【課題】 細溝内の異物を完全に除去したシリコンデバイスの製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】 表面に開口する細溝を少なくとも有するシリコン基板上に形成された金属層を第１のエッチング液を用いてエッチングして当該シリコン基板上に配線を形成する工程と、アルコールを濃度が５〜１５％になるように添加した第２のエッチング液を用いて、少なくとも前記細溝内に付着している前記金属層の異物をエッチングすることにより除去する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 ガラス等の絶縁膜基板、シリコン基板および化合物半導体基板上にスパッタリング法により成膜したチタンまたはチタンを主成分とする合金からなる層と、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金からなる層とを含む金属積層膜を下地の基板等にダメージを与えることなく、さらに、テーパー角度を３０〜９０度に抑制し、積層膜を一括にエッチング可能なエッチング液組成物の提供。
【解決手段】 ふっ素化合物の濃度（ただし、ふっ化水素酸を除く）が０．０１〜５質量％、特定の酸化剤の濃度が０．１〜５０質量％であるエッチング液組成物。 （もっと読む）

【課題】柔軟な基板上に高い生産性で、しかも低コストで所定のパターンの薄膜を形成できるパターン膜形成方法、マスク用材料、およびパターン膜形成システムの提供。
【解決手段】可撓性を有し、一方の面に貼着層を形成してなるとともに、前記パターンに対応する切抜部を穿設したマスク用シート体の貼着層側を、少なくとも一方の面に連続した薄膜が形成された基板における薄膜に貼着するマスク貼着工程と、前記貼着工程で前記マスク用シート体を貼着した基板をエッチングし、前記マスク用シート体の切抜部から露出する薄膜を除去するエッチング工程と、前記エッチング工程でエッチングされた基板からマスク用シート体を除去するマスク除去工程とを有することを特徴とするパターン膜形成方法、マスク用材料、およびパターン膜形成システムの提供。 （もっと読む）

【課題】不良発生を防止して表示品質を向上させることができるアレイ基板及びその製造方法並びに表示装置を提供する。
【解決手段】表示領域及び該表示領域の周辺に形成される周辺領域を有する基板と、前記表示領域に形成され、ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極を有し、前記ゲート電極は、第１金属膜と、該第１金属膜上に積層される第２金属膜と、該第２金属膜の窒化処理を通じて前記第２金属膜上に形成される第３金属膜とを有するスイッチング素子とを有する。 （もっと読む）

【課題】
半導体デバイス製造のトランジスタ形成工程に用いられるメタル材料を、選択的に、かつ効率よくエッチングするエッチング剤組成物、及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】
メタル材料の精密な加工が可能であり、かつ絶縁材料に対する腐食性が少ないという優れた特性をもつエッチング剤組成物であって、フッ素化合物に無機酸もしくは有機酸のいずれかを含有することからなるエッチング剤組成物、及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 貴金属と卑金属が共存する半導体材料上の貴金属をエッチングする際、卑金属が腐蝕する問題を抑制し、歩留まりを上げることにあり、さらに、シアン化物や鉛化合物を成分とした水溶液に比べて安全性に優れ、環境への影響が少ないエッチング液を提供する。
【解決手段】 貴金属と卑金属が共存する半導体材料から貴金属をエッチングするヨウ素系のエッチング液であって、該エッチング液の貴金属と卑金属のエッチングレート比（貴金属のエッチングレート／卑金属のエッチングレート）が０．０３以上である、前記エッチング液。
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【解決課題】配線が良好なプロファイルが得られるエッチング液組成物及び、これを利用した薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、６０乃至７５重量％のリン酸、０．５乃至１５重量％の硝酸、２乃至１５重量％の酢酸及び０．１乃至１５重量％の硝酸アルミニウムを含有するエッチング液組成物及び前記エッチング液組成物を利用した薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウム系導電性薄膜とモリブデン系導電性薄膜とからなる多層膜のエッチング処理において、基板表面のエッチング液の流動性が異なっても均一に良好な順テーパー形状を与えることのできる優れたエッチング液を提供することを課題とする。
【解決手段】 リン酸、硝酸（好ましくは濃度１〜１０質量％）及び硫酸（好ましくは濃度１〜２０質量％）を含有する水溶液（好ましくは水分量２０質量％以下）からなるエッチング液組成物を調製し、Ｍｏを主成分とする第１の導電性薄膜とＡｌを主成分とする第２の導電性薄膜からなる２層膜、または、Ｍｏを主成分とする第１の導電性薄膜とＡｌを主成分とする第２の導電性薄膜とＭｏを主成分とする第３の導電性薄膜からなる３層膜のエッチングに用いる。
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【課題】アッシング後に発生する部材由来のデポを効果的に除去でき、部材材料に対して安定した低腐食性を有し、低残留性および廃水処理の観点から適し、さらには水での希釈が可能な剥離剤組成物、該組成物を用いる半導体基板または半導体素子の剥離洗浄方法、ならびに該組成物を用いて剥離洗浄する工程を有する半導体基板または半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】分子性酸の共役塩基、分子性塩基の共役酸および水を含有する剥離剤組成物であって、以下（１）、（２）および（３）の特性を有する剥離剤組成物：（１）該共役塩基が２種以上の分子性酸の共役塩基である、（２）該２種以上の分子性酸の標準試験によるアルミナ溶解量が、それぞれ単独の分子性酸のアルミナ溶解量の最大値よりも大きい、（３）水の含有量が剥離剤組成物中50重量％以上である；ならびに該剥離剤組成物を用いて半導体基板または半導体素子を洗浄する工程を有する半導体基板または半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 大がかりで高価な装置や設備を使用することなく、また、煩雑で困難な作業を必要としない、簡単で低コスト、大面積で実施可能な微細加工手段を提供しようというものである。特に、半導体に適用することによって量子効果が期待される微細加工手段を提供しようというものである。
【解決手段】 微細加工を施そうとする半導体材料にアルミニウム薄膜を形成し、薄膜と一体に陽極酸化することによって、アルミナ薄膜を形成すると共に、アルミナ薄膜に自己形成的に規則的に配列した微細細孔パターンを形成し、このパターンを下地層の半導体材料にも転写する。 （もっと読む）