本発明は、式ａ(Ｍ¹Ｏ)・ｂ(ＭｇＯ)・ｃ(Ａｌ₂Ｏ₃)又はａ(Ｍ²Ｏ_1.5)・ｂ(ＭｇＯ)・ｃ(Ａｌ₂Ｏ₃)のアルカリ土類又は希土類金属アルミン酸塩前駆体化合物であって、本質的に球状であり且つ化学的に均質の粒子から成る遷移アルミナの形で結晶化された前記前駆体化合物に関する。ここで、Ｍ¹はアルカリ土類金属であり、Ｍ²はイットリウム、又はセリウムとテルビウムとの組合せ物であり、ａ、ｂ及びｃは次の関係：０．２５≦ａ≦４；０≦ｂ≦２；及び０．５≦ｃ≦９を満たす整数又は非整数である。この粒子は、平均直径が１０ｎｍ未満である孔を有する。この化合物は、アルミニウム化合物と前記前駆体の組成中に存在するその他の元素の化合物との液状混合物を形成させ、この混合物を噴霧乾燥させ、乾燥生成物を７００℃〜９５０℃の範囲の温度においてか焼することから成る方法によって得られる。得られた物質を次いでか焼することによって、アルカリ土類金属又は希土類金属アルミン酸塩が得られる。
（もっと読む）

【課題】 本発明は、１回のワイヤボンディングで済み、位置合わせの容易な実装が可能で、工数の低減につながるチップを作製することを課題とする。
【解決手段】 基板11の一面上に、ｎ型半導体薄膜層13と、活性層と、ｐ型半導体薄膜層17とを積層形成し、このｐ型半導体薄膜層17上面に一方の電極32を基板11の他面上に他方の電極33aを設ける化合物半導体発光素子の製造方法において、基板11の他面側から電極33aと接続されるｎ型半導体薄膜層13に到達する深さの縦穴20を波長が５００ｎｍ以下の短波長レーザを照射して設け、基板11の他面に設けた電極33aとｎ型半導体薄膜層13を縦穴20に形成した導電性材料30を介して電気的に接続し、電極32を基台100の第１のリード電極101に接続し、電極33aを第２のリード電極103にワイヤボンド線104で接続する。 （もっと読む）

光線の光子エネルギーに対応する1または2以上のエネルギー遷移を有するバンドギャップ特性を示す、1または2以上の半導体材料で少なくとも一部が製作された、少なくとも一つの細長構造部（120）を有する、整調放射線放射半導体装置（50）を示した。少なくとも一つの構造部（120）は、該構造部を流れる電流に応じて、光線を放射するように作動する。また、前記少なくとも一つの構造部（120）は、十分に狭く製作され、電流の流れに対応する電荷キャリアの量子閉じ込めが生じる。また、前記少なくとも一つの構造部（120）は、さらに該少なくとも一つの細長構造部（120）に電場を印加する電極配置（190）を有し、バンドギャップ特性に歪が生じ、前記構造部（120）を流れる前記電流の流れに応じて、前記少なくとも一つの細長構造部（120）から作動時に放射される前記光線の波長が変調される。

（もっと読む）

【課題】高密度実装による装置の小型化、または、同一サイズでの照度の向上が実現できるＬＥＤ照明装置を提供する。
【解決手段】無機フィラーと熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物とを含んだ絶縁層１３と、絶縁層１３の少なくとも一主面に設けられた配線パターン１４とを備え、絶縁層１３の前記一主面に複数の凹部が設けられている熱伝導配線基板１１を用いる。凹部の内面の少なくとも一部には、絶縁層１３よりも反射率の高い高反射膜１５が設けられている。ＬＥＤ素子１６は、熱伝導配線基板１１の凹部内に実装する。凹部には透明樹脂を充填することにより、レンズ部１７が設けられる。熱伝導配線基板１１には、凹部が設けられている面と対向する面に放熱板１２が配置されている。 （もっと読む）

【課題】 窒化物系化合物半導体素子に長期信頼性を施与し、しかも素子特性を低下させることのない表面保護膜を備えた半導体素子を提供すること。
【解決手段】 サファイア基板１上にバッファ層２を介して第一導電型の半導体層３１、発光層３２、第二導電型の半導体層３３を順次成長してなり、ワイヤーボンディング用電極４１、４２からなる窒化物系発光素子の表面に、素子構造の成長技術であるＭＯＶＰＥを使って、非晶質又は多結晶窒化アルミニウムを主成分とする表面保護膜５を低温で形成することにより、機械的に、熱的に、化学的に安定した表面に変える事により素子の信頼性を向上する。 （もっと読む）