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Fターム[5F041DA08]の内容

発光ダイオード (162,814) | パッケージング (50,429) | ボンディング (5,980) | ワイヤボンディング (4,141) | ワイヤの材料 (42)

Fターム[5F041DA08]に分類される特許

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【課題】LED素子からの光を効率良く反射することができる樹脂付リードフレームを提供する。
【解決手段】樹脂付リードフレーム40は、上方に突出してLED素子21に接続されるフレーム端子部15を有するリードフレーム10を備えている。リードフレーム10上には、反射用樹脂部23が設けられている。反射用樹脂部23は、リードフレーム10のフレーム端子部15の上面を露出させ、LED素子21からの光を反射するようになっている。 (もっと読む)


【課題】 発光装置の光特性を向上させるために、ボンディングワイヤ表面への金属被覆をすることなしに波長380〜560nmの光の反射率が高く、化学的安定性を高めた安価なボンディングワイヤを提供する。
【解決手段】 銀を主成分とし、10000〜90000質量ppmの金、10000〜50000質量ppmのパラジウム、10000〜30000質量ppmの銅、10000〜20000質量ppmのニッケルから選ばれた少なくとも1種以上の成分を含み、塩素含有量が1質量ppm未満で、波長380〜560nmの光の反射率が95%以上のボンディングワイヤである。 (もっと読む)


【課題】 セラミックス基板を用い、放熱性の向上を図ることが可能な発光装置および照明装置を提供する。
【解決手段】 発光装置は、セラミックス基板と、前記セラミックス基板上に形成された、電気的に非接続の金属熱伝導層と、前記金属熱伝導層上に実装された発光素子と、前記金属熱伝導層と前記発光素子との間に介在して、前記発光素子を前記金属熱伝導層に接合する金属接合層とを有する。 (もっと読む)


【課題】耐久性が高く、コストが低いLEDパッケージを提供する。
【解決手段】実施形態に係るLEDパッケージは、同一平面上に配置され、相互に離隔した第1及び第2のリードフレームと、前記第1及び第2のリードフレームの上方に設けられ、一方の端子が前記第1のリードフレームに接続され、他方の端子が前記第2のリードフレームに接続されたLEDチップと、前記一方の端子を前記第1のリードフレームに接続するワイヤと、前記第1及び第2のリードフレームのそれぞれの上面、下面の一部及び端面の一部を覆い、前記LEDチップを覆い、前記下面の残部及び前記端面の残部を露出させた樹脂体と、を備える。そして、上方から見て、前記樹脂体の形状は矩形である。前記LEDチップの上面と前記一方の端子から前記ワイヤが引き出される方向とがなすチップ側引出角度は、前記第1のリードフレームの上面と前記第1のリードフレームから前記ワイヤが引き出される方向とがなすフレーム側引出角度よりも小さい。また、前記ワイヤの両端部以外の部分は、前記ワイヤの両端部同士を結ぶ直線の直上域から外れた位置に配置されており、上方から見て、前記LEDチップは前記樹脂体の中央部から離間した位置に配置されており、前記ワイヤの両端部以外の部分は、前記直線の直上域に対して、前記矩形の長手方向における前記樹脂体の中央に向かう方向に変位している。 (もっと読む)


【課題】高出力で信頼性の高い発光装置を提供する。
【解決手段】基体と、前記基体に設けられた導電部材と、前記導電部材の少なくとも一部に設けられた銀含有金属と、前記基体上に載置された発光素子と、前記発光素子および前記銀含有金属の表面において、一部を被覆する絶縁部材と、前記絶縁部材が形成されていない部位を被覆するように設けられる絶縁性のフィラーと、を備える発光装置。 (もっと読む)


【課題】本発明は、新たな構造を有し、色偏差の少ない発光素子及びその製造方法を提供するためのものである。
【解決手段】本発明に従う発光素子は、上部が開放されるように形成されたキャビティーを含み、上記キャビティーの側壁は上記キャビティーの底面に対して第1角度に傾斜した胴体と、上記胴体に形成され、少なくとも一部分が上記キャビティーの側壁に沿って形成された第1電極及び第2電極と、上記第1電極、上記第2電極、及び上記キャビティーの底面のうち、いずれか1つの上に載置された発光チップと、一端は上記発光チップの上面にボンディングされ、他端は上記キャビティーの側壁に形成された上記第1電極及び第2電極のうち、少なくとも1つにボンディングされる少なくとも1つのワイヤと、上記キャビティーの内に形成されて上記発光チップを覆うモールディング部材と、を含む。 (もっと読む)


【課題】放熱性を向上させることが可能な発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置100は、LEDチップ110と、LEDチップ110が載置されるセラミック基板120とを備えている。セラミック基板120は、LEDチップ110が載置される載置面121bと、載置面121bに対向する裏面124と、実装されるときに載置面121bと裏面124との間で実装基板320に対向される実装面123とを備え、実装面123で裏面124から載置面121b側へ延長され表面に第1熱伝導部材162が形成された第1凹部123gと、LEDチップ110と第1熱伝導部材162との間で熱伝導を生じる中間熱伝導部材とを備えている。 (もっと読む)


【課題】LEDを光源とし波長変換により一様な色の光を放出させることができ、かつ、放熱性に優れ、高輝度発光が可能なLED照明灯を提供する。
【解決手段】本発明は、ベース体2上に設置された発光ダイオード素子5と、ベース体上に発光ダイオード素子の光出力面を半球面状に覆うように設置された光透過性のLEDカバー4と、LEDカバーの内面側に形成された、発光ダイオード素子からの光の波長を変換する蛍光体層3と、ベース体の裏面側に貼着されたSiC製の放熱体6と、ベース体の発光ダイオード素子の直下位置において当該ベース体を貫通するように形成されたサーマルビア9とを備えたLED照明灯1を特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 マークの形状、数や位置を異ならせる他に、マークを提案する。
【解決手段】 本発明は、発光素子と、その発光素子を配置する搭載部を有する基板と、発光素子の光を吸収して蛍光を発する蛍光体を含む蛍光体層と、を備えた発光装置であって、基板は、発光素子が配置された上面に、発光素子の電極に接続する導電配線と、導電性材料により設けられた第一のマークと、を有しており、蛍光体層は、発光素子の表面に配置される第一の蛍光体層と、その第一の蛍光体層から間隔を空けて配置され、第一のマークとは別に認識される第二のマークとされる第二の蛍光体層とから構成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、発光ダイオード(LED)をパッケージに取り付ける際に、ハンダ接合するための加熱を迅速に行なっても、ハンダの飛散によるショート事故がなく、生産性を向上できるとともに、反射効率の高い発光装置の製造方法および発光装置に関するものである。
【解決手段】本発明の発光装置の製造方法は、パッケージ電極の一方と前記上下電極型発光ダイオードの下部電極との間、前記パッケージ電極の他方と前記金属導電部材の一方との間、および前記上下電極型発光ダイオードの上部部分電極と前記金属導電部材の他方との間、にそれぞれハンダペーストが載置される。少なくとも前記上下電極型発光ダイオードの上面における発光部分および電極部分は、無機系コート剤を噴霧して、前記無機系コート膜によって覆う。前記上下電極型発光ダイオードおよび金属導電部材が配置されたパッケージは、前記各部に載置されたハンダペーストのハンダ粒子を溶融するために加熱し、その後、冷却することによりハンダ接合を終了する。 (もっと読む)


【課題】発光色の異なる発光素子から発せられる光の混色性を高め、輝度並びに彩度の高い白色光を発することができる半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体発光装置1において、光出射方向Aeが開口されたリセス21R、22Rを有するパッケージ基体2と、リセス21Rの底部に配設され、互いに発光色が異なる複数の発光素子3と、リセス21R内に複数の発光素子3を覆って配設され、蛍光体が含有された第1の透光性樹脂61と、リセス22R内において第1の透光性樹脂61上に配設され、第1の透光性樹脂61に比べて蛍光体の含有量が少なく、かつ第1の透光性樹脂61の膜厚に比べて厚い膜厚を有する第2の透光性樹脂62とを備える。 (もっと読む)


【課題】化合物半導体素子と透光性封止材料との境界面における反射光を低減させて光取り出し効率を向上させ、高輝度化を実現すると共に、透光性封止材料を通過してくる空気中からの酸化性ガスや硫黄が電極面に到達するのを抑制し、電極面の変色等の劣化を防止して、より長寿命な半導体発光装置を提供すること。
【解決手段】電極上に化合物半導体素子を搭載した後、ワイヤーボンディング等を用いて化合物半導体素子を電気的に接続する。その後、化合物半導体素子及び電極上に化合物半導体素子の屈折率の値より小さく、透光性封止材料の屈折率の値より大きい値の屈折率を持つガスバリア性の透明薄膜層を、スパッタリング法やCVD法等の真空薄膜作成技術を用いて成膜する。 (もっと読む)


【課題】簡易かつ低コストに製造でき、かつ、発生した光を最大限の光量で出射する。
【解決手段】内面にリード電極5が形成された凹部2を有するパッケージカップ3と、該パッケージカップ3の凹部2内に配置された半導体発光チップ4と、該半導体発光チップ4とリード電極5とを接続する透明配線10とを備える半導体発光素子1を提供する。 (もっと読む)


【目的】発光素子の封止剤としてシリコーン樹脂を用いた発光装置において、リードフレームの変色を防止する。
【構成】リードフレーム20に固定された発光素子10が、シリコーン樹脂からなる封止部21によって封止されている。シリコーン樹脂は平均のスピン−スピン緩和時間が25°C、共鳴周波数25MHzにおいて100マイクロ秒以下とされている。 (もっと読む)


【課題】発光ダイオードなどの発光素子を実装し、かかる発光素子からの放熱性に優れ且つマイグレーションを生じにくい発光素子実装用基板を提供する。
【解決手段】セラミックからなり、表面3および裏面4を有する基板本体2と、かかる基板本体2の表面3に開口するキャビティ5の底面(表面)6に配置された発光素子実装エリアaと、基板本体2の上記底面6で且つ上記発光素子実装エリアaの周囲に形成された一対の電極12a,12bと、上記基板本体2の裏面4に形成され、上記一対の電極12a,12bと個別に導通する一対の端子13a,13bと、発光素子実装エリアaを含む上記底面6と裏面4との間を貫通して配置された金属製の放熱体10と、かかる放熱体10における基板本体2の裏面4側を覆って形成された裏面絶縁層s3と、を含む、発光素子実装用基板1。 (もっと読む)


【課題】導電ワイヤによる光吸収を効果的に抑制した、発光の取出し効率の高い発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】発光素子10の電極12と導電部材30とを電気的に接続する導電ワイヤ40を有する発光装置1であって、前記発光素子10の電極12及び前記導電部材30の少なくとも一方と、前記導電ワイヤ40と、の接合部分における前記導電ワイヤ40の表面が金属膜70で被覆されており、前記発光素子10の発光ピーク波長において、前記導電ワイヤ40の反射率よりも、前記金属膜70の反射率が高いことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】光半導体素子から発生する熱を効率良く放熱することができ、かつ、簡易的に作製できる光半導体用パッケージを提供する。
【解決手段】光半導体用パッケージ10は、光半導体素子4を搭載すると共に光半導体素子4が発生する熱を放熱する金属体3と、光半導体素子4と電気的に接続される第1のリード1と、金属体3を位置決めすると共に光半導体素子4から金属体3に伝わる熱を放熱する第2のリード2と、第1のリード1、第2のリード2、及び金属体3を固定する樹脂部5とを備える。 (もっと読む)


【課題】 発光素子からの光取り出し効率を向上させることができる発光装置、並びにこの発光装置を備えた光源装置を提供すること。
【解決手段】 実装基板1の一方の面にp電極側およびn電極側配線パターン2と3を形成し、その上から前記面を被覆する白色レジスト層15を形成する。白色レジスト層15には、発光素子チップ11とその近傍に第1の開口部15aを設け、ワイヤボンディング位置5および6を中心として第2の開口部15bおよび15cを設け、開口部の配線パターン2および3の表面には金めっき層4bを形成し、発光素子チップ11と開口部は透明封止樹脂17によって封止する。発光素子チップ11が透明封止樹脂17内に出射した光を外部へ取り出す効率を向上させるために、緑色光または青色光を発光する発光素子チップ11では、実装基板1の表面を白色化することが望ましく、第1の開口部15aを最小の形状に形成する。 (もっと読む)


【課題】本発明の主な目的は、プロセスが簡易化され速やかに生産できるサイド発光ダイオードの製造方法及びその構造を提供する。
【解決手段】サイド発光ダイオードの製造方法及びその構造であって、(1)二金属電極が設けられた基板上にはケースを設置する工程と、(2)ケース内に二チップおよびボンディングワイヤを結合する工程と、(3)ケース内に光透過樹脂を注入し封止成形する工程と、(4)封止成形した発光ダイオードを二チップの中央からカットし、作製完了する工程とを含む。前記工程によって作製したサイド発光ダイオードは、一側のケースのみを有するため、サイド発光ダイオード全体の厚さを薄くすることができる。 (もっと読む)


【課題】長期間にわたって高い反射率を維持できる反射層を備え、発光素子からの発光の波長域に関係なく光取り出し性能に優れた発光素子用の支持体と、その支持体を用いた発光素子とを提供する。
【解決手段】本発明の支持体12は、発光素子32を載置するための素子載置領域14と、素子載置領域14の底部16に露出した一対の電極層20、40と、素子載置領域14の内壁18に形成された周辺部反射層26と、を備え、電極層20、40が、電極反射層22、42と、電極反射層22、42の上側に積層された形成された接合層24、44とを含み、電極反射層22、42と周辺部反射層26とはAg合金膜から形成され、接合層24、44は、発光素子32での発光を透過可能な薄さのAu膜又はAu合金膜から形成されていることを特徴とする。本発明の発光装置10は、上記の支持体12と、支持体12に固定された発光素子32とを備えている。 (もっと読む)


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