【課題】 本発明は、熱損失の高い発光ダイオード及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 粘着層を有する発光ダイオード及びその製造方法が開示される。約０．１μｍ乃至１μｍの厚さを有する粘着層は、ＬＥＤスタックと熱損失が高い基板を接着するように使用され、ここで基板の熱伝導率は１００Ｗ／ｍｋ以上である。本発明は、発光ダイオードの安定性及び発光効率を改善するように、発光ダイオードの熱損失効果を増大する。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイス程度の大きさのＩＩＩ族窒化物半導体結晶およびその製造方法、ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法ならびに発光機器を提供する。
【解決手段】 下地基板１上に１以上のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１１を成長させる工程と、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１１上に１層以上のＩＩＩ族窒化物半導体結晶層１２を成長させる工程と、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１１およびＩＩＩ族窒化物半導体結晶層１２から構成されるＩＩＩ族窒化物半導体結晶１０を下地基板１から分離する工程とを含み、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１０の厚さが１０μｍ以上６００μｍ以下、幅が０．２ｍｍ以上５０ｍｍ以下であるＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 従来、サファイア基板を用いてＧａＮを成長させる以上、転位の発生は避けられない。マスク層を用いれば転位が横方向に流れるとはいえ、隣接する領域から横方向に成長してきた半導体層とがぶつかるため、転位を完全になくすことはできない。そのため、より転位が少なく形成された半導体層による優れた特性の窒化化合物系の半導体発光素子が望まれていた。
一方、この活性層は半導体層の表面全面に形成されるため、その面積は半導体層の表面面積よりも大きくすることができず、発光面積が限定されてしまう。そのため、より活性層の面積を大きくした半導体発光素子が望まれていた。
【解決手段】 上記課題を解決するために、本願発明は、二段の半導体層で選択横方向成長させることにより転位の少ない半導体層を得る。また、このような半導体層を利用して発光面積の拡大を図る。 （もっと読む）

【課題】 発光駆動用の電極として酸化物透明電極層を用いるとともに、酸化物透明電極層が形成する境界面での内部反射を抑制し、ひいては光取出し効率の良好な発光素子を提供する。
【解決手段】 発光素子１００は、発光層部２４を有した化合物半導体層５０と、該化合物半導体層５０に積層される、発光層部２４に発光駆動電圧を印加するための酸化物透明電極層３０とを有する。発光層部２４からの光は、酸化物透明電極層３０を透過させる形で取り出される。酸化物透明電極層３０と化合物半導体層５０との間に、それら酸化物透明電極層３０と化合物半導体層５０との中間の屈折率を有する中間屈折率層３１が配置される。 （もっと読む）

本発明は、ＰＮ接合を形成する半導体へテロ構造と導波路とを備えた超発光ダイオード（ＳＬＥＤ）に関する。半導体へテロ構造は、ゲイン領域であって、その活性ゾーンからの誘導放出を含む光放出を発生させるようにＰＮ接合にバイアスをかけるコンタクト手段を備えたゲイン領域、および活性ゾーン内に、それぞれが複数の量子ドットよりなる複数の量子ドット層と、それぞれが量子ドット層の１つに隣接する複数の隣接層とを備えている。少なくとも２つの隣接層の材料組成または堆積パラメータが異なる。これにより放出スペクトル幅が確実に向上する。
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【課題】有機金属気相成長法による非極性窒化インジウムガリウム薄膜、ヘテロ構造物およびデバイスの製作方法を提供する。
【解決手段】
有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）を用いる非極性窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）膜ならびに非極性ＩｎＧａＮを含んだデバイス構造物の製作のための方法。本方法は、非極性ＩｎＧａＮ／ＧａＮ紫色および近紫外発光ダイオードおよびレーザ・ダイオードを製作するために用いられる。 （もっと読む）

半導体センサ、太陽電池又はエミッタあるいはそれらの前駆体は、基板と、この基板上に堆積されたテクスチャ出しされた半導体層とを有する。この層は、基板上に成長されるときにテクスチャ出しされるか、テクスチャ出しされた基板表面を複製することによってテクスチャ出しされる。それから基板又は第１の層は、装置から他の半導体層を成長させたりテクスチャ出しするためのテンプレートとなる。テクスチャ出しされた層は、基板から表面に複製されて、光取り出しや光吸収を強化する。いくつかの障壁及び量子井戸層からなる複合的量子井戸は、テクスチャ出しされた層を交互に繰り返しながら堆積される。量子井戸層の領域におけるテクスチャ出しは、半導体が有極性であり、そして量子井戸が極性方向に沿って成長される場合に、内部量子効率を大幅に強化する。これは、窒化物半導体が極性［０００１］又は［０００−１］方向に沿って成長される場合である。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの構造化された層（１０Ａ）を作成するための方法を提供し、その際第１の構造（２０Ａ）および第２の構造（２０Ｂ）を有するマスク構造（２０）が基板（５）上に存在している層（１０）に生成される。このマスク構造（２０）を通して第１の構造（２０Ａ）は等方性構造化法を用いてかつ第２の構造（２０Ｂ）は異方性構造化法を用いて層（１０）に移される。本発明の方法により、少なくとも１つの層に唯一のマスク構造を用いて２つの構造（２０Ａ，２０Ｂ）を生成することが可能になる。
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【課題】発光層への注入電流を許容範囲に抑えつつ、発光効率を向上させることが可能な、半導体発光装置等を提供すること。
【解決手段】ＧａＮ系半導体からなるｐ−ＧａＮ層１０とｎ−ＧａＮ層１４とで多重量子井戸発光層１２を挟んだ量子井戸構造を有し、ｎ−ＧａＮ層１４側から光を取り出す構成としたＬＥＤチップ２において、ｐ側電極２４を以下の構成とした。ｐ側電極２４のｐ−ＧａＮ層１０に臨む面を、円柱状をした複数の凸部２４Ａが略一様に分散されてなる凹凸面２４Ｂに形成し、前記凸部２４Ａの頂部とｐ−ＧａＮ層１０を接合することとした。 （もっと読む）

本発明は、超微細凹凸構造が適用された半導体層に光が反射されずに外部に放出されることに従って、光抽出効率が向上した発光ダイオード素子を提供する。
本発明は 基板、Ｎ型半導体層、光を発生させる活性層、Ｐ型半導体層を具備する発光ダイオード素子において、前記活性層及び前記Ｐ型半導体層をエッチングして少なくとも前記Ｎ型半導体層の一部を露出させた第１露出面と、前記第１露出面に形成された第１オーミック電極と、前記Ｐ型半導体層上に形成されており、前記Ｐ型半導体層の一部が第２露出面を有するように開口部を具備した第２オーミック電極とを含み、前記第２露出面の少なくとも一部が超微細凹凸構造である。
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【課題】蛍光体を発光ダイオード（ＬＥＤ）素子に層状化し、効率的な発光素子を生成して非線形効果を最小化する方法を提供する。
【解決手段】ＬＥＤと１つ又はそれよりも多くの蛍光体を含み、各蛍光体に対して（入射ＬＥＤ光束）×（蛍光体の励起断面積）×（蛍光体材料の減衰期間）の積として定義される性能指数（ＦＯＭ）が０．３よりも小さいＬＥＤランプ。そのような構成は、駆動電流のある一定の範囲にわたってルーメン出力及び色安定性の改善した発光素子を提供する。 （もっと読む）

電磁ビーム（１９）を主ビーム方向（１５）に放射するアクティブ層（７）と、主ビーム方向（１５）においてアクティブ層（７）の後段に配置されている第１の窒素化合物半導体材料からなる電流拡散層（９）と、主ビーム方向（１５）に放射されたビーム（１９）を出力結合する主面（１４）と、主面（１４）上に配置されている第１のコンタクト層（１１，１２，１３）とを備えた薄膜ＬＥＤにおいて、電流拡散層（９）の横方向導電性が二次元の電子ガスまたはホールガスの形成により高められている。二次元の電子ガスまたはホールガスの形成は有利には、第２の窒素化合物半導体材料からなる少なくとも１つの層（１０）を電流拡散層（９）に埋め込むことによって行われる。
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【課題】ベアチップの周囲のみに蛍光体膜を配した状態で、プリント配線板等に設けられた凹部底部に実装可能な半導体発光装置等を提供すること。
【解決手段】ＳｉＣ基板４の上面に結晶成長によって形成された発光層１４を含む半導体多層膜８〜１８からなるＬＥＤ６ａ，６ｂ，…，６ｃ，６ｄがブリッジ配線３０によって直列に接続されてＬＥＤアレイチップが構成されている。各ＬＥＤ６ａ〜６ｄを覆うように蛍光体膜４８が配されている。ＳｉＣ基板４の下面には、電気的に互いに独立した２個の給電端子３６、３８が形成されていて、直列接続されたＬＥＤ６ａ〜６ｄの内の、低電位側末端のＬＥＤ６ａのカソード電極３２と給電端子３６とがブリッジ配線４０およびスルーホール４２によって接続され、高電位側末端のＬＥＤ６ｄのアノード電極３４と給電端子３８とがブリッジ配線４４およびスルーホール４６によって接続されている。 （もっと読む）

光の取り出し効率を向上させた半導体発光素子を提供する。
サファイア基板ＳＳＢ上にＧａＮから成る下地層ＡＬＹ、下地層ＡＬＹ上に、表面が凹凸状のＧａＮから成る転写層ＴＬＹ、転写層ＴＬＹの凹凸状の表面に光吸収層ＢＬＹ、光吸収層ＢＬＹ上に平坦化層ＣＬＹと少なくとも活性層を有する発光構造層ＤＬＹから成る成長層４を形成し、成長層４側に支持基板２を取り付ける。サファイア基板ＳＳＢの裏面側からＹＡＧレーザの２倍波（波長５３２ｎｍ）の光を照射し、光吸収層ＢＬＹを分解させて、サファイア基板ＳＳＢを剥離することにより、表面が凹凸状となる平坦化層ＣＬＹを光取り出し面として露出させる。成長層４内の活性層から発生する光は、凹凸状の表面を有する平坦化層ＣＬＹを介して素子外部へ放射され、光の取り出し効率が向上する。
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発光素子１００は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる発光層部２４と、該発光層部２４の少なくとも一方の主表面側に形成され、発光層部２４からの発光光束のピーク波長に相当する光量子エネルギーよりも大きなバンドギャップエネルギーを有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる厚さ４０μｍ以上の透明厚膜半導体層９０とを有する。透明厚膜半導体層９０は、側面部９０Ｓが化学エッチング面とされ、かつ、該透明厚膜半導体層９０のドーパント濃度が５×１０^１６／ｃｍ^３以上２×１０^１８／ｃｍ^３以下とされる。これにより、透明厚膜半導体層を有するとともに、その側面部からの光取り出し効率を飛躍的に高めることができる発光素子を提供する。
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電解液が用意され、電解液が半導体材料の層の１つまたは複数の表面と接触させられる、半導体材料の表面に多孔質層を形成する方法および装置。電解液は加熱され、前記電解液と半導体材料との間にバイアスが導入されて、電解液と半導体材料との間を電流が流れるようになる。電流は、電解液と接触している半導体材料の１つまたは複数の表面に多孔質層を形成する。多孔質層を有する半導体材料は、光発光体の基板としての役割を果たすことができる。半導体発光領域は、基板に形成することができる。発光領域は、バイアスに応じて全方向に光を発することができ、多孔質層が基板を通過する発光領域光の取出しを高める。

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【課題】本発明は、発光効率を高く維持しながら、基板に対して優れた接合性を有する半導体発光装置とその製造方法、およびこれを備える照明装置、さらには表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】このために、本発明に係る半導体発光装置は、発光層を有するものであって、その発光層の出射側に、表面に凹凸構造が設けられた光透過部が形成されているとともに、当該凹凸構造の上にさらに透光性を有した被膜が形成された構成を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、１回のワイヤボンディングで済み、位置合わせの容易な実装が可能で、工数の低減につながるチップを作製することを課題とする。
【解決手段】 基板11の一面上に、ｎ型半導体薄膜層13と、活性層と、ｐ型半導体薄膜層17とを積層形成し、このｐ型半導体薄膜層17上面に一方の電極32を基板11の他面上に他方の電極33aを設ける化合物半導体発光素子の製造方法において、基板11の他面側から電極33aと接続されるｎ型半導体薄膜層13に到達する深さの縦穴20を波長が５００ｎｍ以下の短波長レーザを照射して設け、基板11の他面に設けた電極33aとｎ型半導体薄膜層13を縦穴20に形成した導電性材料30を介して電気的に接続し、電極32を基台100の第１のリード電極101に接続し、電極33aを第２のリード電極103にワイヤボンド線104で接続する。 （もっと読む）

【課題】 窒化物系化合物半導体素子に長期信頼性を施与し、しかも素子特性を低下させることのない表面保護膜を備えた半導体素子を提供すること。
【解決手段】 サファイア基板１上にバッファ層２を介して第一導電型の半導体層３１、発光層３２、第二導電型の半導体層３３を順次成長してなり、ワイヤーボンディング用電極４１、４２からなる窒化物系発光素子の表面に、素子構造の成長技術であるＭＯＶＰＥを使って、非晶質又は多結晶窒化アルミニウムを主成分とする表面保護膜５を低温で形成することにより、機械的に、熱的に、化学的に安定した表面に変える事により素子の信頼性を向上する。 （もっと読む）

【課題】 結晶欠陥の発生を抑え、電極形成面の凹凸を減らして平坦化し、半導体発光素子作成プロセスにおいて電極の剥がれが生じにくい半導体発光素子用ウェハーを提供すること。
【解決手段】 半導体基板１と、少なくともＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶よりなる第１クラッド層２、発光層３、前記第１クラッド層と反対導電型の第２クラッド層４、及び窓層５、がこの順序で積層されており、該基板には下部電極７、および該窓層には上部電極６が形成され、該窓層は少なくとも発光層に近い第１窓層１１と発光層より遠い第２窓層１２とを有し、該第２窓層は該第１窓層より不純物濃度の高い半導体層であって、前記第１窓層と第２窓層の界面近傍において、ＩＩＩ族元素の組成比を変化させた第１の介在層を有することを特徴とするものである。この結果、ヒロックの少ないウェハーを得ることができる。 （もっと読む）