【課題】封止時における封止部材の加圧力等が発光素子に付与されることに起因して生じ
る発光素子のバンプの変形、移動、バンプ間短絡等を防止できるようにした発光装置を提
供する。
【解決手段】基板部１１の配線層１１ｃ，１１ｄ上の所定位置には、バンプ１２ａ，１２
ｂが実装面に設けられたＬＥＤ素子１２が搭載され、その下面と基板部１１の上面との間
には、バンプ１２ａ，１２ｂを埋める様にしてシリコーン材による絶縁層１３が充填され
る。この絶縁層１３、ＬＥＤ素子１２の各露出部分、及び基板部１１の発光素子搭載面の
周囲がガラス材による封止部材１４で封止される。絶縁層１３が固化すると、ＬＥＤ素子
１２の下面及びバンプ１２ａ，１２ｂが絶縁層１３によって固定され、封止部材１４が加
圧プレスによって封止されても、その加圧力はバンプ１２ａ，１２ｂに及ばず、バンプ１
２ａ，１２ｂに変形等が生じるのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】正電極に銀合金を用いる際のｐ型ＧａＮ層とのオーミック性改善
【解決手段】III族窒化物系化合物半導体発光素子１００は、サファイア基板１０にＡｌＮバッファ層を形成した後、ｎ型ＧａＮ層１１、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層１２、ＧａＮ／ＩｎＧａＮ多重量子井戸構造の発光層１３、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１４、ｐ型ＧａＮ層１５をＭＯＣＶＤで積層した。蒸着とリフトオフによりｎコンタクト電極３１を形成し、スパッタリングとリフトオフによりＰｄとＣｕを含む膜厚４００ｎｍの銀合金層から成るｐコンタクト電極２１を形成した。窒素ガス下で６００℃で１分間の加熱処理と、酸素ガスで炉内を置換して３００℃、３分間の加熱処理の後、Ｔｉと金から成るパッド電極２２と３２を形成したIII族窒化物系化合物半導体発光素子１００の駆動電圧は３．１Ｖと良好であり、オーミック性の良いコンタクト電極２１が形成された。 （もっと読む）

【課題】ヘッドランプバルブと発光ダイオードとの両方を備える車両用灯具を得ること、又は、熱の影響を受けにくく、光の拡散性に優れた発光ダイオードバルブを得ること。
【解決手段】ヘッドランプバルブ５０の光源部５４は、発光することによって発熱する。よって、リフレクタ１２の反射面１２Ａとレンズ１４とで囲まれた空間部１９は、高温になる。発光ダイオードバルブ４００は、導光部４１０の先端部分の発光部４１２がリフレクタ１２の反射面１２Ａ側に、すなわち空間部１９に配設されている。しかし、発光ダイオード１５０は、反射面１２Ａの裏面１２Ｂ側に配設されている。つまり、ヘッドランプ１０は、発光ダイオードバルブ４００の発光部４１２が配設されている空間部１９が高温になっても、発光ダイオード１５０は熱の影響を受けない構成となっている。発光ダイオード１５０は、熱の影響による寿命の低下や断線などの不具合が防止される。 （もっと読む）

【課題】針状のバリが発生しにくい発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１０は、発光素子１８と、前面側に前記発光素子１８を載置する第１基板１２と該第１基板１２の後面側に積層された第２基板１４とを有する積層基板１５と、前記第１基板１２の前面に形成され、前記発光素子１８と導通される前面電極１６と、前記第２基板１４の後面から側面に延びる後面電極２７と、前記前面電極１６と前記後面電極２７とを電気的に接続するための導通手段２２と、前記発光素子１８と前記第１基板１２の前面とを被覆する被覆部材１９と、を備えた発光装置１０であって、前記積層基板１５の積層方向における前記第１基板１２の厚さが、前記第２基板１４の厚さの２倍以上である。 （もっと読む）

【課題】 突出部と導電性ワイヤとの干渉を招くことのない発光装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、発光素子と、その発光素子に接続する複数対の正負リード電極と、それらのリード電極を保持する支持体と、上記発光素子と上記リード電極とを接続する導電性ワイヤと、を備えた発光装置であって、特に、上記支持体は、上記発光素子が配置されたリード電極の端部、または上記導電性ワイヤが接続されたリード電極の端部、の間に、上記導電性ワイヤの接続面または上記発光素子の配置面から突出して設けられた壁部を有しており、上記リード電極の端部と、上記導電性ワイヤが跨ぐ壁部と、の間隔について、上記導電性ワイヤが接続された端部と上記壁部との間隔のほうが、上記発光素子が配置された端部と上記壁部との間隔よりも大きいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】断線等の不具合を起こしたＬＥＤを除く他のＬＥＤを正常に点灯させ、断線の影響を最小限に留める。
【解決手段】ＰＷＭ出力部５は、並列接続されたＬＥＤ群１〜４をＰＷＭ駆動し、定格電流の数倍から１０倍程度のピーク電流を通電する。ＣＰＵ６は、ＬＥＤ１−１〜１−４、…、４−１〜４−４のうち、いずれかのＬＥＤが断線すると、そのＬＥＤ以下の電圧がＬｏｗレベルとなることを検出することにより、断線したＬＥＤを特定する。ＣＰＵ６は、アナログＳＷ７を制御し、断線したＬＥＤに対応するスイッチング素子を導通状態とし、電流を分流させることで、断線したＬＥＤ以外の他のＬＥＤを正常に点灯させる。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子の下面から発せられる光を高効率で外部に取り出すことができ、さらに半導体発光素子に通電するための電極同士を確実に絶縁することができ、しかも煩雑な製造工程を要しない半導体発光素子搭載用基板を提供する。
【解決手段】セラミックス又は樹脂からなる平板状の基板３上面に、半導体発光素子１６を搭載するための搭載部１２ａを有する半導体発光素子搭載用基板であって、この基板３上面は、搭載部１２ａを囲うように環状の凹部１１ａを有し、この凹部１１ａの内側側面の少なくとも一部は搭載部上面とのなす角が９０°以下、又は、凹部の外側側面の少なくとも一部は基板上面とのなす角が９０°以下に形成され、凹部の内側側面の少なくとも一部又は凹部の外側側面の少なくとも一部を除く凹部の表面は、金属薄膜１９を備えて反射面２０を形成することを特徴とする半導体発光素子搭載用基板１ａ_１による。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤまたはＯＬＥＤチェーンのフェイルセーフのためのストラクチャ装置および方法
【解決手段】複数の直列接続されたＬＥＤまたはＯＬＥＤ発光エレメントを備えたＬＥＤまたはＯＬＥＤチェーン１１のフェイルセーフのためのストラクチャ装置において、発光エレメントの作製の際に、２つの隣接する発光エレメントの２つの電流リードの間のストラクチャの少なくとも１個所に意図的に降伏層５の形の弱い個所が組み込まれ、該弱い個所は発光エレメントの故障発生時に降伏しかつ該個所を導電ブリッジ層６を用いて橋絡し、発光エレメントの１つだけの故障で全体が駄目にならないようにした。 （もっと読む）

【課題】電極形成工程を複雑化することなく、ＢｅＯ膜を除去し優れた接合性を有するｐ側電極を形成することが可能な半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体素子の製造方法によれば、ＡｕＢｅ層５を有するｐ側電極１８、１８ａ、１８ｂの表面にオーミック特性付与時の熱により生成されるＢｅＯをエッチングにより除去するため、電極形成工程を複雑化することなく、優れた接合性を有するｐ側電極１８、１８ａ、１８ｂを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】照明器具などに用いられるＬＥＤ点灯回路において、多数のＬＥＤから成るモジュールを一括して定電流駆動するにあたって、ＬＥＤ断線時の故障の拡大を防止する。
【解決手段】ＤＤコン３５からＬＥＤモジュール３２への電流を抵抗Ｒ２で検知し、比較回路３７で基準電圧源３８からの基準電圧Ｖｒｅｆと比較し、その結果から制御回路３６がＤＤコン３５を制御することでＬＥＤモジュール３２への電流を一括定電流制御する点灯回路３１において、ＬＥＤモジュール３２を構成する各ＬＥＤ負荷回路Ｕ１〜Ｕ３のＬＥＤＤ１の端子間に並列に、断線時に規定の電流を迂回して通過させる分流回路Ａを設ける。したがって、たとえばＬＥＤ負荷回路Ｕ１のＬＥＤＤ１０に断線が生じた場合、流れるべき電流は迂回して断線前と同じレベルで流れ、残余のＬＥＤ負荷回路Ｕ２，Ｕ３に過剰な電流が流れ込んで過負荷状態で点灯し、故障が連鎖的に拡がるのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】電気泳動によって蛍光体層を付着させる際に、イオンマイグレーションによる元素析出を防止することのできる色変換発光体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電気泳動工程においてイオンマイグレーションが生じ得る金属部分４，５が２カ所以上存在する場合に、それらを相互もしくは補助陰極２３に電気的に結線２４ａ、２４ｂしておくことにより同電位となるようにする。イオンマイグレーションは同じ元素を用いた領域が２箇所以上存在し、その領域間に電位差がある場合に生じるため、結線して同電位にすることによりイオンマイグレーションを防止できる。結線した金属部分の全面に蛍光体粒子が泳動され堆積するため、開口部を有する補助陰極２３を配置し、所望する部分に選択的に蛍光体粒子を堆積させるようにする。 （もっと読む）

【課題】良好な発光特性を有するとともに、信頼性の高い発光装置を提供する。
【解決手段】この表面実装型ＬＥＤ（発光装置）は、ＬＥＤ素子２０が搭載された基板１と、ＬＥＤ素子２０を囲むように基板１の上面上に固定されるとともに、内側面３２がＬＥＤ素子２０からの光を反射する反射面とされる反射枠体３０と、反射枠体３０の内側に充填され、ＬＥＤ素子２０、ボンディングワイヤ２２および２３を封止する透光性部材４０とを備えている。また、反射枠体の開口部３１は、内側面３２と基板１の表面とのなす角θ１およびθ２が、内側面３２の全周にわたって、鋭角に構成されている。すなわち、反射枠体３０の開口部３１は、上方（矢印Ａ方向）に向かって、テーパ状に狭まるように構成されている。また、反射枠体３０は、金属材料から構成されている。 （もっと読む）

【課題】従来の発光素子は、配線層表面のグレインの凹凸は膜厚が大きいほど著しくなること、また、Alなどの金属スパッタ膜がグレインの成長に伴って層内にボイドをつくるので、膜厚が大きいほどボイドが増えることに起因して、種々の品質上の問題を有していた。
【解決手段】本発明による半導体素子は、n個の同種又は異種の金属膜を積層することにより形成される配線構造を有している。その同種又は異種の金属膜は、配線構造を構成する最上層の金属膜表面の凹凸を低減するように、薄膜の金属膜で形成される。本発明の一態様によれば、積層される各金属膜の層間のうち、少なくとも1つの層間に薄い金属酸化膜が、その層間全域にわたって形成されている。 （もっと読む）

【課題】光半導体素子に対する接合材の這い上がりによるショート不良の発生を防止することができる光半導体装置を提供する。
【解決手段】光半導体装置１Ａにおいて、第１主面Ｍ１上に設けられた発光層２ｃと、発光層２ｃ上に設けられ第１主面Ｍ１より小さい第１電極２ｅと、第１主面Ｍ１と異なる第２主面Ｍ２上に設けられた第２電極２ｇとを有する光半導体素子２と、第１電極２ｅが接合される領域であって第１主面Ｍ１より小さい接合領域Ｒ１と、接合領域Ｒ１に隣接する外周領域Ｒ２に形成された第１溝部４ｂとを有し、第１電極２ｅが接合材３により接合領域Ｒ１に接合され、第１電極２ｅに電気的に接続された第１リード部４と、第２電極２ｇに接続材により電気的に接続された第２リード部とを備える。 （もっと読む）

【課題】リード切断面が他の素子を破損するのを防止する。
【解決手段】リード１００の両端部は、パッケージの両側面から外部に突出してアウターリード領域１０４を構成しており、アウターリード領域１０４は、一対のアウターリード突部１０４ａと、アウターリード突部１０４ａの間に位置するリード端子短部１１１ａとを外部に向かって突出させており、リード端子短部１１１ａの、リード１００の長手方向と直交する面における端面は、アウターリード突部１０４ａの端面よりも低くなるように、突出量を調整している。これにより鋭利な角を備えるリード連結部の切断面１１１ｂが露出するのを阻止して、切断面１１１ｂで他の素子を破損するのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】分離型の発光ダイオードパッケージにおいて、反射板と配線基板の間の電気絶縁性を確保し、反射板と配線基板の位置合わせを容易にすることができるようにする。
【解決手段】本発明の発光ダイオードパッケージは、配線層と反射板と発光ダイオード素子とを有し、配線基板と反射板の間に絶縁層が設けられている。反射板には、発光ダイオード素子が配置されるための貫通孔が設けられ、絶縁層は発光ダイオード素子が配置されるための開口部が設けられている。絶縁層の開口部は、反射板の貫通孔より小さく、絶縁層は反射板の貫通孔より露出している。 （もっと読む）

【課題】実装時のハンダの回り込みによる電極短絡及び発光面の汚染を防止できる発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の発光装置１０は、発光素子１８と、発光素子１８を実装するための基板１５と、基板１５の上面に形成され発光素子１８と接続された一対の上面電極１６ａ、１６ｂと、基板１５の下面に形成された一対の下面電極２７ａ、２７ｂと、上面電極１６ａ、１６ｂと下面電極２７ａ、２７ｂとを導通する接続部２２ａ、２２ｂと、を備え、基板１５は、基板１５の一対の側面から突出する一対の突出部４０を備えており、下面電極２７ａ、２７ｂが、突出部４０まで延設されていることを特徴とする。
本発明の発光装置１０は、突出部４０に下面電極２７ａ、２７ｂが形成されているので、実装基板３０に実装するときに、突出部４０のみをハンダ２８に接触させれば、発光装置１０と実装基板３０との導通をとることができる。 （もっと読む）

【課題】 ＬＥＤのリードとプリント配線基板との電気的接触不良が生じるのを防止でき、また容易に製造することができるリング状照明装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 複数のＬＥＤ８と、複数のＬＥＤ８を支持するリング状の台板１０と、複数のＬＥＤ８が電気的に接続されるプリント配線基板１２と、を備え、台板１０には、その片面から他面まで延びる複数の貫通孔２４が設けられ、またその片面には、径方向内方に向かって下り傾斜する傾斜面２０が設けられている。複数のＬＥＤ８の各々のリード１６は、台板１０の複数の貫通孔２４を通してプリント配線基板１２の複数のスルーホール３２に挿通されてハンダ付けされ、複数のＬＥＤ８の各々の発光部１４は、台板１０の傾斜面２０上に略垂直方向に支持される。 （もっと読む）

【課題】マイグレーションの発生を防止することで信頼性の高い発光素子を提供する。
【解決手段】基板１１と、基板１１に積層されたｎ層１２１、発光層１２２、およびｐ層１２３を含む半導体層１２と、ｎ電極１３と、反射電極１４２を有するｐ電極１４とを有する発光素子１０において、ｐ電極１４は、複数の凹部１４１ａが設けられていると共にし、この複数の凹部１４１ａのそれぞれに分割された反射電極１４２が設けられたｐコンタクト電極１４１と、ｐコンタクト電極１４１の凹部１４１ａに蓋をするように形成されたｐボンディング電極１４３とを備えた。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオード素子の製造歩留りの向上。
【解決手段】発光ダイオード素子は、結晶基板と、結晶基板の第１の面にｎ型半導体層、発光層及びｐ型半導体層を積層した多層成長層と、結晶基板の第１の面の中心から端まで延在し、多層成長層の表面からｎ型半導体層の中層にまで到達する複数の回転基準溝と、隣接する回転基準溝間の領域に向かって一方の回転基準溝から前記領域に延在して発光層及びｐ型半導体層を独立させる複数の分岐溝と、回転基準溝及び分岐溝の底面に設けられるｎ型用電極層と、独立する各ｐ型半導体層の表面に設けられるｐ型用電極層と、回転基準溝内のｎ型用電極層上に設けられる複数のｎ型用電極端子と、ｐ型用電極層上に設けられる複数のｐ型用電極端子と、結晶基板の第１の面側を覆いかつｎ・ｐ型用電極端子を露出させる絶縁膜とを有する。隣接する一対の回転基準溝のなす角度は一定で、前記角度ごとに回転させた場合、回転前後の電極端子の配列パターンは同じになる。 （もっと読む）