樹脂付リードフレーム、半導体装置、照明装置、樹脂付リードフレームの製造方法および半導体装置の製造方法
【課題】ＬＥＤ素子からの光を効率良く反射することができる樹脂付リードフレームを提供する。
【解決手段】樹脂付リードフレーム４０は、上方に突出してＬＥＤ素子２１に接続されるフレーム端子部１５を有するリードフレーム１０を備えている。リードフレーム１０上には、反射用樹脂部２３が設けられている。反射用樹脂部２３は、リードフレーム１０のフレーム端子部１５の上面を露出させ、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するようになっている。
【解決手段】樹脂付リードフレーム４０は、上方に突出してＬＥＤ素子２１に接続されるフレーム端子部１５を有するリードフレーム１０を備えている。リードフレーム１０上には、反射用樹脂部２３が設けられている。反射用樹脂部２３は、リードフレーム１０のフレーム端子部１５の上面を露出させ、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するようになっている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を載置する樹脂付リードフレーム、この樹脂付リードフレームを有する半導体装置、この半導体装置を有する照明装置、樹脂付リードフレームの製造方法および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ＬＥＤ（発光ダイオード）素子を光源として用いる照明装置が、各種家電、ＯＡ機器、車両機器の表示灯、一般照明、車載照明、およびディスプレイ等に用いられている。このような照明装置の中には、ＬＥＤ素子を有する半導体装置を含むものがある。
【０００３】
また、半導体チップを搭載する薄型の半導体装置（パッケージ）としては、例えばＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded package）タイプのものやＳＯＮ（Small Outline Non-leaded Package）タイプ等、下面実装型のパッケージが知られている。
【０００４】
このような下面実装型のパッケージとして、例えば特許文献１により、リードフレーム上に貫通孔を有するリフレクタ部材が設けられ、リフレクタ部材の貫通孔内においてリードフレーム上に光半導体素子が搭載されて、リフレクタ部材の内部に封止樹脂が封止されている光半導体素子用パッケージが知られている。このうち、リードフレームの表面には、光の反射率を高くするために、Ａｇ（銀）めっきが施されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−６６０２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、光半導体素子としてＬＥＤ、とりわけ高輝度ＬＥＤを用いる場合、光半導体素子を封止する封止樹脂が強い光にさらされる。このため近年、封止樹脂に対して耐候性が要求されるようになってきており、このような封止樹脂としてシリコーン樹脂を使用する要求が高まっている。しかしながら、シリコーン樹脂を用いた場合、ガスバリア性が劣る傾向があるため、光半導体素子用パッケージ内部のＡｇめっきにまで空気中の酸素や硫化水素ガス等の腐食性ガスが浸透してしまう。そして、Ａｇは容易に硫化水素ガスなどと反応するため、硫化銀などの生成物が形成され、Ａｇめっきが変色する場合がある。また、発光により発生する熱によって、Ａｇめっき内に母材の銅が拡散し、Ａｇめっきによる光の反射率が低下する場合がある。この結果、Ａｇめっきの反射率を可視領域全域において著しく低下させるという問題が生じている。
【０００７】
本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、ＬＥＤ素子からの光を効率良く反射することができる樹脂付リードフレーム、半導体装置、照明装置、樹脂付リードフレームの製造方法および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、ＬＥＤ素子を載置する樹脂付リードフレームにおいて、上方に突出してＬＥＤ素子に接続されるフレーム端子部を有するリードフレームと、リードフレーム上に設けられ、リードフレームのフレーム端子部の上面を露出させ、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射用樹脂部と、を備えたことを特徴とする樹脂付リードフレームである。
【０００９】
本発明は、リードフレームのフレーム端子部の上面に、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層が設けられていることを特徴とする樹脂付リードフレームである。
【００１０】
本発明は、反射用樹脂部は、ＬＥＤ素子を載置する樹脂載置部を有していることを特徴とする樹脂付リードフレームである。
【００１１】
本発明は、リードフレームは、上方に突出してＬＥＤ素子を載置するフレーム載置部を更に有し、リードフレームのフレーム載置部の上面は、反射用樹脂部から露出していることを特徴とする樹脂付リードフレームである。
【００１２】
本発明は、リードフレームのフレーム載置部の上面に、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する第２の反射用金属層が設けられていることを特徴とする樹脂付リードフレームである。
【００１３】
本発明は、リードフレームの反射用樹脂部に接する面は、粗面化されていることを特徴とする樹脂付リードフレームである。
【００１４】
本発明は、反射用樹脂部は、リードフレームのフレーム端子部の周囲に設けられ、上方に延びる反射用側壁を有していることを特徴とする樹脂付リードフレームである。
【００１５】
本発明は、リードフレームは、第１の部分と、第１の部分に離間した第２の部分とを有し、リードフレームのフレーム端子部は、第１の部分および第２の部分にそれぞれ設けられており、第１の部分の外側および第２の部分の外側に、連結部がそれぞれ連結され、各連結部の下面は、第１の部分の下面および第２の部分の下面より上方に位置していることを特徴とする樹脂付リードフレームである。
【００１６】
本発明は、上述した樹脂付リードフレームと、樹脂付リードフレームに載置され、リードフレームのフレーム端子部に接続されたＬＥＤ素子と、を備えたことを特徴とする半導体装置である。
【００１７】
本発明は、照明基板と、照明基板上に配置された上述した半導体装置と、照明基板上に設けられ、半導体装置を覆うカバーと、を備えたことを特徴とする照明装置である。
【００１８】
本発明は、ＬＥＤ素子を載置する樹脂付リードフレームの製造方法において、金属基板を準備する工程と、金属基板から、上方に突出してＬＥＤ素子に接続されるフレーム端子部を有するリードフレームを形成する工程と、リードフレーム上に、リードフレームのフレーム端子部の上面を露出させるように、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射用樹脂部を設ける工程と、を備えたことを特徴とする樹脂付リードフレームの製造方法である。
【００１９】
本発明は、反射用樹脂部が設けられたリードフレームのフレーム端子部の上面に、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層を形成する工程を更に備えたことを特徴とする樹脂付リードフレームの製造方法である。
【００２０】
本発明は、リードフレームを形成する工程において、上方に突出してＬＥＤ素子を載置するフレーム載置部を更に有するように、リードフレームが形成され、反射用樹脂部を設ける工程において、反射用樹脂部は、リードフレームのフレーム載置部の上面を露出させることを特徴とする樹脂付リードフレームの製造方法である。
【００２１】
本発明は、リードフレームのフレーム載置部の上面に、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する第２の反射用金属層を形成する工程を更に備えたことを特徴とする樹脂付リードフレームの製造方法である。
【００２２】
本発明は、リードフレームの反射用樹脂部に接する面を粗面化する工程を更に備えたことを特徴とする樹脂付リードフレームの製造方法である。
【００２３】
本発明は、上述した樹脂付リードフレームの製造方法により樹脂付リードフレームを準備する工程と、半導体リードフレームにＬＥＤ素子を載置する工程と、載置されたＬＥＤ素子をリードフレームのフレーム端子部に接続する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、リードフレーム上にＬＥＤ素子からの光を反射するための反射用樹脂部が設けられていることにより、ＬＥＤ素子からの光を効率良く反射することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の一実施の形態による樹脂付リードフレームを示す断面図。
【図２】本発明の一実施の形態によるリードフレームを示す全体平面図。
【図３】本発明の一実施の形態によるリードフレームを示す部分拡大平面図（図２のII部拡大図）。
【図４】本発明の一実施の形態による半導体装置を示す断面図。
【図５】本発明の一実施の形態による半導体装置を示す平面図。
【図６】本発明の一実施の形態による樹脂付リードフレームの製造方法を示す図。
【図７】本発明の一実施の形態による半導体装置の製造方法を示す図。
【図８】樹脂付リードフレームおよび半導体装置の変形例（変形例１）を示す断面図。
【図９】変形例１による樹脂付リードフレームの製造方法を示す図。
【図１０】樹脂付リードフレームおよび半導体装置の変形例（変形例２）を示す断面図。
【図１１】樹脂付リードフレームおよび半導体装置の変形例（変形例３）を示す断面図。
【図１２】樹脂付リードフレームおよび半導体装置の変形例（変形例４）を示す断面図。
【図１３】照明装置を示す概略図。
【図１４】照明装置を示す部分断面図。
【図１５】樹脂付リードフレームおよび半導体装置の変形例（変形例５）を示す断面図。
【図１６】変形例５による半導体装置を示す平面図。
【図１７】樹脂付リードフレームおよび半導体装置の変形例（変形例６）を示す断面図。
【図１８】変形例６による半導体装置を示す平面図。
【図１９】樹脂付リードフレームおよび半導体装置の変形例（変形例７）を示す平面図。
【図２０】樹脂付リードフレームおよび半導体装置の変形例（変形例８）を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の一実施の形態について、図１乃至図７を参照して説明する。また、本明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。
【００２７】
樹脂付リードフレームの構成
まず、図１により、樹脂付リードフレーム４０について説明する。ここで、樹脂付リードフレーム４０は、ＬＥＤ素子２１（図４参照）を載置するために用いられるものであり、図1に示すように、リードフレーム１０と、リードフレーム１０上に設けられ、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射用樹脂部（外側樹脂部）２３と、を備えている。
【００２８】
このうち、リードフレーム１０は、本体部１１と、本体部１１の周囲（全面）に形成されためっき層１２とを備えている。
【００２９】
本体部１１は、銅または銅合金からなっている。後述するフレーム端子部１５を含む本体部１１の厚みは、半導体装置２０の構成にもよるが、０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍとすることができる。
【００３０】
なお、本体部１１の厚みは、例えば０．０５ｍｍを下回ると、リードフレーム１０自体の強度が充分ではなくなってしまう。またＬＥＤ素子２１から発生する熱をリードフレーム１０の平面方向に充分に逃がすことが出来なくなってしまう。他方、本体部１１の厚みが０．５ｍｍを上回ると、エッチングやプレス加工の設計自由度が低下してしまう。また、半導体装置２０が厚くかつ重くなってしまう。
【００３１】
めっき層１２は、本体部１１の全面を覆うように形成されている。このことにより、リードフレーム１０の製造工程におけるめっき工程の効率化を図っている。また、めっき層１２は、反射機能を有する必要はないが、ワイヤボンディング性およびはんだ接合性を有することが望ましい。めっき層１２の材料としては、一般的に半導体用リードフレームで使用される材料、例えばニッケル／パラジウム／金のめっき層を挙げることができる。この場合、めっき層１２のめっき厚は、ニッケル０．１μｍ〜１μｍ／パラジウム０．０１μｍ〜０．５μｍ／金０．００１μｍ〜０．１μｍとされることが望ましい。なお、後述する図２および図３においては、図面を明瞭にするために、めっき層１２を省略している。
【００３２】
次に、リードフレーム１０の平面形状について説明する。図２および図３に示すように、リードフレーム１０の本体部１１は、枠体１３と、枠体１３内に多面付けで（多列および多段に、マトリックス状に）配置された複数の単位リードフレーム１４と、を有している。各単位リードフレーム１４は、それぞれ個々の半導体装置２０に対応するものである。
【００３３】
図１および図３に示すように、各単位リードフレーム１４は、第１の部分（ダイパッド）２５と、第１の部分２５から離間した第２の部分（リード部）２６と、を有している。なお、図３において、二点鎖線で囲まれた領域が、単位リードフレーム１４に相当する。このように、リードフレーム１０が複数の単位リードフレーム１４を有することにより、半導体装置２０の製造コストを低減するとともに、組立効率を高めている。そして、第１の部分２５および第２の部分２６に、上方に突出してＬＥＤ素子２１に接続されるフレーム端子部１５がそれぞれ設けられている。
【００３４】
また、第１の部分２５の外側および第２の部分２６の外側に、連結部２７がそれぞれ連結されている。各連結部２７は、載置されるＬＥＤ素子２１から離れる方向（単位リードフレーム１４における外側）に延びるように形成されている。すなわち、図３に示すように、各単位リードフレーム１４内の第１の部分２５は、隣接する他の単位リードフレーム１４内の第１の部分２５および第２の部分２６と、それぞれ連結部２７によって連結されている。同様に、各単位リードフレーム１４内の第２の部分２６は、隣接する他の単位リードフレーム１４内の第１の部分２５および第２の部分２６と、それぞれ連結部２７によって連結されている。なお、本実施の形態においては、各連結部２７の下面は、第１の部分２５の下面および第２の部分２６の下面と同一平面上に位置し、各連結部２７の上面は、第１の部分２５の上面および第２の部分２６の上面と同一平面上に位置している。
【００３５】
第１の部分２５の下面は、第１のアウターリード部２８を構成し、第２の部分２６の下面は、第２のアウターリード部２９を構成している。第１のアウターリード部２８および第２のアウターリード部２９（より正確には、第１の部分２５の下面および第２の部分２６の下面に形成されためっき層１２の下面）は、それぞれ反射用樹脂部２３から外方に露出し、外部の電極８３（図１４参照）に接続されるようになっている。
【００３６】
反射用樹脂部２３は、リードフレーム１０のフレーム端子部１５の上面を露出させるようになっている。すなわち、反射用樹脂部２３は、ＬＥＤ素子２１を載置する樹脂載置部２３ｂを含む反射用底部２３ｃと、反射用底部２３ｃ上に設けられ、上方に延びる反射用側壁２３ｄと、を有している。このうち反射用底部２３ｃにおいて、リードフレーム１０の各フレーム端子部１５の上面（より正確には、フレーム端子部１５上のめっき層１２の上面）が露出されるようになっている。すなわち、各フレーム端子部１５の上面は、反射用樹脂部２３によって覆われていない。また、反射用側壁２３ｄは、上面が露出した各フレーム端子部１５の周囲に設けられて、ＬＥＤ素子２１を取り囲むように形成されている。これら反射用底部２３ｃと反射用側壁２３ｄとにより、ＬＥＤ素子２１を収容する樹脂凹部２３ａが形成され、ＬＥＤ素子２１からの光を、反射用底部２３ｃと反射用側壁２３ｄとにより反射するようになっている。また、反射用樹脂部２３は、リードフレーム１０の第１の部分２５と第２の部分２６との間にも充填されており、第１の部分２５と第２の部分２６とは互いに電気的に絶縁されている。このような反射用樹脂部２３は、リードフレーム１０と一体化されている。
【００３７】
反射用樹脂部２３は、例えばリードフレーム１０上に熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂を射出成形またはトランスファ成形することにより形成されたものである。反射用樹脂部２３の形状は、射出成形またはトランスファ成形に使用する金型の設計により、様々に実現することが可能である。例えば、反射用樹脂部２３の全体形状を直方体、円筒形および錐形等の形状とすることが可能である。樹脂凹部２３ａの底面は、円形、楕円形または多角形等とすることができる。樹脂凹部２３ａの側壁の断面形状は、図１のように直線から構成されていても良いし、あるいは曲線から構成されていてもよい。
【００３８】
反射用樹脂部２３に使用される熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂については、特に耐熱性、耐候性および機械的強度の優れたものを選ぶことが望ましい。熱可塑性樹脂の種類としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルイミド等、熱硬化性樹脂の種類としてはシリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、およびポリウレタン等、を使用することができる。さらにまた、これらの樹脂中に光反射剤として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウムおよび窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、反射用底部２３ｃおよび反射用側壁２３ｄにおいて、ＬＥＤ素子２１からの光の反射率を増大させ、半導体装置２０全体の光取り出し効率を増大させることが可能となる。
【００３９】
半導体装置の構成
次に、図４および図５により、図１に示す樹脂付リードフレーム４０を用いた半導体装置の一実施の形態について説明する。本実施の形態による半導体装置２０は、ＬＥＤ電球等からなる後述の照明装置８０（図１３参照）に組み込まれて使用されるものである。
【００４０】
図４および図５に示すように、半導体装置２０は、樹脂付リードフレーム４０と、樹脂付リードフレーム４０の反射用樹脂部２３の樹脂載置部２３ｂに載置されたＬＥＤ素子２１と、リードフレーム１０の各フレーム端子部１５とＬＥＤ素子２１とを電気的に接続するボンディングワイヤ（導電部）２２とを備えている。ＬＥＤ素子２１とボンディングワイヤ２２とは、透光性の封止樹脂部２４によって封止されている。封止樹脂部２４は、反射用樹脂部２３の樹脂凹部２３ａ内に充填されている。なお、図５においては、図面を明瞭にするために、封止樹脂部２４は省略している。
【００４１】
以下、このような半導体装置２０を構成する各構成部材について、順次説明する。
【００４２】
ＬＥＤ素子２１としては、従来一般に用いられている各種ＬＥＤ素子を使用することが可能である。ＬＥＤ素子２１は、発光層として例えばＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ、またはＩｎＧａＮ等の化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。
【００４３】
ＬＥＤ素子２１は、素子端子部２１ａを有している。また、ＬＥＤ素子２１は、接着剤（一例として、銀ペースト、エポキシダイボンド剤、シリコーンダイボンド剤）により、反射用樹脂部２３の反射用底部２３ｃ上に固定されている。
【００４４】
ボンディングワイヤ２２は、例えば金または銅等の導電性の良い材料からなり、その一端がＬＥＤ素子２１の素子端子部２１ａに接続されるとともに、その他端がリードフレーム１０のフレーム端子部１５に接続されている。
【００４５】
封止樹脂部２４としては、光の取り出し効率を向上させるために、半導体装置２０の発光波長において光透過率が高く、また屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。したがって耐熱性、耐候性、及び機械的強度が高い特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂を選択することが可能である。特に、ＬＥＤ素子２１として高輝度ＬＥＤを用いる場合、封止樹脂部２４が強い光と熱にさらされるため、封止樹脂部２４は高い耐候性を有するシリコーン樹脂（シロキサン結合を有する高分子）からなることが好ましい。
【００４６】
樹脂付リードフレームの製造方法
次に、図１に示す樹脂付リードフレーム４０の製造方法について、図６（ａ）−（ｇ）を用いて説明する。
【００４７】
まず図６（ａ）に示すように、平板状の金属基板３１（加工前の本体部１１）を準備する。この金属基板３１は、銅または銅合金からなっている。なお金属基板３１は、その両面に対して脱脂等を行い、洗浄処理を施したものを使用することが好ましい。
【００４８】
次に、金属基板３１の表裏にそれぞれ感光性レジスト３２ａ、３３ａを塗布し、乾燥させる（図６（ｂ））。なお感光性レジスト３２ａ、３３ａとしては、従来公知のものを使用することができる。
【００４９】
次いで、感光性レジスト３２ａ、３３ａを所望のフォトマスクを介して露光した後、現像することにより、所望の開口部３２ｂ、３３ｂを有するエッチング用レジスト層３２、３３を形成する（図６（ｃ））。
【００５０】
具体的には、金属基板３１の表面側において、貫通エッチングを行う部分と、ハーフエッチングを行う部分（フレーム端子部１５以外の部分）に、開口部３２ｂを形成する。同様に、金属基板３１の裏面側において、貫通エッチングを行う部分に、開口部３３ｂを形成する。
【００５１】
次に、エッチング用レジスト層３２、３３を耐腐蝕膜として金属基板３１に腐蝕液でエッチングを施す（図６（ｄ））。腐蝕液としては、例えば塩化第二鉄水溶液を使用することができ、金属基板３１の両面からスプレーエッチングにて行うことができる。
【００５２】
次いで、エッチング用レジスト層３２、３３を剥離して除去する（図６（ｅ））。
【００５３】
このように、金属基板３１にエッチングを施すことにより、各々がフレーム端子部１５を含む複数の第１の部分２５および第２の部分２６有するリードフレーム１０（多面付リードフレーム）（図２および図３参照）が形成される。
【００５４】
その後、形成されたリードフレーム１０の本体部１１の周囲に電解めっきを施す。これにより本体部１１上に金属（例えばニッケル／パラジウム／金）を析出させて、本体部１１の全面にめっき層１２を形成する（図６（ｆ））。ニッケルめっきの電解めっき用めっき液としては、スルファミン酸ニッケルを主成分としたニッケルめっき液を用いることができる。また、パラジウムめっきの電解めっき用めっき液としては、塩化パラジウムを主成分としたパラジウムめっき液を、金めっきの電解めっき用めっき液としては、シアン化金を主成分とした金めっき液を用いることができる。このようにして、図１に示すようなリードフレーム１０が得られる。
【００５５】
そして、リードフレーム１０に対して熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を射出成形またはトランスファ成形することにより、リードフレーム１０上に反射用樹脂部２３を形成する（図６（ｇ））。これにより、反射用樹脂部２３とリードフレーム１０とが一体に形成された、図１に示す樹脂付リードフレーム４０を得ることができる。またこのとき、射出成形またはトランスファ成形に使用する金型を適宜設計することにより、反射用樹脂部２３に樹脂凹部２３ａを形成するとともに、反射用底部２３ｃにおいて、リードフレーム１０のフレーム端子部１５の上面が外方（上方）に露出するようにする。
【００５６】
半導体装置の製造方法
次に、図４および図５に示す半導体装置２０の製造方法について、図７（ａ）−（ｅ）により説明する。
【００５７】
まず、上述した工程により（図６（ａ）−（ｇ））、フレーム端子部１５を含むリードフレーム１０を有する樹脂付リードフレーム４０を準備する。
【００５８】
次に、反射用樹脂部２３の樹脂載置部２３ｂ上に、ＬＥＤ素子２１を搭載する。この場合、接着剤を用いて、ＬＥＤ素子２１を樹脂載置部２３ｂ上に載置して固定する（図７（ａ））。
【００５９】
次に、ＬＥＤ素子２１の素子端子部２１ａと、リードフレーム１０のフレーム端子部１５とを、ボンディングワイヤ２２によって互いに電気的に接続する（ワイヤボンディング工程）（図７（ｂ））。
【００６０】
その後、反射用樹脂部２３の樹脂凹部２３ａ内に封止樹脂部２４を形成し、封止樹脂部２４によりリードフレーム１０のフレーム端子部１５、ＬＥＤ素子２１、およびボンディングワイヤ２２を封止する（図７（ｃ））。
【００６１】
次に、各ＬＥＤ素子２１間の反射用樹脂部２３および連結部２７をダイシングすることにより、リードフレーム１０を各半導体装置２０毎に分離する（図７（ｄ））。この際、まずリードフレーム１０をダイシングテープ３７上に載置して固定し、その後、例えばダイヤモンド砥石からなるブレード３８を回転させながら、図７（ｄ）の紙面に対して垂直な方向に移動させることにより、各ＬＥＤ素子２１間の反射用樹脂部２３および連結部２７を切断する。なお図７（ｄ）において、ダイシングに限らず、プレスにより各半導体装置２０を個片化しても良い。
【００６２】
このようにして、図４および図５に示す半導体装置２０が得られる（図７（ｅ））。
【００６３】
本実施の形態の作用効果
次にこのような構成からなる本実施の形態の作用効果について説明する。
【００６４】
すなわち半導体装置２０を製造してから一定時間が経過した後、例えば反射用樹脂部２３と封止樹脂部２４との間から、半導体装置２０内部に空気中の酸素や硫化水素ガス等の腐食性ガスが浸透する場合がある。また、封止樹脂部２４として耐候性が良好なシリコーン樹脂を使用する場合には、ガスバリア性が劣るため、空気中の酸素や硫化水素ガス等の腐食性ガスが封止樹脂部２４内を浸透するおそれがある。腐食性ガスが半導体装置２０内に浸透すると、リードフレーム１０の本体部１１上に銀めっき層を形成していた場合には、この銀めっきが、腐食性ガスと反応して変色し、光の反射率が低下する。また、銀めっき層内には、発光により発生する熱によって母材の銅が拡散して、銀めっき層による光の反射率が低下するおそれがある。
【００６５】
これに対して本実施の形態によれば、リードフレーム１０上に、反射用樹脂部２３の反射用底部２３ｃが設けられている。このことにより、ＬＥＤ素子２１からの光を、当該反射用底部２３ｃによって反射させることができる。とりわけ、反射用樹脂部２３は、光の反射率が比較的高い銀めっきよりも高い反射率（反射用樹脂部２３を形成する樹脂の種類にもよるが、一般に、硫酸バリウムの反射率を１００％として全反射測定した場合、可視光領域において銀の反射率は９０％程度、反射用樹脂部２３の反射率は９０〜１０２％程度）を有しているため、ＬＥＤ素子２１を載置する載置部が銀により形成されている場合に比べて、光の反射率を向上させることができる。また、反射用樹脂部２３は、腐食性ガスによって変色しにくいため、光の反射率の低下を抑制することができる。さらに、反射用樹脂部２３として、耐熱性の優れた樹脂（例えば、ポリフタルアミド、液晶ポリマー、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂）を使用することにより、反射用樹脂部２３の熱劣化を抑制することができ、耐光性の優れた樹脂（例えば、フェニル基のような耐光性の低い官能基が少ないポリフェニレンサルファイドなどの樹脂）を使用することにより、反射用樹脂部２３の光劣化を抑制することができる。この結果、ＬＥＤ素子２１からの光を効率良く反射することができる。
【００６６】
また、本実施の形態によれば、ＬＥＤ素子２１からの光を、反射用樹脂部２３の反射用底部２３ｃによって反射させることができるため、リードフレーム１０の第１の部分２５および第２の部分２６に反射機能を持たせることは不要となる。ところで、リードフレーム１０のめっき層１２を銀めっきで構成した場合には、銀はイオンマイグレーションを起こしやすいため、リードフレーム１０のアウターリード部２８、２９の間（端子間）でショート（短絡）が起こりやすいという問題がある。また、銀と、反射用樹脂部２３を形成する樹脂とは接着性が劣るため、銀めっきと反射用樹脂部２３との間で界面剥離のおそれがあり、耐湿信頼性、耐熱信頼性といったパッケージ性能が低下するという問題もある。これに対して本実施の形態によれば、上述したように、ＬＥＤ素子２１からの光は、反射用樹脂部２３の反射用底部２３ｃによって反射させることができる。このことにより、めっき層１２として、光の反射機能を持たせるために高価でパッケージ性能が劣る銀めっきを施すことは不要となり、その代わりに、パッケージ性能に優れ、安価な層（例えば、ニッケル／パラジウム／金めっき層）を選択することができる。このため、パッケージ性能に優れ、かつ安価な半導体装置２０を得ることができる。
【００６７】
また、本実施の形態によれば、リードフレーム１０上に、反射用樹脂部２３の反射用底部２３ｃが設けられていることにより、リードフレーム１０と反射用樹脂部２３との接触面積を増大することができる。このため、リードフレーム１０と反射用樹脂部２３との接合強度を増大することができ、強固な半導体装置２０を得ることができる。
【００６８】
変形例
以下、本実施の形態によるリードフレームの各種変形例（変形例１〜変形例８）について、図８乃至図２０を参照して説明する。図８乃至図２０において、図１乃至図７に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。
【００６９】
（変形例１）
図８は、本実施の形態の一変形例（変形例１）による樹脂付リードフレーム４０および半導体装置２０を示している。図８に示す樹脂付リードフレーム４０において、図１乃至図７に示す実施の形態と異なり、リードフレーム１０の本体部１１の全面にめっき層１２は形成されることなく、リードフレーム１０のフレーム端子部１５の上面に、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層５１が設けられている。この反射用金属層５１は、フレーム端子部１５の上面から、横方向に延びるように形成されている。また、反射用金属層５１は、反射機能のほかに、ワイヤボンディング性を有することが望ましい。このような反射用金属層５１は、例えば、銀めっき層により構成することができる。また、反射用金属層５１の厚さは、１μｍ〜１０μｍとすることが望ましい。
【００７０】
第１の部分２５の下面および第２の部分２６の下面には、反射用金属層５１と同様の材料および厚みからなるアウター用金属層５２が設けられている。アウター用金属層５２は、対応する第１の部分２５の下面または第２の部分２６の下面から、横方向に延びるように形成されている。
【００７１】
図８に示す樹脂付リードフレーム４０の製造方法について、図９（ａ）−（ｇ）を用いて説明する。なお、このうち、図９（ａ）−（ｅ）に示す工程は、図６（ａ）−（ｅ）に示す工程と同様であるので、ここでは詳細な説明は省略する。
【００７２】
図９（ｆ）に示すように、エッチング用レジスト３２、３３を除去したリードフレーム１０に対して熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を射出成形またはトランスファ成形することにより、リードフレーム１０上に反射用樹脂部２３を形成する。これにより、反射用樹脂部２３とリードフレーム１０とを一体に形成することができる。またこのとき、射出成形またはトランスファ成形に使用する金型を適宜設計することにより、反射用樹脂部２３に樹脂凹部２３ａを形成するとともに、反射用底部２３ｃにおいて、フレーム端子部１５の上面が外方（上方）に露出するようにする。
【００７３】
その後、反射用樹脂部２３が設けられたリードフレーム１０のうち、反射用樹脂部２３から露出した部分に電解めっきを施す。すなわち、リードフレーム１０の各フレーム端子部１５の上面、第１の部分２５の下面および第２の部分２６の下面に、金属（例えば銀）を析出させて、反射用金属層５１およびアウター用金属層５２を形成する。反射用金属層５１およびアウター用金属層５２が銀めっきからなる場合、電解めっき用めっき液としては、シアン化銀およびシアン化カリウムを主成分とした銀めっき液を用いることができる。このようにして、図８に示すような樹脂付リードフレーム４０が得られる。なお、この場合、リードフレーム１０のフレーム端子部１５の上面、第１の部分２５の下面、第２の部分２６の下面および連結部２７の下面以外の面は、反射用樹脂部２３によって覆われているため、めっき用レジスト層の形成が不要となる。また、反射用樹脂部２３をレジストとしてめっきが施されるため、反射用金属層５１が、フレーム端子部１５の上面から横方向に延びるように形成され、アウター用金属層５２が、対応する第１の部分２５の下面または第２の部分２６の下面から横方向に延びるように形成される。
【００７４】
この変形例１によれば、露出したフレーム端子部１５の上面においても、反射用金属層５１によって、ＬＥＤ素子２１からの光を反射させることができる。このため、ＬＥＤ素子２１からの光を効率良く反射することができる。
【００７５】
また、変形例１によれば、リードフレーム１０の反射用樹脂部２３に接する面（リードフレーム１０のフレーム端子部１５の上面、第１の部分２５の下面、第２の部分２６の下面、連結部２７の下面以外の面）に、反射用樹脂部２３を形成する樹脂との接着性が劣る銀めっき層が形成されていない。このことにより、リードフレーム１０の本体部１１と反射用樹脂部２３とは、銀めっき層を介在させることなく接合される。このため、本体部１１が銅または銅合金からなる場合、銅は銀などと異なり、樹脂中の多くの官能基と配位結合が可能であることから、銅と反射用樹脂部２３とは一般に接着性が良好となり、リードフレーム１０と反射用樹脂部２３との接合強度を増大させることができる。この場合、樹脂との接着性を向上させるために、リードフレーム１０の反射用樹脂部２３に接する面に、例えば、カップリング剤処理や、下地めっきを行っても良い。さらに、反射用金属層５１は、フレーム端子部１５の上面から横方向に延びるように形成されているため、アンカー効果によってリードフレーム１０と反射用樹脂部２３との接合強度を増大させることができる。
【００７６】
なお、変形例１において、リードフレーム１０の反射用樹脂部２３に接する面が、粗面化されていても良い。このことにより、リードフレーム１０と反射用樹脂部２３との接合強度を増大させることができる。この場合、リードフレーム１０の反射用樹脂部２３に接する面の表面粗さは、最大高さ粗さＲｙ（ＪＩＳＢ０６０１−１９９４）で、０．１μｍ〜１０μｍの範囲（２００μｍ長さ）であることが好ましい。
【００７７】
リードフレーム１０の反射用樹脂部２３に接する面を粗面化する場合、エッチング後のリードフレーム１０（図９（ｅ）参照）に対して、リードフレーム１０の本体部１１の全面を粗面化する。この場合、例えば過酸化水素溶液などの薬液を用いて粗面化してもよく、あるいは、本体部１１の全面にニッケル粗化めっきを施して粗面化してもよい。続いて、粗面化されたリードフレーム１０上に反射用樹脂部２３を形成する（図９（ｆ）参照）。次に、フレーム端子部１５の上面、第１の部分２５の下面および第２の部分２６の下面を、平坦化する。この場合、金型をこれらの面に押し当てて平坦化してもよく、または、これらの面を、反射用樹脂部２３をマスクとして、過硫酸などで微量にエッチングして平坦化してもよい。その後、反射用金属層５１およびアウター用金属層５２を形成し（図９（ｇ）参照）、リードフレーム１０の反射用樹脂部２３に接する面が粗面化された樹脂付リードフレーム４０が得られる。
【００７８】
（変形例２）
図１０は、本実施の形態の一変形例（変形例２）による樹脂付リードフレーム４０および半導体装置２０を示している。変形例２においては、リードフレーム１０が、上方に突出してＬＥＤ素子２１を載置するフレーム載置部５３を有している。このフレーム載置部５３の上面（より正確には、フレーム載置部５３上のめっき層１２の上面）は、反射用樹脂部２３の反射用底部２３ｃから露出している。また、ＬＥＤ素子２１は、はんだまたはダイボンディングペーストにより、フレーム載置部５３に固定されている。このようなフレーム載置部５３は、図６に示すフレーム端子部１５と同様にして形成することができる。
【００７９】
この変形例２によれば、ＬＥＤ素子２１から発生した熱を、フレーム載置部５３を通して放熱させることができる。
【００８０】
（変形例３）
図１１は、本実施の形態の一変形例（変形例３）による樹脂付リードフレーム４０および半導体装置２０を示している。変形例３は、変形例１と変形例２とを組み合わせたものとなっている。
【００８１】
すなわち、変形例３においては、リードフレーム１０が、上方に突出してＬＥＤ素子２１を載置するフレーム載置部５３を有している。また、変形例３においては、リードフレーム１０の本体部１１にめっき層１２は形成されることなく、リードフレーム１０のフレーム端子部１５の上面に、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層５１が設けられ、フレーム載置部５３の上面に、反射用金属層５１と同様な第２の反射用金属層５４が設けられている。反射用金属層５１は、フレーム端子部１５の上面から、横方向に延びるように形成され、第２の反射用金属層５４は、フレーム載置部５３の上面から、横方向に延びるように形成されている。また、ＬＥＤ素子２１は、はんだまたはダイボンディングペーストにより、フレーム載置部５３に固定されている。
【００８２】
反射用金属層５１は、反射機能のほかに、ワイヤボンディング性を有することが望ましく、第２の反射用金属層５４は、反射機能のほかに、ダイボンディング性を有することが望ましい。このような反射用金属層５１および第２の反射用金属層５４は、銀めっき層により構成することが好ましい。また、反射用金属層５１の厚さおよび第２の反射用金属層５４の厚さは、１μｍ〜１０μｍとすることが望ましい。
【００８３】
また、変形例１と同様に、第１の部分２５の下面および第２の部分２６の下面には、反射用金属層５１および第２の反射用金属層５４と同様の材料および厚みからなるアウター用金属層５２が設けられている。
【００８４】
図１１に示すフレーム載置部５３は、図６に示すフレーム端子部１５と同様にして形成することができ、反射用金属層５１、第２の反射用金属層５４およびアウター用金属層５２は、図９に示す変形例１と同様にして、これらの層を同時に形成することができる。
【００８５】
この変形例３によれば、露出したフレーム端子部１５の上面およびフレーム載置部５３の上面においても、反射用金属層５１および第２の反射用金属層５４によって、ＬＥＤ素子２１からの光を反射させることができ、半導体装置２０としての光の反射率を向上させることができる。
【００８６】
また、変形例３によれば、変形例１と同様に、リードフレーム１０の反射用樹脂部２３に接する面に、反射用樹脂部２３を形成する樹脂との接着性が劣る銀めっき層が形成されていないため、リードフレーム１０の本体部１１が銅または銅合金からなる場合、リードフレーム１０と反射用樹脂部２３との接合強度を増大させることができる。さらに、各反射用金属層５１、５４によるアンカー効果によって、リードフレーム１０と反射用樹脂部２３との接合強度を増大させることができる。
【００８７】
また、変形例３によれば、ＬＥＤ素子２１から発生した熱を、フレーム載置部５３を通して放熱させることができる。
【００８８】
なお、変形例３において、変形例１と同様に、リードフレーム１０の反射用樹脂部２３に接する面が、粗面化されていても良い。このことにより、リードフレーム１０と反射用樹脂部２３との接合強度を増大させることができる。
【００８９】
（変形例４）
図１２は、本実施の形態の一変形例（変形例４）による樹脂付リードフレーム４０および半導体装置２０を示している。変形例４においては、リードフレーム１０の各連結部２７の下面が、第１の部分２５の下面および第２の部分２６の下面より上方に位置している。また、各連結部２７の上面は、第１の部分２５の上面および第２の部分２６の上面より上方に位置している。そして、連結部２７の下方に、反射用樹脂部２３が回り込むように形成されている。このような連結部２７は、リードフレーム１０のエッチング時に、金属基板３１の連結部２７に対応する部分の裏面側にエッチング用レジスト層３３の開口部を形成してハーフエッチングすることにより、形成することができる（図６（ｃ）参照）。
【００９０】
この変形例４によれば、リードフレーム１０の連結部２７の下方に反射用樹脂部２３が形成されているため、リードフレーム１０と反射用樹脂部２３との接合強度を増大させることができる。
【００９１】
ところで、変形例４を含む本実施の形態による半導体装置２０は、図１３に示すように、ＬＥＤ電球等からなる照明装置８０に組み込まれて使用される。図１３において、符号８１、８２は、それぞれ照明装置８０の照明基板およびカバーを示している。照明装置８０の照明基板８１上には、本実施の形態による半導体装置２０が複数個（図１３では３個）取り付けられている。より具体的には、図１４に示すように、半導体装置２０の第１アウターリード部２８および第２アウターリード部２９は、半田接続部８４を介して、照明基板８１上に設けられた外部の電極８３に接続され、半導体装置２０が、照明基板８１上に取り付けられている。また、カバー８２は、照明基板８１上においてこれら半導体装置２０を覆うように設けられている。
【００９２】
照明装置８０を点灯した場合、各半導体装置２０のＬＥＤ素子２１が発光し、ＬＥＤ素子２１からの光は、カバー８２を通過して外方に照射される。このとき、ＬＥＤ素子２１からの光は、主としてＬＥＤ素子２１から（何にも反射することなく）直接カバー８２を通過して外方に照射される（符号Ｌ１）。他方、ＬＥＤ素子２１からの光の一部は、カバー８２内部で反射した後、照明基板８１で反射したり（符号Ｌ２）、半導体装置２０と照明基板８１とを接続している半田接続部８４（図１４参照）で反射したりする（符号Ｌ３）。とりわけ、半田は光の反射率が低いため、半田接続部８４が半導体装置２０から外方に突出するように形成されている場合には、多くの光が半田接続部８４で反射するようになり、照明装置８０の光の取り出し効率が低下するおそれがある。
【００９３】
これに対して変形例４によれば、リードフレーム１０の第１の部分２５または第２の部分２６の外側に連結された連結部２７の下面が、第１の部分２５の下面および第２の部分２６の下面より上方に位置し、連結部２７の下方に反射用樹脂部２３が形成されている。このことにより、図１５に示すように、半田接続部８４を形成するための半田が、その濡れ性により、第１の部分２５の下面および第２の部分２６の下面において、連結部２７の下方まで延びることを防止し、半田接続部８４が、半導体装置２０の外方に突出することを防止できる。このため、ＬＥＤ素子２１からの光が、半田接続部８４で反射することを抑制することができ、照明装置８０の光の取り出し効率を向上させることができる。
【００９４】
（変形例５）
図１５および図１６は、本実施の形態の一変形例（変形例５）による樹脂付リードフレーム４０および半導体装置２０を示している。変形例５は、ボンディングワイヤ２２が一本の例を示しており、リードフレーム１０の第１の部分２５に設けられたフレーム端子部１５に、ＬＥＤ素子２１が載置され、第２の部分２６に設けられたフレーム端子部１５に、ボンディングワイヤ２２が接続されており、第１の部分２５側のフレーム端子部１５が、フレーム載置部５３（図１０参照）を兼用している。この場合、ＬＥＤ素子２１は、はんだまたはダイボンディングペーストにより、第１の部分２５側のフレーム端子部１５に固定されている。なお、図１６（後述する図１８および図１９も同様）においては、図面を明瞭にするために、封止樹脂部２４は省略している。
【００９５】
（変形例６）
図１７および図１８は、本実施の形態の一変形例（変形例６）による樹脂付リードフレーム４０および半導体装置２０を示している。変形例６は、フリップチップ方式の樹脂付リードフレーム４０および半導体装置２０を示している。すなわち、ＬＥＤ素子２１は、リードフレーム１０の第１の部分２５と第２の部分２６とに跨って載置されており、各フレーム端子部１５が、フレーム載置部５３（図８参照）を兼用している。この場合、ＬＥＤ素子２１は、はんだボールにより、各フレーム端子部１５に固定されている。
【００９６】
（変形例７）
図１９は、本実施の形態の一変形例（変形例７）による樹脂付リードフレーム４０および半導体装置２０を示している。変形例７は、ＬＥＤ素子２１と共に、静電破壊素子５５が搭載された樹脂付リードフレーム４０および半導体装置２０を示している。すなわち、リードフレーム１０は、本実施の形態によるフレーム端子部１５と同様な、静電破壊素子５５用のフレーム端子部５６を更に有し、当該フレーム端子部５６が、静電破壊素子５５を載置するためのフレーム載置部を兼用している。この場合、静電破壊素子５５は、はんだまたはダイボンディングペーストにより、第１の部分２５側の対応するフレーム端子部５６に固定されている。また、静電破壊素子５５は、ボンディングワイヤ５７によって、第２の部分２６側の対応するフレーム端子部５６に接続されている。
【００９７】
（変形例８）
図２０は、本実施の形態の一変形例（変形例８）による樹脂付リードフレーム４０および半導体装置２０を示している。変形例８においては、反射用樹脂部２３は、反射用側壁２３ｄを有しておらず、樹脂凹部２３ａが形成されていない。この場合、反射用樹脂部２３は、リードフレーム１０上において平坦状に形成され、反射用底部２３ｃの樹脂載置部２３ｂ上に載置されるＬＥＤ素子２１とボンディングワイヤ２２は、反射用樹脂部２３上で平坦状に形成された封止樹脂部２４により覆われる。
【００９８】
以上、本発明の実施の形態について詳細に説明してきたが、本発明による樹脂付リードフレーム、半導体装置、照明装置、樹脂付リードフレームの製造方法および半導体装置の製造方法は、上記実施の形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
【符号の説明】
【００９９】
１０ リードフレーム
１１ 本体部
１２ めっき層
１５ フレーム端子部
２０ 半導体装置
２１ ＬＥＤ素子
２２ ボンディングワイヤ
２３ 反射用樹脂部
２３ａ 樹脂凹部
２３ｂ 樹脂載置部
２３ｃ 反射用底部
２３ｄ 反射用側壁
２４ 封止樹脂部
２５ 第１の部分
２６ 第２の部分
２７ 連結部
３１ 金属基板
４０ 樹脂付リードフレーム
５１ 反射用金属層
５３ フレーム載置部
５４ 第２の反射用金属層
８０ 照明装置
８１ 照明基板
８２ カバー
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を載置する樹脂付リードフレーム、この樹脂付リードフレームを有する半導体装置、この半導体装置を有する照明装置、樹脂付リードフレームの製造方法および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ＬＥＤ（発光ダイオード）素子を光源として用いる照明装置が、各種家電、ＯＡ機器、車両機器の表示灯、一般照明、車載照明、およびディスプレイ等に用いられている。このような照明装置の中には、ＬＥＤ素子を有する半導体装置を含むものがある。
【０００３】
また、半導体チップを搭載する薄型の半導体装置（パッケージ）としては、例えばＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded package）タイプのものやＳＯＮ（Small Outline Non-leaded Package）タイプ等、下面実装型のパッケージが知られている。
【０００４】
このような下面実装型のパッケージとして、例えば特許文献１により、リードフレーム上に貫通孔を有するリフレクタ部材が設けられ、リフレクタ部材の貫通孔内においてリードフレーム上に光半導体素子が搭載されて、リフレクタ部材の内部に封止樹脂が封止されている光半導体素子用パッケージが知られている。このうち、リードフレームの表面には、光の反射率を高くするために、Ａｇ（銀）めっきが施されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−６６０２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、光半導体素子としてＬＥＤ、とりわけ高輝度ＬＥＤを用いる場合、光半導体素子を封止する封止樹脂が強い光にさらされる。このため近年、封止樹脂に対して耐候性が要求されるようになってきており、このような封止樹脂としてシリコーン樹脂を使用する要求が高まっている。しかしながら、シリコーン樹脂を用いた場合、ガスバリア性が劣る傾向があるため、光半導体素子用パッケージ内部のＡｇめっきにまで空気中の酸素や硫化水素ガス等の腐食性ガスが浸透してしまう。そして、Ａｇは容易に硫化水素ガスなどと反応するため、硫化銀などの生成物が形成され、Ａｇめっきが変色する場合がある。また、発光により発生する熱によって、Ａｇめっき内に母材の銅が拡散し、Ａｇめっきによる光の反射率が低下する場合がある。この結果、Ａｇめっきの反射率を可視領域全域において著しく低下させるという問題が生じている。
【０００７】
本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、ＬＥＤ素子からの光を効率良く反射することができる樹脂付リードフレーム、半導体装置、照明装置、樹脂付リードフレームの製造方法および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、ＬＥＤ素子を載置する樹脂付リードフレームにおいて、上方に突出してＬＥＤ素子に接続されるフレーム端子部を有するリードフレームと、リードフレーム上に設けられ、リードフレームのフレーム端子部の上面を露出させ、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射用樹脂部と、を備えたことを特徴とする樹脂付リードフレームである。
【０００９】
本発明は、リードフレームのフレーム端子部の上面に、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層が設けられていることを特徴とする樹脂付リードフレームである。
【００１０】
本発明は、反射用樹脂部は、ＬＥＤ素子を載置する樹脂載置部を有していることを特徴とする樹脂付リードフレームである。
【００１１】
本発明は、リードフレームは、上方に突出してＬＥＤ素子を載置するフレーム載置部を更に有し、リードフレームのフレーム載置部の上面は、反射用樹脂部から露出していることを特徴とする樹脂付リードフレームである。
【００１２】
本発明は、リードフレームのフレーム載置部の上面に、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する第２の反射用金属層が設けられていることを特徴とする樹脂付リードフレームである。
【００１３】
本発明は、リードフレームの反射用樹脂部に接する面は、粗面化されていることを特徴とする樹脂付リードフレームである。
【００１４】
本発明は、反射用樹脂部は、リードフレームのフレーム端子部の周囲に設けられ、上方に延びる反射用側壁を有していることを特徴とする樹脂付リードフレームである。
【００１５】
本発明は、リードフレームは、第１の部分と、第１の部分に離間した第２の部分とを有し、リードフレームのフレーム端子部は、第１の部分および第２の部分にそれぞれ設けられており、第１の部分の外側および第２の部分の外側に、連結部がそれぞれ連結され、各連結部の下面は、第１の部分の下面および第２の部分の下面より上方に位置していることを特徴とする樹脂付リードフレームである。
【００１６】
本発明は、上述した樹脂付リードフレームと、樹脂付リードフレームに載置され、リードフレームのフレーム端子部に接続されたＬＥＤ素子と、を備えたことを特徴とする半導体装置である。
【００１７】
本発明は、照明基板と、照明基板上に配置された上述した半導体装置と、照明基板上に設けられ、半導体装置を覆うカバーと、を備えたことを特徴とする照明装置である。
【００１８】
本発明は、ＬＥＤ素子を載置する樹脂付リードフレームの製造方法において、金属基板を準備する工程と、金属基板から、上方に突出してＬＥＤ素子に接続されるフレーム端子部を有するリードフレームを形成する工程と、リードフレーム上に、リードフレームのフレーム端子部の上面を露出させるように、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射用樹脂部を設ける工程と、を備えたことを特徴とする樹脂付リードフレームの製造方法である。
【００１９】
本発明は、反射用樹脂部が設けられたリードフレームのフレーム端子部の上面に、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層を形成する工程を更に備えたことを特徴とする樹脂付リードフレームの製造方法である。
【００２０】
本発明は、リードフレームを形成する工程において、上方に突出してＬＥＤ素子を載置するフレーム載置部を更に有するように、リードフレームが形成され、反射用樹脂部を設ける工程において、反射用樹脂部は、リードフレームのフレーム載置部の上面を露出させることを特徴とする樹脂付リードフレームの製造方法である。
【００２１】
本発明は、リードフレームのフレーム載置部の上面に、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する第２の反射用金属層を形成する工程を更に備えたことを特徴とする樹脂付リードフレームの製造方法である。
【００２２】
本発明は、リードフレームの反射用樹脂部に接する面を粗面化する工程を更に備えたことを特徴とする樹脂付リードフレームの製造方法である。
【００２３】
本発明は、上述した樹脂付リードフレームの製造方法により樹脂付リードフレームを準備する工程と、半導体リードフレームにＬＥＤ素子を載置する工程と、載置されたＬＥＤ素子をリードフレームのフレーム端子部に接続する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、リードフレーム上にＬＥＤ素子からの光を反射するための反射用樹脂部が設けられていることにより、ＬＥＤ素子からの光を効率良く反射することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の一実施の形態による樹脂付リードフレームを示す断面図。
【図２】本発明の一実施の形態によるリードフレームを示す全体平面図。
【図３】本発明の一実施の形態によるリードフレームを示す部分拡大平面図（図２のII部拡大図）。
【図４】本発明の一実施の形態による半導体装置を示す断面図。
【図５】本発明の一実施の形態による半導体装置を示す平面図。
【図６】本発明の一実施の形態による樹脂付リードフレームの製造方法を示す図。
【図７】本発明の一実施の形態による半導体装置の製造方法を示す図。
【図８】樹脂付リードフレームおよび半導体装置の変形例（変形例１）を示す断面図。
【図９】変形例１による樹脂付リードフレームの製造方法を示す図。
【図１０】樹脂付リードフレームおよび半導体装置の変形例（変形例２）を示す断面図。
【図１１】樹脂付リードフレームおよび半導体装置の変形例（変形例３）を示す断面図。
【図１２】樹脂付リードフレームおよび半導体装置の変形例（変形例４）を示す断面図。
【図１３】照明装置を示す概略図。
【図１４】照明装置を示す部分断面図。
【図１５】樹脂付リードフレームおよび半導体装置の変形例（変形例５）を示す断面図。
【図１６】変形例５による半導体装置を示す平面図。
【図１７】樹脂付リードフレームおよび半導体装置の変形例（変形例６）を示す断面図。
【図１８】変形例６による半導体装置を示す平面図。
【図１９】樹脂付リードフレームおよび半導体装置の変形例（変形例７）を示す平面図。
【図２０】樹脂付リードフレームおよび半導体装置の変形例（変形例８）を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の一実施の形態について、図１乃至図７を参照して説明する。また、本明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。
【００２７】
樹脂付リードフレームの構成
まず、図１により、樹脂付リードフレーム４０について説明する。ここで、樹脂付リードフレーム４０は、ＬＥＤ素子２１（図４参照）を載置するために用いられるものであり、図1に示すように、リードフレーム１０と、リードフレーム１０上に設けられ、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射用樹脂部（外側樹脂部）２３と、を備えている。
【００２８】
このうち、リードフレーム１０は、本体部１１と、本体部１１の周囲（全面）に形成されためっき層１２とを備えている。
【００２９】
本体部１１は、銅または銅合金からなっている。後述するフレーム端子部１５を含む本体部１１の厚みは、半導体装置２０の構成にもよるが、０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍとすることができる。
【００３０】
なお、本体部１１の厚みは、例えば０．０５ｍｍを下回ると、リードフレーム１０自体の強度が充分ではなくなってしまう。またＬＥＤ素子２１から発生する熱をリードフレーム１０の平面方向に充分に逃がすことが出来なくなってしまう。他方、本体部１１の厚みが０．５ｍｍを上回ると、エッチングやプレス加工の設計自由度が低下してしまう。また、半導体装置２０が厚くかつ重くなってしまう。
【００３１】
めっき層１２は、本体部１１の全面を覆うように形成されている。このことにより、リードフレーム１０の製造工程におけるめっき工程の効率化を図っている。また、めっき層１２は、反射機能を有する必要はないが、ワイヤボンディング性およびはんだ接合性を有することが望ましい。めっき層１２の材料としては、一般的に半導体用リードフレームで使用される材料、例えばニッケル／パラジウム／金のめっき層を挙げることができる。この場合、めっき層１２のめっき厚は、ニッケル０．１μｍ〜１μｍ／パラジウム０．０１μｍ〜０．５μｍ／金０．００１μｍ〜０．１μｍとされることが望ましい。なお、後述する図２および図３においては、図面を明瞭にするために、めっき層１２を省略している。
【００３２】
次に、リードフレーム１０の平面形状について説明する。図２および図３に示すように、リードフレーム１０の本体部１１は、枠体１３と、枠体１３内に多面付けで（多列および多段に、マトリックス状に）配置された複数の単位リードフレーム１４と、を有している。各単位リードフレーム１４は、それぞれ個々の半導体装置２０に対応するものである。
【００３３】
図１および図３に示すように、各単位リードフレーム１４は、第１の部分（ダイパッド）２５と、第１の部分２５から離間した第２の部分（リード部）２６と、を有している。なお、図３において、二点鎖線で囲まれた領域が、単位リードフレーム１４に相当する。このように、リードフレーム１０が複数の単位リードフレーム１４を有することにより、半導体装置２０の製造コストを低減するとともに、組立効率を高めている。そして、第１の部分２５および第２の部分２６に、上方に突出してＬＥＤ素子２１に接続されるフレーム端子部１５がそれぞれ設けられている。
【００３４】
また、第１の部分２５の外側および第２の部分２６の外側に、連結部２７がそれぞれ連結されている。各連結部２７は、載置されるＬＥＤ素子２１から離れる方向（単位リードフレーム１４における外側）に延びるように形成されている。すなわち、図３に示すように、各単位リードフレーム１４内の第１の部分２５は、隣接する他の単位リードフレーム１４内の第１の部分２５および第２の部分２６と、それぞれ連結部２７によって連結されている。同様に、各単位リードフレーム１４内の第２の部分２６は、隣接する他の単位リードフレーム１４内の第１の部分２５および第２の部分２６と、それぞれ連結部２７によって連結されている。なお、本実施の形態においては、各連結部２７の下面は、第１の部分２５の下面および第２の部分２６の下面と同一平面上に位置し、各連結部２７の上面は、第１の部分２５の上面および第２の部分２６の上面と同一平面上に位置している。
【００３５】
第１の部分２５の下面は、第１のアウターリード部２８を構成し、第２の部分２６の下面は、第２のアウターリード部２９を構成している。第１のアウターリード部２８および第２のアウターリード部２９（より正確には、第１の部分２５の下面および第２の部分２６の下面に形成されためっき層１２の下面）は、それぞれ反射用樹脂部２３から外方に露出し、外部の電極８３（図１４参照）に接続されるようになっている。
【００３６】
反射用樹脂部２３は、リードフレーム１０のフレーム端子部１５の上面を露出させるようになっている。すなわち、反射用樹脂部２３は、ＬＥＤ素子２１を載置する樹脂載置部２３ｂを含む反射用底部２３ｃと、反射用底部２３ｃ上に設けられ、上方に延びる反射用側壁２３ｄと、を有している。このうち反射用底部２３ｃにおいて、リードフレーム１０の各フレーム端子部１５の上面（より正確には、フレーム端子部１５上のめっき層１２の上面）が露出されるようになっている。すなわち、各フレーム端子部１５の上面は、反射用樹脂部２３によって覆われていない。また、反射用側壁２３ｄは、上面が露出した各フレーム端子部１５の周囲に設けられて、ＬＥＤ素子２１を取り囲むように形成されている。これら反射用底部２３ｃと反射用側壁２３ｄとにより、ＬＥＤ素子２１を収容する樹脂凹部２３ａが形成され、ＬＥＤ素子２１からの光を、反射用底部２３ｃと反射用側壁２３ｄとにより反射するようになっている。また、反射用樹脂部２３は、リードフレーム１０の第１の部分２５と第２の部分２６との間にも充填されており、第１の部分２５と第２の部分２６とは互いに電気的に絶縁されている。このような反射用樹脂部２３は、リードフレーム１０と一体化されている。
【００３７】
反射用樹脂部２３は、例えばリードフレーム１０上に熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂を射出成形またはトランスファ成形することにより形成されたものである。反射用樹脂部２３の形状は、射出成形またはトランスファ成形に使用する金型の設計により、様々に実現することが可能である。例えば、反射用樹脂部２３の全体形状を直方体、円筒形および錐形等の形状とすることが可能である。樹脂凹部２３ａの底面は、円形、楕円形または多角形等とすることができる。樹脂凹部２３ａの側壁の断面形状は、図１のように直線から構成されていても良いし、あるいは曲線から構成されていてもよい。
【００３８】
反射用樹脂部２３に使用される熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂については、特に耐熱性、耐候性および機械的強度の優れたものを選ぶことが望ましい。熱可塑性樹脂の種類としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリブチレンテレフタレート、ポリエーテルイミド等、熱硬化性樹脂の種類としてはシリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、およびポリウレタン等、を使用することができる。さらにまた、これらの樹脂中に光反射剤として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウムおよび窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、反射用底部２３ｃおよび反射用側壁２３ｄにおいて、ＬＥＤ素子２１からの光の反射率を増大させ、半導体装置２０全体の光取り出し効率を増大させることが可能となる。
【００３９】
半導体装置の構成
次に、図４および図５により、図１に示す樹脂付リードフレーム４０を用いた半導体装置の一実施の形態について説明する。本実施の形態による半導体装置２０は、ＬＥＤ電球等からなる後述の照明装置８０（図１３参照）に組み込まれて使用されるものである。
【００４０】
図４および図５に示すように、半導体装置２０は、樹脂付リードフレーム４０と、樹脂付リードフレーム４０の反射用樹脂部２３の樹脂載置部２３ｂに載置されたＬＥＤ素子２１と、リードフレーム１０の各フレーム端子部１５とＬＥＤ素子２１とを電気的に接続するボンディングワイヤ（導電部）２２とを備えている。ＬＥＤ素子２１とボンディングワイヤ２２とは、透光性の封止樹脂部２４によって封止されている。封止樹脂部２４は、反射用樹脂部２３の樹脂凹部２３ａ内に充填されている。なお、図５においては、図面を明瞭にするために、封止樹脂部２４は省略している。
【００４１】
以下、このような半導体装置２０を構成する各構成部材について、順次説明する。
【００４２】
ＬＥＤ素子２１としては、従来一般に用いられている各種ＬＥＤ素子を使用することが可能である。ＬＥＤ素子２１は、発光層として例えばＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ、またはＩｎＧａＮ等の化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。
【００４３】
ＬＥＤ素子２１は、素子端子部２１ａを有している。また、ＬＥＤ素子２１は、接着剤（一例として、銀ペースト、エポキシダイボンド剤、シリコーンダイボンド剤）により、反射用樹脂部２３の反射用底部２３ｃ上に固定されている。
【００４４】
ボンディングワイヤ２２は、例えば金または銅等の導電性の良い材料からなり、その一端がＬＥＤ素子２１の素子端子部２１ａに接続されるとともに、その他端がリードフレーム１０のフレーム端子部１５に接続されている。
【００４５】
封止樹脂部２４としては、光の取り出し効率を向上させるために、半導体装置２０の発光波長において光透過率が高く、また屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。したがって耐熱性、耐候性、及び機械的強度が高い特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂を選択することが可能である。特に、ＬＥＤ素子２１として高輝度ＬＥＤを用いる場合、封止樹脂部２４が強い光と熱にさらされるため、封止樹脂部２４は高い耐候性を有するシリコーン樹脂（シロキサン結合を有する高分子）からなることが好ましい。
【００４６】
樹脂付リードフレームの製造方法
次に、図１に示す樹脂付リードフレーム４０の製造方法について、図６（ａ）−（ｇ）を用いて説明する。
【００４７】
まず図６（ａ）に示すように、平板状の金属基板３１（加工前の本体部１１）を準備する。この金属基板３１は、銅または銅合金からなっている。なお金属基板３１は、その両面に対して脱脂等を行い、洗浄処理を施したものを使用することが好ましい。
【００４８】
次に、金属基板３１の表裏にそれぞれ感光性レジスト３２ａ、３３ａを塗布し、乾燥させる（図６（ｂ））。なお感光性レジスト３２ａ、３３ａとしては、従来公知のものを使用することができる。
【００４９】
次いで、感光性レジスト３２ａ、３３ａを所望のフォトマスクを介して露光した後、現像することにより、所望の開口部３２ｂ、３３ｂを有するエッチング用レジスト層３２、３３を形成する（図６（ｃ））。
【００５０】
具体的には、金属基板３１の表面側において、貫通エッチングを行う部分と、ハーフエッチングを行う部分（フレーム端子部１５以外の部分）に、開口部３２ｂを形成する。同様に、金属基板３１の裏面側において、貫通エッチングを行う部分に、開口部３３ｂを形成する。
【００５１】
次に、エッチング用レジスト層３２、３３を耐腐蝕膜として金属基板３１に腐蝕液でエッチングを施す（図６（ｄ））。腐蝕液としては、例えば塩化第二鉄水溶液を使用することができ、金属基板３１の両面からスプレーエッチングにて行うことができる。
【００５２】
次いで、エッチング用レジスト層３２、３３を剥離して除去する（図６（ｅ））。
【００５３】
このように、金属基板３１にエッチングを施すことにより、各々がフレーム端子部１５を含む複数の第１の部分２５および第２の部分２６有するリードフレーム１０（多面付リードフレーム）（図２および図３参照）が形成される。
【００５４】
その後、形成されたリードフレーム１０の本体部１１の周囲に電解めっきを施す。これにより本体部１１上に金属（例えばニッケル／パラジウム／金）を析出させて、本体部１１の全面にめっき層１２を形成する（図６（ｆ））。ニッケルめっきの電解めっき用めっき液としては、スルファミン酸ニッケルを主成分としたニッケルめっき液を用いることができる。また、パラジウムめっきの電解めっき用めっき液としては、塩化パラジウムを主成分としたパラジウムめっき液を、金めっきの電解めっき用めっき液としては、シアン化金を主成分とした金めっき液を用いることができる。このようにして、図１に示すようなリードフレーム１０が得られる。
【００５５】
そして、リードフレーム１０に対して熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を射出成形またはトランスファ成形することにより、リードフレーム１０上に反射用樹脂部２３を形成する（図６（ｇ））。これにより、反射用樹脂部２３とリードフレーム１０とが一体に形成された、図１に示す樹脂付リードフレーム４０を得ることができる。またこのとき、射出成形またはトランスファ成形に使用する金型を適宜設計することにより、反射用樹脂部２３に樹脂凹部２３ａを形成するとともに、反射用底部２３ｃにおいて、リードフレーム１０のフレーム端子部１５の上面が外方（上方）に露出するようにする。
【００５６】
半導体装置の製造方法
次に、図４および図５に示す半導体装置２０の製造方法について、図７（ａ）−（ｅ）により説明する。
【００５７】
まず、上述した工程により（図６（ａ）−（ｇ））、フレーム端子部１５を含むリードフレーム１０を有する樹脂付リードフレーム４０を準備する。
【００５８】
次に、反射用樹脂部２３の樹脂載置部２３ｂ上に、ＬＥＤ素子２１を搭載する。この場合、接着剤を用いて、ＬＥＤ素子２１を樹脂載置部２３ｂ上に載置して固定する（図７（ａ））。
【００５９】
次に、ＬＥＤ素子２１の素子端子部２１ａと、リードフレーム１０のフレーム端子部１５とを、ボンディングワイヤ２２によって互いに電気的に接続する（ワイヤボンディング工程）（図７（ｂ））。
【００６０】
その後、反射用樹脂部２３の樹脂凹部２３ａ内に封止樹脂部２４を形成し、封止樹脂部２４によりリードフレーム１０のフレーム端子部１５、ＬＥＤ素子２１、およびボンディングワイヤ２２を封止する（図７（ｃ））。
【００６１】
次に、各ＬＥＤ素子２１間の反射用樹脂部２３および連結部２７をダイシングすることにより、リードフレーム１０を各半導体装置２０毎に分離する（図７（ｄ））。この際、まずリードフレーム１０をダイシングテープ３７上に載置して固定し、その後、例えばダイヤモンド砥石からなるブレード３８を回転させながら、図７（ｄ）の紙面に対して垂直な方向に移動させることにより、各ＬＥＤ素子２１間の反射用樹脂部２３および連結部２７を切断する。なお図７（ｄ）において、ダイシングに限らず、プレスにより各半導体装置２０を個片化しても良い。
【００６２】
このようにして、図４および図５に示す半導体装置２０が得られる（図７（ｅ））。
【００６３】
本実施の形態の作用効果
次にこのような構成からなる本実施の形態の作用効果について説明する。
【００６４】
すなわち半導体装置２０を製造してから一定時間が経過した後、例えば反射用樹脂部２３と封止樹脂部２４との間から、半導体装置２０内部に空気中の酸素や硫化水素ガス等の腐食性ガスが浸透する場合がある。また、封止樹脂部２４として耐候性が良好なシリコーン樹脂を使用する場合には、ガスバリア性が劣るため、空気中の酸素や硫化水素ガス等の腐食性ガスが封止樹脂部２４内を浸透するおそれがある。腐食性ガスが半導体装置２０内に浸透すると、リードフレーム１０の本体部１１上に銀めっき層を形成していた場合には、この銀めっきが、腐食性ガスと反応して変色し、光の反射率が低下する。また、銀めっき層内には、発光により発生する熱によって母材の銅が拡散して、銀めっき層による光の反射率が低下するおそれがある。
【００６５】
これに対して本実施の形態によれば、リードフレーム１０上に、反射用樹脂部２３の反射用底部２３ｃが設けられている。このことにより、ＬＥＤ素子２１からの光を、当該反射用底部２３ｃによって反射させることができる。とりわけ、反射用樹脂部２３は、光の反射率が比較的高い銀めっきよりも高い反射率（反射用樹脂部２３を形成する樹脂の種類にもよるが、一般に、硫酸バリウムの反射率を１００％として全反射測定した場合、可視光領域において銀の反射率は９０％程度、反射用樹脂部２３の反射率は９０〜１０２％程度）を有しているため、ＬＥＤ素子２１を載置する載置部が銀により形成されている場合に比べて、光の反射率を向上させることができる。また、反射用樹脂部２３は、腐食性ガスによって変色しにくいため、光の反射率の低下を抑制することができる。さらに、反射用樹脂部２３として、耐熱性の優れた樹脂（例えば、ポリフタルアミド、液晶ポリマー、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂）を使用することにより、反射用樹脂部２３の熱劣化を抑制することができ、耐光性の優れた樹脂（例えば、フェニル基のような耐光性の低い官能基が少ないポリフェニレンサルファイドなどの樹脂）を使用することにより、反射用樹脂部２３の光劣化を抑制することができる。この結果、ＬＥＤ素子２１からの光を効率良く反射することができる。
【００６６】
また、本実施の形態によれば、ＬＥＤ素子２１からの光を、反射用樹脂部２３の反射用底部２３ｃによって反射させることができるため、リードフレーム１０の第１の部分２５および第２の部分２６に反射機能を持たせることは不要となる。ところで、リードフレーム１０のめっき層１２を銀めっきで構成した場合には、銀はイオンマイグレーションを起こしやすいため、リードフレーム１０のアウターリード部２８、２９の間（端子間）でショート（短絡）が起こりやすいという問題がある。また、銀と、反射用樹脂部２３を形成する樹脂とは接着性が劣るため、銀めっきと反射用樹脂部２３との間で界面剥離のおそれがあり、耐湿信頼性、耐熱信頼性といったパッケージ性能が低下するという問題もある。これに対して本実施の形態によれば、上述したように、ＬＥＤ素子２１からの光は、反射用樹脂部２３の反射用底部２３ｃによって反射させることができる。このことにより、めっき層１２として、光の反射機能を持たせるために高価でパッケージ性能が劣る銀めっきを施すことは不要となり、その代わりに、パッケージ性能に優れ、安価な層（例えば、ニッケル／パラジウム／金めっき層）を選択することができる。このため、パッケージ性能に優れ、かつ安価な半導体装置２０を得ることができる。
【００６７】
また、本実施の形態によれば、リードフレーム１０上に、反射用樹脂部２３の反射用底部２３ｃが設けられていることにより、リードフレーム１０と反射用樹脂部２３との接触面積を増大することができる。このため、リードフレーム１０と反射用樹脂部２３との接合強度を増大することができ、強固な半導体装置２０を得ることができる。
【００６８】
変形例
以下、本実施の形態によるリードフレームの各種変形例（変形例１〜変形例８）について、図８乃至図２０を参照して説明する。図８乃至図２０において、図１乃至図７に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。
【００６９】
（変形例１）
図８は、本実施の形態の一変形例（変形例１）による樹脂付リードフレーム４０および半導体装置２０を示している。図８に示す樹脂付リードフレーム４０において、図１乃至図７に示す実施の形態と異なり、リードフレーム１０の本体部１１の全面にめっき層１２は形成されることなく、リードフレーム１０のフレーム端子部１５の上面に、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層５１が設けられている。この反射用金属層５１は、フレーム端子部１５の上面から、横方向に延びるように形成されている。また、反射用金属層５１は、反射機能のほかに、ワイヤボンディング性を有することが望ましい。このような反射用金属層５１は、例えば、銀めっき層により構成することができる。また、反射用金属層５１の厚さは、１μｍ〜１０μｍとすることが望ましい。
【００７０】
第１の部分２５の下面および第２の部分２６の下面には、反射用金属層５１と同様の材料および厚みからなるアウター用金属層５２が設けられている。アウター用金属層５２は、対応する第１の部分２５の下面または第２の部分２６の下面から、横方向に延びるように形成されている。
【００７１】
図８に示す樹脂付リードフレーム４０の製造方法について、図９（ａ）−（ｇ）を用いて説明する。なお、このうち、図９（ａ）−（ｅ）に示す工程は、図６（ａ）−（ｅ）に示す工程と同様であるので、ここでは詳細な説明は省略する。
【００７２】
図９（ｆ）に示すように、エッチング用レジスト３２、３３を除去したリードフレーム１０に対して熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を射出成形またはトランスファ成形することにより、リードフレーム１０上に反射用樹脂部２３を形成する。これにより、反射用樹脂部２３とリードフレーム１０とを一体に形成することができる。またこのとき、射出成形またはトランスファ成形に使用する金型を適宜設計することにより、反射用樹脂部２３に樹脂凹部２３ａを形成するとともに、反射用底部２３ｃにおいて、フレーム端子部１５の上面が外方（上方）に露出するようにする。
【００７３】
その後、反射用樹脂部２３が設けられたリードフレーム１０のうち、反射用樹脂部２３から露出した部分に電解めっきを施す。すなわち、リードフレーム１０の各フレーム端子部１５の上面、第１の部分２５の下面および第２の部分２６の下面に、金属（例えば銀）を析出させて、反射用金属層５１およびアウター用金属層５２を形成する。反射用金属層５１およびアウター用金属層５２が銀めっきからなる場合、電解めっき用めっき液としては、シアン化銀およびシアン化カリウムを主成分とした銀めっき液を用いることができる。このようにして、図８に示すような樹脂付リードフレーム４０が得られる。なお、この場合、リードフレーム１０のフレーム端子部１５の上面、第１の部分２５の下面、第２の部分２６の下面および連結部２７の下面以外の面は、反射用樹脂部２３によって覆われているため、めっき用レジスト層の形成が不要となる。また、反射用樹脂部２３をレジストとしてめっきが施されるため、反射用金属層５１が、フレーム端子部１５の上面から横方向に延びるように形成され、アウター用金属層５２が、対応する第１の部分２５の下面または第２の部分２６の下面から横方向に延びるように形成される。
【００７４】
この変形例１によれば、露出したフレーム端子部１５の上面においても、反射用金属層５１によって、ＬＥＤ素子２１からの光を反射させることができる。このため、ＬＥＤ素子２１からの光を効率良く反射することができる。
【００７５】
また、変形例１によれば、リードフレーム１０の反射用樹脂部２３に接する面（リードフレーム１０のフレーム端子部１５の上面、第１の部分２５の下面、第２の部分２６の下面、連結部２７の下面以外の面）に、反射用樹脂部２３を形成する樹脂との接着性が劣る銀めっき層が形成されていない。このことにより、リードフレーム１０の本体部１１と反射用樹脂部２３とは、銀めっき層を介在させることなく接合される。このため、本体部１１が銅または銅合金からなる場合、銅は銀などと異なり、樹脂中の多くの官能基と配位結合が可能であることから、銅と反射用樹脂部２３とは一般に接着性が良好となり、リードフレーム１０と反射用樹脂部２３との接合強度を増大させることができる。この場合、樹脂との接着性を向上させるために、リードフレーム１０の反射用樹脂部２３に接する面に、例えば、カップリング剤処理や、下地めっきを行っても良い。さらに、反射用金属層５１は、フレーム端子部１５の上面から横方向に延びるように形成されているため、アンカー効果によってリードフレーム１０と反射用樹脂部２３との接合強度を増大させることができる。
【００７６】
なお、変形例１において、リードフレーム１０の反射用樹脂部２３に接する面が、粗面化されていても良い。このことにより、リードフレーム１０と反射用樹脂部２３との接合強度を増大させることができる。この場合、リードフレーム１０の反射用樹脂部２３に接する面の表面粗さは、最大高さ粗さＲｙ（ＪＩＳＢ０６０１−１９９４）で、０．１μｍ〜１０μｍの範囲（２００μｍ長さ）であることが好ましい。
【００７７】
リードフレーム１０の反射用樹脂部２３に接する面を粗面化する場合、エッチング後のリードフレーム１０（図９（ｅ）参照）に対して、リードフレーム１０の本体部１１の全面を粗面化する。この場合、例えば過酸化水素溶液などの薬液を用いて粗面化してもよく、あるいは、本体部１１の全面にニッケル粗化めっきを施して粗面化してもよい。続いて、粗面化されたリードフレーム１０上に反射用樹脂部２３を形成する（図９（ｆ）参照）。次に、フレーム端子部１５の上面、第１の部分２５の下面および第２の部分２６の下面を、平坦化する。この場合、金型をこれらの面に押し当てて平坦化してもよく、または、これらの面を、反射用樹脂部２３をマスクとして、過硫酸などで微量にエッチングして平坦化してもよい。その後、反射用金属層５１およびアウター用金属層５２を形成し（図９（ｇ）参照）、リードフレーム１０の反射用樹脂部２３に接する面が粗面化された樹脂付リードフレーム４０が得られる。
【００７８】
（変形例２）
図１０は、本実施の形態の一変形例（変形例２）による樹脂付リードフレーム４０および半導体装置２０を示している。変形例２においては、リードフレーム１０が、上方に突出してＬＥＤ素子２１を載置するフレーム載置部５３を有している。このフレーム載置部５３の上面（より正確には、フレーム載置部５３上のめっき層１２の上面）は、反射用樹脂部２３の反射用底部２３ｃから露出している。また、ＬＥＤ素子２１は、はんだまたはダイボンディングペーストにより、フレーム載置部５３に固定されている。このようなフレーム載置部５３は、図６に示すフレーム端子部１５と同様にして形成することができる。
【００７９】
この変形例２によれば、ＬＥＤ素子２１から発生した熱を、フレーム載置部５３を通して放熱させることができる。
【００８０】
（変形例３）
図１１は、本実施の形態の一変形例（変形例３）による樹脂付リードフレーム４０および半導体装置２０を示している。変形例３は、変形例１と変形例２とを組み合わせたものとなっている。
【００８１】
すなわち、変形例３においては、リードフレーム１０が、上方に突出してＬＥＤ素子２１を載置するフレーム載置部５３を有している。また、変形例３においては、リードフレーム１０の本体部１１にめっき層１２は形成されることなく、リードフレーム１０のフレーム端子部１５の上面に、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層５１が設けられ、フレーム載置部５３の上面に、反射用金属層５１と同様な第２の反射用金属層５４が設けられている。反射用金属層５１は、フレーム端子部１５の上面から、横方向に延びるように形成され、第２の反射用金属層５４は、フレーム載置部５３の上面から、横方向に延びるように形成されている。また、ＬＥＤ素子２１は、はんだまたはダイボンディングペーストにより、フレーム載置部５３に固定されている。
【００８２】
反射用金属層５１は、反射機能のほかに、ワイヤボンディング性を有することが望ましく、第２の反射用金属層５４は、反射機能のほかに、ダイボンディング性を有することが望ましい。このような反射用金属層５１および第２の反射用金属層５４は、銀めっき層により構成することが好ましい。また、反射用金属層５１の厚さおよび第２の反射用金属層５４の厚さは、１μｍ〜１０μｍとすることが望ましい。
【００８３】
また、変形例１と同様に、第１の部分２５の下面および第２の部分２６の下面には、反射用金属層５１および第２の反射用金属層５４と同様の材料および厚みからなるアウター用金属層５２が設けられている。
【００８４】
図１１に示すフレーム載置部５３は、図６に示すフレーム端子部１５と同様にして形成することができ、反射用金属層５１、第２の反射用金属層５４およびアウター用金属層５２は、図９に示す変形例１と同様にして、これらの層を同時に形成することができる。
【００８５】
この変形例３によれば、露出したフレーム端子部１５の上面およびフレーム載置部５３の上面においても、反射用金属層５１および第２の反射用金属層５４によって、ＬＥＤ素子２１からの光を反射させることができ、半導体装置２０としての光の反射率を向上させることができる。
【００８６】
また、変形例３によれば、変形例１と同様に、リードフレーム１０の反射用樹脂部２３に接する面に、反射用樹脂部２３を形成する樹脂との接着性が劣る銀めっき層が形成されていないため、リードフレーム１０の本体部１１が銅または銅合金からなる場合、リードフレーム１０と反射用樹脂部２３との接合強度を増大させることができる。さらに、各反射用金属層５１、５４によるアンカー効果によって、リードフレーム１０と反射用樹脂部２３との接合強度を増大させることができる。
【００８７】
また、変形例３によれば、ＬＥＤ素子２１から発生した熱を、フレーム載置部５３を通して放熱させることができる。
【００８８】
なお、変形例３において、変形例１と同様に、リードフレーム１０の反射用樹脂部２３に接する面が、粗面化されていても良い。このことにより、リードフレーム１０と反射用樹脂部２３との接合強度を増大させることができる。
【００８９】
（変形例４）
図１２は、本実施の形態の一変形例（変形例４）による樹脂付リードフレーム４０および半導体装置２０を示している。変形例４においては、リードフレーム１０の各連結部２７の下面が、第１の部分２５の下面および第２の部分２６の下面より上方に位置している。また、各連結部２７の上面は、第１の部分２５の上面および第２の部分２６の上面より上方に位置している。そして、連結部２７の下方に、反射用樹脂部２３が回り込むように形成されている。このような連結部２７は、リードフレーム１０のエッチング時に、金属基板３１の連結部２７に対応する部分の裏面側にエッチング用レジスト層３３の開口部を形成してハーフエッチングすることにより、形成することができる（図６（ｃ）参照）。
【００９０】
この変形例４によれば、リードフレーム１０の連結部２７の下方に反射用樹脂部２３が形成されているため、リードフレーム１０と反射用樹脂部２３との接合強度を増大させることができる。
【００９１】
ところで、変形例４を含む本実施の形態による半導体装置２０は、図１３に示すように、ＬＥＤ電球等からなる照明装置８０に組み込まれて使用される。図１３において、符号８１、８２は、それぞれ照明装置８０の照明基板およびカバーを示している。照明装置８０の照明基板８１上には、本実施の形態による半導体装置２０が複数個（図１３では３個）取り付けられている。より具体的には、図１４に示すように、半導体装置２０の第１アウターリード部２８および第２アウターリード部２９は、半田接続部８４を介して、照明基板８１上に設けられた外部の電極８３に接続され、半導体装置２０が、照明基板８１上に取り付けられている。また、カバー８２は、照明基板８１上においてこれら半導体装置２０を覆うように設けられている。
【００９２】
照明装置８０を点灯した場合、各半導体装置２０のＬＥＤ素子２１が発光し、ＬＥＤ素子２１からの光は、カバー８２を通過して外方に照射される。このとき、ＬＥＤ素子２１からの光は、主としてＬＥＤ素子２１から（何にも反射することなく）直接カバー８２を通過して外方に照射される（符号Ｌ１）。他方、ＬＥＤ素子２１からの光の一部は、カバー８２内部で反射した後、照明基板８１で反射したり（符号Ｌ２）、半導体装置２０と照明基板８１とを接続している半田接続部８４（図１４参照）で反射したりする（符号Ｌ３）。とりわけ、半田は光の反射率が低いため、半田接続部８４が半導体装置２０から外方に突出するように形成されている場合には、多くの光が半田接続部８４で反射するようになり、照明装置８０の光の取り出し効率が低下するおそれがある。
【００９３】
これに対して変形例４によれば、リードフレーム１０の第１の部分２５または第２の部分２６の外側に連結された連結部２７の下面が、第１の部分２５の下面および第２の部分２６の下面より上方に位置し、連結部２７の下方に反射用樹脂部２３が形成されている。このことにより、図１５に示すように、半田接続部８４を形成するための半田が、その濡れ性により、第１の部分２５の下面および第２の部分２６の下面において、連結部２７の下方まで延びることを防止し、半田接続部８４が、半導体装置２０の外方に突出することを防止できる。このため、ＬＥＤ素子２１からの光が、半田接続部８４で反射することを抑制することができ、照明装置８０の光の取り出し効率を向上させることができる。
【００９４】
（変形例５）
図１５および図１６は、本実施の形態の一変形例（変形例５）による樹脂付リードフレーム４０および半導体装置２０を示している。変形例５は、ボンディングワイヤ２２が一本の例を示しており、リードフレーム１０の第１の部分２５に設けられたフレーム端子部１５に、ＬＥＤ素子２１が載置され、第２の部分２６に設けられたフレーム端子部１５に、ボンディングワイヤ２２が接続されており、第１の部分２５側のフレーム端子部１５が、フレーム載置部５３（図１０参照）を兼用している。この場合、ＬＥＤ素子２１は、はんだまたはダイボンディングペーストにより、第１の部分２５側のフレーム端子部１５に固定されている。なお、図１６（後述する図１８および図１９も同様）においては、図面を明瞭にするために、封止樹脂部２４は省略している。
【００９５】
（変形例６）
図１７および図１８は、本実施の形態の一変形例（変形例６）による樹脂付リードフレーム４０および半導体装置２０を示している。変形例６は、フリップチップ方式の樹脂付リードフレーム４０および半導体装置２０を示している。すなわち、ＬＥＤ素子２１は、リードフレーム１０の第１の部分２５と第２の部分２６とに跨って載置されており、各フレーム端子部１５が、フレーム載置部５３（図８参照）を兼用している。この場合、ＬＥＤ素子２１は、はんだボールにより、各フレーム端子部１５に固定されている。
【００９６】
（変形例７）
図１９は、本実施の形態の一変形例（変形例７）による樹脂付リードフレーム４０および半導体装置２０を示している。変形例７は、ＬＥＤ素子２１と共に、静電破壊素子５５が搭載された樹脂付リードフレーム４０および半導体装置２０を示している。すなわち、リードフレーム１０は、本実施の形態によるフレーム端子部１５と同様な、静電破壊素子５５用のフレーム端子部５６を更に有し、当該フレーム端子部５６が、静電破壊素子５５を載置するためのフレーム載置部を兼用している。この場合、静電破壊素子５５は、はんだまたはダイボンディングペーストにより、第１の部分２５側の対応するフレーム端子部５６に固定されている。また、静電破壊素子５５は、ボンディングワイヤ５７によって、第２の部分２６側の対応するフレーム端子部５６に接続されている。
【００９７】
（変形例８）
図２０は、本実施の形態の一変形例（変形例８）による樹脂付リードフレーム４０および半導体装置２０を示している。変形例８においては、反射用樹脂部２３は、反射用側壁２３ｄを有しておらず、樹脂凹部２３ａが形成されていない。この場合、反射用樹脂部２３は、リードフレーム１０上において平坦状に形成され、反射用底部２３ｃの樹脂載置部２３ｂ上に載置されるＬＥＤ素子２１とボンディングワイヤ２２は、反射用樹脂部２３上で平坦状に形成された封止樹脂部２４により覆われる。
【００９８】
以上、本発明の実施の形態について詳細に説明してきたが、本発明による樹脂付リードフレーム、半導体装置、照明装置、樹脂付リードフレームの製造方法および半導体装置の製造方法は、上記実施の形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
【符号の説明】
【００９９】
１０ リードフレーム
１１ 本体部
１２ めっき層
１５ フレーム端子部
２０ 半導体装置
２１ ＬＥＤ素子
２２ ボンディングワイヤ
２３ 反射用樹脂部
２３ａ 樹脂凹部
２３ｂ 樹脂載置部
２３ｃ 反射用底部
２３ｄ 反射用側壁
２４ 封止樹脂部
２５ 第１の部分
２６ 第２の部分
２７ 連結部
３１ 金属基板
４０ 樹脂付リードフレーム
５１ 反射用金属層
５３ フレーム載置部
５４ 第２の反射用金属層
８０ 照明装置
８１ 照明基板
８２ カバー
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＥＤ素子を載置する樹脂付リードフレームにおいて、
上方に突出してＬＥＤ素子に接続されるフレーム端子部を有するリードフレームと、
リードフレーム上に設けられ、リードフレームのフレーム端子部の上面を露出させ、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射用樹脂部と、を備えたことを特徴とする樹脂付リードフレーム。
【請求項２】
リードフレームのフレーム端子部の上面に、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の樹脂付リードフレーム。
【請求項３】
反射用樹脂部は、ＬＥＤ素子を載置する樹脂載置部を有していることを特徴とする請求項１または２に記載の樹脂付リードフレーム。
【請求項４】
リードフレームは、上方に突出してＬＥＤ素子を載置するフレーム載置部を更に有し、
リードフレームのフレーム載置部の上面は、反射用樹脂部から露出していることを特徴とする請求項１または２に記載の樹脂付リードフレーム。
【請求項５】
リードフレームのフレーム載置部の上面に、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する第２の反射用金属層が設けられていることを特徴とする請求項４に記載の樹脂付リードフレーム。
【請求項６】
リードフレームの反射用樹脂部に接する面は、粗面化されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の樹脂付リードフレーム。
【請求項７】
反射用樹脂部は、リードフレームのフレーム端子部の周囲に設けられ、上方に延びる反射用側壁を有していることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の樹脂付リードフレーム。
【請求項８】
リードフレームは、第１の部分と、第１の部分に離間した第２の部分とを有し、
リードフレームのフレーム端子部は、第１の部分および第２の部分にそれぞれ設けられており、
第１の部分の外側および第２の部分の外側に、連結部がそれぞれ連結され、
各連結部の下面は、第１の部分の下面および第２の部分の下面より上方に位置していることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の樹脂付リードフレーム。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載の樹脂付リードフレームと、
樹脂付リードフレームに載置され、リードフレームのフレーム端子部に接続されたＬＥＤ素子と、を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
照明基板と、
照明基板上に配置された請求項９に記載の半導体装置と、
照明基板上に設けられ、半導体装置を覆うカバーと、を備えたことを特徴とする照明装置。
【請求項１１】
ＬＥＤ素子を載置する樹脂付リードフレームの製造方法において、
金属基板を準備する工程と、
金属基板から、上方に突出してＬＥＤ素子に接続されるフレーム端子部を有するリードフレームを形成する工程と、
リードフレーム上に、リードフレームのフレーム端子部の上面を露出させるように、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射用樹脂部を設ける工程と、を備えたことを特徴とする樹脂付リードフレームの製造方法。
【請求項１２】
反射用樹脂部が設けられたリードフレームのフレーム端子部の上面に、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層を形成する工程を更に備えたことを特徴とする請求項１１に記載の樹脂付リードフレームの製造方法。
【請求項１３】
リードフレームを形成する工程において、上方に突出してＬＥＤ素子を載置するフレーム載置部を更に有するように、リードフレームが形成され、
反射用樹脂部を設ける工程において、反射用樹脂部は、リードフレームのフレーム載置部の上面を露出させることを特徴とする請求項１１または１２に記載の樹脂付リードフレームの製造方法。
【請求項１４】
リードフレームのフレーム載置部の上面に、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する第２の反射用金属層を形成する工程を更に備えたことを特徴とする請求項１３に記載の樹脂付リードフレームの製造方法。
【請求項１５】
リードフレームの反射用樹脂部に接する面を粗面化する工程を更に備えたことを特徴とする請求項１１乃至１４のいずれかに記載の樹脂付リードフレームの製造方法。
【請求項１６】
請求項１１乃至１５のいずれかに記載の樹脂付リードフレームの製造方法により樹脂付リードフレームを準備する工程と、
半導体リードフレームにＬＥＤ素子を載置する工程と、
載置されたＬＥＤ素子をリードフレームのフレーム端子部に接続する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１】
ＬＥＤ素子を載置する樹脂付リードフレームにおいて、
上方に突出してＬＥＤ素子に接続されるフレーム端子部を有するリードフレームと、
リードフレーム上に設けられ、リードフレームのフレーム端子部の上面を露出させ、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射用樹脂部と、を備えたことを特徴とする樹脂付リードフレーム。
【請求項２】
リードフレームのフレーム端子部の上面に、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の樹脂付リードフレーム。
【請求項３】
反射用樹脂部は、ＬＥＤ素子を載置する樹脂載置部を有していることを特徴とする請求項１または２に記載の樹脂付リードフレーム。
【請求項４】
リードフレームは、上方に突出してＬＥＤ素子を載置するフレーム載置部を更に有し、
リードフレームのフレーム載置部の上面は、反射用樹脂部から露出していることを特徴とする請求項１または２に記載の樹脂付リードフレーム。
【請求項５】
リードフレームのフレーム載置部の上面に、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する第２の反射用金属層が設けられていることを特徴とする請求項４に記載の樹脂付リードフレーム。
【請求項６】
リードフレームの反射用樹脂部に接する面は、粗面化されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の樹脂付リードフレーム。
【請求項７】
反射用樹脂部は、リードフレームのフレーム端子部の周囲に設けられ、上方に延びる反射用側壁を有していることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の樹脂付リードフレーム。
【請求項８】
リードフレームは、第１の部分と、第１の部分に離間した第２の部分とを有し、
リードフレームのフレーム端子部は、第１の部分および第２の部分にそれぞれ設けられており、
第１の部分の外側および第２の部分の外側に、連結部がそれぞれ連結され、
各連結部の下面は、第１の部分の下面および第２の部分の下面より上方に位置していることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の樹脂付リードフレーム。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載の樹脂付リードフレームと、
樹脂付リードフレームに載置され、リードフレームのフレーム端子部に接続されたＬＥＤ素子と、を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
照明基板と、
照明基板上に配置された請求項９に記載の半導体装置と、
照明基板上に設けられ、半導体装置を覆うカバーと、を備えたことを特徴とする照明装置。
【請求項１１】
ＬＥＤ素子を載置する樹脂付リードフレームの製造方法において、
金属基板を準備する工程と、
金属基板から、上方に突出してＬＥＤ素子に接続されるフレーム端子部を有するリードフレームを形成する工程と、
リードフレーム上に、リードフレームのフレーム端子部の上面を露出させるように、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射用樹脂部を設ける工程と、を備えたことを特徴とする樹脂付リードフレームの製造方法。
【請求項１２】
反射用樹脂部が設けられたリードフレームのフレーム端子部の上面に、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する反射用金属層を形成する工程を更に備えたことを特徴とする請求項１１に記載の樹脂付リードフレームの製造方法。
【請求項１３】
リードフレームを形成する工程において、上方に突出してＬＥＤ素子を載置するフレーム載置部を更に有するように、リードフレームが形成され、
反射用樹脂部を設ける工程において、反射用樹脂部は、リードフレームのフレーム載置部の上面を露出させることを特徴とする請求項１１または１２に記載の樹脂付リードフレームの製造方法。
【請求項１４】
リードフレームのフレーム載置部の上面に、ＬＥＤ素子からの光を反射するための反射層として機能する第２の反射用金属層を形成する工程を更に備えたことを特徴とする請求項１３に記載の樹脂付リードフレームの製造方法。
【請求項１５】
リードフレームの反射用樹脂部に接する面を粗面化する工程を更に備えたことを特徴とする請求項１１乃至１４のいずれかに記載の樹脂付リードフレームの製造方法。
【請求項１６】
請求項１１乃至１５のいずれかに記載の樹脂付リードフレームの製造方法により樹脂付リードフレームを準備する工程と、
半導体リードフレームにＬＥＤ素子を載置する工程と、
載置されたＬＥＤ素子をリードフレームのフレーム端子部に接続する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【公開番号】特開２０１３−５８６９５（Ｐ２０１３−５８６９５Ａ）
【公開日】平成２５年３月２８日（２０１３．３．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１９７４５４（Ｐ２０１１−１９７４５４）
【出願日】平成２３年９月９日（２０１１．９．９）
【出願人】（０００００２８９７）大日本印刷株式会社 (14,506)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年３月２８日（２０１３．３．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年９月９日（２０１１．９．９）
【出願人】（０００００２８９７）大日本印刷株式会社 (14,506)
【Ｆターム（参考）】
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