【課題】 複数の発光素子を備え、高い光出力をより変換効率よく得ることが可能なチップ部品型発光装置及びそのための配線基板を提供する。
【解決手段】 複数の発光ダイオード３０、３０…を絶縁基板の内部に搭載するチップ部品型発光装置は、ベース基板１０と、その上面に積層接着したリフレクター基板２０とを備えている。ベース基板には貫通穴１１が形成され、その裏面には厚い金属薄膜の放熱板１２形成され、その内周及び底部には反射膜１３が形成され、更に、配線パターン１４、１４…が形成される。一方、リフレクター基板２０には、ベース基板の貫通穴よりも径の大きな貫通穴２１が形成され、その内周面には反射膜２２が形成される。このフレクター基板は、ベース基板の上面に、その貫通穴を介して配線パターンの一部が露出する位置に配置接着され、配置された複数の発光ダイオードは、ベース基板上の配線パターンに接続されて実装される。 （もっと読む）

【課題】 窒化物系化合物半導体の製造プロセスにおいて、チップ分割する際に剥がれなどを発生させず、また、半導体層において短絡が発生せず、良好な特性および高い信頼性を有する窒化物系化合物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】 本発明は、導電性基板上に、第一のオーミック電極、第一の接着用金属層、第二の接着用金属層および第二のオーミック電極をこの順番で備え、該第二のオーミック電極上に窒化物系化合物半導体層を備える窒化物系化合物半導体発光素子であって、前記第二のオーミック電極の一表面が露出していることを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】 封止材にガラスを用いた場合でも、その熱膨脹に起因するクラックや電極間の短絡を防止できるようにした発光装置を提供する。
【解決手段】 基板部１１の配線層１１ｃ，１１ｄ上にはＬＥＤ素子１２が搭載され、このＬＥＤ素子１２を覆うようにしてシリコン等による緩衝層１３が設けられている。この緩衝層１３及びその周辺を覆うようにして透光性の低融点ガラスによる封止部材１４が加圧プレスにより形成されている。緩衝層１３により、封止部材１４の封止時の熱が緩衝層１３によって遮られ、ＬＥＤ素子１２による熱的影響がＬＥＤ素子１２に及ばないようにすることができる。 （もっと読む）

【課題】 封止時における封止部材の加圧力等が発光素子に付与されることに起因して生じる発光素子のバンプの変形、移動、バンプ間短絡等を防止できるようにした発光装置を提供する。
【解決手段】 基板部１１の配線層１１ｃ，１１ｄ上の所定位置には、バンプ１２ａ，１２ｂが実装面に設けられたＬＥＤ素子１２が搭載され、その下面と基板部１１の上面との間には、バンプ１２ａ，１２ｂを埋める様にしてシリコーン材による絶縁層１３が充填される。この絶縁層１３、ＬＥＤ素子１２の各露出部分、及び基板部１１の発光素子搭載面の周囲がガラス材による封止部材１４で封止される。絶縁層１３が固化すると、ＬＥＤ素子１２の下面及びバンプ１２ａ，１２ｂが絶縁層１３によって固定され、封止部材１４が加圧プレスによって封止されても、その加圧力はバンプ１２ａ，１２ｂに及ばず、バンプ１２ａ，１２ｂに変形等が生じるのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】 短絡による不具合発生を抑えることと、絶縁性保護膜を剥離無く形成させるといったトレードオフの現象を両立させ得る窒化物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】 基板の上面側に順次形成されたｎ型ＧａＮ系半導体層３１、発光層ｐ型ＧａＮ系半導体層３２、ｐ電極２２と、前記ｐ型ＧａＮ系半導体層および発光層、およびｎ型ＧａＮ系半導体層の一部を除去して露出させた前記ｎ型ＧａＮ系半導体層３１の上に形成されたｎ電極２１とを有し、
ｐ電極２２の周囲にはｐ型ＧａＮ系半導体層３２が露出していて、ｎ電極２１の周囲にはｎ型ＧａＮ系半導体層３１が露出していて、露出したｎ型ＧａＮ系半導体層３１の周囲にはｐ型ＧａＮ系半導体層３２が露出しており、ｐ電極２２およびｐ型ＧａＮ系半導体層３２の所定部分の上に絶縁性保護膜１が形成されてなる半導体発光素子。 （もっと読む）

本発明はインターポーザを介して半導体チッブを実装基板に電気的に接続する構成とされた半導体装置及びその製造方法に関し、電子素子と、前記電子素子が接合されるインターポーザ基材と、前記電子素子の電極と接続される複数のポスト電極とを有するインターポーザとを具備する電子装置において、前記電子素子と前記インターポーザ基材とを直接接触させることにより一体化すると共に、前記ポスト電極を前記電子素子の電極上に直接形成した構成とする。 （もっと読む）