本願では、１個又は複数個の多孔質半導体（ＰＳ）層例えば多孔質シリコン層を例えばその多孔度を違えつつ効率的に形成する手段を提供する。形成できるのは、半導体ベース分離層、光反射層、抗反射被覆層、パッシベーション層、多接合多バンドキャップ太陽電池の一部となる結晶シリコン薄膜上又は太陽電池ウェハ上の可変バンドギャップ輻射層、ダイアタッチメント用ＭＥＭＳ分離層、ＭＥＭＳデバイス形成用犠牲層、引き続く酸化で膜乃至シャロウトレンチアイソレーション（ＳＴＩ）となる相応多孔度のＰＳ層等である。本発明は、太陽電池に限らずＭＥＭＳ全般、例えばスタンドアロン型のセンサ乃至アクチュエータや微細半導体回路、微細半導体集積回路チップ若しくは光電子回路と集積されるセンサ乃至アクチュエータに適用されうる。
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【解決手段】多孔質リフトオフ層は、半導体などの表面からの皮膜の除去を促進する。皮膜をパターン形成された多孔質層上に適用する。当該層は典型的には膜厚よりも大きい開口を含む。次いで、皮膜が求められていない領域から多孔質材料および皮膜を除去する。多孔質層は、乾燥させると孔隙が形成されるスラリーとして、または熱もしくは溶媒の適用により分離するフィールド内の不安定粒子として付与することができる。孔隙を通って進入するエッチング液によって皮膜を除去することができ、その孔隙では、皮膜が固体部分間のスペースを橋かけしていないため、エッチング液が皮膜の両表面を攻撃する。 （もっと読む）

【課題】構造体に損傷を与えることなく犠牲層を除去することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板１１の上に犠牲層１２が形成され、この犠牲層１２の上に形成された半導体層１３が形成されたＳＯＩ基板１０において、半導体層１３を貫通した開口部１５により構成された可動部２０および固定部３０と開口部１５とを含んだ犠牲層領域１７に位置する犠牲層１２に焦点を合わせてレーザ光を照射する。これにより、犠牲層領域１７に位置する犠牲層１２を多孔質化する。そして、犠牲層１２を多孔質化した後、開口部１５からエッチング媒体を導入し、多孔質化した犠牲層１２をエッチングして除去する。これにより、支持基板１１に対して可動部２０の梁部２４等を浮遊させる。 （もっと読む）

本発明は、基板上に第一材料の非連続皮膜（１４）を堆積する方法であって、ａ）少なくとも２層のマスク層（４，６）を形成し、これらの層において少なくとも１つの空洞（１０，１０’，１２，１２’）をエッチングすることによって、前記基板上にマスクを形成する段階であって、前記空洞が、前記空洞の横断面上に、前記マスクの前記空洞を通じて前記基板上に堆積される皮膜が少なくとも１つの断絶部を有するような断面を有する段階と、ｂ）前記マスクの前記空洞を通じて前記基板上に前記第１材料を堆積させ、堆積された前記皮膜が、前記空洞の横断面上に少なくとも１つの断絶部を有する段階と、ｃ）前記マスクを除去する段階と、を含む方法に関する。
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【課題】シリコン酸化膜を用いた層間絶縁膜の膜厚がウェハ面内でばらついたとしても、また、ウエットエッチング時間がウェハ面内で差が生じたとしても、多層配線のための層間絶縁膜に対する開口を安定した形状で形成することが可能な構造を提供する。
【解決手段】表面に素子領域を有する半導体基板と、半導体基板上に絶縁膜を介して設けられた第１の配線層と、第１の配線層上に設けられたプラズマシリコン窒化膜と、プラズマシリコン窒化膜上に形成されたシリコン酸化膜と、プラズマシリコン窒化膜およびシリコン酸化膜を貫通するエッチングによって形成された開口と、少なくとも開口を埋めて形成された第２の配線層とを有する。 （もっと読む）

【課題】キャッピング層及び絶縁層のマイクロ電子デバイスからの除去に関する改良された組成物を提供する。
【解決手段】シリコン含有層を、かかる層をその上に有するマイクロ電子デバイスから除去する除去組成物及び方法を開示する。除去組成物は、次のものに限定されないが、シリコン酸化物、プラズマエンハンスド・テトラエチルオルソシリケート（Ｐ−ＴＥＯＳ）、ボロホスホシリケートガラス（ＢＰＳＧ）、プラズマエンハンスド酸化物（ＰＥＯＸ）、高密度プラズマ酸化物（ＨＤＰ）、ホスホシリケートガラス（ＰＳＧ）、スピンオン誘電体（ＳＯＤ）、熱酸化物、アップドープされたシリケートガラス、犠牲酸化物類、シリコン含有有機ポリマー類、シリコン含有ハイブリッド有機／無機材料類、有機シリケートガラス（ＯＳＧ）、ＴＥＯＳ、フッ素化シリケートガラス（ＦＳＧ）、半球状グレイン（ＨＳＱ）、炭素ドープされた酸化物（ＣＤＯ）ガラス、及びこれらの組み合わせを含む総を、下部電極、デバイス基板、及び／又はエッチストップ層の材料に対して、選択的に除去する。 （もっと読む）