【課題】 本発明は高い透過率を有する同時にp型GaN層との接触抵抗の問題を改善できる窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法に関するものである。
【解決手段】 本発明によれば、p-GaNから成る上部クラッド層の上部にMIO、ZIO、CIO(Mg、Zn、Cu中いずれかを含むIn₂O₃)でオーミック形成層をさらに形成した後、ITO等で具現される透明電極層と第2電極を形成することにより、上記上部クラッド層と第2電極との接触抵抗の問題を改善し、高い透過率を得られる。 （もっと読む）

【課題】 導電性基板とオーミック電極との密着性を良好にして、信頼性の高い窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の窒化物系化合物半導体発光素子によれば、支持基板と、該支持基板上に形成された第一のオーミック電極と、該第一のオーミック電極上に形成された接着用金属層と、該接着用金属層上に形成された第二のオーミック電極と、該第二のオーミック電極上に形成された窒化物系化合物半導体層と、該半導体層の略全上面に形成された透明電極と、前記支持基板の裏面に形成されたオーミック電極とを含む。 （もっと読む）

【課題】光反射層を備えた半導体発光素子において、当該光反射層を第一光反射層と第二光反射層とから構成し、従来よりもその光反射帯域を広く備えることによって高輝度な半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】導電性の半導体基板１と、該半導体基板１の主面上に設けられた光反射層（３、１０）と、該光反射層の上に成長されたｐｎ接合を有する活性層５を含む発光部（４、５、６）とを少なくとも具備する半導体発光素子において、前記光反射層が、前記発光部から放射される光の発光スペクトルの中心波長に一致するか、若しくはそれよりも短波長に反射スペクトルの中心波長が設定された第一光反射層３を備え、且つ前記第一光反射層の有する反射スペクトルの中心波長以外の可視波長域において異なる反射スペクトルの中心波長を有する第二光反射層１０を備えた構造とする。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層との接触抵抗が小さく、且つ、高反射性であり、さらに逆方向電圧が高く信頼性に優れた正極を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】 正極がｐ型半導体層と接するコンタクトメタル層および該コンタクトメタル層上の反射層を有し、該コンタクトメタル層が白金族金属または白金族金属を含む合金からなり、該反射層がＡｇ、Ａｌおよびこれらの少なくとも一種を含む合金からなる群から選ばれ金属からなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。 （もっと読む）

本発明は、チップから放射される一次ビームの少なくとも一部がルミネセンス変換によって変換される、例えば混合色発光ダイオード光源を製造するための方法に関する。ここでチップは表側（すなわち放射方向に向いている側）において電気的なコンタクトを備えており、このチップの表面にはルミネセンス変換材料が薄い層の形状で被着される。このために表側の電気的なコンタクトはコーティングの前に、この電気的なコンタクトへの導電性材料の被着によって高くされる。本方法は色位置（ＩＥＣカラーチャート）の制御およびルミネセンス変換材料からなる層の薄層化によって、所定の色位置の所期の調節を可能にする。さらに本方法はウェハ結合体における複数の同種のチップからなる複数の発光ダイオード光源を同時に製造することに適している。
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【課題】サイリスタ特性を示さない半導体発光素子を得る。
【解決手段】GaP基板１００上に第１の接着層１０１を介して接着される第１のトラップ緩和層１０２と、第１のトラップ緩和層１０２上に積層形成された第１のクラッド層１０３と、第１のクラッド層１０３上に積層形成された発光層１０４と、発光層１０４上に積層形成された第２のクラッド層１０５と、第２のクラッド層１０５上に積層形成された第２のトラップ緩和層１０６と、第２のトラップ緩和層１０６に第２の接着層１０７を介して接着され、発光層１０４の表面側に設けられるGaP窓層１０８と、電極１０９，１１０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 静電放電から保護する発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は次のステップを含む。基板上に第１電気特性の半導体層１０４を形成するステップ。第１電気特性の半導体層１０４上へ活性層１０６を形成するステップ。活性層１０６上へ第２電気特性の半導体層１０８を形成するステップ。第１電気特性の半導体層１０４の一部、活性層１０６の一部および第２電気特性の半導体層１０８の一部を除去してメサを形成するステップ。メサ上に透明コンタクト層１１０を形成して、メサ上にある第１電気特性の半導体層１０４、活性層１０６、第２電気特性の半導体層１０８および透明コンタクト層により積層構造を形成するステップ。パシベーション層を形成して、積層構造と積層構造に隣接する第１電気特性の半導体層の第１部分とを覆うステップ。 （もっと読む）

【課題】 短絡による不具合発生を抑えることと、絶縁性保護膜を剥離無く形成させるといったトレードオフの現象を両立させ得る窒化物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】 基板の上面側に順次形成されたｎ型ＧａＮ系半導体層３１、発光層ｐ型ＧａＮ系半導体層３２、ｐ電極２２と、前記ｐ型ＧａＮ系半導体層および発光層、およびｎ型ＧａＮ系半導体層の一部を除去して露出させた前記ｎ型ＧａＮ系半導体層３１の上に形成されたｎ電極２１とを有し、
ｐ電極２２の周囲にはｐ型ＧａＮ系半導体層３２が露出していて、ｎ電極２１の周囲にはｎ型ＧａＮ系半導体層３１が露出していて、露出したｎ型ＧａＮ系半導体層３１の周囲にはｐ型ＧａＮ系半導体層３２が露出しており、ｐ電極２２およびｐ型ＧａＮ系半導体層３２の所定部分の上に絶縁性保護膜１が形成されてなる半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】 サファイア基板上に低温緩衝層を介してＧａＮ系ＩＩＩ族窒化物半導体層を形成しようとしても、画一的な配向性を有するＧａＮ系半導体層を充分に安定してもたらすことができない問題点を解決する。
【解決手段】 本発明では、サファイア基板１００上に設ける、基板１００と接合する領域に単結晶層を備えた低温緩衝層１０１にあって、その単結晶層を、サファイアの［２．−１．−１．０．］方向に、［１．０．−１．０．］方向を平行にして画一的な方向に配向したＧａをＡｌに比べて富裕に含む六方晶のＡｌ_ＸＧａ_ＹＮ（０．５＜Ｙ≦１、Ｘ＋Ｙ＝１）単結晶から構成する、ことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 素子の操作電圧を降下させ、素子の使用寿命を高める垂直導通型の金属連結を利用した導電性基板の半導体素子の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 ｎ型か、もしくはp型の導電性の基板を選択し、該基板上に少なくとも一層以上のバッファ層を形成し、該バッファ層上に、ｎ型か、もしくはp型の窒化物である第１導電層を形成し、該導電層と該基板とを金属オーム接触で連結する。 （もっと読む）

【課題】金等の厚膜（パッド）電極での緑色、青色又は紫外光の吸収を回避する。
【解決手段】青色光を吸収しやすい金等で形成された厚膜電極７の下に青色光等を反射する銀、アルミニウム、ロジウム等いずれか、又はそれらを含む合金から成る光反射金属層６を形成する。発光層３で発せられた光は、基板１の裏面に形成された裏面反射層８、光反射金属層６とで反射され、厚膜電極７に達することなく、透光性電極５、又はチップ側面から放出される。 （もっと読む）

【課題】 圧縮歪が緩和された多重量子井戸構造の発光層を有する高強度の発光をもたらすＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】 基板１０１上にｎ型層１０４，１０５、発光層１０６およびｐ型層１０７，１０８を有し、当該発光層が井戸層１０６ｂおよび障壁層１０６あが交互に積層された多重量子構造からなり、当該発光層がｎ型層とｐ型層で挟まれるように配置され、当該障壁層が層内全体に亙って不純物を含有し、かつ、厚み方向における中央部の該不純物の濃度が井戸層に接する部分よりも高濃度であることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイス程度の大きさのＩＩＩ族窒化物半導体結晶およびその製造方法、ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法ならびに発光機器を提供する。
【解決手段】 下地基板１上に１以上のＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１１を成長させる工程と、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１１上に１層以上のＩＩＩ族窒化物半導体結晶層１２を成長させる工程と、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶基板１１およびＩＩＩ族窒化物半導体結晶層１２から構成されるＩＩＩ族窒化物半導体結晶１０を下地基板１から分離する工程とを含み、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶１０の厚さが１０μｍ以上６００μｍ以下、幅が０．２ｍｍ以上５０ｍｍ以下であるＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法。 （もっと読む）

本発明は、光出力が大きく改善された新規な縦構造の化合物半導体装置と、ＧａＮベース化合物半導体装置の大量生産のためのレーザーリフトオフプロセスとを提供する。本発明の主目的は、ｎ型上面の縦構造物を構築するために、ＬＬＯに先行して電気メッキ法により直接的に金属支持基板を被膜させるステップを採用することである。さらに、ＩＴＯのＤＢＲ層をｐ型コンタクト層に接して提供し、さらに高い反射性によって光出力を増強させた。新製造プロセスは従来のＬＬＯベース縦型装置製造法と比較して信頼できるプロセスである。ｎ型上面構造を有した新規な縦型装置の光出力は、同じＧａＮ/ＩｎＧａＮエピタキシャル膜を有した横型装置のものより２倍から３倍増加した。
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接合下向き実装を改良するＬＥＤ接着構造及びＬＥＤ接着構造の製造方法を提供する。ＬＥＤチップは、Ｓｎ、ＡｕＳｎ又はその他の金属のような、熱超音波接着又は熱圧着に適したボンド・パッドを含む。ボンド・パッドの物理的寸法は、鑞を用いる又は用いない熱圧着又は熱超音波接着の間に、ハンダの押し出しを発生し難くする又は防止するように選択する。実施形態によっては、押し出しを生ずることなく、３０ｇ〜７０ｇ又はそれ以上の力を受け入れるように、ＡｕＳｎボンド・パッドを設計する。
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【課題】放熱性と光取出し効率とが改善されると共に、メタルワイヤーの影が被照射面に生じにくい半導体発光装置等を提供すること。
【解決手段】ＬＥＤベアチップ（半導体発光装置）２は、ｐ−ＧａＮ層１２、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ多重量子井戸発光層１４、ｎ−ＧａＮ層１６からなる多層エピタキシャル構造６を有している。ｐ−ＧａＮ層１６にはｐ側電極１８が、ｎ−ＧａＮ層１６にはｎ側電極２０が形成されている。ｐ側電極１８側にあって、多層エピタキシャル構造６を支持すると共に、前記発光層１４からの熱を伝導するＡｕメッキ層４が設けられている。Ａｕメッキ層４は、ポリイミド部材１０を介して、電気的に２分割されている。分割された一方のＡｕメッキ層４Ａは、ｐ側電極１８と接続されアノード給電端子として構成されており、他方のＡｕメッキ層４Ｋは、配線２２を介して接続されカソード給電端子として構成されている。 （もっと読む）

本発明は、回転炉または舟形炉（boat furnace）中で還元剤として水素を使用することにより、モリブデン酸アンモニウムまたは三酸化モリブデンを還元することによる高純度なＭｏＯ_２粉末に関する。加圧／焼結、ホットプレスおよび／またはＨＩＰによる粉末の圧密は、スパッタリングターゲットとして使用されるディスク、スラブまたは板を製造するために使用される。ＭｏＯ_２のディスク、スラブまたは板の形状物は、適当なスパッタリング方法または他の物理的手段を用いて支持体上にスパッタリングされ、望ましい膜厚を有する薄膜を提供する。薄膜は、透明度、導電率、仕事関数、均一性および表面粗さに関連してインジウム−酸化錫（ＩＴＯ）および亜鉛がドープされたＩＴＯの性質と比較可能かまたは前記性質よりも優れている性質、例えば電気的性質、光学的性質、表面粗さおよび均一性を有する。ＭｏＯ_２およびＭｏＯ_２を含有する薄膜は、有機発光ダイオード（OLED）、液晶ディスプレイ（LCD）、プラズマディスプレイパネル（PDP）、電界放出ディスプレイ（FED）、薄膜ソーラーセル、低抵抗オーミック接触ならびに他の電子デバイスおよび半導体デバイスに使用されてよい。 （もっと読む）

【課題】 ＬＥＤチップがパッド上にフリップチップ実装により接合されるプリント配線板において、ＬＥＤチップとの接合強度を高められ、パッドがエッチングにより形成される際のエッチング不良を低減できるプリント配線板を提供すること。
【解決手段】 プリント配線板上に対向配置された、ＬＥＤチップのｐ電極用のパッド８１と、ｎ電極用のパッド８５を、その間の絶縁領域８９における一方端の間隔（エッジ８１１と８５１の間隔）がＤ１、他方端の間隔がＤ２（＞Ｄ１）になるように、エッチングにより形成する。 （もっと読む）

【課題】異なる色の発光素子の組み合わせからなる半導体発光装置において、色むらの低減を図ること。
【解決手段】ＬＥＤチップアレイ（２）は、青色ＬＥＤ（６）と赤色ＬＥＤ（８）を有する。青色ＬＥＤ（６）は、ＳｉＣ基板（４）上に結晶成長によって形成されている。ＳｉＣ基板（４）上には、半導体プロセスによるボンディングパッド（４６）、（４８）が形成されている。赤色ＬＥＤ（８）は、青色ＬＥＤ（６）とは別途に作製され、前記ＳｉＣ基板（４）上の前記ボンディングパッド（４６）、（４８）にフリップチップ実装されている。 （もっと読む）

【課題】 透光性でかつボールアップを有効に防止し得る構造の発光半導体素子用の透光性電極とその透光性電極の作製方法を提供する。
【解決手段】本発明に係わる発光半導体素子用透光性電極は、ｐ型ＧａＮ系化合物半導体の表面に接して形成され、透光性でかつオーミック接触が得られる、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄからなる群より選ばれた、少なくとも１種類の金属あるいは２種類以上の金属の合金よりなる第１の層と、該第１の層上に形成された、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｏよりなる群より選ばれた少なくとも１種類の金属の酸化物を含む、透光性の金属酸化物よりなる第２の層とを有し、第２の層の表面には第１の層の金属を含まないようにしたものである。 （もっと読む）