【課題】１枚のウェハからより多くのチップを取得することができる高性能な発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】加熱したｎ型基板１００上にIII族原料ガス及びＶ族原料ガスを供給し、ｎ型基板１００上に少なくともｎ型クラッド層５、活性層７、ｐ型クラッド層９，１１及びコンタクト層１３からなるIII−Ｖ族半導体層２を積層する発光素子用エピタキシャルウェハ１において、III−Ｖ族半導体層２のいずれかの層に不可避不純物として混入するＳ（硫黄）の濃度を１．０×１０¹⁵ｃｍ^-3以下にすべく、その層の成長時の基板温度を６２０℃以上とし、かつＶ族原料ガスとIII族原料ガスの実流量比を１３０以上とした。 （もっと読む）

【課題】不純物ドーピングによる結合伸長効果に立脚した、直接遷移型半導体と同等レベルの強発光や強吸収を有する半導体材料を提供する。
【解決手段】四面体結合構造をなして結合した構成原子を含む母体半導体と、母体半導体に添加された異種原子Ｚとを有し、前記異種原子Ｚは結合間に導入されて結合長を伸長させたbond-center構造を形成し、前記異種原子Ｚに対して前記bond-center構造が１％以上含まれることを特徴とする半導体材料。 （もっと読む）

【課題】 発光ピーク強度比の安定した２ピークの発光スペクトルを得ることが可能な窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の窒化物半導体発光素子１は、ｎ型窒化物半導体層１１とｐ型窒化物半導体層１３との間に活性層１２を備える。活性層１２は、第１の井戸層１４と、井戸層の中で最も外側に設けられ、第１の井戸層１４を挟む第２の井戸層１５と、各井戸層間に設けられた障壁層１６、１７と、を有し、第２の井戸層１５は第１の井戸層１４を構成する窒化物半導体よりもバンドギャップエネルギーの大きい窒化物半導体からなり、第１の井戸層１４及び第２の井戸層１５のそれぞれに対応した発光スペクトルのピークを有する。 （もっと読む）

【課題】従来のエピタキシャルウェーハに比べて、結晶性が良好であり、また発光輝度を向上させることができるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に、エピタキシャル成長によってｎ型層１２と、該ｎ型層１２上にｐ型層１３とを形成し、該エピタキシャル成長の際に、少なくとも前記ｎ型層１２および前記ｐ型層１３形成時に窒素ドープ用ガスを、前記ｐ型層１３形成時にｐ型ドーパントドープ用ガスを導入するエピタキシャルウェーハの製造方法において、前記ｎ型層１２および前記ｐ型層１３として、ＧａＡｓＰまたはＧａＰを形成し、前記ｐ型層１３を、少なくとも第１ｐ型層１３ａ形成後に、該第１ｐ型層１３ａよりキャリア濃度の高い第２ｐ型層１３ｂを形成し、前記第１ｐ型層１３の成長途中から少なくとも前記第２ｐ型層１３ｂの成長終了までの間に、前記窒素ドープ用ガスの導入量を０ｓｃｃｍまで徐々に減少させる。 （もっと読む）

【課題】本来は非発光性である間接半導体を用いて実用可能な発光素子を提供すること。
【解決手段】Ｓ、Ｓｅ、Ｃｕ及びＡｇの少なくともいずれかを含み、四面体結合構造を有する母体半導体からなる活性層と、前記活性層に電流を通電するｎ電極とｐ電極とを具備し、前記活性層に接して前記活性層と前記ｎ電極との間に設けられたｎ層と、前記活性層に接して前記活性層と前記ｐ電極との間に設けられたｐ層とを有し、前記ｎ層、前記活性層および前記ｐ層は面内に配置され、前記活性層の厚さが５ｎｍ以下であることを特徴とする発光素子。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系のＮ型化合物半導体層と窒化ガリウム系のＰ型化合物半導体層との間にウェル層と障壁層が交互に積層された多重量子ウェル構造の活性領域を有する発光ダイオードを提供すること。
【解決手段】この発光ダイオードは、Ｎ型化合物半導体層５７と隣接する第１障壁層５９ｂ及びＰ型化合物半導体層６３と隣接する第ｎ障壁層５９ｂに比べて相対的に広いバンドギャップを有する中間障壁層５９ｃを含む。中間障壁層は、第１障壁層と第ｎ障壁層との間に位置する。これにより、多重量子ウェル構造内で電子と正孔が結合し、光を放出する位置を調節することができ、発光効率を向上させることができる。さらに、バンドギャップエンジニアリングまたは不純物ドープ技術を利用して発光効率を向上させた発光ダイオードが提供される。 （もっと読む）

【課題】多重量子井戸構造を有する発光素子を提供する。
【解決手段】本発明による発光素子は、基板と、ｎ型窒化物半導体層と、ｐ型窒化物半導体層と、ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層との間に位置する発光層とを含む。そのうち、前記発光層は、ｎ型ドーパントがドーピングされる多重量子井戸構造層であり、前記ｎ型ドーパントは、前記ｎ型半導体層に接近する区域と前記ｐ型半導体層に接近する区域とにドーピングされ、当該両区域の間の中間区域は、前記ｎ型ドーパントを有せず、或いは、その両側の区域における前記ｎ型ドーパントの濃度より低い前記ｎ型ドーパントを有する。よって、ｎ型ドーパントのドーピング分布を設計することにより電気特性が良好な素子を得ることができるのみならず、発光ダイオードの発光効率をより有効に向上することもできる。 （もっと読む）

【課題】
本発明は半導体光素子の製造方法に関し動作時の素子抵抗値が設計値と一致する半導体光素子を提供する事を目的とする。
【解決手段】不純物ドープされた、第一導電型であるＢＤＲ(Band Discontinuity reduction)層形成のためのＢＤＲ層形成工程と、
ＢＤＲ層に接し、ＢＤＲ層成長後に堆積される、電極形成のための、前記不純物と同一の不純物がドープされた第一導電型であるコンタクト層形成のためのコンタクト層形成工程と、コンタクト層形成工程後に熱処理を行うための、熱処理工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】導電型がｎ型とされる電流拡散層を効率よく形成できる発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子１００を製造するに際し、単結晶基板上１に、それぞれＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる発光層部２４と電流拡散層７とを形成する。発光層部２４は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上に導電型がｎ型とされる電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。 （もっと読む）

【課題】高輝度、高寿命の発光素子、発光素子用エピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板(2)上に、(Ａｌ_xＧａ_１−ｘ)_ｙＩｎ_１−ｙＰ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１；但し混晶比ｘ，ｙが各層で異なる場合を含む）からなるｎ型クラッド層(4)、活性層(5)、ｐ型クラッド層(6)及びｐ型介在層(7)と、ｐ型窓層(8)とを有し、ｐ型窓層(8)上の一部に表面電極(9)が形成されていると共に、基板(2)の裏面に裏面電極(1)が形成されている
発光素子において、ｐ型介在層(7)に、ｐ型ドーパントとｎ型ドーパントとがドーピング
されている。 （もっと読む）

【課題】発光出力が高く、信頼性の高い発光素子が歩留まり良く得られる発光素子、発光素子用エピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板(2)上に、少なくとも、反射層(3)と、（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなる第一導電型クラッド層(4)、活性層(5)及び第二導電型クラッド層(6)と、窓層(8)と、窓層(8)上部の上面電極(9)と、基板(2)裏面の下面
電極(1)とを備えた発光素子において、基板(2)と活性層(5)との間に存在するＡｓ系層と
Ｐ系層との界面のうち、活性層(5)側に最も近い前記界面と活性層(5)との間に、膜厚４００ｎｍ以上のＰ系層が形成されている発光素子である。 （もっと読む）

【課題】 １枚の基板からの取れ個数を増やすことで製造コストを低くできる発光ダイオード及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る発光ダイオードの製造方法は、基板１の裏面に位置特定用のパターンを形成する工程と、前記基板１の表面上に、前記位置特定用のパターンを用いて位置を特定した開孔部３２ａを有する電流阻止層３２を形成する工程と、前記開孔部内及び前記電流阻止層上に半導体層３３を形成する工程と、前記半導体層上に、前記位置特定用のパターンを用いて位置を特定したパターンを有する上部層としての上部電極３４を形成する工程と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

ドーパントによる結晶の歪み・欠陥が生じず、発光効率が高く、不要な波長の発光が無く、発光波長を広く選択できる、発光ダイオードを提供する。ドーパントを添加しない同時二極性半導体を発光層とし、これに電子注入用電極すなわちｎ電極と、正孔注入用電極すなわちｐ電極とを接合して、発光ダイオードとした。
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【課題】回路保護ユニットを備える発光装置を提供する。
【解決手段】回路保護ユニットは、低抵抗層および電位バリア層を備え、低抵抗層と電位バリア層の間の界面にはバリア電位が存在する。回路保護ユニットは、発光装置と電気的に接続される。発光装置に静電放電または過度の順方向電流が生じた場合、回路保護ユニットは、整流機能を発揮し、静電気または発光装置への過大な順方向電流によって生じる損傷が回避される。 （もっと読む）

【課題】 電流阻止効果及び光の取り出し効率が大きく、高出力で、かつ、製造コストを低くできる発光ダイオード及びその製造方法を提供する
【解決手段】 基板１と、基板と同一伝導型であり光を反射する反射層１９と、基板の伝導型と逆伝導型であり電流を阻止する役目を持つ電流阻止層２と、基板と同一伝導型の第一のクラッド層５と活性層６と基板の伝導型と逆伝導型の第二のクラッド層７とで構成された発光部１７とを備えた発光ダイオード２０において、電流阻止層２のキャリア密度が基板１のキャリア密度以上及び／又は電流阻止層２の厚みが１．５〜３μｍである。反射層１９及び電流阻止層２のみをＭＯＣＶＤで成長させ、他の層をＬＰＥ法で成長させることにより製造することができる。 （もっと読む）

成長用基板（例えばＩｎＰ基板）を基板支持具により保持し、有機金属気相成長法により前記成長用基板上に３元素または４元素からなる化合物半導体層（例えばＩｎＧａＡｓ層、ＡｌＧａＡｓ層、ＡｌＩｎＡｓ層、ＡｌＩｎＧａＡｓ層等のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層）を成長させるエピタキシャル成長方法において、基板の有効利用領域全体にわたって、（１００）方向からの傾斜角度が０．００°〜０．０３°、または０．０４°〜０．２４°となるように研磨し、該成長用基板を用いて基板上に前記化合物半導体層を０．５μｍ以上の厚さで形成するようにした。
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