モノリシック集積光ネットワークデバイスは、シリコン基板に形成され、光子を放出するようにアバランシェ状態にバイアス可能なバイポーラトランジスタ、及びバイポーラトランジスタによって発生された光子に対する光導波路として機能するようにバイポーラトランジスタとモノリシックに集積されたフォトニック・バンドギャップ（ＰＢＧ）構造を有する。
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本発明は、結晶材料から選択された材料で作られた転写層（２０）を受ける目的の複合支持基板（１０）に関し、したがって、その集合体は、エピタキシャル用基板（３０）を形成し、主要表面と平行に対称な長手方向の平面（１００）を有し、且つ規定の温度Ｔで第１熱膨張係数を有し、対称平面のどちらの側にも横方向に延在する中央第１層（１）と、少なくとも１対の横方向の層（２、２’；３、３’）、即ち、互いに向き合う層を有する各対の層であって、前記対称平面に関して、ほぼ対称である複合支持基板（１０）内の配列、前記温度Ｔで互いにほぼ同一である第２熱膨張係数、互いにほぼ同一である厚さ、である前記各対の層と、からなり、並びに、前記複合支持基板（１０）が前記温度Ｔで転写層（２０）の材料の熱膨張係数に近い全体的熱膨張係数を前記温度Ｔで有するように、前記複合支持基板（１０）の層を構成する材料が、選択されていることを特徴とする。本発明は、前記複合支持基板上に有効層を形成する工程及びエピタキシャル基板を含む構造にも関係する。
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【解決手段】 本発明は、光ダイオードまたはフォトダイオード（１０、１６、２４、２６、３６、４６、５４、６８，７４、８０）のような、活性領域を有する半導体構造に関する。この構造は、それぞれが異なる波長の光を放射または吸収する少なくとも２つの活性領域（ＡＺ乃至ＡＺｎ）を有する基板（ＳＵＢ）を具備する。本発明によれば、多波長ダイオードが実現される。第１（下側）活性領域（ＡＺ１）が、基板（ＳＵＢ）の表面上に成長させられ、１つまたは複数のさらなる活性領域（ＡＺ１乃至ＡＺｎ）が順次エピタキシャル成長させられ、活性領域（ＡＺ１乃至ＡＺｎ）は、低インピーダンス抵抗として機能するトンネルダイオード（ＴＤ１乃至ＴＤｎ）を用いて、下側活性領域（ＡＺ１）から上側活性領域（ＡＺｎ）に向かって直列接続される。 （もっと読む）

エピタキシャル成長なしに実用的な発光特性を持つ発光素子を得る。 本発明の量子ドット分散発光素子は、基板１１と、電子注入用電極１２と、正孔注入用電極１４と、前記両電極に接触するように配置された無機発光層１３とを備え、前記無機発光層１３は、同時二極性無機半導体材料と、前記同時二極性無機半導体材料中に、発光中心として分散されたナノ結晶１５とを含み、前記電子注入用電極層または正孔注入用電極層との界面でこれらに対してエピタキシャル関係を有することなしに、発光しうるように構成される。 （もっと読む）

第１ステージと第２ステージとを有する、ツリーの形態を持つナノ構造を形成する方法。第１ステージは、基板表面上に少なくとも１つの触媒粒子を供給し、かつ、各触媒粒子を介して第１ナノウィスカーを成長させる工程を含む。第２ステージは、各第１ナノウィスカーの周囲に、１つ以上の第２触媒粒子を供給し、各第１ナノウィスカーの周囲から横方向に伸びる第２ナノウィスカーを成長させる工程を含む。更なるステージは、以前のステージのナノウィスカーから伸びる１つ以上のさらなるナノウィスカーを成長させる工程を含み得る。ヘテロ構造は、ナノウィスカー中に形成され得る。このようなナノ構造は、太陽電池アレイまたは光放出フラットパネルのコンポーネントを形成し得る。その構造において、ナノウィスカーは光電性材料から形成される。神経ネットワークは、複数の第１ナノウィスカーを近くに一緒に配置し、連続するステージで成長したナノウィスカーを通して隣接するツリーが互いに接触し、ナノウィスカー内のヘテロ結合が電流の流れに対してトンネル障壁を形成するようにすることによって、形成され得る。
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空洞共振発光素子を製作する方法では、窒化ガリウム種結晶（１４）及び供給源材料（３０）を、多ゾーン炉（５０）内に配設される密封容器（１０）内に配設される窒素含有過熱流体（４４）内に配置する。窒化ガリウム種結晶（１４）上で窒化ガリウム材料を成長させて、単結晶窒化ガリウム基板（１０６、１０６’）が得られる。成長は、窒化ガリウム種結晶（１４）と供給源材料（３０）の間に時間的に変化する熱勾配（１００、１００’、１０２、１０２’）を適用して、この成長の少なくとも一部の間、成長速度を速くすることを含む。単結晶窒化ガリウム基板（１０６、１０６’）上に、第ＩＩＩ族窒化物層のスタック（１１２）を堆積させる。スタック（１１２）は、１以上の空洞共振発光素子（１０８、１５０、１６０、１７０、１８０）が製作されるように適合された第１ミラーサブスタック（１１６）及び活性領域（１２０）を含む。 （もっと読む）