【課題】 強度低下や寸法増大を抑えながら、バイアホールの接地インダクタンスを低減できる半導体装置とその製造方法およびＭＭＩＣを提供する。
【解決手段】 このマイクロ波帯用増幅器ＧａＡｓＭＭＩＣは、その接地電極８が、３個のバイアホール１１からなるバイアホール群１２を有し、この３個のバイアホール１１は、その内側に充填されたメッキ金属１０ａが近接されて形成され、その相互作用によって高周波的な電磁界結合が発生して、接地インダクタンスが低減された。 （もっと読む）

【課題】 機械的強度が強く、かつ、放熱性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】 シリコン基板１０上に形成される配線層のうち、第１層から第３層を、コンタクト部１１及びビア１４ａ，１４ｂにタングステン、配線１３ａ〜１３ｃに銅をそれぞれ用いてシングルダマシン工程によって形成し、第４層から第６層を、ビア１５ａ〜１５ｃ及び配線１３ｄ〜１３ｆに銅を用いてデュアルダマシン工程によって形成し、かつ、第４層から第６層におけるビア１５ａ〜１５ｃの径を第１層から第３層におけるコンタクト部１１及びビア１４ａ，１４ｂの径の１２．９倍以上とする。 （もっと読む）

【課題】 比抵抗の低い半導体基板の上であっても、その上に形成した高周波用伝送線路の伝送損失を抑制できるようにする。
【解決手段】 信号線１０３およびグランド線１０４と半導体基板１０１との間に介在する絶縁膜１０２と、信号線１０３の両側の半導体基板１０１に形成された溝１０５とを備え、信号線１０３およびグランド線１０５は、半導体基板１０１に接している辺より半導体基板１０１に垂直な隣辺の方が長い長方形状の断面を有する。 （もっと読む）

【課題】 抵抗の低い半導体基板の上であっても、その上に形成した伝送線路の伝送損失を抑制できるようにする。
【解決手段】 半導体基板１０１上に信号線１０２とグランド線１０３とからなる伝送線路が形成され、その信号線１０２の両脇の半導体基板１０１に溝１０４を備え、また、信号線１０２およびグランド線１０３は、半導体基板１０１主面に平行な底面に対し、隣接する側面の方が面積が広くなるように形成されている。 （もっと読む）