【課題】相変化メモリ装置のメモリセル部における、相変化領域の上側ならびに下側の金属からの放熱を共に抑制し、熱効率の低下を最小限化して、大規模な相変化メモリ装置の量産を可能とすること。
【解決手段】相変化層の下側のコンタクトプラグからの放熱は、異種材料コンタクトプラグ１０４を採用して抑制する。すなわち、第２の導電材料に比べて比抵抗が大きい（逆に、熱伝導率は小さい）第１の導電材料からなる第１の導電材料プラグ１０６にヒータ電極１１０を接続することによって、放熱を抑制する。相変化層の上側の電極からの放熱は、引き出し電極１１６を用いた、相変化領域（ヒータ電極１１０の上面１１２の近傍）の直上に電極を設けない電極構造の採用によって抑制する。 （もっと読む）

【課題】ダマシン法により基板に配線パターンを形成する配線形成方法であって、配線形成時にボイド等の不具合発生が無く、信号遅延を低減することのできるダマシン配線の形成方法を提供する。
【解決手段】基板に配線パターンを形成するダマシン配線の形成方法であって、前記基板に形成された絶縁膜２に配線パターンとする溝部２ａを形成するステップと、分散剤６に溶かした炭素ナノ物質７の分散溶液５を前記絶縁膜２上に塗布し、該分散溶液５を前記溝部２ａに埋め込むステップと、前記分散溶液５の溶媒を蒸発させるベーク処理を行うステップと、前記分散剤６を蒸発させ、炭素ナノ物質７の膜を焼成するアニール処理を行うステップと、前記溝部２ａ上の余分な炭素ナノ物質７の膜を除去し前記溝部２ａに沿った配線パターンを形成するステップとを実行する。 （もっと読む）

本発明は、流体冷却チャネルを集積された集積回路デバイス、およびこうした集積回路デバイスを製造する方法に関するものである。この方法は、絶縁層シーケンス内の電気相互接続部の横方向の所望位置、および流体冷却チャネル部の横方向の所望位置に凹部を形成するステップを備えている。この絶縁層シーケンスの凹部内に金属充填物を堆積させて、流体冷却チャネル部内に電気相互接続部および犠牲的充填物を形成する。その後に、この犠牲的金属充填物を、流体冷却チャネル部から選択的に除去する。
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【課題】半導体チップに複数の半導体素子が形成されている半導体装置において、従来の半導体装置と比較して、半導体チップの面積を縮小できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップの表面に平行な面方向において、パワー素子領域ａよりも領域が狭い制御回路素子領域ｂがパワー素子領域ａと完全に重複するように、半導体チップの内部に、絶縁分離されたパワー素子領域ａを有する第１のＳＯＩ層４と、絶縁分離された制御回路素子領域ｂを有する第２のＳＯＩ層７とを、半導体チップの表面に垂直な方向に並んで配置させる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の小型化を実現すると同時に半導体装置の動作時の発熱を廃棄することの可能な半導体装置および斯かる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】接地面に設けられ、半導体ウエハ１０２上に配線および電極端子パターン１０４、１０６が形成されている半導体装置１００において、かかる電極端子パターンのうち、接地面と接続する電極端子パターンが形成されている部位には、かかる部位に設けられた電極端子パターンを貫通するようにして半導体ウエハに導通孔１０８が形成され、半導体ウエハには、この半導体ウエハの配線および電極端子パターンが形成されている面１０２ａと反対側の面１０２ｂから導通孔の底部１０８ａに達するまで、径が導通孔の各底部を包含可能な大きさである孔部１１０が形成され、かかる孔部には各底部および接地面を電気的に接続する一の導電体１１２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】相変化メモリ装置における良好な電気特性と良好な熱特性を両立させ、電極や配線の材料選択の自由度も高めて、大規模な相変化メモリ装置の量産を可能とすること。
【解決手段】ヒータ電極１１０と相変化層１１４の接触界面１１２の近傍で発生するジュール熱が、ヒータ電極１１０を介して下方に伝達され、下地の良導電性の金属コンタクトプラグから放熱されることを抑制するために、異種材料コンタクトプラグ１０４（１０６，１０８）を採用する。ヒータ電極１１０に接触する第１の導電材料プラグ１０６は、ヒータ電極１１０の構成材料と同種または同じ金属材料からなり、第２の導電材料プラグ１０８は、接地電位用プラグ１００や接地配線１０２と同種あるいは同じ金属材料からなる。両プラグ１０６，１０８は、共通のコンタクトホール内に積層形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体素子等に起因して発生する熱を効率よく放熱する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１１と、半導体基板に設けられた第１の拡散領域１２と、第１の拡散領域１２に設けられた半導体素子１７と、第１の拡散領域１２に設けられ、かつ冷却用の流体が供給される通路１４とを含む。 （もっと読む）

【課題】裏面のグランド層を容易に形成するとともに、ビアホールを位置合わせが容易に形成する。
【解決手段】ウェハ１の半導体集積回路が形成されている側の表面１１に形成された第１のホール２と、ウェハ１の裏面１２に形成された第２のホール３とを有し、１個の第２のホール３と複数個の第１のホール２とがつながってウェハ１を貫通するビアホール４が構成され、ビアホール４には埋め込み金属層５が埋め込まれ、ウェハ１の裏面１２の全体にはグランド層６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ヒューズ回路を大きくすることなく層間絶縁膜のクラックを防止できるとともに、ヒューズ切断前後において大きな抵抗変化を得ることができるヒューズ素子及びその切断方法を提供する。
【解決手段】シリコン層を含む配線部１４と、配線部１４の一端側に接続されたコンタクト部２０ｂと、配線部１４の他端側に接続されたコンタクト部２０ａとを有するヒューズ素子において、コンタクト部２０ｂからコンタクト部２０ａへ配線部１４を介して電流を流し、コンタクト部２０ａの金属材料をシリコン層中にマイグレーションさせることにより、配線部１４とコンタク部２０ａとの間の接続抵抗を変化させる。 （もっと読む）

【課題】 隣接する素子への影響を可及的に低減することを可能にする。
【解決手段】 Ｇｅ基板２に設けられた空孔６ａと、空孔の上面を覆いＧｅを含む絶縁膜６ｂと、を備えている。 （もっと読む）

ＭＭＩＣチップを有する単結晶ウェハを提供することを含む方法。各チップは、ウェハによって設けられる半導体基板の第１の表面部分にある能動デバイスと、半導体基板の第２の表面上に配置される第１の部分を有する電気配線とを有する。半導体基板の構造は、その中を貫通するバイアを有し、電気配線の第２の部分は、バイアの中を通って、能動デバイスに電気的に接続される。多層配線構造がウェハ上に形成され、チップのうちの対応するチップの第２の表面部分の上に信号ルーティングセクションを設ける。各セクションは誘電体層及び電気導体を有し、そのような電気導体は、能動デバイスに電気信号をルーティングするために、そのような能動デバイスに電気的に結合される。各チップ及び対応する信号ルーティングセクションが、ウェハから切り離される。
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【課題】 特許文献１に記載のＳＯＩ基板においては、絶縁膜の熱伝導率が高くても、厚い支持基板によって放熱が妨げられてしまう。
【解決手段】 半導体装置１は、ＳＯＩ基板１０、配線層２０、および素子分離領域３０を備えている。ＳＯＩ基板１０は、支持基板１２、支持基板１２上に設けられた絶縁膜１４（基板絶縁膜）、および絶縁膜１４上に設けられたシリコン活性層１６（シリコン層）を有している。支持基板１２の厚さは、好ましくは１０μｍ以上１５０μｍ以下である。絶縁膜１４の熱伝導率は、常温で、シリコン活性層１６も低く且つＳｉＯ_２よりも高い。 （もっと読む）

【課題】 ヘテロ接合半導体素子と別の半導体素子とが同一基板上に集積され、かつ、この別の半導体素子の電極取り出し構造が改良された半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 前記別の半導体素子の一例である抵抗素子２０を構成する抵抗層１１を、イオン注入法または不純物拡散法によって半絶縁性基板１内に形成する。次に、サブコレクタ層２、コレクタ層３、ベース層４、エミッタ層５、そしてエミッタキャップ層６の構成材料層を、基板１の全面にエピタキシャル成長法によって形成する。次に、これらの一部をメサ構造に加工して、ＨＢＴ１０を形成する。一方、抵抗素子２０の素子電極１４、１５を高い位置で取り出すための導電層１２、１３を、サブコレクタ層２の構成材料層４２のパターニングによって形成し、素子電極１４、１５をこの上に形成する。次に、ＢＣＢなどの平坦化膜３０を形成し、これを介して配線３１、３２を形成する。 （もっと読む）

システムは、第１半導体デバイスと第１電気接続とを有する第１チップ、第２半導体デバイスと第２電気接続とを有する第２チップ、および第３半導体デバイスと第３電気接続とを有する第３チップを有し、第３チップは、第１および第２チップの上面にスタックされ、第１および第２チップのそれぞれの少なくとも一部分を物理的に架橋し、前記第１および第２チップに接続される。
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【課題】集積電子回路の基板上の、基板内に埋められたキャビティの上方の位置に、回路部材を容易に形成できるようにする。
【解決手段】集積電子回路の基板１００内に形成されたキャビティＣの上方が閉じられ、くぼみＥが形成されている。くぼみＥは、リソグラフィ放射線Ｆ１の反射を弱くするように選択された材料１０で埋められている。レジスト層３が回路上に積層された後に放射線を照射すると、レジスト層３の、くぼみＥの上方に位置する部分は、１次フラックスＦ１のみによりレジストの現像のしきい値よりも小さい放射線量にさらされる。レジスト層３の、くぼみの外側にある部分は、１次フラックスＦ１と、基板１００の表面で反射された２次フラックスＦ２により、しきい値よりも大きい放射線量にさらされる。レジスト層３を現像すると、キャビティＣの上方のみに位置するマスクＭ２が得られる。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上できる薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】活性層５のソース領域７およびドレイン領域８の長手方向の中央部から両端部に向けてコンタクトホール13a,13b,13c,13d,13eの間隔を徐々に狭くする。通電時の活性層５の放熱量が長手方向の中央部より両端部のほうが小さい。活性層５の長手方向の中央部での放熱性が両端部での放熱性より良くなる。活性層５のチャネル領域に電流が流れて自己発熱したときに、チャネル領域の長手方向の中央部での局所的な温度上昇を抑制できる。通電時の自己発熱をチャネル領域全体に亘って平均化できる。
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【課題】半導体チップ内部のアクティブ素子の損傷なしに内部に発生した熱を効果的に放出させることによって、チップの動作信頼性を向上させ得る半導体チップ及び半導体チップパッケージを提供すること。
【解決手段】 複数の単位素子からなるチャネルをそれぞれ複数備える複数のチャネルブロック１３３と、外部とのデータ送受信のために、複数の単位素子とそれぞれ接続した複数の第１金属配線と、第１金属配線によって伝達されたデータ信号を外部で接続する複数のノーマルバンプ１３９と、チャネルブロックの間の空間に配置され、基板又は複数のウェル領域に接続した複数の第２金属配線と、チャネルブロックの駆動時に発生する熱を第２金属配線を介して外部配線に伝達するための第２金属配線上に配置された複数の第１熱伝逹バンプ１３８とを備える。 （もっと読む）

ヒ化ガリウム基板のような化合物半導体基板は、共融して金属基板（４００）に接着されている。半導体基板は状況に応じて薄くされる、そして、ビアまたはトレンチ（６０１）が、整合した相互接続を容易にするために、前面から金属基板（４００）まで形成される。金属基板（４００）によって与えられる機械的支持により、ビアまたはトレンチ（６０１）がどんな形であることも可能になる。トレンチ（６０１）は、熱隔離または熱拡散を与える、または（金属エア・ブリッジと組み合わせて）電磁遮蔽を可能にするために、特定の回路素子を取り囲むことができる。トレンチ構造物（６０１）は、また、標準的なビア・ホールと比較して、超短波で低いインピーダンスの接地接続を可能にする。金属基板（６００）を、接地面として、またはヒート・シンクとして使用することができる。
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【課題】 単位基板あたりの半導体チップ数を増加できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 この半導体装置の製造方法では、半導体基板１の主面Ｓ１に切断すべき部分１ｈを露出する様にしてマスク７を形成し、そのマスク７に基づき前記切断すべき部分１ｈをエッチングにより切断することにより、半導体基板１を個々の半導体チップに分割する。 （もっと読む）

この発明は、内部にＩＣが形成され、表面上にＩＣのための多くの接続領域（１）を有し、少なくとも二つの接続領域（１Ａ）が供給接続のためである半導体本体（１１）を備えた半導体装置（１０）であって、半導体本体（１１）の下側に多くのさらなる電気的接続領域（２）が設けられ、これらは、半導体本体（１１）の側面上に存在し、そこから電気的に絶縁されている電気的接続部（３）により接続領域（１）に接続され、半導体本体（１１）はリードフレーム（４）に固定され、ワイヤ接続部（５）がリードフレーム（４）のリード（４Ａ）と接続領域（１）との間に形成されている。この発明によれば、電気的接続部（３）は複数の平行で、等間隔で配置されたストリップ状導体（３Ａ）を備え、そして、供給接続のための接続領域（１Ａ）が、各々、二つ又はそれ以上のストリップ状導体（３Ａ）により、さらなる接続領域（２）に接続され、このさらなる接続領域は直接フレーム（４）のリード（４Ｂ）に接続され、接続領域の残部（１Ｂ）はワイヤ接続部（５）により直接リード（４）に接続される。このような装置（１０）は供給電圧が非常に安定であり、高周波での動作に優れており、供給電流も非常に大きくなる。この発明は、さらに、そのような装置（１０）に用いるのに適した半導体本体（１１）とそのような装置（１０）を製造する方法を備える。
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