本発明は、エッチングすべき少なくとも１つの材料（４）を含む構造体（１）をエッチングするための方法に関し、この方法は、エッチングすべき前記材料（４）と反応できる少なくとも１つの化学種を選択するステップと、前記化学種を放出できる少なくとも１つの可溶性化合物を選択するステップと、前記化合物および懸濁状態にある粒子または固体の粒（１３）の粉体を含む溶液（１１）を製造するステップと、前記溶液内に前記エッチングすべき材料を入れるステップと、前記化学種を発生し、これら化学種がエッチングすべき前記材料と反応し、それによって可溶性化合物または沈殿物を生成するように活性キャビテーションバブルを発生できる、少なくとも１つの周波数の高周波超音波を前記溶液内に発生するステップとを備える。
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【課題】エッチング液成分の濃度制御方法の新たな技術の提供
【解決手段】ウェットエッチング装置のエッチング液タンクからエッチング液サンプルを採取すること、前記エッチング液サンプルのエッチング液成分の濃度をイオン交換クロマトグラフィーにより測定すること、及び、前記測定の情報に基づき、前記エッチング液タンク内のエッチング液成分濃度が設定範囲内となるように、前記エッチング液タンクにエッチング液成分を添加することを含み、前記エッチング液は、エッチング液成分としてリン酸を含む、エッチング液成分の濃度制御方法であって、
前記エッチング液成分の濃度測定において、前記イオン交換カラムを複数回使用した後、検出されるリン酸のピーク波形と他のエッチング液成分のピーク波形とが重なる場合に、溶離液のｐＨを変化させてリン酸のピークの保持時間を移動させることを含むエッチング液成分の濃度制御方法。 （もっと読む）

【課題】高効率に酸化膜の表面を平滑化し、高品質な酸化膜を提供する。
【解決手段】たとえばアルミニウムの薄膜５が形成された半導体基板３を陽極とし、白金などからなる電極を陰極７として電解設備１０の容器１を満たす電解液９中で陽極酸化処理を行ない、薄膜５を酸化する。酸化が完了した後も引き続き陽極酸化処理を続行することにより、酸化された薄膜５に多数形成された多孔質組織を緻密化し、薄膜５の最上面を平滑化する。 （もっと読む）

【課題】選択的にエッチングできるエッチング液を用いて、半透過半反射型電極基板の製造工程を簡略化し、煩雑な繰り返し作業を回避することによって時間的なロスを発生しない工程とし、半透過半反射型電極基板を効率的に提供することである。
【解決手段】少なくとも酸化インジウムからなる金属酸化物層１２と、少なくともＡｌまたはＡｇからなる無機化合物層１４と、をこの順で積層した半透過半反射型電極基板を製造する方法であって、前記無機化合物層１４を燐酸、硝酸、酢酸からなるエッチング液λでエッチングする工程と、前記金属酸化物層１２を蓚酸を含むエッチング液σでエッチングする工程によって半透過半反射型電極基板を製造する。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム膜やアルミニウム合金膜などの金属膜を制御性よく、かつ、レジスト滲みの発生を抑制、防止しつつエッチングし、意図する低テーパー角を有する望ましい形状と、優れた平坦性を有する金属膜を得ることができるようにする。
【解決手段】リン酸、硝酸、有機酸塩、界面活性剤を含有する水溶液を、基板上の金属膜をエッチングするためのエッチング液組成物として用いる。
前記有機酸塩として、脂肪族モノカルボン酸、脂肪族ポリカルボン酸、脂肪族オキシカルボン酸、芳香族モノカルボン酸、芳香族ポリカルボン酸、芳香族オキシカルボン酸からなる群より選ばれる少なくとも１種の、アンモニウム塩、アミン塩、第四級アンモニウム塩、アルカリ金属塩からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いる。
また、本発明のエッチング液組成物を、前記金属膜がアルミニウムまたはアルミニウム合金である場合に用いる。 （もっと読む）

【課題】コンタクトプラグ、及び金属配線のような金属構造物に欠陥が発生して再形成工程を処理する場合、コンタクトホールが過度に露出されてホールが大きくなる現象を防止できる金属構造物の再形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に従う金属構造物の再形成方法は、コンタクトプラグを含む絶縁層の上に形成された第１金属層、第１金属層の上に形成された金属配線層、金属配線層上に形成された第２金属層を含む金属構造物の再形成方法に関するものであって、第１ウェットエッチング工程を処理して金属配線層の下を除外した第１金属層及び第２金属層を除去するステップと、第２ウェットエッチング工程を処理して金属配線層を除去するステップと、第１平坦化工程を処理して残存した第１金属層及び絶縁層の表面を平坦化するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い可動部を有する半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】支柱２１と接続した上部駆動電極２３及び上部容量電極２５が、シリコン窒化膜２７を介して、梁状に延びている。つまり、離間し相対向した上部駆動電極２３の端部と上部容量電極２５の端部の、それぞれの上面に接して、上部駆動電極２３及び上部容量電極２５にほぼ並行して配設されたシリコン窒化膜２７が形成されている。シリコン窒化膜２７は、上部駆動電極２３及び上部容量電極２５となる導電膜の上面に、連続した工程としてＣＶＤ法により堆積され、その後、ＲＩＥ法でパターニングして形成されたものである。シリコン窒化膜２７は、膜厚や膜質に不連続や不均質な部分が少なく、上部駆動電極２３及び上部容量電極２５と密着性が良好に形成されている。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチングにより形成するパターンが微細化した場合であっても「反応生成ガスによる気泡」が半導体ウェハの表面に滞留することを十分に抑制することが可能で、ひいてはウェットエッチングを均一に行うことが可能なウェットエッチング方法を提供する。
【解決手段】エッチング槽１１０中のエッチング液Ｓに半導体ウェハＷを浸漬した状態で、エッチング槽１１０の底部に配置したバブラー１２０から不活性ガスからなる第１の気泡によるバブリングを行ないながら、半導体ウェハＷのウェットエッチングを行うウェットエッチング方法であって、バブラー１２０の気孔近傍における第１の気泡の平均径は、５μｍ〜２００μｍの範囲内にあることを特徴とするウェットエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】マイクロエレクトロニクスデバイス構造から少なくとも１種の材料を除去するための改善された組成物及びプロセスを提供する。
【解決手段】
少なくとも１つの材料層を、表面にそれを有する拒絶されたマイクロエレクトロニクスデバイス構造から除去するための、除去組成物及びプロセス。除去組成物は、フッ酸を含む。この組成物は、前記構造を再生し、再加工し、リサイクルし、及び／又は再使用するために、保持される層に損傷を及ぼすことなく、除去される（１種又は複数の）材料の実質的な除去を実現する。 （もっと読む）

【課題】有機発光ダイオード表示装置のエッチング液組成物を提供する。
【解決手段】過酸化二硫酸アンモニウム（（ＮＨ_４）_２Ｓ_２Ｏ_８）０．１ないし３４質量％と、硝酸系化合物０．１ないし９質量％と、酢酸系化合物０．１ないし１０質量％と、フッ化物系化合物０．２ないし５質量％と、含ホウ素化合物０．０１ないし３質量％と、水３９ないし７３質量％とを含むが、アゾール系化合物は含まないエッチング液組成物である。これにより、該エッチング液組成物は、過酸化水素を含有しないので、安定性と工程上マージンとを確保することができ、優秀なテーパエッチングプロファイルを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ合金膜のシリコン残渣が除去できて、製造工程の簡素化、製造コストが低減される半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法はシリコン基板１上にシリコンを含有するＡｌ合金膜３を形成する工程と、Ａｌ合金膜３上にレジストパターン４を設ける工程と、レジストパターン４をマスクとしてＡｌ合金膜３をエッチングする工程と、エッチ後洗浄する工程と、２流体ノズル６によってシリコン残渣５を除去する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 チタンを主成分とする層とアルミニウムを主成分とする層とを含んでなる積層体中のチタンを主成分とする層及びアルミニウムを主成分とする層の両層を所望のエッチング速度で安定的にエッチングできる方法を提供する。
【解決手段】 珪フッ化水素酸、珪フッ化水素酸塩及び水を含有するエッチング液によりチタンを主成分とする層とアルミニウムを主成分とする層とを含んでなる積層体中のチタンを主成分とする層及びアルミニウムを主成分とする層を同時にエッチングする方法であって、エッチングの進行に伴い、エッチングされたチタン及びアルミニウムの量に対して当量以上の珪フッ化水素酸を補充することを特徴とするエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】
半導体製造工場やフラットパネルディスプレイ製造工場の使用側において、アルミニウムのエッチング液の硝酸濃度、水分濃度、燐酸濃度および酢酸濃度が一定に調合できるエッチング液調合装置を提供すること。
【解決手段】
調合槽内のエッチング液を純水で希釈した希釈液の導電率を検出する導電率計またはエッチング液の硝酸濃度を検出する吸光光度計と、エッチング液の水分濃度を検出する吸光光度計と、エッチング液の燐酸濃度を検出する吸光光度計または密度計と、硝酸濃度を検出する導電率計の導電率値と水分濃度を検出する吸光光度計の吸光度値と燐酸濃度を検出する吸光光度計の吸光度値または密度計の密度値とから多成分演算法によりエッチング液の成分濃度を演算する成分濃度演算手段と、単酸原液、混酸原液及び純水の少なくとも一つを調合槽に補給する液補給手段とを備えるように構成する。 （もっと読む）

【課題】２００μｍ以下の薄いウエハの一方の主面にＡｌ系合金電極膜を形成する工程を有する絶縁ゲート型半導体装置の製造方法において、ウエハに反りが生じても他方の主面側に影響を及ぼさずに一方の主面側の電極膜のパターニング後の残渣除去ができる絶縁ゲート型半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】ウエハ２０の一方の主面側に所要の半導体領域２１、２２の形成後、該半導体領域２１、２２に対応させて、厚さ２００μｍ以下のウエハ２０にＡｌを主成分とし少なくともＳｉを含むＡｌ系合金電極膜２５を形成する際に、該電極膜２５のパターニング後に、Ｓｉを含む残渣除去を少なくともフッ硝酸と希フッ酸をこの順に２段階による枚葉式スピンエッチン方式で除去する半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】 チタンを主成分とする層とアルミニウムを主成分とする層とを含んでなる積層体中のチタンを主成分とする層及びアルミニウムを主成分とする層をエッチングするのに好適なエッチング液及びエッチング方法を提供する。
【解決手段】 珪フッ化水素酸、水、及び珪フッ化水素酸塩を含有するエッチング液。及び、珪フッ化水素酸、水、及び珪フッ化水素酸塩を含有するエッチング液により、チタンを主成分とする層とアルミニウムを主成分とする層とを含んでなる積層体を一括エッチングする方法。チタンを主成分とする層とアルミニウムを主成分とする層とを含んでなる積層体中のチタンを主成分とする層及びアルミニウムを主成分とする層を珪フッ化水素酸、水、及び珪フッ化水素酸塩を含有することを特徴とするエッチング液により同時にエッチングする方法。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム膜のウェットエッチングは、等方性のエッチング特性が知られているが、ウエハを高速回転させているため、回転に伴う異方性が現れるため、ウエハ外周部の配線形状を管理することが困難であった。
【解決手段】アルミニウム膜のウエット・エッチングにおいて、フルコーンノズルを２本搭載し、１本のノズルをウエハ全面へ薬液が塗布可能な位置に設置し、もう１本のノズルを薬液濃度が薄くなるウエハ中心部（ウエハ直近の位置）に設置し同時に薬液を塗布することにより、回転数依存が少なくエッチングレート均一性を向上することが可能とするものである。 （もっと読む）

【課題】金属系薄膜のエッチングに使用されるエッチング液はいずれも強酸や強アルカリ、あるいは金属塩化物溶液等の人体に有害な液体であり、劇物や毒物であって、取り扱いや処理に特に気をつけなければならない材料であった。
【解決手段】非導電性基材２上に金属系薄膜導電層３と表面抵抗率が２×１０⁸Ω／□以下の値である非金属導電性膜４が、この順または逆順に直接積層されて設けられてなることを特徴とする、中性電解液でエッチング可能な積層体である。 （もっと読む）

【課題】表面がＴｉＮ膜であるバリアメタルが露出した部分の耐湿性を向上すると共に、パッシベーション膜を一層としても、クラックに起因する不良を無くし、また、アルミニウム合金中のＳｉノジュールの成長に起因する不良増加を抑えることのできる積層金属電極配線を有する半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板上に所要の配線パターンで形成される金属電極配線膜として、下地のバリアメタル膜とその上に積層されるアルミニウムまたはアルミニウム合金膜２を有し、さらに、前記アルミニウムまたはアルミニウム合金膜２上に被覆される有機系パッシベーション膜７を備える半導体装置において、前記バリアメタル膜が、チタン膜３、１０で挟まれた窒化チタン膜４からなる三層の積層膜を有する半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】基板を搬送しながら基板に対し処理液を循環させつつ供給して基板を処理する場合に、循環経路を通して循環する処理液の濃度を正確に管理することができる装置を提供する。
【解決手段】循環経路を通して循環する処理液の濃度を測定する濃度モニタ１４を備え、処理槽１８内で搬送ローラ２４により搬送されつつ処理された基板Ｗに付着して処理槽外へ持ち出される処理液の量を、基板１枚当たりの処理液の持ち出し量と基板の処理枚数とから算出し、算出された処理液の持ち出し量および濃度モニタ１４によって測定された処理液の濃度に基づいて、循環経路の途中に補充すべき薬液の量を算出し、算出された補充量の薬液を循環経路の途中に補充する。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム膜やアルミニウム合金膜などの金属膜を制御性よく、かつ、レジスト滲みの発生を抑制、防止しつつエッチングし、意図するテーパー形状と、優れた平坦性を有する金属膜を得ることができるようにする。
【解決手段】リン酸、硝酸、有機酸塩を含有する水溶液を、基板上の金属膜をエッチングするためのエッチング液組成物として用いる。
前記有機酸塩として、脂肪族モノカルボン酸、脂肪族ポリカルボン酸、脂肪族オキシカルボン酸、芳香族モノカルボン酸、芳香族ポリカルボン酸、芳香族オキシカルボン酸からなる群より選ばれる少なくとも１種の、アンモニウム塩、アミン塩、第四級アンモニウム塩、アルカリ金属塩からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いる。
また、前記有機酸塩の濃度を、０．１〜２０重量％の範囲とする。
また、本発明のエッチング液組成物を、前記金属膜がアルミニウムまたはアルミニウム合金である場合に用いる。 （もっと読む）