基板と、基板上のバッファ層と、バッファ層上かつｎ型層とｐ型層との間の活性層と、ｐ型層に隣接するトンネル接合と、トンネル接合およびｎ型層へのｎ型接点とを備え、バッファ層、ｎ型層、ｐ型層、活性領域、およびトンネル接合は、窒素面（Ｎ面）配向で成長させられるＩＩＩ族窒化物材料を備える、発光ダイオード。ＩＩＩ族窒化物材料が蒸着される基板表面は、埋め込まれた裏面の粗面化を提供するようにパターン化される。ＩＩＩ族窒化物材料の上面でもあるトンネル接合の上面は粗面化される。
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【課題】低コスト及び簡素な構成で、窒化物化合物半導体層と基板との間の直列抵抗を低減できる半導体デバイスを提供すること。
【解決手段】半導体デバイスは、ｐ型シリコン基板１と、ｐ型シリコン基板１上に設けられ、シリコンに対してｐ型の不純物として機能する元素を含むバッファ層９と、バッファ層９上に設けられた窒化物化合物半導体層３と、窒化物化合物半導体層３上に設けられた第１の電極４と、ｐ型シリコン基板１下面に設けられた第２の電極８とを有する。 （もっと読む）

本発明の二重構造を有するＬＥＤは、所定面積を有するように設けられるベースと、前記ベースの上部に設けられて電流の印加により発光する第１素子と、前記第１素子に隣接するように前記ベースの上部に設けられて電流の印加により発光する第２素子とを含む。
そして、本発明の二重構造を有するＬＥＤ駆動装置は、所定面積を有するように設けられるベースと、前記ベースの上部端に沿って設けられて電流の印加により発光する第１素子と、前記ベースの中央に設けられて電流の印加により発光する第２素子と、前記第１素子と前記第２素子に電流を印加する制御部とを含む。
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【課題】短波長領域でのＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光ダイオードの発光効率向上と、長時間駆動時のＬＥＤ特性の劣化を改善することができるＡｌＧａＩｎＰ系発光ダイオードを提供することを目的とする。
【解決手段】ｎ型クラッド層、量子井戸構造で構成される発光層、ｐ型クラッド層、さらに発光層とｐ型クラッド層との間に中間層を有する半導体発光素子であって、これらは組成式（Ａｌ_XＧａ_1-X）_YＩｎ_1-YＰ（０≦Ｘ≦１，０＜Ｙ≦１）から成り、その量子井戸構造の障壁層の組成が（Ａｌ_XＧａ_1-X）_YＩｎ_1-YＰ（０．５＜Ｘ≦１）であることを特徴とする発光ダイオードである。 （もっと読む）

【課題】トンネル接合を有する窒化物半導体発光素子において、駆動電圧を低減することができる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成された、第１のｎ型窒化物半導体層と、発光層と、第１のｐ型窒化物半導体層と、第２のｐ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体トンネル接合層と、ｎ型窒化物半導体トンネル接合層と、第２のｎ型窒化物半導体層と、を含み、ｐ型窒化物半導体トンネル接合層とｎ型窒化物半導体トンネル接合層とはトンネル接合を形成しており、ｐ型窒化物半導体トンネル接合層のインジウムの組成比が第２のｐ型窒化物半導体層のインジウムの組成比よりも大きい窒化物半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】トンネル接合を有する窒化物半導体発光素子において、信頼性を向上することができる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に、順次形成された、第１のｎ型窒化物半導体層と、発光層と、ｐ型窒化物半導体トンネル接合層と、ｎ型窒化物半導体トンネル接合層と、第２のｎ型窒化物半導体層と、を含み、ｐ型窒化物半導体トンネル接合層とｎ型窒化物半導体トンネル接合層とはトンネル接合を形成しており、ｐ型窒化物半導体トンネル接合層およびｎ型窒化物半導体トンネル接合層の少なくとも一方がアルミニウムを含む窒化物半導体発光素子である。 （もっと読む）

【課題】所望の発光波長を高効率で引き出せ、波長可変も可能な結晶シリコン発光素子を得る。
【解決手段】単結晶からなるｐ型のシリコン基板１０と、このシリコン基板１０の一方の表面にこれと複数個のナノＳｉ柱１５が形成され、このナノＳｉ柱１５は、シリコン基板１０とホモ接合を形成して 円筒状の柱状突起の形態を成している。また、シリコン基板１０の表面には、ナノＳｉ柱１５の上面以外の領域にシリコン酸化膜１６と、少なくともナノＳｉ柱１５の側面の一部を覆うように設けられた第３の電極１７と、第３の電極１７の表面を覆う絶縁膜１８が形成されている。さらに、少なくともナノＳｉ柱１５の上面と接してショットキー障壁３０を形成する透明電極１９が設けられている。シリコン基板１０の他方の表面には、金属電極２０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】イオン化エネルギーが十分に小さな不純物（アクセプターもしくはドナー）が存在せず、ｐ型もしくはｎ型半導体を作ることが出来ないワイドギャップ半導体に対して、正孔または電子を注入することが可能な電極構造を提供する。
【解決手段】イオン化エネルギーが０．２〜１ｅＶの不純物がドープされたワイドギャップ半導体と、不純物イオンの結合エネルギーよりも小さな仕事関数を有し、かつ、ワイドギャップ半導体と接合される金属層と、を備え、外部電場を印加されることにより金属層からワイドギャップ半導体へ正孔が注入される電極構造。 （もっと読む）

【課題】トンネル接合を有する窒化物半導体発光素子の駆動電圧を低くすることができるとともに光取り出し効率を高くすることができる窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１のｎ型窒化物半導体層、発光層およびインジウムを含むｐ型窒化物半導体トンネル接合層をこの順序で形成する工程と、ｐ型窒化物半導体トンネル接合層上にｐ型窒化物半導体トンネル接合層よりもバンドギャップが大きい窒化物半導体蒸発抑制層をｐ型窒化物半導体トンネル接合層の形成時の基板温度よりも１５０℃高い温度以下の基板温度で形成する工程と、窒化物半導体蒸発抑制層上に第２のｎ型窒化物半導体層を窒化物半導体蒸発抑制層の形成時の基板温度よりも高い基板温度で形成する工程と、を含む、窒化物半導体発光素子の製造方法である。 （もっと読む）

本発明は、ＬＥＤおよびＬＤ波長を色のスペクトルの黄色および赤色部分に付勢する、現在従来的に利用可能なものよりもインジウムの組成がより優れた、ＩｎＧａＮの成長を可能にする。より高温でインジウムとともに成長する能力は、より高品質のＡｌＩｎＧａＮにつながる。このことはまた、新規の分極を用いたバンド構造設計を可能にして、より効率的なデバイスを作製する。加えて、それは、デバイス性能を向上させる、伝導度が増加したｐ−ＧａＮ層の製造を可能にする。
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【課題】反応源供給層にクラックが発生することを抑制しつつ、低い駆動電圧を有する半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン系基板１上には、ガリウムとインジウムとシリコンとを構成元素に含む金属化合物からなる金属化合物領域２が形成されている。金属化合物領域２上には、窒化アルミニウムからなるＡｌＮ層３が形成されている。ＡｌＮ層３上には、ガリウムとインジウムとを構成元素に含む窒化物系化合物半導体からなる反応源供給層４が形成されている。領域Ｂにおける金属化合物領域２は、領域Ａにおける金属化合物領域２よりも厚く形成され、領域ＢにおけるＡｌＮ層３は、領域ＡにおけるＡｌＮ層３よりも薄く形成されている。 （もっと読む）

【課題】ビーム放射に適しており、効率が高くまた簡単に形成できる半導体ボディを提供する。
【解決手段】半導体層列が２つのコンタクト層を包含し、コンタクト層の間にアクティブ領域が配置されており、コンタクト層には、半導体ボディ上に配置されている端子層がそれぞれ１つずつ対応付けられており、それぞれの端子層は対応付けられたコンタクト層と導電的に接続されており、それぞれの端子層は、対応付けられたコンタクト層のアクティブ領域側とは反対側に配置されており、端子層はアクティブ領域において形成されるビームに対して透過性であり、コンタクト層は同一の導電型を有する。 （もっと読む）

【課題】トンネル接合を含むＧａＮ系半導体発光素子における動作電圧の低減。
【解決手段】ＧａＮ系半導体発光素子（１０）は、複数のＧａＮ系半導体層が積層されてなる積層体Ｌを有し、積層体Ｌには、第１のｎ型層（２）と、発光層（３）と、ｐ型層（４）と、第２のｎ型層（５）とがこの順に含まれている。ｐ型層（４）と第２のｎ型層（５）とはヘテロ界面をなすように接しており、第２のｎ型層（５）には正電極（Ｅ１）が形成されている。
一実施形態では、ヘテロ界面をなすｐ^＋型層（４ｃ）とｎ^＋型層（５ａ）とにおいて、ｐ^＋型層（４ｃ）のバンドギャップがｎ^＋型層（５ａ）のバンドギャップよりも大きい。
一実施形態では、ｐ型層（４）と第２のｎ型層（５）とがなすヘテロ界面の位置に、ｐ型不純物および／またはｎ型不純物の層厚方向の分布のピークを有している。 （もっと読む）

【課題】基板上にナノコラムやナノロッドなどと称される柱状結晶構造体が形成されて成る化合物半導体発光素子において、柱状結晶構造体の柱径を高精度に制御可能とする。
【解決手段】発光ダイオードを形成するナノコラム６において、その作成後、フォトルミネッセンス法などで実際の発光波長を測定し、所望とする波長からずれていれば、該ナノコラム６を熱酸化し、表面に径調整層１０を形成する。したがって、径調整層１０の部分は発光動作に寄与せず、実質的にナノコラム６の外径が細くなった場合と同様の動作を行うことになり、従来では全く不可能であった形成後の外径の微調整を、容易かつ高精度に行うことができ、発光波長を調整することができる。また、径調整層１０はナノコラム６の表面を保護するので、ＳＯＧの埋め込みによる表面保護の場合に問題になる埋め込みの均一性は一切問題にならず、制御性、再現性に優れた表面保護を実現することもできる。 （もっと読む）

【課題】
発光素子において、電力効率に優れた特性を得ることは、照明分野などへの応用に重要な要因である。
【解決手段】
第１，２導電型の半導体層22, 23を含む発光構造25と、該発光構造から露出された第１導電型の半導体層22sと、該第１，２導電型層に各々設けられた第１，２電極30, 40と、を有し、前記第１導電型半導体層22の露出表面22sに設けられた第１電極30が、第１層31と、該第１層上に第１層より幅の狭い若しくは面積の小さい第２層32と、を少なくとも有し、前記発光構造の光に対して、前記第１層が透光性を、前記第２層が反射性を有する半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】光学的特性及び電気的特性を同時に得ることができる半導体発光トランジスタを提供すること。
【解決手段】半導体発光トランジスタは、基板１００上に形成された第１導電型コレクター層１１０と、前記コレクター層上の一部領域に形成された第２導電型ベース層１３０と、前記ベース層が形成されない前記コレクター層上に形成されたコレクター電極１１０ａと、前記ベース層上の一部領域に形成された第１導電型エミッター層１５０と、前記エミッター層が形成されない前記ベース層上に形成されたベース電極１３０ａと、前記エミッター層上に形成されたエミッター電極１５０ａと、前記コレクター層と前記ベース層との間に形成された第１発光層１２０と、前記ベース層と前記エミッター層との間に形成された第２発光層１４０と、を含む。 （もっと読む）

本発明は化学的硬化によるナノ粒子の形成方法に関するものである。本発明の方法は、基板上に金属薄膜を蒸着するステップと、前記金属薄膜上に絶縁体前駆体をコーティングするステップと、前記絶縁体前駆体に硬化剤と触媒剤を添加して化学的硬化（ｃｕｒｉｎｇ）を行うステップとを含む。また、本発明の方法は、金属粉末と絶縁体前駆体を混合するステップと、前記混合物を基板上に塗布するステップと、前記混合物に硬化剤と触媒剤を添加して化学的硬化を行うステップとを含む。本発明の方法によれば、化学的硬化方法を用いるため、熱硬化のような高温の工程を用いることなくナノ粒子を簡単で且つ安価で形成できる効果がある。
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【課題】ナノＳｉの結晶性とサイズ調整を向上させ、所望の可視光を高効率で引き出す結晶シリコン素子を提供すること。
【解決手段】単結晶シリコン基板１０と、その主表面と同一の結晶面方位を有するように略垂直に立つ複数個のナノＳｉ柱（略円柱状結晶シリコン）１６とを、ナノＳｉ柱（略円柱状結晶シリコン）１６の上面に接する透明電極１９及び金属電極１８で挟み込む構造を有する結晶シリコン素子。 （もっと読む）

【課題】不整合転位や不純物をほとんど含まず良質であり、光デバイスとして利用可能なＧｅＳｎ半導体デバイスを得る。
【解決手段】シリコン基板１に形成した極薄酸化膜２上に分子線エピタキシャル法を用いてＧｅ５とＳｎ６とを蒸着することで、ＧｅＳｎ半導体のナノメーターサイズの微結晶（ナノドット）３を超高密度に形成して、ＧｅＳｎ半導体デバイスを得る。該半導体のドット３は不整合転位や不純物をほとんど含まず良質であり、光デバイスとして利用することができる。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物半導体を有する半導体発光素子において、動作電圧を低減するとともに発光効率を向上することが可能な技術を提供する。
【解決手段】ｎ型III族窒化物半導体から成るｎ型基板１上には、ｎ型クラッド層２と、ｎ型光ガイド層３と、不純物がドーピングされていない多重量子井戸（ＭＱＷ）活性層４と、ｐ型電子障壁層５と、ｐ型光ガイド層６と、ｐ型クラッド層７と、ｐ型コンタクト層８とがこの順で積層されている。ｐ型電子障壁層５はｐ型Ａｌ_x2Ｇａ_(1-x2)Ｎ（０＜ｘ２＜１）から成り、ｐ型クラッド層７はｐ型Ａｌ_x3Ｇａ_(1-x3)Ｎ（０＜ｘ３＜１）から成り、ｐ型コンタクト層８はｐ型ＧａＮから成る。ｐ型電子障壁層５、ｐ型クラッド層７及びｐ型コンタクト層８はそれぞれｐ型ドーパントとしてベリリウムを含んでいる。 （もっと読む）