【課題】基板を搬送しながら基板に対しエッチング液を循環させつつ供給してエッチング処理する場合に、エッチング液成分の濃度を正確に測定できる装置を提供する。
【解決手段】エッチング液の循環経路の途中でエッチング液の一部をサンプリング液として取り出し、サンプリング用配管４４を通してサンプリング液を硝酸濃度モニタ５２内へ導く。硝酸濃度モニタ５２において、吸光光度計によりサンプリング液の吸光度を計測し、濃度管理用のパソコン５４により、計測された吸光度からサンプリング液中の硝酸濃度を算出する。装置管理用のパソコン６２から濃度管理用のパソコン５４へ送られる、基板のエッチング処理枚数の情報に基づいて、マスキング剤の添加量を算出し、供給ユニット５８により、算出された量のマスキング剤をサンプリング液中に添加し、エッチング処理に伴って基板上から溶出したアルミニウム成分をマスキングする。 （もっと読む）

【課題】低抵抗値のアルミニウム系導電性薄膜、あるいは該アルミニウム系導電性薄膜やモリブデン系導電性薄膜を備えた積層導電性薄膜を、効率よくエッチングして、良好な順テーパ形状の側面が形成されるようにする。
【解決手段】アルミニウム系導電性薄膜１２と、モリブデン系導電性薄膜１１，１３を備えた積層導電性薄膜１５を、(ａ)リン酸と、(ｂ)硝酸塩と、(ｃ)有機酸と、(ｄ)水とを含有するエッチング液、またはさらに硝酸を含有するエッチング液と接触させる。
硝酸塩としては、硝酸のアンモニウム塩、アミン塩、第４級アンモニウム塩、アルカリ金属塩などを用いる。
また、有機酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フマル酸、安息香酸、フタル酸、トリメリット酸、ヒドロキシ酢酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸などを用いる。 （もっと読む）

【課題】積層膜をウェットエッチングする場合のサイドエッチング量を制御し、膜端を均一化する。
【解決手段】提供される積層膜のエッチング方法は、基板３１上に順次成膜された、互いに膜質の異なるＡｌ膜（Ａｌ合金膜）３２とＭｏ膜（Ｍｏ合金膜）３３とを少なくとも含む積層膜を、複数種類のウェットエッチング手法を組み合わせて、一括エッチングするウェットエッチング方法であって、複数種類のウェットエッチング手法には、Ａｌ膜（Ａｌ合金膜）３２のサイドエッチングをＭｏ膜（Ｍｏ合金膜）３３のサイドエッチングよりも促進させるスプレーエッチングと、Ｍｏ膜（Ｍｏ合金膜）３３のサイドエッチングをＡｌ膜（Ａｌ合金膜）３２のサイドエッチングよりも促進させるパドルエッチングとが、少なくとも含まれている。 （もっと読む）

【課題】積層構造の金属膜を湿式エッチングする際に、テーパ角度が極端な低角度とならないようにして、断線が生じ難いパターンが得られるエッチング液組成物及びこのエッチング液組成物を使用した基板上に所定のパターンを形成する方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成されたアルミニウム又はアルミニウム合金膜の表面にモリブデン膜が積層された積層構造の金属膜をエッチングして所定のパターンを形成するためのエッチング液組成物であって、リン酸濃度４０〜７０質量％、硝酸濃度０．５〜１０質量％、酢酸濃度５０〜１５質量％、残部が水からなる。
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【課題】、予め設定した複数の処理時間を参照することにより、処理液の劣化等を考慮した場合であっても効率的なスケジューリングを行うことができる基板処理装置のスケジュール作成方法を提供する。
【解決手段】制御部３７は、まず処理液のライフタイムに応じてそれぞれ異なる複数の処理時間ごとに、処理液を使用するリソースの使用タイミングを配置した処理ブロックを予め作成する。次いで、処理液を使用するリソースが使用されるタイミングに応じて、予め作成してある複数の処理ブロックの中から一つの処理ブロックだけを選択的に配置する。したがって、処理液の劣化等を考慮した場合であっても効率的なスケジューリングを行うことができる。また、処理時間を使用履歴に応じて自動的に変えるので、スケジュールを短縮することができ、装置の稼働率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】リンを含む含リン系廃水の処理において、水のリサイクルとリン酸資源のリサイクルとを簡便且つ確実に行うことができ、資源保全或いは環境保全に高く寄与することが可能な資源回収方法を提供する。
【解決手段】本発明の資源回収方法は、リンを含む含リン系廃水に鉄塩を加えて凝集化を行う凝集化工程と、前記凝集化工程後、固形物と液状物とを分離する固液分離工程と、分離した前記固形物をリン酸塩に転換して回収するリン酸塩回収工程と、分離した前記液状物を、逆浸透膜を通した後にリサイクル水として回収するリサイクル水回収工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パワートランジスタを有する半導体装置の信頼性を向上させる技術を提供する。
【解決手段】素子を形成した半導体ウェハ１の主面に、素子と電気的に接続するように堆積した第１導体膜１４および第２導体膜１５に所望のパターンを形成する工程であり、まず、半導体ウェハ１を第１の回転速度で回転させた状態で、半導体ウェハ１の主面に対して薬液１７を供給することにより、第２導体膜１５に対してウェットエッチング処理を施す（工程１００）。エッチング終了後、薬液１７が半導体ウェハ１の主面に残るように、回転速度を第１の回転速度よりも遅い第２の回転速度に変更し、その状態で半導体ウェハに純水１９を撒水することにより、純水１９が半導体ウェハ１の主面に残されるようにした状態で薬液１７を洗浄する（工程１０１）。続いて、第１導体膜１４に対してドライエッチングを施す（工程１０２）。 （もっと読む）

【課題】金属線または間隔のクリティカルディメンションを実質上変化させることなく、所望量の金属を除去するエッチング工程が必要とされている。
【解決手段】エッチングレジストとエッチング後の金属残渣を単一工程で除去する、光学ディスプレーデバイスの製造方法が提供される。これらの方法はＬＣＤの製造に特に有用である。 （もっと読む）

【課題】 基板上の有機材料層に対する影響を抑制または防止しつつ、当該基板上に別の材料層の微細パターンを形成することができる有機材料装置の製造方法を提供すること
【解決手段】 この有機半導体装置は、ゲート電極２と、ゲート絶縁膜３と、有機材料層４と、電極５，６とを備えている。作製にあたり、有機材料層４上に犠牲層８が形成され、その犠牲層８の上にフォトレジスト９が形成される。その後、所定のパターンで露光され、露光された部分のフォトレジスト９がアルカリ現像液によって溶解させられる。次いで、全面が露光され、電極５，６が形成された後、アルカリ現像液によって、フォトレジスト９と共に電極５，６の不要部分がリフトオフされることにより、電極５，６がパターン化される。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウム系合金を配線材料として用い、アルミニウム系合金配線回路を形成する技術において、その工程数を大幅に減少し、効率的な素子の製造を可能とする技術を提案する。
【解決手段】
本発明は、アルミニウム系合金により配線回路を形成する方法であって、レジスト層が積層されたアルミニウム系合金膜に対して、レジスト層の現像処理とアルミニウム系合金膜のエッチング処理とを、現像液により同時に行うことを特徴とする。このアルミニウム系合金は、現像液によるエッチングレートが５Å／秒〜４０Å／秒であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 ガラス等の絶縁膜基板、シリコン基板および化合物半導体基板上にスパッタリング法により成膜したチタンまたはチタンを主成分とする合金からなる層と、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする合金からなる層とを含む金属積層膜を下地の基板等にダメージを与えることなく、さらに、テーパー角度を３０〜９０度に抑制し、積層膜を一括にエッチング可能なエッチング液組成物を提供する。
【解決手段】 本発明のエッチング液組成物は、ヘキサフルオロケイ酸、ふっ化水素酸の金属塩またはアンモニウム塩、およびヘキサフルオロケイ酸の金属塩またはアンモニウム塩からなる群から選ばれた少なくとも1種のふっ素化合物と酸化剤とを含有する。 （もっと読む）

【課題】高価なスラリーを消費するＣＭＰを用いることなく、不所望な電極材及びバリアメタル層の部分を除去することによって、低コストで半導体装置における電極を形成する。
【解決手段】異なる工程において、ウェットエッチングを用いて、外側電極材層及び外側バリアメタル層２１ｂをそれぞれ個別に残らず除去する。従って、電極２５を形成するために、外側電極材層及び外側バリアメタル層を同時に除去する工程が存在しない。そのため、ＣＭＰを用いる必要がなく、ウェットエッチングのみを用いて、外側電極材層及び外側バリアメタル層を除去することができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体又は絶縁体層上に直接、薄膜を電気化学処理プロセスで形成する方法、及び該プロセスを実施する装置を提供すること。
【解決手段】 １２５ｍｍ又はそれより大きい半導体ウェハであって、少なくとも一部が電解質溶液と接触し、第１電極として機能する半導体ウェハを、導電性表面と電気接触する状態で準備するステップと、電解質溶液の中に第２電極を準備するステップであって、第１及び第２電極が電源装置の両端に接続されるステップと、電流が第１及び第２電極にわたって印加されるときに、光源を用いて半導体ウェハの表面を照射するステップと、を含む電気化学プロセスである。本発明はまた、光源と電気化学プロセスを実施する電気化学構成要素とを含む装置も対象とする。 （もっと読む）

本発明は、最初に開口部をパッシベーション層の中に形成し、次いで、これらの開口部を導電性材料で充填することによって、温度に敏感なパッシベーション層の１つまたは複数の層を含むソーラーウェーハの接触を行なう方法に関する。このようにして、１つまたは複数のパッシベーション層を含むソーラーウェーハの接触を行なうための従来方法で必要とされる相対的な高温度を回避できるようになり、したがって、接触期間中およびその後において、新しく開発された温度に敏感なパッシベーション層の優れたパッシベーション特性を維持できるようになる。
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【課題】残渣の発生を防止することが出来る導電膜パターニング方法を提供する。
【解決手段】基板Ｐ上にアルミニウムを含む導電材料によって導電膜Ｌを形成する導電膜形成工程と、この導電膜形成工程によって形成された導電膜Ｌ上に耐アルカリ性材料によってレジスト膜Ｒを積層して形成するレジスト膜形成工程と、このレジスト膜形成工程によって形成されたレジスト膜Ｒに対して露光マスクＭを介して露光を行う露光工程と、この露光工程の終了後に、キレート剤が添加されたアルカリ性の現像液によって、レジスト膜Ｒの現像を行うとともに導電膜Ｌのエッチングを行う現像およびエッチング工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】 単結晶ケイ素およびウェファーの製造工程でＳｉ基材を洗浄及び／又はエッチングするときに、基材の損傷を最小化しつつ高平滑度に仕上げる改良された表面処理用の組成物を提供する。
【解決手段】 組成物は、硝酸塩とフッ化水素酸より腐蝕性の低いフッ化物とを有効成分として含んで成る。硝酸塩のフッ化物に対する重量比を１：９〜９：１の範囲、より好ましくは、硝酸塩のフッ化物に対する重量比を３：７〜７：３の範囲とする。反応促進剤及び／又は界面活性剤を添加することができ、反応促進剤を添加する場合の濃度は、３０〜９０重量％の範囲とする。 （もっと読む）

【課題】 モリブデン系金属とアルミニウム系金属を主成分とした金属積層膜を一括エッチング可能で各膜のサイドエッチング量を抑制し、テーパー角度を２０〜７０度に制御可能な優れたエッチング液を提供すること。
【解決手段】 絶縁膜基板上に形成されたアルミニウム系金属およびモリブデン系金属の積層膜をエッチングするエッチング液であって、硫酸、硫酸アンモニウム、硫酸ナトリウム、硫酸カリウム、硫酸水素アンモニウム、硫酸水素ナトリウム、硫酸水素カリウム、硫酸カルシウム、硫酸セリウムアンモニウム、硫酸第二鉄、硫酸銅、硫酸マグネシウム、硫酸鉛、硫酸ヒドロキシルアンモニウム、アミド硫酸、アミド硫酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、エチレンジアミン硫酸塩、アニリン硫酸塩およびアデニン硫酸塩からなる群から選択されるスルホン酸化合物、燐酸および硝酸を含有する、エッチング液。 （もっと読む）

【課題】純アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる単層の配線膜を形成するに際し、側壁のテーパ角度が規定範囲内のテーパ状に良好にエッチングすることのできる配線膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ポストベーク後に、硝酸、リン酸、酢酸および水を含むエッチング液を用いて側壁のテーパ角度が１０〜７０°のテーパ状に純アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜をエッチングするにあたり、上記ポストベーク温度：ｘ（℃）を１１０℃以下にすると共に、該ポストベーク温度と上記エッチング液の硝酸濃度：ｙ（質量％）が下記式（１）を満たすようにすることを特徴とする配線膜の形成方法。
１０≦［（２／３）ｘ−５ｙ］≦７０…（１） （もっと読む）

【課題】半導体製造工程技術を用いて、高価の装備を使用することなく簡単且つ容易にナノギャップおよびナノギャップセンサを量産することが可能なナノギャップおよびナノギャップセンサの製造方法の提供。
【解決手段】基板に対して異方性エッチングを行うことを含む、ナノギャップ製造方法を提供する。
（もっと読む）

【課題】基板上に形成された金属膜のウェットエッチング時において孔食の発生を抑制し得る、品質の良好なパターン化金属膜を有する基板の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）基板上に形成された金属膜に感光性樹脂組成物を塗布して感光層を形成する工程、（ｂ）前記感光層にパターン露光したのち、現像してレジストパターンを形成する工程、及び（ｃ）前記レジストパターンをマスクとして、イオノホア化合物を含む酸水溶液により金属膜をウェットエッチングする工程を有する、パターン化金属膜を有する基板の製造方法である。 （もっと読む）