Fターム[5F033WW00]の内容
半導体集積回路装置の内部配線 (234,551) | 数値の特定 (5,273)
Fターム[5F033WW00]の下位に属するFターム
長さ、寸法 (1,572)
温度 (833)
濃度 (735)
圧力 (290)
流量 (142)
エネルギー (197)
電圧、電流 (63)
誘電率、容量 (247)
パラメータを工程途中で変化させるもの (113)
Fターム[5F033WW00]に分類される特許
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フリップチップ用高性能シリコンコンタクト
本発明においては、前面(14)と背面(16)とを備える半導体基板(12)であって、基板を(12)通って前面(14)と背面(16)との間を延びる孔(18、20、22)を備える半導体基板(12)を用意する。孔(18、20、22)は、部分的に、内壁部分によって規定され、外側導電性シースを形成する。導電性材料(54)を、内壁部分の少なくとも一部に隣接して形成する。その後に誘電体材料層(56)を、孔内部に、導電性材料上であってそのラジアル方向内側に形成する。次に第2の導電性材料(60)を、孔内部に、誘電体材料層(56)上であってそのラジアル方向内側に形成する。後者の導電性材料は、内側導電性コアキシャル線要素を構成する。 (もっと読む)
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