【課題】発光の取り出しを良好とし、蛍光体の波長変換の効率を増大させた反射型正極を備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】窒化ガリウム系化合物半導体チップと蛍光体を備え、該半導体チップからの発光波長を蛍光体により変換する半導体発光素子である。この半導体チップの光取り出し面から発光層に向けて凹溝が形成される。そしてこの凹溝内に蛍光体を充填した半導体発光素子である。 （もっと読む）

電磁放射を放出するのに適している、ルミネセンスダイオードチップに対する層列を有している基体が用意される方法が提供される。基体の少なくとも主表面に、カバー層が被着される。カバー層に、完全にまたは部分的にルミネセンス変換材料が充填される少なくとも１つのキャビティが形成される。ルミネサンス変換材料は、少なくとも１つの発光物質を有している。更に、カバー層がホトストラクチャ化可能な材料並びに少なくとも１つの発光物質を有していて、カバー層がルミネセンス変換材料として機能しかつ直接ホトストラクチャ化することができるようになっている方法が提供される。更に、この方法によって作製可能であるルミネセンスダイオードチップが記載される。
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【課題】垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上１００に所定の大きさの単位ＬＥＤ形成領域を画定する絶縁パターン３００を形成するステップと、前記絶縁パターンが形成された領域を除いた基板上に、ｎ型窒化ガリウム系半導体層１１０と活性層１２０及びｐ型窒化ガリウム系半導体層１３０が順次積層されている構造の発光構造物１６０を形成するステップと、前記絶縁パターンを除去し、前記発光構造物を所定の大きさの単位ＬＥＤに分離するステップと、前記分離された発光構造物上にｐ型電極をそれぞれ形成するステップと、前記ｐ型電極上に構造支持層を形成するステップと、前記基板を除去し、前記ｎ型窒化ガリウム系半導体層を露出するステップと、前記露出されたｎ型窒化ガリウム系半導体層上にそれぞれｎ型電極を形成するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤチップと色変換部材とで構成される光源の小型化を図れるＬＥＤ照明装置を提供する。
【解決手段】ＬＥＤチップ１０と、ＬＥＤチップ１０が実装されたベース部材である回路基板４０と、ＬＥＤチップ１０から放射された光によって励起されてＬＥＤチップ１０の発光色とは異なる色の光を放射する蛍光材料を透明材料とともに成形した成形品からなりＬＥＤチップ１０を囲むドーム状の色変換部材２０とを備え、ＬＥＤチップ１０と色変換部材２０とで光源を構成している。色変換部材２０は、一対の半割体２０ａ，２０ｂにより形成され、一対の半割体２０ａ，２０ｂの互いの突き合わせ面の一方に、ＬＥＤチップ１０に接続されたボンディングワイヤ１４，１４が通る２つの切欠部２１が形成されている。 （もっと読む）

装置が発光ダイオードを含む。発光ダイオードは、１つまたは複数のＩＩＩ族窒化物アロイの半導体基材、およびこの基材内に分散された量子ドットを有する。量子ドットは、基材の１つまたは複数のＩＩＩ族窒化物アロイとは異なるＩＩＩ族窒化物アロイを含む。
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【課題】 複数のナノコラムから成る発光ダイオードにおいて、光取出し効率を向上する。
【解決手段】 基板１上に、ｎ型ＧａＮナノコラム層４、発光層５を形成し、ナノコラム径を広げながらｐ型ＧａＮコンタクト層６をエピタキシャル成長させた上に、半透明のｐ型電極７を形成させて成る発光ダイオードＤ１において、通常、窒化物半導体や酸化物半導体の単結晶を成長させる場合には、基板にも単結晶の基板が必要になり、シリコンやサファイアなどの基板が用いられるのに対して、ナノコラムは、核成長できれば、それに続けて柱状に成長させてゆくことができ、金属基板上にも成長させることを利用して、基板１上に、金属膜から成る反射層２を形成し、その反射層２上にナノコラム３を形成する。したがって、発光層５で発生された光の基板１での吸収を抑え、光取出し効率を向上することができる。 （もっと読む）

量子ドット構造におけるマトリックス領域の組成的制約が小さい発光デバイスおよびその作製方法を提供する。発光層５に量子ドット構造を形成するにあたり、マトリックス領域（ｎ型導電層４およびマトリックス層５ｍ）の形成を、ＭＢＥ法を用いてＡｌの存在比率が該マトリックス領域よりも大きい（格子定数の小さい）ＡｌＮからなる成長下地層（下地層２あるいはさらにバッファ層３）の上に行うことにより、マトリックス領域の成長方向と垂直な面内方向に圧縮応力を生じさせた状態を実現し、この圧縮応力の存在下で自己組織化による島状結晶５ｄの形成を行う。係る圧縮応力は、マトリックス領域におけるＡｌの存在比率を低減させた場合に生じる格子定数の増加を抑制するように、換言すれば、島状結晶とマトリックス領域との格子定数差を補償するように作用する。結果的に、自己組織化による島状結晶の形成が可能となる組成範囲が、Ｇａリッチ側に拡大するように作用している。
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【課題】Ｉｎ_xＧａ_(1-x)Ｎから成る活性層におけるｘの値を、確実に安定して所望の値とすることができるＧａＮ系半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体発光素子の製造方法は、無極性面である下地上に、（Ａ）第１導電型を有し、頂面がＡ面である第１ＧａＮ系化合物半導体層、（Ｂ）Ｉｎ_xＧａ_(1-x)Ｎから成り、頂面がＡ面である活性層、及び、（Ｃ）第２導電型を有し、頂面がＡ面である第２ＧａＮ系化合物半導体層を、順次、結晶成長させる工程を具備し、活性層を、成長速度０．３ｎｍ／秒以上、好ましくは、成長速度０．６ｎｍ／秒以上にて結晶成長させる。 （もっと読む）

発光層に対して垂直成長した透明伝導性ナノロッドを電極として用いる、透明伝導性ナノロッド型電極を含む発光素子が開示される。したがって、電極で光が吸収されず、ナノロッドのナノ接合によってトンネリングが起り易くて電流注入効率が増加するうえ、内部全反射が減少するので、本発明に係る発光素子は、金属電極または透明薄膜電極を含む従来の発光素子より優れた発光特性および発光効率を持つ。
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【課題】 複数のナノコラムから成る発光ダイオードにおいて、光取出し効率を向上する。
【解決手段】 シリコン基板１上に、ｎ型ＧａＮナノコラム層２、発光層３を形成し、ナノコラム径を広げながらｐ型ＧａＮコンタクト層４をエピタキシャル成長させた上に、半透明のｐ型電極５を形成させて成る発光ダイオードＤ１において、前記ｎ型ＧａＮナノコラム層２に、多重量子井戸構造やダブルへテロ構造で実現される吸収・再発光層６を設ける。したがって、発光層３のエスケープコーンに入らず、該発光層３からナノコラムの軸方向に放射された光は、前記吸収・再発光層６で吸収・再発光されて、そのエスケープコーンからナノコラムの外部へ放出されるので、シリコン基板１やｐ型電極５に吸収される割合が減少する。これによって、ナノコラム内に閉じ込められた光を効率良く外部に取出すことができ、光取出し効率を一層向上することができる。 （もっと読む）

【課題】珪素結晶基板上のＩＩＩ族窒化物半導体層を用いて半導体素子を構成するに際し、結晶性及び表面の平坦性に優れるＩＩＩ族窒化物半導体層から半導体素子を構成できるようにする。
【解決手段】珪素単結晶基板と、その基板の表面に設けた炭化珪素層と、その炭化珪素層に接して設けたＩＩＩ族窒化物半導体接合層と、そのＩＩＩ族窒化物半導体接合層上にＩＩＩ族窒化物半導体からなる超格子構造層を備えた半導体素子において、炭化珪素層は立方晶で格子定数が０．４３６ｎｍを超え、０．４６０ｎｍ以下の、組成的に珪素を富裕に含む非化学量論的な組成の層とし、ＩＩＩ族窒化物半導体接合層は、組成がＡｌ_ＸＧａ_ＹＩｎ_ＺＮ_１−αＭ_α（０≦Ｘ、Ｙ、Ｚ≦１、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１、０≦α＜１、Ｍは窒素以外の第Ｖ族元素である。）とする。 （もっと読む）

【課題】 発光素子と保護素子との複合半導体装置の小型化を図ることが困難であった。
【解決手段】 複合半導体装置はシリコン半導体基板（１）と主半導体領域（２）とを有する。主半導体領域（２）は溝（１１）によって発光素子部分（１２）と保護素子部分（１３）とに分離されている。保護素子部分（１３）に保護素子としてのショットキーバリアダイオードが形成されている。第１の電極（３）はボンディングパッドとして機能する第１の部分（１８）を有する。平面的に見て、保護素子部分（１３）は第１の部分（１８）の内側に配置されている。第１の電極（３）及び第２の電極（４）は発光素子と保護素子との両方の電極として機能する。 （もっと読む）

【課題】 ＺｎＯにおいては、ｐ型不純物とｎ型不純物を取り込みやすい結晶極性面は異なるため、単一極性面を用いると一方の電気伝導性の制御が困難になる。そこで両結晶極性面を同時に利用したＺｎＯデバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】 一方の伝導型のＺｎＯを積層するために、第１の結晶極性面を有するＺｎＯ層を積層し、その上に結晶極性面反転層を挿入する。その後、他方の伝導型のＺｎＯ層を第２の結晶極性面を利用して積層し、両結晶極性面の利点を同時に利用したＺｎＯデバイスを作製する。 （もっと読む）

【課題】 発光層部に透光性樹脂結合層を介して透光性素子基板を貼り合わせた発光素子において、その光取出効率をさらに向上させる。
【解決手段】 発光素子１は、発光層部２４を有した主化合物半導体層部１０と、主化合物半導体層部１０の一方の主表面を第一主表面、他方の主表面を第二主表面として、該主化合物半導体層部１０の第二主表面側に、透光性樹脂結合層７１を介して貼り合された透光性素子基板７０とを有する。透光性素子基板７０は化合物半導体からなり、該透光性素子基板７０の少なくとも側面に、異方性化学エッチングに基づく面粗し部ＳＦが形成されてなる。 （もっと読む）

【課題】単一指向性反射器及びこれを適用した発光素子を提供する。
【解決手段】導電性ナノロッドにより形成された透明伝導性低屈折層を有する単一指向性反射器とこれを適用する発光素子である。これにより、ナノロッドによる低屈折層は、非常に優秀な低屈折性を有し、従って非常に高い反射率を有する反射器を得て、低屈折層にすぐれる通電性を有するために別途の通電経路を設ける必要がない。 （もっと読む）

【課題】窒素およびヒ素を含むIII−Ｖ化合物半導体の結晶中の水素の影響を低減可能な半導体光素子を提供する。
【解決手段】半導体光素子１１は、第１導電型III−Ｖ化合物半導体層１３と、第２導電型III−Ｖ化合物半導体層１５と、活性領域１７とを備える。第１導電型III−Ｖ化合物半導体層１３は、基板１９上に設けられている。第２導電型III−Ｖ化合物半導体層１５は、基板１９上に設けられている。活性領域１７は、第１導電型III−Ｖ化合物半導体層１３と第２導電型III−Ｖ化合物半導体層１５との間に設けられており、またＶ族として窒素（Ｎ）およびヒ素（Ａｓ）を含むIII−Ｖ化合物半導体層２１を有する。III−Ｖ化合物半導体層２１の水素濃度は６×１０^１６ｃｍ^−３を越えており、III−Ｖ化合物半導体層２１には、ｎ型ドーパント２３が添加されている。 （もっと読む）

【課題】 材料選択の自由度が高く、マグネシウム濃度の低下を抑制できるIII−Ｖ族化合物半導体膜の形成方法及びIII−Ｖ族化合物半導体膜を備えた半導体素子を提供する。
【解決手段】 まず、基板３０上にマグネシウムを含む原料ガスＧ１を供給する。次に、有機金属気相成長装置１０を用いて、マグネシウムを含むｐ型のIII−Ｖ族化合物半導体膜３２を基板３０上に形成する。 （もっと読む）

【課題】窒化物系化合物半導体の発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
ｎ−電極、ｎ型化合物半導体層、活性層、ｐ型化合物半導体層、及びｐ−電極を含み、ｎ−電極へのオーミック接触特性が向上した窒化物系化合物半導体の発光素子が提供される。前記ｎ−電極は、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｕ、Ａｇ、及びＡｕからなる群から選択される少なくとも一種の元素からなる第１電極層と；前記第１電極層上に、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｏｓ、及びＡｕからなる群から選択される少なくとも一種の元素を含む伝導性物質を用いて形成される第２電極層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 光取り出し効率が高く、しかも長期間に亘り安定して高い光取り出し効率を維持することができるＬＥＤ発光装置を提供すること。また、高い歩留まりで製造でき、信頼性にも優れたＬＥＤ発光装置を提供すること。
【解決手段】 白色樹脂製の基体に設けられた凹部内にＬＥＤチップを搭載したＬＥＤ発光装置において、ＬＥＤチップを囲繞する基体内周面を、光反射性のフィラーを含有する樹脂層で被覆する。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードアレイおよび発光ダイオードにおいてＬＥＣ法の半絶縁性ＧａＡｓ基板を用いても、ｐ型ＧａＡｓ導電層からのｐ型ドーパントの拡散に起因する短絡不良の起こらないエピタキシャル構造を提供することにある。
【解決手段】半絶縁性ＧａＡｓ基板３０上にｐ型ＧａＡｓ導電層１１を介して複数の化合物半導体層がエピタキシャル成長され、絶縁・分割されて発光ダイオードとして機能する複数の発光部１を有する発光ダイオードアレイにおいて、上記半絶縁性ＧａＡｓ基板３０と上記ｐ型ＧａＡｓ導電層１１の間に、Ｓｉドープｎ型ＧａＡｓバッファ層３１を挿入する。 （もっと読む）