【課題】 Ｃｕ／誘電体の界面に沿ったエレクトロマイグレーション不良は、ＶＬＳＩ回路の用途において大きな信頼性の問題として認識されている。
【解決手段】 Ｃｕ／誘電体の界面におけるＣｕ移動および原子ボイド形成を低減させるために、Ｃｕ相互接続の上に高い引っ張り応力のキャッピング層を設ける。引っ張り応力の高い誘電膜は、薄い誘電体材料を多層に堆積することによって形成する。これらの層は各々、厚さが約５０オングストローム（５ｎｍ）未満である。各誘電体層にプラズマ処理を行った後に、これに続く各誘電体層を堆積することで、誘電体キャップが内部引っ張り応力を有するようにする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の配線形成工程におけるプロセスマージンを拡大することができる半導体装置を得ること。
【解決手段】所定の形状にパターニングされた下層配線１０１と、下層配線１０１上に形成される層間絶縁膜と、層間絶縁膜に形成されたビアホールに埋め込まれたプラグを介して下層配線と電気的に接続される、層間絶縁膜上に所定の形状にパターニングされた上層配線と、を有する半導体装置において、層間絶縁膜は、下層配線と同じ平面パターンを有し、下層配線上に絶縁材料によって形成されるビアホール形成用層間絶縁膜と、ビアホール形成用層間絶縁膜の間を埋め、ビアホール形成用層間絶縁膜よりもエッチング時におけるエッチング速度が低い絶縁材料からなるビアホール形成位置間層間絶縁膜と、を備える。 （もっと読む）

【課題】配線間に空隙領域と絶縁膜とを設ける従来の半導体装置では、絶縁膜からの脱ガスにより配線が変質し、半導体装置としての信頼性が低下するといった問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置は、配線間に設ける絶縁膜を第１の絶縁膜と第２の絶縁膜とから構成し、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜とは、半導体基板に対して垂直方向に積層して設けるかまたは水平方向に互いに接して設け、第２の絶縁膜は、第１の絶縁膜と配線と隣接する空隙領域との間に設ける。このような構造を有すると、第１の絶縁膜からの脱ガスの影響を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に吸湿された水分により生成される腐食生成物による隣り合う再配線間の電気的なリークを抑制して半導体装置の耐湿寿命の向上を図る手段を提供する。
【解決手段】半導体基板と、半導体基板に形成された内部回路に電気的に接続する電極パッドと、電極パッドに達するスルーホールが形成された絶縁膜と、電極パッドに電気的に接続し、絶縁膜上に延在する再配線とを備えた半導体装置において、再配線の周囲の絶縁膜に、この再配線に隣接した凹溝を設ける。 （もっと読む）

【課題】 誘電体空隙を有する相互接続構造体を提供する。
【解決手段】 多相フォトレジスト材料を用いて誘電体層内部に空隙を形成することにより改善された性能及びキャパシタンスを有する相互接続構造体が提供される。相互接続構造部は、相互接続構造部の周りの誘電体層の部分の中に円柱状空隙構造体を有する誘電体層内に埋め込まれる。相互接続構造部はまた、生成される異なる誘電率を有する２つ又は複数の相を有する誘電体内に埋め込むこともできる。この相互接続構造体は現行の後工程プロセスに適合する。 （もっと読む）

改善された半導体シールリングおよびそのための方法が記載される。シールリングは、太層を含み、この太層の少なくともある部分は、個片化の前に個片化通路から取除かれ、これにより個片化処理の間に太層に対するダメージを回避する。薄い防湿バリア層が、太層の少なくとも縁部をシールするように太層の少なくともある部分の上に配されるのが好ましい。能動回路素子の作製のために好ましくは用いられる太い非金属層が、当該太層として有利に用いられ得る（たとえばバルク音波（ＢＡＷ）フィルタ装置における窒化アルミニウム（ＡｌＮ））。薄いアモルファス非金属層（たとえば窒化ケイ素（ＳｉＮ）層）が、好ましくは当該太層の上に配されてもよい。代替的には、他の材料が用いられてもよい。
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【課題】半導体装置に記憶された情報のセキュリティ性を向上させる技術を提供する。
【解決手段】半導体基板２０上に多層配線層を形成する。そして、多層配線層のうち最上層配線層に配線４２を形成する。配線４２上に酸化シリコン膜４３、有色薄膜４４および酸化シリコン膜４５を順次形成し、酸化シリコン膜４５上に表面保護膜となる窒化シリコン膜４６を形成する。すなわち、本発明の特徴は、最上層配線層を構成する配線４２と表面保護膜となる窒化シリコン膜４６の間に有色薄膜４４を形成する。この有色薄膜４４は、可視光および特定波長域のレーザ光を減衰させる機能を有し、例えば、酸化コバルトを含有する酸化シリコン膜より形成する。 （もっと読む）

【課題】原子炉または核融合炉の近傍などの過酷な放射線照射環境下においても安定に動作させることが可能な炭化珪素半導体素子およびその運転方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素エピタキシャル膜の上に形成される表面保護膜、層間絶縁膜などの絶縁膜を、ＳｉＯ₂膜とＳｉＮ膜とが交互に積層された多層膜などの超格子多層構造とし
て、絶縁膜内における多数の界面で外部からの放射線を反射、散乱させることにより素子内部への放射線の侵入を抑制する。 （もっと読む）

【課題】凹部の埋め込み性を向上できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に互いに並走する導電層１、１が形成されている。各導電層１上には上層絶縁層２と保護絶縁層３とが積層して積層構造が形成されている。この積層構造の側壁を覆うように側壁絶縁層４、５が形成されている。半導体基板１０の表面に平行な方向における側壁絶縁層５、５の間隔（凹部７の寸法）が側壁絶縁層５の上部において大きく（寸法Ｗ３）、下部において小さく（寸法Ｗ４）なるように側壁絶縁層５はその上部と下部との間に段差部Ｐを有している。 （もっと読む）

【課題】配線基板や他の半導体チップに対する接続信頼性が高い半導体チップおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体チップ３１は、機能素子３が形成された半導体基板２と、半導体基板２の一方表面に開口を有する貫通孔４の内部を埋めるように配置されたポリマー３２と、ポリマー３２上に形成され、機能素子３に電気接続された配線層３５と、配線層３４のうちポリマー３２上にある部分に設けられた突起電極１４とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、フォト工程を使用しないで、段差を有する有機物パターンを形成することによって、キャパシタの容量が調節できる薄膜パターンの製造方法及びこれを用いる平板表示素子の製造方法に関する。
【解決手段】基板上に導電性第１薄膜パターンを形成するステップと、第２薄膜パターンが形成されたマスターモールドを設けるステップと、前記第２薄膜パターンが形成されたマスターモールド上に有機物を塗布するステップと、前記第１薄膜パターン及び前記基板の表面が前記有機物と接触するように前記基板と前記マスターモールドとを合着するステップと、前記有機物を硬化するステップと、前記基板とマスターモールドを分離して、前記第１薄膜パターンが形成された基板上に前記第２薄膜パターンにより段差を有することになる有機薄膜パターンを形成するステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に形成される被膜の剥離、ダストの発生を抑えることが可能な半導体製造方法及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体基板に第１の被膜を形成する工程と、前記半導体基板の外周部において、第１の被膜の少なくとも一部を除去し、段差を形成する工程と、少なくとも前記段差の形成された領域に、選択的に第２の被膜を形成する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、マイグレーションの発生を低減できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は半導体基板１０１と、半導体基板１０１の電極端子形成面１０１ａ上に形成された複数の電極端子１０２と、半導体基板１０１の電極端子形成面１０１ａ上の複数の電極端子１０２間に形成された絶縁性の保護膜１０５と、複数の電極端子１０２間の保護膜１０５上に形成された凹部１５０を備えている。この凹部１５０は、複数の電極端子１０２間における導電性物質の流動を抑制する抑制部として機能する。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンパターンの抵抗値を制御しつつ、多結晶シリコンパターンの上層に金属配線層を配置する。
【解決手段】半導体基板１上に多結晶シリコンパターンからなる抵抗体２３と、半導体基板１上に形成された層間絶縁膜２７と、層間絶縁膜２７上に形成された金属配線層３１を備え、抵抗体２３として、同じ多結晶シリコンからなり、その上部に金属配線層３１が配置されているものと配置されていないものとを含み、両抵抗体２３，２３の上部は層間絶縁膜２７上に形成された第１窒化膜２９で被われており、抵抗体２３の上部に配置されている金属配線層３１は第１窒化膜２９上に形成され、抵抗体２３の上部かつ金属配線層３１の近傍領域での第１窒化膜２９直上に第２窒化膜３３が存在している。上部に金属配線層３１が配置されている抵抗体２３のシート抵抗値と上部に金属配線層３１が配置されていない抵抗体２３のシート抵抗値が等しくなっている。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜として低誘電率膜を用いた半導体装置の層間絶縁膜の膜剥がれを防止するために形成された空堀を厚膜のレジストを用いずにダストの発生を抑えるようにして形成する。
【解決手段】 層間絶縁膜３により絶縁された多層配線の最上層の金属層５をパターニングして層間絶縁膜エッチング用ハードマスクを形成し、このマスクを用いて、層間絶縁膜３をエッチングして半導体基板１の周辺部分に基板表面が露出する空堀４を形成する。マスクとして用いられた金属層５をパターニングしてパッド２ｇを含む配線パターンを形成し、空堀４が形成された半導体基板１表面に少なくとも１層のパッシベーション膜６を形成し、パッシベーション膜６を開口して前記パッド２ｇを露出させる。空堀にはパッシベーション膜が埋め込まれているので低誘電率膜の界面が保護されて耐湿性が向上する。 （もっと読む）

【課題】 温度負荷を与えた場合において発生する低誘電率膜の剥離及び破壊を防ぐことができる半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、少なくとも１層が低誘電率化された層間絶縁膜により層間絶縁された多層配線層が表面に形成された半導体素子３が搭載された配線基板２もしくはリードフレームと、半導体素子３を配線基板２もしくはリードフレームに固定するダイアタッチ材１と、半導体素子３の接続電極８と配線基板２の接続電極９もしくはリードフレームとを接続する配線（ボンディングワイヤ）４と、半導体素子、配線基板もしくはリードフレームの一部、ダイアタッチ材及び前記配線を封止する樹脂封止体５とを備えている。ダイアタッチ材１は、配線基板もしくはリードフレーム表面に対向する半導体素子の底面から前記底面に繋がる側面及び前記側面に繋がる表面の周辺領域１ａまで被覆している。 （もっと読む）

【課題】 実装性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、電極１４を有する半導体基板１０と、半導体基板１０の電極１４が形成された面に形成された、１つの直線２１に沿って延びる形状をなす樹脂突起２０と、電極１４と電気的に接続されてなり、樹脂突起２０上に至るように形成された配線３０とを含む。樹脂突起２０は、直線２１に沿って、樹脂突起２０の中央から離れるほど高さが低くなる傾斜領域２４を有する。配線３０は、傾斜領域２４上を通るように形成されてなる。 （もっと読む）

【課題】 溝配線形成の際の密着層カバレッジ不良とライナーエッチング後にボイドが発生することを同時に防止する。
【解決手段】 基板１００上に、第１の配線層１０６ａ上での膜厚が第１の絶縁膜１０１上での膜厚よりも薄くなるように第２の絶縁膜１０７を形成する工程と、第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜１０８を形成する工程と、第３の絶縁膜を貫通して第２の絶縁膜に到達する接続孔１０９を、平面的に見て第１の配線層と少なくとも一部がオーバーラップする位置に形成する工程と、接続孔の底面における第１の配線層とオーバーラップする領域では第１の配線層を露出するとともに、接続孔の底面における第１の配線層とオーバーラップしない領域では第２の絶縁膜が残存するように、接続孔の底面に露出した第２の絶縁膜をエッチング除去する工程とを含む。 （もっと読む）

半導体デバイス（４００）は、パッシブなオーバーコート保護層（３２０）と、この保護層の上に設けられた相互接続導電層（３３０）を備えた基板（３１０）を有する。保護層と導電層との間に位置する所定材料の層（４１０）は、導電層と基板との間の異なる移動に対し、応力を緩和するようになっている。好ましい実施例では、この所定材料の層は銅製の相互接続層とパッシブなオーバーコートとの間の接着を所定インターバルで中断するようにパターン化されており、よって基板に対し、外側に移動することにより、応力を緩和できるような銅製の盛り上がった場所を設けている。
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【課題】 レーザトリミングにより配線層を溶断した際、飛散した配線層材料が再付着し、短絡するという不具合を解消し、簡便にレーザトリミングすることができるた半導体装置およびそのトリミング方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板上の絶縁膜と、この絶縁膜上に形成されたレーザトリミングされる配線層と、配線層上に形成された保護膜とを有する半導体装置において、保護膜の配線層のレーザ光照射部近傍に、レーザ光を照射する際、飛散する配線層材料が付着しない壁面を有する開口部を備える。 （もっと読む）