【課題】ガラス封止部から出射される光を導光板等へ効率良く入射させることのできる発光装置を提供する。
【解決手段】ＬＥＤ素子２と、ＬＥＤ素子２を搭載する素子搭載基板３と、素子搭載基板３上にてＬＥＤ素子２を封止するガラス封止部６と、ガラス封止部６の外面における一部の領域と間隔をおいて形成された金属反射部５と、ガラス封止部６と金属反射部５との間に配置された空気層７と、を有する。 （もっと読む）

【課題】密着性が高く、オーミック抵抗が小さく、さらに光取り出し効率の高い半導体素子を提供する。
【解決手段】ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体（例えばＺｎＴｅ、ＢｅＺｎＴｅまたはＭｇＳｅ）を含むコンタクト層１７を上面に有する積層構造２０と、コンタクト層１７の上面に形成された上部電極１８とを備える。コンタクト層１７の上面全体には凹凸部１７Ｃが形成されており、凹凸部１７Ｃは積層面内の一の方向に延在するストライプ状の複数の凸部１７Ｄを並列配置した微細構造となっている。これにより、コンタクト層１７の上面が平坦面となっているときと比べて、コンタクト層１７と上部電極１８との接触面積が大きくなるだけでなく、コンタクト層１７の上面のうち発光領域１４Ａ（または開口部１８Ａ）との対向領域での法線方向の屈折率の変化が滑らかになる。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体量子ドットの製造方法に関し、Ｓｉ基板上で３次元電子閉じ込めを実現できるドット状の良好な形状特性をもち、且つ、結晶性良好な化合物半導体量子ドットを実現させようとする。
【解決手段】Ｓｉ_1-x-y Ｇｅ_x Ｃ_y （ｘ≧０、ｙ≧０）バッファ層２上にＩｎＡｓ量子ドット５を形成するのに必要な化合物半導体原料の一方の族の原料、例えばＡｓＨ₃ のみを先行して供給した後、全ての原料、例えばＡｓＨ₃ 及びＴＭＩｎを供給してＩｎＡｓ量子ドット５を形成する工程が含まれる。 （もっと読む）

【課題】電子と正孔の再結合を利用して発光する発光部を備えた電子装置のさらなる長寿命化を実現可能とした電子装置及び電子装置の発光制御方法を提供する。
【解決手段】電子と正孔の再結合を利用して発光する発光部と、この発光部にパルス状の駆動信号を入力して発光部を断続的に発光させる駆動部とを有する電子装置において、駆動部は、駆動信号のデューティ比を発光部での発光を連続発光と見なせる値とするとともに、駆動信号のパルス幅及び発光部への電子及び正孔の注入量を、発光部に存在する欠陥準位において電子と正孔とが再結合することにより放出される再結合エネルギーで増殖または拡散する欠陥準位に電子と正孔の両方が捕獲されて再結合が生じることのない時間及び電子と正孔の注入量とする。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤチップからの直射光成分によるグレアの発生を抑制することが可能なＬＥＤ装置を提供すること。
【解決手段】ＬＥＤチップ２１と、ＬＥＤチップ２１が実装されるとともにＬＥＤチップ２１に給電するための配線を備えた配線基板２２と、ＬＥＤチップ２１に対向して設けられ、ＬＥＤチップ２１から出射された光をＬＥＤチップ２１の側方に反射する第１反射部材２４と、ＬＥＤチップ２１の側方に設けられ、第１反射部材２４にて反射された光により励起されて光の波長変換を行うとともに、該波長変換された光を透過させてその透過方向に光を放射する波長変換部材２３とを備えることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】保護素子などの載置不良やワイヤのボンディング不良を低減して信頼性の高い発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る発光装置の製造方法は、内壁と底面とを有する凹部を備えるパッケージと、該凹部の底面に露出されるとともにパッケージ外部に突出されるリード端子とを有し、前記凹部の底面に露出されるリード端子は、半導体発光素子載置領域と、半導体発光素子からの導電性ワイヤが接続されるワイヤ接続領域とを有する発光装置であって、前記半導体発光素子載置領域と前記ワイヤ接続領域との間、前記半導体発光素子載置領域間、の少なくとも１つの領域に溝部を有し、前記溝部は、前記リード端子の凹部底面における露出部端から離間するよう設けられることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 凹部内に凹凸形状を設けた半導体装置において封止部材の量を低減させる。
【解決手段】 本発明は、半導体素子に接続するリード電極１１３ａ、１１３ｂと、そのリード電極を保持する支持部１１５と、を有する支持体と、支持部１１５により設けられた凹部内に配置された半導体素子を被覆する封止部材１１７と、を備えた半導体装置である。特に、支持部１１５が、凹部の開口部を形成する第一の側壁１０１と、その第一の側壁１０１に接続し、かつ、リード電極１１３ａ、１１３ｂの少なくとも一部上まで凹部内を延在して設けられた第二の側壁１０２と、凹部底面における正負一対のリード電極の端部１１３ａ’、１１３ｂ’間において、またはリード電極のうち少なくとも一方の厚さ方向に貫通された孔の上において、支持部１１５と接続されて凹部の底面を横断する壁部１０５ａ、１０５ｂと、を有しており、第二の側壁１０２の一部が、上記壁部に接続されている。 （もっと読む）

【課題】発光素子から発せられる光を蛍光体で波長変換する発光装置において、異相の発生を抑制し、赤色成分の発光効率を向上することにある。
【解決手段】Ｂａ_3-x-yＥｕ_xＭｎ_yＭｇＳｉ_zＯ₈（０．１５＜ｘ≦０．２２５、０．０５≦ｙ≦０．１２５、１．７４≦ｚ≦２．０５）結晶の格子定数ａが、５．５９６０Å＜ａ＜５．６０６４Åであり、Ｅｕ、Ｍｎを賦活剤として含有するＢａ₃ＭｇＳｉ₂Ｏ₈結晶の２θ＝３１．５°〜３２°付近で検出されるピークのＸ線（Ｃｕ−Ｋα）回折強度をＡとし、Ｂａ₂ＭｇＳｉ₂Ｏ₇結晶の２θ＝２７．７°〜２８．２°でのピークのＸ線回折強度をＢとし、Ｂａ₂ＳｉＯ₄結晶の２θ＝２９．２°〜２９．８°でのピークのＸ線回折強度をＣとしたとき、Ｂ／（Ａ＋Ｂ）が０．４以下であり、Ｃ／（Ａ＋Ｃ）が０．１以下の蛍光体である。 （もっと読む）

【課題】蛍光体粒子の沈降と、それに起因する波長変換器における蛍光体粒子の極端な偏在を抑制し、あわせて、波長変換器の白化を抑制する。
【解決手段】蛍光体コア１の表面に無機物の枝条体３を多数入り組んで固着させることで、蛍光体粒子５の沈降と、それに起因する波長変換器１９における蛍光体粒子５の極端な偏在を抑制し、あわせて、波長変換器１９の白化を抑制する。 （もっと読む）

【課題】 電気泳動沈着により、光取り出し効率を向上させた発光装置を形成する。
【解決手段】 本発明は、発光素子と、蛍光物質と、を備えた発光装置の形成方法であって、上記蛍光物質と透光性材料とを含む第一の溶液中に、上記発光素子を配置させる第一の工程と、上記第一の溶液中における電気泳動により、蛍光物質を上記発光素子に堆積させる第二の工程と、透光性材料を主材料として含む第二の溶液中に、上記蛍光物質が堆積された発光素子を配置させる第三の工程と、上記第二の溶液中における電気泳動により、上記蛍光物質の堆積物に、上記第二の溶液に含まれる透光性材料を含浸させる第四の工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、点状光源である発光素子を使用して安価に線状発光装置およびそれを用いた面状発光装置の実現を目的とする。
【課題を解決するための手段】
以上の目的を達成するため、本発明にかかる線状発光装置は、長方形状の実装基板と、該実装基板上の長手方向に配された複数の発光素子と、該複数の発光素子を線状に覆う蛍光体層と、該蛍光体層を覆う封止樹脂と、を有することを特徴とする。
複数の発光素子に対して、それらを覆うように蛍光体層を形成することにより、発光素子だけでなく発光素子からの光を励起源として蛍光体層も発光するため線状に発光する線状発光装置の実現が可能となり、封止樹脂で覆うことにより機械的保護が可能となる。さらに蛍光体層よりも屈折率の低い樹脂を使用することにより光の取り出し効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】高輝度の発光素子に対応して、耐光性、耐熱性が良好な封止部材を用いて、光取出し効率を良好にした発光装置を提供する。
【解決手段】発光素子に駆動電流を印加して発光させる構成の発光装置において、発光素子を封止する封止部材が透光性を有し、前記発光素子により近接して配置される内側の層と内側の層よりも外側に配置される外側の層が内側から外側に屈折率を低く、内側の層のガラス転移点が外側の層のガラス転移点より低い材料とする発光装置。 （もっと読む）

【課題】 耐光性及び量産性に優れた表面実装型発光装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 発光素子１０と、発光素子１０が載置される回路基板２０と、回路基板２０に形成され、発光素子１０からの光を反射させる壁部５０と、発光素子１０が被覆される透光性封止部材７０と、を有する表面実装型発光装置である。壁部５０は熱硬化性樹脂により成形されており、壁部５０は回路基板２０に密着しており、壁部５０はトランスファーモールドにより成形されている。 （もっと読む）

【課題】青色発光素子と蛍光体とを組み合わせてなる半導体発光デバイスの色むらを抑制し、色むらが少ない半導体発光デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光デバイスは、基板と、基板の上に搭載された青色ＬＥＤと、青色ＬＥＤの周囲を封止する黄色系蛍光体粒子および母材の混合体からなる蛍光体層とを備えたチップ型の半導体発光デバイスである。黄色系蛍光体粒子は、青色ＬＥＤが放つ青色光を吸収して５５０ｎｍ以上で６００ｎｍ以下の波長領域に発光ピークを有する蛍光を放つものであって、化学式（Ｓｒ_{１−ａ１−ｂ１−ｘ} Ｂａ_ａ１Ｃａ_ｂ１Ｅｕ_ｘ ）_２ ＳｉＯ_４ （０≦ａ１≦０．３、０≦ｂ１≦０．８、０＜ｘ＜１）で表される化合物を主体にしてなる珪酸塩蛍光体である。この珪酸塩蛍光体の粒子は、樹脂中にほぼ均一に分散しやすいので、良好な白色光が得られる。 （もっと読む）

【課題】活性領域へのキャリヤの移動が容易な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】注入領域と活性領域の間に、第１および第２半導体層の積層パターンを有するひずみ超格子領域を形成することによって、活性領域へのキャリヤの移動が向上する半導体発光素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】II-VI族半導体素子において、多層コンタクト層の最表面ＢｅＴｅ層の酸化を防止する。
【解決手段】II-VI族半導体素子は、半導体層１０のスタックを含む。オーミク接触３４が提供され、このスタックに電気的に結合する。このオーミック接触は、酸化性物質に暴露されるときに、ある酸化速度を有する。パッシベーションキャップ層４２は、オーミック接触の上に重なり、オーミック接触の酸化速度よりも小さい酸化速度を有する。 （もっと読む）

【課題】信頼性に優れ、高出力に発光することが可能な発光装置を提供することを課題とする。
【解決手段】底面３と側面６とからなる凹部１を有するパッケージ２と、前記凹部１の底面３に搭載される発光素子４と、を備えた発光装置であって、前記パッケージ２は、繊維状のフィラー９を有しており、前記フィラー９の少なくとも一部は、前記側面６から突出され、金属からなる反射膜１０にて被覆されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】青色発光素子と蛍光体とを組み合わせてなる半導体発光デバイスの色むらを抑制し、色むらが少ない半導体発光デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光デバイスは、基板と、基板の上に搭載された青色ＬＥＤと、青色ＬＥＤの周囲を封止する黄色系蛍光体粒子および母材の混合体からなる蛍光体層とを備えたチップ型の半導体発光デバイスである。黄色系蛍光体粒子は、青色ＬＥＤが放つ青色光を吸収して５５０ｎｍ以上で６００ｎｍ以下の波長領域に発光ピークを有する蛍光を放つものであって、化学式（Ｓｒ_{１−ａ１−ｂ１−ｘ} Ｂａ_ａ１Ｃａ_ｂ１Ｅｕ_ｘ ）_２ ＳｉＯ_４ （０≦ａ１≦０．３、０≦ｂ１≦０．８、０＜ｘ＜１）で表される化合物を主体にしてなる珪酸塩蛍光体である。この珪酸塩蛍光体の粒子は、樹脂中にほぼ均一に分散しやすいので、良好な白色光が得られる。 （もっと読む）

【課題】取り扱い性および実装性に優れると共に、高発光効率でかつ長寿命な波長変換器および発光装置を提供することである。
【解決手段】励起光を可視光に変換する波長変換物質５を樹脂８中に分散させた波長変換体９を、封止フィルム７で被覆してなる波長変換器４であり、封止フィルム７は、全光線透過率８０％以上であり、かつ酸素透過率１ｍｌ/ｍ²/ｄａｙ以下の酸素バリア性および水蒸気透過率１ｍｌ/ｍ²/ｄａｙ以下の水蒸気バリア性の少なくともいずれか一方を有する。波長変換器４と、該波長変換器４に励起光を照射する発光素子とを具備する発光装置である。 （もっと読む）

【課題】光学部材の位置精度を向上させて、発光装置の光学特性を向上させること。
【解決手段】基体１と、基体１に搭載された発光素子２と、発光素子２の上方に配置されており、基体１に接した突起３ａを有する光学部材３と、基体１と光学部材３との間に設けられ、発光素子２を覆う透光性部材４とを備えている。 （もっと読む）