【課題】 信頼性の高い発光装置を提供する。
【解決手段】 発光素子と、前記発光素子の電極の表面に分配して設けられた導電膜と、配線パターンを有する支持体と、を有し、前記導電膜は、前記配線パターンと接合しており、前記電極と前記導電膜との接合面積は、前記導電膜と前記配線パターンとの接合面積より大きいことを特徴とし、前記発光素子は、同一面側に平面積が異なる正負の電極を有し、前記導電膜は、前記正負の電極のうち少なくとも平面積の大きい電極の表面に形成されていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】演色性の向上と高輝度化の両立を図った照明光源を実現することにある。
【解決手段】励起源と、励起源からの光の一部を可視光に変換する一種類以上の蛍光体とを備えた照明光源において、励起源から放射される光には波長320nmから390nmの紫外光を含み、蛍光体の少なくとも一種類は組成式(Y_1-x-y-z,Ln_x,Eu_y,Bi_z)₂O₃（但し、LnはGd、La及びLuの少なくとも一種）もしくは組成式(Y_1-y-z,Eu_y,Bi_z)₂O₃で表され、かつ組成式中の組成比を表すx、y、zがそれぞれ0＜x＜1、0＜y＜1、0＜z＜1を満足することを特徴とする照明光源により上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】 観測方向により配光分布又は色度分布に差を有する装飾性の高い発光装置を得ることを目的とする。
【解決手段】
本発明に係る発光装置は、透光性樹脂により覆われた発光素子を有する発光装置において、前記透光性樹脂は、該透光性樹脂とは材質が異なり、かつ、発光素子より大きい拡散物を前記透光性樹脂内に複数有する。発光素子より大きい拡散物を透光性樹脂内に有することで、観測方向と発光素子との同一直線状に発光素子より大きい拡散物が光学的暗部になる。このような拡散物を複数有することにより発光装置において光学的暗部を複数実現可能となり、観測方向における配光分布に差を設けることが実現可能となる。 （もっと読む）

【課題】煩雑な工程や装置を必要とせず、簡便な方法で、良好な発光特性、かつ、発光の経時変化の少ない多孔質シリコン材料を製造する方法を提供すること。
【解決手段】陽極酸化法によって多孔質化したシリコン層１表面に、ケイ素酸化物前駆体溶液を塗布することにより、複雑な形状を有する孔内部まで均一に液を含浸させることができ、その後所定条件で加熱硬化させることによって、多孔質シリコン層表面に緻密なＳｉＯ_２膜２を形成でき、大気遮断性に優れ、良好な発光特性及び発光の経時変化の少ない多孔質シリコン材料を製造できる。 （もっと読む）

【課題】 支持体の劣化が低減された信頼性の高い発光装置を提供する。
【解決手段】 本発明にかかる発光装置は、発光素子と、その発光素子を収納する凹部が設けられ、上記発光素子と接続するリード電極を有する支持体と、を備えた発光装置であって、上記発光素子は、その長手方向および短手方向が、上記凹部の底面の長手方向および短手方向にそれぞれ沿うように上記凹部の底面に配置されており、上記発光素子の電極が、上記凹部の底面の長手方向に露出されたリード電極に導電性ワイヤを介して接続され、さらに、上記発光素子は、ｎ側電極を有する半導体からなるｎ側コンタクト層とｐ側電極を有する半導体からなるｐ側コンタクト層との間に発光層を有する半導体積層構造を備え、上記ｎ側コンタクト層は、電極形成面側からみて、ｐ側電極を有する半導体積層構造が設けられた第１の領域と、複数の凸部を有する第２の領域からなり、上記凸部の頂部は、上記発光素子断面において、上記発光層よりも上記ｐ側コンタクト層側に位置する。 （もっと読む）

【課題】Ｐ形ドーピング層とＮ形ドーピング層との間に活性層が形成されるII−VI族系の発光素子におけるＰ形ドーピング層に生じる点欠陥に基づく輝度劣化を防止あるいは抑制する。
【解決手段】発光素子１を発光させる動作電圧を発光素子１に印加した後に、動作電圧低下手段21により、発光素子１への印加電圧を、発光素子１の発光が停止する不動作電圧に低下させて、動作電圧の印加により発光素子１のＰ形ドーピング層114から活性層15へ点欠陥が拡散することにより活性層15での発光面に生じるダークスポットDSを、防止または抑制し、動作電圧低下手段21により１発光素子の発光が停止する不動作電圧に低下させた後に発光素子１への印加電圧を、再動作手段22により、発光素子１を発光させる動作電圧として発光素子１を再発光させるII−VI族系の発光素子への電圧印加方法である。 （もっと読む）

【課題】青色発光ダイオードまたは紫外発光ダイオードを光源とする白色発光ダイオードの高輝度化を可能とする酸窒化物系蛍光体およびそれを用いた発光装置の提供。
【解決手段】賦活剤Zに、Ce,Pr,Nd,Sm,Eu,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Cr,Mn,Pb,Sbからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素を用い、これにSc,Y,La,Gd,Ybからなる群から選ばれる１種以上の元素、アルカリ土類金属元素、周期律表の第IVＡ属元素、第IVＢ属元素を含む酸窒化物蛍光体、ならびに賦活剤Zにアルカリ金属、アルカリ土類金属元素、周期律表の第IVＡ属元素、第IVＢ属元素を含む酸窒化物蛍光体及び賦活剤ZにSc,Y,La,Gd,Ybからなる群から選ばれる１種以上の元素、アルカリ金属、アルカリ土類金属元素、周期律表の第IVＡ属元素、第IVＢ属元素を含む酸窒化物蛍光体。該蛍光体と発光素子を組み合わせ発光装置とする。 （もっと読む）

本発明は、コア及び複数のシェルを含むコア／多重シェル半導体ナノクリスタルを提供する。このナノクリスタルは、タイプ−Ｉのバンドオフセット及び、約４００ｎｍ〜１６００ｎｍ超のＮＩＲまでの可視範囲をカバーする明るさが調整可能な放射を提供する高いフォトルミネセンス量子収率を示す。 （もっと読む）

【課題】 表面のダメージの程度を詳細に評価することができる化合物半導体部材のダメージ評価方法、並びに、ダメージの程度が小さい化合物半導体部材の製造方法、窒化ガリウム系化合物半導体部材及び窒化ガリウム系化合物半導体膜を提供する。
【解決手段】 まず、化合物半導体基板１０の表面１０ａのフォトルミネッセンス測定を行う。次に、フォトルミネッセンス測定によって得られた発光スペクトルにおいて、化合物半導体基板１０のバンドギャップに対応する波長λ_１におけるピークＰ_１の半値幅Ｗ_１を用いて、化合物半導体基板１０の表面１０ａのダメージを評価する。 （もっと読む）

【課題】 紫外発光ＬＥＤ、特に高出力の紫外発光ＬＥＤを使用し、高信頼性、長寿命の白色ＬＥＤ、および白色ＬＥＤの製造方法を提供する。
【解決手段】 紫外領域に発光するダイオードの上に、紫外光によって励起されて発光する蛍光体層を有する白色発光ダイオードの製造方法であって、前記蛍光体層をプラズマ溶射により形成することを特徴とする白色発光ダイオードの製造方法。 （もっと読む）

高効率微小ＬＥＤ（１００）のアレイ及び製造方法を記載する。各微小ＬＥＤ（１００）はメサ部（１０５）の集積ダイオード構造であり、最適効率が得られるメサ形状及び発光領域（１０４）を選択する。単一の微小ＬＥＤ（１００）は基板（１０１）及び半導体層（１０２）上にメサ部（１０３）、発光層（１０４）及び電気接点（１０６）を有する。このデバイスの微小ＬＥＤは、その形状故に非常に高いＥＥを有する。光はその光が脱出する確率を強くする形状のメサ部内で発生する。非常に高いＥＥは、特に高いアスペクト比を有する準放物面メサ形状により達成される。メサ部の上部は発光層（ＬＥＬ）の上側で切頭化され、半導体メサ部の上に電気接点（１０６）のための平坦面が提供される。上部接点の反射率の値が良好な限り、効率が高いことが分かっている。また、接点（１０６）の占有面積が上部切頭メサ部表面積の１６％未満である場合に、効率が特に高いことが分かっている。この特徴は、デバイスがＬＥＤの場合に、指向性がより強いビームの実現を容易にする。
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【課題】蛍光体による波長変換効率を向上させて発光装置の光出力を高めるとともに発光素子から発光される光を外部に効率良く放射できるようにし、輝度や演色性等の照明特性に優れた発光装置を提供すること。
【解決手段】平均粒径が１乃至５μｍのセラミックスからなる基体２と、基体上に搭載されており、青色領域の光を発生可能な発光ダイオード４と、発光ダイオード上に配置されており、発光ダイオードから放出された光により励起され黄色の光を放出する蛍光体層５とを備えている。 （もっと読む）

ドーパントによる結晶の歪み・欠陥が生じず、発光効率が高く、不要な波長の発光が無く、発光波長を広く選択できる、発光ダイオードを提供する。ドーパントを添加しない同時二極性半導体を発光層とし、これに電子注入用電極すなわちｎ電極と、正孔注入用電極すなわちｐ電極とを接合して、発光ダイオードとした。
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ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体におけるｐ型オーミック接触電極の形成手法として、低抵抗で安定かつ毒性がなく生産性にすぐれた電極を形成する材料を提供し、すぐれた半導体素子を提供する。組成式Ａ_ＸＢ_ＹＣ_Ｚ（Ａ：１Ｂ族金属元素から選ばれる少なくとも１種の元素、Ｂ：８族金属元素から選ばれる少なくとも１種の元素、Ｃ：ＳあるいはＳｅから選ばれる少なくとも１種の元素）で示される材料からなる半導体電極材料とした。ただし、Ｘ，Ｙ，ＺはＸ＋Ｙ＋Ｚ＝１であり、０．２０≦Ｘ≦０．３５，０．１７≦Ｙ≦０．３０，０．４５≦Ｚ≦０．５５とする。
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短波長ＬＥＤおよび再発光半導体構造を備え、再発光半導体構造がｐｎ接合内部に位置していない少なくとも１つの電位井戸を備える適合型ＬＥＤが提供される。電位井戸は一般的に、量子井戸である。適合型ＬＥＤは、白色光ＬＥＤであってもよく、または近白色光ＬＥＤであってもよい。再発光半導体構造は、電位井戸の周囲または近くにまたは直に隣接する吸収層をさらに備えてもよい。さらに、本発明による適合型ＬＥＤを備えるグラフィックディスプレイ装置および照明装置が提供される。
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【課題】 照明装置の照明光源として、部品点数を少なくしつつ、使用する部品の発生効率を高め、かつ、低コストで白色光を得るようにする。
【解決手段】 コンタクトガラス１２上に位置する原稿の原稿面に向けて光を出射する照明光源１８の照明光源は、エレクトロルミネセンス現象により単色を発光する発光ダイオード４０と、前記発光ダイオード４０から発光される光により励起されて光を発光するフォトルミネセンス現象を生じる物質を含有し、前記発光ダイオードの発光面を覆う透光部材より、又は両物質を同一物質により構成することにより白色化した光を発光させる。 （もっと読む）

【課題】 簡単な工程により、放射光を集中させて高輝度を提供することにより、光ファイバ通信デバイスで使用される従来のＬＥＤの光結合効率が低い問題を解決することのできる点光源発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 点光源発光ダイオードは、基板１００、エピタキシャル構造１０２、第１の電極層１０４、絶縁層１０８、ボンディング層１１２、コンタクト層１１０および連結ブリッジ１１４を備える。エピタキシャル構造１０２は基板１００上に設けられ、基板１００はエピタキシャル構造１０２の発光表面上に設けられた発光領域Ｌを含むパターンを含む。 （もっと読む）

高いフィルファクターを有するテクスチャード発光ダイオード構造体は、エピタキシャル横方向成長（ＥＬＯＧ）によってパターニングされた基板（１）に成膜されたドープＩＩＩ−Ｖ族若しくはドープＩＩ−ＶＩ族化合物半導体又はその合金を含む第１のテクスチャードクラッド／コンタクト層（２）と、ＩＩＩ−Ｖ族若しくはＩＩ−ＶＩ族化合物半導体又はその合金を含み、電子と正孔の放射再結合又はサブバンド間遷移が発生するテクスチャード非ドープ又はテクスチャードドープ活性層（３）と、ドープＩＩＩ−Ｖ族若しくはドープＩＩ−ＶＩ族化合物半導体又はその合金を含む第２のテクスチャードクラッド／コンタクト層（４）と、を含む。
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【課題】 青色又は青紫色発光ダイオードを用い、高輝度でコンパクトな白色発光素子を提供しようとするものである。
【解決手段】 青色又は青紫色の発光ダイオードと、該発光ダイオードの発光を吸収して可視域に発光する１種又は２種類以上の蛍光体とを組み合わせた白色発光素子において、前記発光ダイオードと前記蛍光体の発光色が加色して互いに補色の関係になり、図１の色度座標中のＷで示した領域内の発光色度点を有する白色に発光するように、前記蛍光体を選択した白色発光素子である。 （もっと読む）

白色ＬＥＤのための新規な蛍光体システムが開示されている。その蛍光体システムは、約２５０〜４２０ｎｍの励起波長を有する不可視光〜近紫外線の放射源によって励起される。その蛍光体システムは、１つの蛍光体または２つの蛍光体を含むことができ、場合により、第３の蛍光体、さらには第４の蛍光体を含むことができる。本発明の１つの実施形態における蛍光体は、青色蛍光体と黄色蛍光体を有する２−蛍光体システムであり、青色蛍光体の長波長端と黄色蛍光体の短波長端は実質的に同じ波長である。あるいは、黄色蛍光体と青色蛍光体の間に波長差があることができる。黄色蛍光体は、リン系またはシリケート系であることができ、青色蛍光体は、シリケート系またはアルミネート系であることができる。不可視放射で励起される単一蛍光体システムも開示される。本発明の別の実施形態では、単一蛍光体が白色光照明を提供するために使用され、その単一蛍光体は約５２０〜５６０ｎｍの波長範囲にピーク強度を有するブロードな放出スペクトルを有する。
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