ｎ型導電半導体層（２１）およびｐ型導電半導体層（２２）を備えている半導体ボディ（２）を開示する。ｐ型導電半導体層（２２）はｐ型ドーパントを含んでおり、ｎ型導電半導体層（２１）はｎ型ドーパントおよびさらなるドーパントを含んでいる。さらに、半導体ボディを製造する方法を開示する。 （もっと読む）

【課題】発光素子の光特性が向上した酸化亜鉛系発光ダイオードを提供する。
【解決手段】酸化亜鉛系発光ダイオードは、ｎ型半導体層、ｎ型半導体層上に形成される酸化亜鉛系活性層、活性層上に形成されるｐ型半導体層、ｐ型半導体層に電気的に接続するアノード、ｎ型半導体層に電気的に接続するカソード、及びｎ型半導体層と上記活性層との間または上記活性層と上記ｐ型半導体層との間に位置する表面プラズモン層を含む。従って、ｎ型半導体層と活性層との間または活性層とｐ型半導体層との間に表面プラズモン層を形成することによってｐ型半導体層の厚さ減少による抵抗増加に影響を受けることなく、表面プラズモン層と活性層との間に共鳴現象を誘導することによって光特性を改善させることができる。 （もっと読む）

【課題】 ドナー・アクセプター対発光による面発光を低電圧の直流駆動によって十分に得ることができるとともに、寿命特性を従来よりも向上させることが可能な発光素子を提供すること。
【解決手段】 発光素子１００は、一対の電極２，６と、電極２，６間に配置されたドナー・アクセプター対発光機能を有する発光層４と、発光層４と電極２との間に配置され、発光層４に隣接するキャリア注入層３とを備え、キャリア注入層３には、Ｙ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ及びＲｅのうちの少なくとも１種の元素が含まれていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ドナー・アクセプター対発光による面発光を直流駆動によって十分に得ることができるとともに、発光輝度を従来よりも向上させることが可能な発光素子を提供すること。
【解決手段】 一対の電極２，７と、一対の電極２，７間に配置された、ドナー・アクセプター対発光機能を有する発光層５と、バッファ層４と、ｐ型半導体を含むキャリア注入層３と、をこの順で備える発光素子１００であって、発光素子１００のエネルギーバンド図において、発光層５の価電子帯頂部のエネルギーレベルをＶＢＭ_ｉ（ｅＶ）及びキャリア注入層３の価電子帯頂部のエネルギーレベルをＶＢＭ_ｐ（ｅＶ）としたときに、バッファ層４の価電子帯が、下記式（１）の条件を満たすエネルギーレベルＶＢＭ_ｂ（ｅＶ）の価電子帯頂部を有することを特徴とする。
ＶＢＭ_ｉ（ｅＶ）＜ＶＢＭ_ｂ（ｅＶ）＜ＶＢＭ_ｐ（ｅＶ） …（１） （もっと読む）

【課題】発光効率が向上可能な発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、ｎ型シリコン酸化膜２と、ｐ型シリコン窒化膜３とを備える。ｐ型シリコン窒化膜３は、ｎ型シリコン酸化膜２に接して形成され、ｎ型シリコン酸化膜２およびｐ型シリコン窒化膜３は、ｐ−ｎ接合を形成する。ｎ型シリコン酸化膜２は、ｎ型Ｓｉからなる複数の量子ドット２１を含む。ｐ型シリコン窒化膜３は、ｐ型Ｓｉからなる複数の量子ドット３１を含む。ｎ型シリコン酸化膜２側から電子を注入し、ｐ型シリコン窒化膜３側から正孔を注入することによって、ｎ型シリコン酸化膜２とｐ型シリコン窒化膜３との界面で発光する。 （もっと読む）

【課題】複数のゲートを有する有機発光トランジスタの構造をより簡素化すること。
【解決手段】基板(1)と、基板上に配置された第１ゲート電極(2)と、基板上に、第１ゲート電極と離間して配置された第２ゲート電極(3)と、第１ゲート電極及び第２ゲート電極の少なくとも一部を覆い、基板上に配置されたゲート絶縁膜(4)と、ゲート絶縁膜上に配置された第１ソース／ドレイン電極(5)と、第１ソース／ドレイン電極の少なくとも一部を覆い、かつ第１ゲート電極及び第２ゲート電極の各々と重畳してゲート絶縁膜上に配置された第１有機半導体層(6)と、第１有機半導体層上に配置された第２ソース／ドレイン電極と、第２ソース／ドレイン電極の少なくとも一部を覆い、かつ第１ゲート電極及び第２ゲート電極の各々と重畳して第１有機半導体層上に配置された第２有機半導体層(8)と、を備える有機発光トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】化学的、物理的に安定であり、使用に際しての外乱要因（例えば熱）に対しても性能が安定しており、更には、トランジスタとしての機能、発光素子としての機能、太陽電池として機能を融合し得る構成、構造を有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】２端子型の電子デバイスは、第１電極３１及び第２電極３２、並びに、第１電極３１と第２電極３２の間に設けられた能動層３３を備え、能動層２０は、保護層で被覆された無機半導体微粒子から構成された複合材料の集合から成り、保護層は、無機半導体微粒子に結合した官能基を一端に有するアルキル鎖、及び、アルキル鎖の他端に結合した有機半導体分子から成り、無機半導体微粒子はｎ型導電性を有し、有機半導体分子はｐ型導電性を有し、能動層２０への光の照射によって電力が生成する。 （もっと読む）

発光デバイス（１０）が、半導体材料からなるボディ（１２）を備える。ボディ内の、第１のドーピング・タイプをもつボディの第１の領域（１２．１）と第２のドーピング・タイプをもつボディの第２の領域（１２．２）との間に、第１の接合領域（１４）が形成される。ボディ内の、ボディの第２の領域（１２．２）と第１のドーピング・タイプをもつボディの第３の領域（１２．３）との間に、第２の接合領域（１６）が形成される。使用の際に、第１の接合領域（１４）に逆バイアスをかけて降伏モードにし、また第２の接合領域（１６）の少なくとも一部（１６．１）に順バイアスをかけて、第１の接合領域（１４）に向かってキャリアを注入するために、端子構成（１８）がボディに接続される。デバイス（１０）は、逆バイアスがかけられた第１の接合領域（１４）に関連する第１の空乏領域（２０）が、順バイアスがかけられた第２の接合領域（１６）に関連する第２の空乏領域にパンチスルーするように構成される。
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【課題】発光層から発せられる光に対して不透明なパッド電極を用いた窒化物半導体発光素子において、従来よりも光取り出し効率を向上させることができる窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１のｎ型窒化物半導体層、発光層、ｐ型窒化物半導体層および第２のｎ型窒化物半導体層をこの順に含む窒化物半導体発光素子であって、少なくとも第２のｎ型窒化物半導体層の一部を除去することにより形成された電流阻止領域を有する窒化物半導体発光素子とその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】空乏層の厚さを制御して漏洩電流の抑制ができる半導体発光素子及びこれを用いた表示装置を提供すること。
【解決手段】半導体発光素子は、支持用基板に、ｐ側電極層１２、ｐ型コンタクト層１４、ｐ型クラッド層１６、活性層１８、ｎ型クラッド層２０、ｎ型コンタクト２４層、ｎ側電極層２６を有し、ｎ側電極層がｎ型コンタクト層及びｎ型クラッド層上に接触して積層され、ｎ型コンタクト層とオーミック接合を形成し、ｎ型クラッド層とショットキー接合を形成するように構成される。逆バイアス印加時、ｎ型コンタクト層の下方でｎ型クラッド層に空乏層２２が形成され、逆バイアスの増大と共に空乏層が拡大され、漏洩電流が抑制される。ｎ型コンタクト層の直径が２０μｍ以下である。この半導体発光素子が２次元マトリックス状に配列され表示装置が構成され、半導体発光素子が単純マトリックス駆動される。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系半導体を用いて、安価で発光効率の高い発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の発光素子は、ＧａＮ系半導体と、ＧａＮ系半導体に電流を注入するための陽極および陰極と、ＧａＮ系半導体と陽極との間に設けられた有機正孔輸送材料と、を含んでいる。有機正孔輸送材料は、式(1)〜式(3)に示された構成単位から選択される少なくとも何れか１種と、式(4)に示された構成単位とを有する有機化合物を含む。
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三元半導体ナノ結晶のコロイド溶液を生産する方法を提供する。まず二元半導体コアを準備し、その表面上に第１シェルを形成する。第１シェルは、その二元半導体コアを組成している成分のうち一元と、その二元半導体と結合して三元半導体を発生させる別の成分とを含有するよう形成する。そして、第１シェルの形成によって発生するコアシェル構造ナノ粒子をアニーリングすることにより、合金組成勾配のある三元半導体ナノ結晶を発生させる。
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光電子デバイスは、２つの離隔された電極と、該２つの離隔された電極間に配置された、三元コア／シェル型ナノ結晶を含む少なくとも１つの層とを含んでいる。三元コア／シェル型ナノ結晶は、合金組成に勾配を有する三元半導体コアを有する。三元コア／シェル型ナノ結晶はまた、１分より長いオン時間によって特徴付けられる単一分子無ブリンキング挙動、又は１０ｎｓより短い放射ライフタイムを示す。
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オプトエレクトロニック・デバイス（２０）は、表面（１６）と、その表面の一方の側の光子活性領域（１２）とを有する間接遷移半導体材料の本体（１４）を含む。光誘導機構（２２）が表面の反対側に本体と一体化して形成される。
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【課題】有機半導体膜を用いた半導体装置（有機トランジスタ又は発光トランジスタ）の構成を提供する。また、上記半導体装置の特性の向上を図る。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、第１有機半導体膜〔９〕と、第２有機半導体膜〔４〕と、前記第１有機半導体膜の第１面の側に形成された第１制御電極〔１０〕と、前記第２有機半導体膜の第２面の側に形成された第２制御電極〔３〕と、前記第１有機半導体膜の第１面の逆側の第２面と前記第２有機半導体膜の第２面の逆側の第１面とが接した境界に離間して配置された第１電極〔５、６〕および第２電極〔７、８〕と、を有する。これにより、ゲート絶縁膜を省略した簡易な装置構成とすることができる。また、第１制御電極〔１０〕の仕事関数を、第２制御電極〔３〕の仕事関数より大きくする。これによりリーク電流を低減できる。 （もっと読む）

本発明は、半導体発光素子及びその製造方法に関するものである。
本発明に従う半導体発光素子は、所定間隔の絶縁層及び上記絶縁層の間に空洞を含む第１導電型半導体層と、上記第１導電型半導体層の上に活性層と、上記活性層の上に第２導電型半導体層と、を含む。
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【課題】 発光素子において、発光可能な少なくとも２波長の光の中から実際に発光する波長を選択できるシリコン単結晶の発光素子とその製造方法に関する。
【解決手段】 発光素子１００は、ＰＩＮ構造を備えているシリコン単結晶から形成されている。不純物低濃度層４の区切られた範囲毎に、異なる波長の光を発光する２種類の結晶欠陥１２ａと１２ｂが形成されており、その範囲毎に、ｎ^＋型シリコン層６とｐ⁻型シリコン領域２を介してその範囲のｎ⁻型の不純物低濃度層４を挟む電極対が形成されている。表面電極１８ａに電圧を印加すると結晶欠陥１２ａから光が発光する。表面電極１８ｂに電圧を印加すると結晶欠陥１２ｂから光が発光する。両電極１８ａと１８ｂに同時に電圧を印加すれば、２種類の波長の光を同時に発光させることができる。 （もっと読む）

コンタクト層（３）と活性領域（７）とを備えた放射線放出半導体ボディにおいて、コンタクト層と活性領域との間にトンネル接合（４）を備える。活性領域は、半導体ボディに動作電流が印加されたときに電磁放射線を放出する少なくとも２つの活性層（７１）を含む多重量子井戸構造を有する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法で製膜を繰り返すような多くの工程を必要とせずに製造することができ、比較的短波長領域で発光する発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の発光素子は、第１電極と、第２電極と、第１及び第２電極間に設けられ且つ微粒子を含む絶縁層を備え、前記微粒子は、Ｇｅの酸化物であり、その平均酸化率が３５〜７０％であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電子や正孔などの電荷を、発光層を構成する窒化物半導体粒子内へ効率よく注入できる発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、少なくとも一方が透明又は半透明である一対の電極と、前記一対の電極間に挟まれて設けられた発光層とを備え、前記発光層は、窒化物半導体粒子で構成されており、前記窒化物半導体粒子の粒界には金属ナノ構造体が析出している。 （もっと読む）