【課題】 本発明は、１回のワイヤボンディングで済み、位置合わせの容易な実装が可能で、工数の低減につながるチップを作製することを課題とする。
【解決手段】 基板11の一面上に、ｎ型半導体薄膜層13と、活性層と、ｐ型半導体薄膜層17とを積層形成し、このｐ型半導体薄膜層17上面に一方の電極32を基板11の他面上に他方の電極33aを設ける化合物半導体発光素子の製造方法において、基板11の他面側から電極33aと接続されるｎ型半導体薄膜層13に到達する深さの縦穴20を波長が５００ｎｍ以下の短波長レーザを照射して設け、基板11の他面に設けた電極33aとｎ型半導体薄膜層13を縦穴20に形成した導電性材料30を介して電気的に接続し、電極32を基台100の第１のリード電極101に接続し、電極33aを第２のリード電極103にワイヤボンド線104で接続する。 （もっと読む）

実質的に透明な基板を有し、細長い形状を画定する縦横比を有する発光ダイオードチップが、高効率及び高輝度を提供する。形成方法及びその動作方法もまた開示される。
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発光素子、及び関連部品、システム及び方法を開示する。 （もっと読む）

【課題】 透光性でかつボールアップを有効に防止し得る構造の発光半導体素子用の透光性電極とその透光性電極の作製方法を提供する。
【解決手段】本発明に係わる発光半導体素子用透光性電極は、ｐ型ＧａＮ系化合物半導体の表面に接して形成され、透光性でかつオーミック接触が得られる、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄからなる群より選ばれた、少なくとも１種類の金属あるいは２種類以上の金属の合金よりなる第１の層と、該第１の層上に形成された、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｏよりなる群より選ばれた少なくとも１種類の金属の酸化物を含む、透光性の金属酸化物よりなる第２の層とを有し、第２の層の表面には第１の層の金属を含まないようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】発光効率の良好な赤みを帯びた暖色系の白色の発光装置を提供すること、青色発光素子等と組み合わせて使用する黄から赤領域に発光スペクトルを有する蛍光体を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｂが１ｐｐｍ以上１００００ｐｐｍ以下含まれている、一般式Ｌ_ＸＭ_ＹＮ_{（（２／３）Ｘ＋（４／３）Ｙ）}：Ｒ若しくはＬ_ＸＭ_ＹＯ_ＺＮ_{（（２／３）Ｘ＋（４／３）Ｙ−（２／３）Ｚ）}：Ｒ（Ｌは、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等の群から選ばれる第ＩＩ族元素である。Ｍは、Ｓｉ、Ｇｅ等の群から選ばれる第ＩＶ族元素である。Ｒは、Ｅｕ等の群から選ばれる希土類元素である。Ｘ、Ｙ、Ｚは、０．５≦Ｘ≦３、１．５≦Ｙ≦８、０＜Ｚ≦３である。）で表される窒化物蛍光体。青色発光素子１０からの光の一部を波長変換し、黄から赤色領域にピーク波長を有する前記窒化物蛍光体と、から構成される発光装置。 （もっと読む）

基板５０上に密集して配置された半導体光源５２、例えばＬＥＤ、レーザダイオード、またはＶＣＳＥＬのマイクロアレイによって高強度光源４６が形成され、少なくとも５０ｍＷ／ｃｍ²の出力濃度の電力出力が実現する。半導体装置は通常、基板上の導電性パターンに対する接合処理によって接着され、マイクロプロセッサ制御電源によって駆動される。光学系要素５８をマイクロアレイを覆うように配置し、出力ビームの指向性、強度、及び／または、スペクトル純度を高めることができる。光モジュールは、例えば、蛍光発光、検査及び測定、光重合、イオン化、殺菌、屑除去及び他の光化学作用による処理に使用できる。 （もっと読む）