【課題】配線工程，ビア工程および配線層数を削減し、チップ面積の削減した半導体集積回路の配線構造を提供する。
【解決手段】半導体基板の下地層１の上に下地絶縁膜２を形成する。その下地絶縁膜２の上に導電膜である配線膜７を底面絶縁膜５，側壁絶縁膜６および表面絶縁膜８で囲む。さらにその周りをシールド導電膜３，９で取り囲み、シールド導電膜３，９を接地電源Ｖｓｓに接続した構造である。この構造により、電源配線層の削減、配線工程、ビア工程の削減を実現する。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率絶縁体からなる層間絶縁膜を用いた半導体装置において、機械的及び熱的な耐性を向上できるようにする。
【解決手段】 半導体装置は、半導体基板１０に形成された半導体素子と、半導体基板１０の上方に形成され、半導体素子と電気的に接続された第１の配線４１Ａと、該第１の配線４１Ａの上方に誘電率が酸化シリコンよりも低い絶縁体からなる第３の層間絶縁膜２３を介在させて形成された第２の配線４２Ａとを有している。さらに、半導体装置は、半導体基板１０上における第１の配線４１Ａ又は第２の配線４２Ａの近傍領域に形成された第１のダミー配線４１Ｂを有している。 （もっと読む）

【課題】レーザ光によって加工を行う際に、被加工部分以外の部分が悪影響を受けない配線装置を提供する。
【解決手段】基板３０１上に、シリコン酸化膜からなる下部絶縁層３０２と、Ａｌからなる下部配線層３０３と、ポリイミドからなる上部絶縁層３０４と、Ａｌからなる上部配線層３０６とを有する。上記下部配線層３０３と、上部配線層３０６とが、接続配線３０８によって電気的に接続されている。下部絶縁層３０２は基板３０１に比べ熱伝導率が高く上部絶縁層３０４の開口形成時にレーザによる下部配線層３０３に溜った熱を放熱し下部配線層３０３の溶解や剥がれを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】 半導体措置で発生した熱を放熱しやすくすることによってＥＳＤ耐圧に優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 拡散層領域３に形成されたチャネル１１の上には、ゲート絶縁膜７を介してゲート電極８が設けられている。また、ゲート電極８の側壁部には、サイドウォール９が形成されている。そして、ゲート電極８上とソース・ドレイン領域５上の一部とに、ゲート電極８およびサイドウォール９を被覆するようにしてシリサイドプロテクション膜１０が形成されている。シリサイドプロテクション膜１０が設けられていないソース・ドレイン領域の上には、シリサイドプロテクション膜１０に隣接して金属シリサイド膜６が形成されている。ここで、シリサイドプロテクション膜１０は、ＳｉＣ膜およびＳｉＯＣ膜の少なくとも一方からなるものとする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の放熱性を向上させ、素子で生じた熱が特定の回路に伝達され難くする。
【解決手段】半導体装置は、第１素子分離絶縁膜４１と、それにより熱伝導率の低い第２素子分離絶縁膜４２とを備えている。熱の伝達を抑制したいＭＯＳトランジスタＴ１とＭＯＳトランジスタＴ２との間には、熱伝導率の低い第２素子分離絶縁膜４２を配設し、それ以外の素子間には第１素子分離絶縁膜４１を配設する。 （もっと読む）

【課題】多層配線の層間絶縁膜として低誘電率絶縁膜を使用しても、配線と低誘電率絶縁膜との境界部分における応力集中を低減でき、絶縁膜の剥れを抑制でき、さらに放熱能力を向上した配線構造を具備した半導体装置を提供する。
【解決手段】上記の課題を解決した半導体装置は、半導体基板の上方に形成された絶縁膜ＩＬＤと、前記絶縁膜内に形成された配線Ｍと、前記低誘電率絶縁膜内に前記配線と離間して形成された網目状ダミー構造体ＮＤとを具備する。 （もっと読む）

【課題】効率よく放熱することが可能な薄膜トランジスタを備えた液晶表示装置を提供する。
【解決手段】基板上にマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成された表示部と、基板上の表示部の外側領域に設けられ、表示部を駆動するための駆動回路と、を備える液晶表示装置１０であって、それぞれに切欠部１３２ａを有した一対の拡散層を備えるポリシリコン半導体層１３２と、拡散層のそれぞれの上面及び切欠部に沿った端面に接触する第１電極１３６及び第２電極１３８と、第１電極１３６と第２電極１３８との間の電流をオンオフする電圧が加えられる第３電極１３４と、を備える薄膜トランジスタを具備した液晶表示装置１０。 （もっと読む）

【課題】小型・薄型で電流経路の抵抗および寄生インダクタンスが小さく、信頼性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体基板と、この半導体基板の表面に形成された第１の主電極と、前記半導体基板の裏面に形成された第２の主電極と、前記半導体基板を貫通する方向に形成された導通部を有し、前記第２の主電極が前記導通部を介して前記半導体基板の表面に引き出されていることを特徴とする。導通部を、半導体基板を厚さ方向に貫通して形成された貫通孔と、この貫通孔内に形成され第２の主電極に接続された導電部を有する貫通ビアとすることができる。 （もっと読む）

【課題】 電子素子のＣＰＰ配線部分での、抵抗発熱による局所的な温度上昇を回避あるいは抑制する。
【解決手段】 ＣＰＰ構造は、多層構造を持つ電子素子、配線回路において、上層から下層（あるいはその反対方向）に電流を流すために、層に対して垂直な方向に加工された「柱状の導電性部分とその周辺を囲う絶縁体部分からなる構造」を指す。このＣＰＰ構造は、異種材料の上部電極と下部電極のそれぞれから、柱状部を一体に延長して、接合することにより構成される。このＣＰＰ構造部分は、適切に選択された異種材料（金属、半導体とその合金など、導電性物質一般を指す）からなる界面（界面群）を持っている。これによって、柱構造に沿って電流を流した際、界面（界面群）に於いて、ペルチェ効果による吸熱作用が発現する。 （もっと読む）

【課題】複数の集積回路および複数の集積回路用の複数の相互接続構造を提供する。
【解決手段】集積回路１０は第１、第２、および第３の複数の平面状金属層１３０−１〜１３０−３を含んでいる。第１トランジスタ１２は第１制御端子７６と第１および第２の複数の端子とを有している。第２端子は第１平面状金属層１１０に連絡している。第１端子は第２平面状金属層１２４−２に連絡している。第２トランジスタ１４は第２制御端子８８と第３および第４の複数の端子とを有している。第３端子は第１平面状金属層１１０に連絡している。第４端子は第３平面状金属層１２４−１に連絡している。第４平面状金属層１３０は、互いに電気的に絶縁され、第２平面状金属層１２４−２、第１平面状金属層１１０、および第３平面状金属層１２４−１それぞれに接続された第１、第２および第３の複数の接触部１３０−１、１３０−２、１３０−３を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ内の熱を半導体チップ外に確実に放出させて、信頼性が高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、内部に配線１２とダミー配線１３を有する半導体チップ１０と、内部にそれぞれ配線１２に電気的に接続された配線３３，５１とダミー配線１３に熱的に接続されたダミー配線３５，５３を有するパッケージ基板３０及び冷却基板５０と、配管５４ａが冷却基板５０に設けられ、ダミー配線５３と熱的に接続され、半導体チップ１０内の温度を制御する冷却モジュール５４とを具備している。 （もっと読む）

【課題】 熱耐久性が高い半導体装置を提供することである。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、主表面２０と上記主表面と対向する裏面２４とに開口端を有する貫通孔１２を備える半導体チップ１４を有する半導体装置１０であって、上記貫通孔１２内に約４００℃以下で焼結する粒子径を有する金属ナノ粒子が焼結して形成された焼結体３４を有することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明による半導体電力素子は、第１導電型を有する基板と、該第１導電型を有し且つ該基板の表面を覆ってこれと接触するエピタキシャル層とを含む。第１トレンチが該エピタキシャル層の内部に伸張してそこで終端する。陥没トレンチが該エピタキシャル層の表面から伸張し該エピタキシャル層を通って該基板の内部で終端する。該陥没トレンチは、該第１トレンチの横に間隔をおいて設けられ、該第１トレンチよりも広く且つ深く伸張する。該陥没トレンチは自身の側壁に沿ってのみ絶縁体によって裏打ちされることで、該陥没トレンチを充填する導電材料が該基板との電気的接続を該陥没トレンチの底部に沿ってなすと共に、相互接続層との電気的接触を該陥没トレンチの表面側に沿ってなす。
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【課題】
半導体装置の内部で発生する熱を効率よく外部へ発散させることによって半導体素子の動作特性の劣化を防止することができる半導体装置及びこの半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
表面に半導体素子を形成した半導体基板の裏面全体に放熱電極を形成し、この放熱電極に導通するバイアホールを形成した半導体装置を製造する際に、半導体基板の裏面に凹部を形成し、その後、この凹部とバイアホールの内面とに放熱電極を形成することによって放熱電極に凹部を設けた。 （もっと読む）

【課題】 発熱した半導体素子を効率良く冷却したり、その半導体素子から伝わる熱を速やかに外部に放熱できる半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、主表面１ａを有する半導体基板１と、主表面１ａ上に形成され、主表面１ａに設けられた半導体素子を覆う層間絶縁膜２と、層間絶縁膜２に形成され、冷却用流体が流れる冷却路３とを備える。冷却路３は、層間絶縁膜２の内部を循環するように形成されている。冷却路３は、冷却用流体が供給される一方端４と、冷却用流体が排出される他方端５とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の局所的な温度上昇を防止することが可能な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】放熱セル２は、発熱セル１に対して隣接して配置され、電源電位配線３又は接地電位配線４と同じ第１配線層に放熱部材６及び放熱部材７を備え、さらに放熱部材６及び放熱部材７は、ビア９を介して第２配線層８に接続される。発熱セル１で発生した熱は、電源配線３、接地配線４に伝導し、放熱部材６及び放熱部材７で放熱される。また、放熱部材６及び放熱部材７からビア９を介して第２配線層８に熱が伝導することにより、更に放熱を促進し、発熱セル１が局部的に高温になることを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】電力素子のオン状態抵抗、放熱特性、インダクタンスを改善する。
【解決手段】半導体素子は導電パッド領域２６，３６を含み、各々の導電パッド領域は複数の金属トレースに電気的に接続される。複数の金属トレースは各々が順番に拡散に接続される。はんだバンプやビアなどの導電接点素子は各々の導電パッド領域に取り付けられ、導体素子が第１のピッチを有する反復パターンに配列され得る。半導体素子は平行移動トレース５０，６０も含み、各々の平行移動トレースは２つ以上の導電接点素子に電気的に接続され得る。各々の平行移動トレースはそこに取り付けられる相互接続素子を有し得る。相互接続素子は第１のピッチより実質的に大きい第２のピッチを有する反復パターンに配列され得る。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の発熱に起因する半導体集積回路装置の温度上昇を低減する。
【解決手段】多層配線構造を備えた半導体集積回路装置において、多層配線構造を構成する接続孔及び金属配線層と同じ導電材料からなり、信号伝送用の接続孔及び金属配線層（領域Ｃ参照）とは異なる経路で上層側に延びる熱伝導部３３，３５，３７を備えている（領域Ａ，Ｅ，Ｆ参照）。領域Ａにおいて、完全空乏型ＳＯＩトランジスタのゲート動作により発生した熱は、コンタクト層１９、メタル配線層Ｍ１、ビア層２１、メタル配線層Ｍ２に伝導され、さらに熱伝導部３３を介して最上層のメタル配線層Ｍ６まで伝導され、絶縁層１７の上面側から放熱される。これにより、半導体集積回路装置の温度上昇を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 放熱性が良好で、製造コストが低く、微細加工に好適なデュアルダマシンによる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１上に無機層間膜５、有機層間膜６、シリコン酸化膜からなる下部マスク７、シリコン窒化膜からなる上部マスク８を形成し、上部マスク８上にシリコン酸化窒化膜からなり膜厚が２０乃至１００ｎｍであるカバーマスク１０を形成する。そして、反射防止膜１１及びレジスト膜１２を形成する。次に、レジスト膜１２をマスクとして、反射防止膜１１、カバーマスク１０、下部マスク７をエッチングする。そして、カバーマスク１０をマスクとして、有機層間膜６及び無機層間膜５をエッチングしてビアホールを形成する。次に、上部マスク８をマスクとして有機層間膜６をエッチングして配線溝を形成する。 （もっと読む）

【課題】 機械的強度が強く、かつ、放熱性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】 シリコン基板１０上に形成される配線層のうち、第１層から第３層を、コンタクト部１１及びビア１４ａ，１４ｂにタングステン、配線１３ａ〜１３ｃに銅をそれぞれ用いてシングルダマシン工程によって形成し、第４層から第６層を、ビア１５ａ〜１５ｃ及び配線１３ｄ〜１３ｆに銅を用いてデュアルダマシン工程によって形成し、かつ、第４層から第６層におけるビア１５ａ〜１５ｃの径を第１層から第３層におけるコンタクト部１１及びビア１４ａ，１４ｂの径の１２．９倍以上とする。 （もっと読む）