【課題】発光素子からの光を支持体や他の部材によって吸収されるのを抑制し、光の取り出し効率の優れた発光装置等を提供する。
【解決手段】支持体と、支持体の表面に設けられた、銀含有金属を有する金属部材と、支持体上に載置された発光素子と、金属部材と発光素子とを導通させる導電性ワイヤと、支持体上に設けられ、発光素子からの光を反射させる光反射樹脂と、金属部材の表面の少なくとも一部を被覆する絶縁部材と、を有し、絶縁部材を、発光素子の側面と接するように設けている。これにより、発光素子からの光が支持体から漏れるのを抑制し、光取り出し効率の高い発光装置が得られる。 （もっと読む）

本発明は、式Ｉ、(Y_a,Lu_b,Se_c,Tb_d,Th_e,Ir_f,Sb_g)_3-x (Al_5-yMg_y/2Si_y/2)O₁₂:Ce_x （Ｉ）、式中ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＋ｇ＋ｈ＋ｉ＝１、ｘ＝０．００５〜０．１およびｙ＝０〜４．０である、で表されるガーネット構造を有する蛍光物質に関する。本発明はさらに、前記蛍光物質の製造方法ならびに、ＬＥＤの青色または近紫外線発光を変換するための変換蛍光物質としてのその使用に関する。 （もっと読む）

【課題】無機半導体微粒子を出発物質とし、所望の特性を有する半導体薄膜の形成方法を適用した電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】制御電極１４、第１電極及び第２電極１６、並びに、第１電極と第２電極１６との間であって、絶縁層１５を介して制御電極１４と対向して設けられた、半導体薄膜から成る能動層１７を備えた電子デバイスの製造方法において、半導体薄膜を、（ａ）無機半導体微粒子分散溶液を基体上に塗布、乾燥して、半導体微粒子層を形成した後、（ｂ）半導体微粒子層を溶液に浸漬する各工程にて得る。 （もっと読む）

【課題】高輝度な緑色光を低消費電力で発光できる白色ＬＥＤ光源液晶表示装置を形成可能な白色ＬＥＤ光源液晶表示装置用カラーフィルタを提供する。
【解決手段】本発明は、白色ＬＥＤ光源４０を有し、上記白色ＬＥＤ光源からの白色光を発光光源とする白色ＬＥＤ光源液晶表示装置に用いられ、透明基板１と、上記透明基板上に形成され、開口部を備える遮光部２と、上記開口部に形成された、赤色パターン、緑色パターンおよび青色パターンを少なくとも含む着色層３と、を有する白色ＬＥＤ光源液晶表示装置用カラーフィルタ１０であって、上記緑色パターンが、アルミニウムフタロシアニン系顔料と、黄色顔料とを含むものであることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明の様々な実施形態は、エネルギー効率の良い、１０Ｇビット／秒を超える高速変調レートを実現する半導体発光デバイスを対象とする。これらのデバイスは、２つの相対的に厚い半導体層の間に埋め込まれた発光層を含む。エネルギー効率の良い、高速変調レートは、適切な発光電圧が印加されたときに光放出のためにキャリアの発光層への注入を容易にし、適切な消光電圧が印加されたときにキャリアの除去を容易にする電子状態を有する半導体材料から構成された発光層に隣接する層から結果として得られる。 （もっと読む）

【課題】 量子効率を向上できる蛍光体および波長変換器ならびに発光装置、照明装置を提供する。
【解決手段】 主結晶としてＥｕを含むＭ^１₃ＭｇＳｉ₂Ｏ₈型結晶（Ｍ^１はＳｒとＢａ）を、第２結晶としてＭ^１_２ＭｇＳｉ_２Ｏ_７型結晶を含有するとともに、主結晶の２θ＝３１．５°〜３３°で検出されるピークのＸ線回折強度をＡとし、第２結晶の２θ＝２８°〜３０．５°で検出されるピークのＸ線回折強度をＢとしたとき、０．００２≦Ｂ／（Ａ＋Ｂ）≦０．０５２を満足する。このような蛍光体では、青色に発光する蛍光体の量子効率を向上できる。 （もっと読む）

【課題】 実装面に設けられたキャビティに載置された保護素子を封止した発光装置において、封止部材が給電部まで流れることを抑制し、実装不良等のない信頼性の高い発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 支持体１０１と、該支持体の上面側に載置された発光素子１０６と、前記支持体の下面側に形成されたキャビティと、該キャビティに載置された保護素子１０２を被覆する封止部材１０３とを備えた発光装置であって、前記キャビティの内側壁に凹部または凸部を有し、前記封止部材は前記凹部または凸部の少なくとも一部を覆い、かつ、前記キャビティの内側に配置され、前記下面側に端子電極１０５を有することを特徴とする発光装置。 （もっと読む）

【課題】 ドナー・アクセプター対発光による面発光を低電圧の直流駆動によって十分に得ることができるとともに、寿命特性を従来よりも向上させることが可能な発光素子を提供すること。
【解決手段】 発光素子１００は、一対の電極２，６と、電極２，６間に配置されたドナー・アクセプター対発光機能を有する発光層４と、発光層４と電極２との間に配置され、発光層４に隣接するキャリア注入層３とを備え、キャリア注入層３には、Ｙ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ及びＲｅのうちの少なくとも１種の元素が含まれていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】各ＬＥＤ素子から発せられる光を基板の近くで混合させることができ、製造、交換等コストのさらなる低廉化を図ることのできるバックライト装置を提供する。
【解決手段】複数のＬＥＤ素子２１，２２，２３と、各ＬＥＤ素子２１，２２，２３が搭載されるサブマウント３と、サブマウント３が搭載され電極パターン８が形成される基板４と、各ＬＥＤ素子２１，２２，２３ごとに設けられＬＥＤ素子２１，２２，２３の電極と基板４の電極パターン８とを直接的に接続するワイヤ６と、を備え、各ＬＥＤ素子２１，２２，２３の密実装と、高いメンテナンス性を実現した。 （もっと読む）

【課題】 発光素子からの光を他の部材によって吸収されるのを抑制し、光の取り出し効率の優れた発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の発光装置は、導体配線が配された基板と、基板上に載置された発光素子と、光素子の周囲に配され、発光素子からの光を反射させる光反射樹脂と、導体配線と発光素子とを導通させる導電性ワイヤとを有し、導電性ワイヤは、少なくとも一部が光反射樹脂に埋設されていることを特徴とする。これにより、ワイヤによって吸収される光を低減させることができる。 （もっと読む）

発光デバイス及びそれを作製する方法が開示される。発光デバイスは、青色光又は紫外線を放射し、半導体構造体に取り付けられている発光ダイオード（ＬＥＤ）を含む。半導体構造体は、ＩＩ〜ＶＩ族化合物の少なくとも１層を含み、放射された青色光又は紫外線の少なくとも一部分を、より長い波長の光に変換する再発光半導体構造体を含む。半導体構造体は、ＡｌＩｎＡｓ又はＧａＩｎＡｓ化合物を含むエッチストップ構造体を更に含む。エッチストップは、ＩｎＰをエッチングできるエッチャントに耐えることができる。
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本発明は、発光粒子および少なくとも１種、好ましくは主に透明な金属、遷移金属、または半金属の酸化物被覆を含む被覆された蛍光体粒子ならびにその製造方法に関する。 （もっと読む）

光電子デバイスは、２つの離隔された電極と、該２つの離隔された電極間に配置された、三元コア／シェル型ナノ結晶を含む少なくとも１つの層とを含んでいる。三元コア／シェル型ナノ結晶は、合金組成に勾配を有する三元半導体コアを有する。三元コア／シェル型ナノ結晶はまた、１分より長いオン時間によって特徴付けられる単一分子無ブリンキング挙動、又は１０ｎｓより短い放射ライフタイムを示す。
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三元半導体ナノ結晶のコロイド溶液を生産する方法を提供する。まず二元半導体コアを準備し、その表面上に第１シェルを形成する。第１シェルは、その二元半導体コアを組成している成分のうち一元と、その二元半導体と結合して三元半導体を発生させる別の成分とを含有するよう形成する。そして、第１シェルの形成によって発生するコアシェル構造ナノ粒子をアニーリングすることにより、合金組成勾配のある三元半導体ナノ結晶を発生させる。
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【課題】 高電圧低電流で駆動でき、且つ熱源を分散できる発光ダイオードチップ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも１つの第１電極、少なくとも１つの第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極の間に設置された少なくとも１つの発光層を含み、前記第１電極は、前記発光層によって前記第２電極と電気接続され、前記第１電極と前記第２電極間に電圧差が供給されたとき、前記発光層が光線を発生する発光ダイオードチップ。 （もっと読む）

【課題】車両前照灯に適した配光パターンを実現しつつ明瞭なカットオフラインを得る。
【解決手段】車両前照灯光源１０は、セラミック基板１１の表面に実装された発光ダイオード素子１４ａ−１４ｋと、発光ダイオード素子１４ａ−１４ｋを覆うようにセラミック基板１１の前面に配設された蛍光部材１２とを備えている。セラミック基板１１の表面に垂直な方向からみたとき、蛍光部材１２はその周縁の一部に略中央１２ｂで屈曲して略中央両側の直線部分１２ａ、１２ｃに段差をもたせた上端縁１２ａ−１２ｃをもち、発光ダイオード素子１４ａ−１４ｋは蛍光部材１２の周縁に囲まれる領域内において上端縁寄りに偏在している。 （もっと読む）

【課題】低い製造コスト、安定な材料および新規化学組成を有する黄色光蛍光体を提供する。この黄色光蛍光体は青色発光ＬＥＤまたはレーザーダイオードにより励起して黄色光を発光し、吸収されない青色光と混ざり合って白色光を生ずることができる。また、高い演色を伴う白色光発光デバイスを提供する。
【解決手段】下記一般式：Ａ_m（Ｂ_1-xＣｅ_x）_nＧｅ_yＯ_z（式中、ＡはＭｇおよびＺｎから選択される少なくとも１つの元素であり、ＢはＬａ、ＹおよびＧｄから成る群から選択される少なくとも１つの元素であり、ｍ、ｎ、ｙおよびｚのそれぞれは０よりも大きい数であって、但し２ｍ＋３ｎ＋４ｙ＝２ｚであり、およびｘは０．０００１≦ｘ≦０．８の範囲にある）により示される蛍光体。 （もっと読む）

【課題】 発光面積を拡張でき、高い発光効率と、放熱効果を具える発光ダイオードの製造方法を提供する。
【解決手段】 この発明の製造方法は、半導体ベースに高選択比層を形成する工程と、該高選択比層上にｎ型半導体層を形成し、かつ該ｎ型半導体層上にｐ型半導体層を形成して、該高選択比層上に発光構造を形成する工程と、該発光構造上にｐ型オーム性接触層を形成する工程と、該ｐ型オーム性接触層上に金属層を形成する工程と、該半導体ベースと該高選択比層とを除去する工程と、該ｎ型半導体層に緊密に隣接する位置にｎ型接触電極を形成する工程と、該ｎ型半導体層に緊密に隣接する位置に透明導電層を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 製造費用を低く抑えた信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、半導体素子１０８と、その半導体素子１０８を配置する搭載部を有するリード電極１１１と、そのリード電極１１１を保持し、半導体素子１０８を収納する凹部を有する支持部１１０と、半導体素子をリード電極に接着する接着剤と、半導体素子の電極をリード電極に接続する導電性ワイヤ１１２と、を備えた半導体装置であって、リード電極１１１は、少なくとも、凹部の側壁１１５と搭載部との間における第一の溝部１０１と、導電性ワイヤ１１２の接続部と搭載部との間における第二の溝部１０２と、を有しており、第一の溝部１０１と第二の溝部１０２とは、延長方向がそれぞれ異なり、それらの溝部の端部が少なくとも一箇所で交差されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】活性層における転位密度を抑制しつつ、十分な素子寿命を確保し、かつキャリアのオーバーフローを抑制して高い発光効率を確保可能な半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ１は、ｐ型基板１１と、ｐ型基板１１上に形成された導電型がｐ型である第１クラッド層としてのｐ型クラッド層１３と、ｐ型クラッド層１３上に形成された活性層１４と、活性層１４に接触し、活性層１４上に形成された導電型がｎ型である第２クラッド層としてのｎ型クラッド層１５とを備えている。そして、ｐ型クラッド層１３と活性層１４とはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなっており、ｎ型クラッド層１５はＩＩ−ＶＩ族化合物半導体からなっている。 （もっと読む）