【課題】 ＬＥＤチップに直接半導体超微粒子を内包した発光色変換部材を設けることにより、変換効率が優れ、高輝度の白色などの可視光に変換し、さらには紫外光がそのまま照射されて半導体発光装置を観察するものに害を及ぼさない構造とした半導体発光装置を提供する。
【解決手段】 ＬＥＤチップ１の少なくとも光発射面側に発光色変換部材２が設けられ、その発光色変換部材２は、直径が２〜２０ｎｍの蛍光発光性半導体超微粒子２１ａ〜２１ｃを内包するガラス体２２からなっている。さらには、その外表面に紫外光吸収膜３が設けられている。 （もっと読む）

【課題】
白色ＬＥＤ用の蛍光体として特に好適であり、励起光により効率よく励起され、高い輝度を示す蛍光体を提供する。
【解決手段】
化合物半導体結晶の複数の層から構成される半導体積層からなり、該半導体積層が発光する蛍光層と、該蛍光層に隣接し励起光を吸収する光励起層とを含むことを特徴とする蛍光体。半導体積層が、蛍光層を挟んで配置され、蛍光層のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有する二つの光励起層を有してなる半導体積層である前記記載の蛍光体。 （もっと読む）

【課題】蛍光体を発光ダイオード（ＬＥＤ）素子に層状化し、効率的な発光素子を生成して非線形効果を最小化する方法を提供する。
【解決手段】ＬＥＤと１つ又はそれよりも多くの蛍光体を含み、各蛍光体に対して（入射ＬＥＤ光束）×（蛍光体の励起断面積）×（蛍光体材料の減衰期間）の積として定義される性能指数（ＦＯＭ）が０．３よりも小さいＬＥＤランプ。そのような構成は、駆動電流のある一定の範囲にわたってルーメン出力及び色安定性の改善した発光素子を提供する。 （もっと読む）

金属材料とのオーミック接続が容易な低抵抗ｐ型ＺｎＳ系半導体材料を提供する。また、本発明は、ガラス基板など、単結晶基板以外の基板上に低抵抗の電極をもつ、半導体素子および半導体発光素子を提供する。 本発明の半導体材料は、発光素子の正孔注入用電極層として用いられる組成式Ｚｎ_{（１−α−β−γ）}Ｃｕ_αＭｇ_βＣｄ_γＳ_{（１−ｘ−ｙ）}Ｓｅ_ｘＴｅ_ｙ（０．００４≦α≦０．４，β≦０．２，γ≦０．２，０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦０．２，ｘ＋ｙ≦１）で示される可視域に透光性を有する半導体材料である。 （もっと読む）

エピタキシャル成長なしに実用的な発光特性を持つ発光素子を得る。 本発明の量子ドット分散発光素子は、基板１１と、電子注入用電極１２と、正孔注入用電極１４と、前記両電極に接触するように配置された無機発光層１３とを備え、前記無機発光層１３は、同時二極性無機半導体材料と、前記同時二極性無機半導体材料中に、発光中心として分散されたナノ結晶１５とを含み、前記電子注入用電極層または正孔注入用電極層との界面でこれらに対してエピタキシャル関係を有することなしに、発光しうるように構成される。 （もっと読む）

光線の光子エネルギーに対応する1または2以上のエネルギー遷移を有するバンドギャップ特性を示す、1または2以上の半導体材料で少なくとも一部が製作された、少なくとも一つの細長構造部（120）を有する、整調放射線放射半導体装置（50）を示した。少なくとも一つの構造部（120）は、該構造部を流れる電流に応じて、光線を放射するように作動する。また、前記少なくとも一つの構造部（120）は、十分に狭く製作され、電流の流れに対応する電荷キャリアの量子閉じ込めが生じる。また、前記少なくとも一つの構造部（120）は、さらに該少なくとも一つの細長構造部（120）に電場を印加する電極配置（190）を有し、バンドギャップ特性に歪が生じ、前記構造部（120）を流れる前記電流の流れに応じて、前記少なくとも一つの細長構造部（120）から作動時に放射される前記光線の波長が変調される。

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