリコン酸化膜３を形成し、その上に配線６及び配線８を設ける。配線６は、周波数が５００ＭＨｚ以上であり、電力が２０ｄＢｍ以上である高周波信号が流れる高周波配線とし、配線８は一定電位が印加される定電位配線とする。そして、シリコン基板２におけるシリコン酸化膜３に接する領域に、アクセプタとしてのホウ素を導入し、ホウ素ドーピング層９を形成する。ホウ素ドーピング層９の厚さは１μｍ以下とし、ホウ素の面濃度は４．０×１０^１０乃至３．５×１０^１１ｃｍ^−２とする。 （もっと読む）

【課題】表面保護膜や層間膜などの配線被覆膜の剥がれやひび割れの進行を防止することができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】この半導体装置は、半導体チップ１と、半導体チップ１上に積層された保護膜２と、保護膜２上に突出する凸型端子３と、凸型端子３に接着される半田ボール４とを備えている。半導体チップ１の基体をなす半導体基板７上には、第１配線層８、第１層間膜９、第２配線層１０、第２層間膜１１、第３配線層１２および最上層配線被覆膜１５が半導体基板７側からこの順に積層されている。そして、半導体基板７の周縁から所定幅だけ内側の位置においては、最上層配線被覆膜１５の表面から第２層間膜１１および第１層間膜９を貫通して半導体基板７の表層部に達する溝１８が半導体基板７の素子形成領域Ｂを取り囲んで形成されている。そして、この溝１８には、保護膜２が入り込んでいる。 （もっと読む）

【課題】 良好な動作特性を維持しつつ、隣接するゲート電極間、或いはゲート電極とコンタクトプラグとの間の離間距離を拡大することなくこれらの間における短絡の発生を防止することを可能にする半導体装置並びにその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１０上の所定の領域に不純物拡散領域６が離隔形成されており、２つの不純物拡散領域に挟まれる領域上にゲート電極（３、５）が形成される。又、不純物拡散領域６と配線１２との電気的接続を形成するために層間絶縁膜９を貫通してコンタクトプラグ１１が形成されており、このコンタクトプラグ１１の外周部の内、少なくともコントロールゲート電極５と対向する領域の一部の領域には層間絶縁膜９と別工程で形成される埋め戻し絶縁膜１５が形成される。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板および該シリコン基板上に設けられた低誘電率膜と配線との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部を備えた半導体装置において、低誘電率膜を剥離しにくいようにする。
【解決手段】 低誘電率膜配線積層構造部３のうち配線５が配置された部分は平面方形枠状の溝６内に設けられ、その上には酸化シリコン等からなるパッシベーション膜８が設けられている。そして、溝６の内側における低誘電率膜配線積層構造部３およびパッシベーション膜８の側面は、溝６内およびその上方に設けられたポリイミド系樹脂等からなる保護膜１０によって覆われている。これにより、溝６の内側における低誘電率膜４を剥離しにくいようにすることができる。この場合、溝６の外側における低誘電率膜４の側面が露出されているが、この露出された低誘電率膜４が剥離しても、保護膜１０の側面が露出されるだけであり、溝６の内側における低誘電率膜４がそれに続いて剥離することはない。 （もっと読む）