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Fターム[5F043CC01]の内容

ウェットエッチング (11,167) | レジスト (158) | レジスト材料自体 (18)

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【課題】半導体ウエハ上に形成されたエピタキシャル層の層厚測定用試料を簡便に製造できる層厚測定用試料製造装置を提供する。
【解決手段】エピタキシャル層3が形成されたウエハ片1を、そのエピタキシャル層3の一部を残してエピタキシャル層3をエッチングして層厚測定用試料を製造し、エッチング後のウエハ片1上に段差として残ったエピタキシャル層3の層厚を測定するための層厚測定用試料製造装置10において、ウエハ片1を挟み込む開閉自在の2枚の樹脂板11,12と、これら2枚の樹脂板11,12の一方に設けられ、ウエハ片1上に形成されたエピタキシャル層3の一部をエッチングから保護すべくエピタキシャル層3の一部と密着するエッチング防止ゴム13とを備えたものである。 (もっと読む)


本発明は、新規な組成物と、これらの組成物を、半導体およびMEMSデバイスの製造中に保護層として用いる方法とを提供する。この組成物は、溶媒系中に分散または溶解したシクロオレフィン共重合体を含有し、酸エッチングおよびその他の処理および取扱い中に、基板を保護する層を形成するために用いることができる。保護層は、感光性であっても非感光性であってもよく、保護層の下に、プライマー層を用いても用いなくてもよい。好ましいプライマー層は溶媒系中に塩基性ポリマーを含む。 (もっと読む)


【課題】簡便かつ安価な方法により、エッチング液(アルカリおよび酸)に対する良好な耐性、加工時の耐熱性、エッチング処理を施すウェハへの良好な密着性およびエッチング処理後の易除去性のすべてを兼ね備えるエッチング保護材およびその保護材を用いたデバイス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】炭素数2〜4のアルケンからなるオレフィン成分(A)を主成分とし、(メタ)アクリル酸エステル成分(B)を2〜40質量%含むポリオレフィン樹脂からなることを特徴とするエッチング保護材。 (もっと読む)


【課題】本発明は、数百nmの空孔を有し、該空孔内壁面上に所望の機能性高分子が存在する多孔質膜、および該多孔質膜を大面積で簡便に作成できる製造方法を提供する。
【解決手段】水不溶性ポリマーAを主成分とする連続相と、水不溶性ポリマーAと非相溶である水溶性ポリマーBを主成分とし、前記連続相中に分布する球状のミクロドメインとからなるミクロ相分離構造を有し、前記球状のミクロドメイン内に平均孔径200〜1000nmの球状構造の空孔が存在する多孔質膜。 (もっと読む)


半導体およびMEMSデバイスの製造におけるウェットエッチング処理で用いる新規保護被膜層を提供する。この層は、プライマー層、第1の保護層、および所望により第2の保護層を含む。プライマー層は、好ましくは溶媒系にオルガノシラン化合物を含む。第1の保護層は、スチレン、アクリロニトリルから調製される熱可塑性コポリマー、ならびにエポキシ基を含む、モノマー、オリゴマー、ポリマー;ポリ(スチレン−共重合−アリルアルコール);およびこれらの混合物等の相溶性化合物を含む。第2の保護層は、加熱時に架橋してもしなくてもよい塩化ポリマーのような高度にハロゲン化したポリマーを含む。 (もっと読む)


三次元プリンタ用の取り外し可能なビルドボックスは、部品組立用のビルドチャンバと、このビルドチャンバへ粉末材料を供給する材料供給チャンバと、を区切るビルドボックストレイを有する。ビルドチャンバおよび供給チャンバは、下方にピストン止めを有する。ビルドチャンバピストンは最下位置でビルドチャンバおよびビルドチャンバピストン止めと係合する。供給チャンバピストンは最下位置で供給チャンバおよび供給チャンバピストン止めと係合する。ビルドチャンバピストンと、ビルドチャンバピストンに結合する際にビルドチャンバピストンを移動させるよう構築されたビルドチャンバz−軸作動装置とが迅速に連結される。供給チャンバピストンと、供給チャンバピストンに結合する際に供給チャンバピストンを移動させるよう構築された供給チャンバz−軸作動装置とが迅速に連結される。ビルドボックストレイは三次元プリンタから容易に取り外し得る。 (もっと読む)


【課題】 半導体を製造するリソグラフィ工程での露光照射工程に於ける露光に多価イオンビームを利用することによって、極めて迅速なエッチング速度を得ることができる多価イオンを利用する半導体製造方法の提供。
【解決手段】 半導体製造工程でのリソグラフィ工程に於いて多価イオンビームを利用する半導体製造方法であって、前記リソグラフィ工程中の露光照射工程において、前記半導体を形成するための試料に、多価イオンビームを照射することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 電気的特性のみならず耐環境性にも優れた配線を実現し、ひいては当該配線を内装した半導体装置や配線基板等の信頼性の向上に寄与することを目的とする。
【解決手段】 絶縁層11,13に形成されたビア・ホールを介して下層の導体層12に電気的に導通するように絶縁層13と下層の導体層12とを覆って形成された金属薄膜14上に形成された配線層17の表面を、耐環境性に優れた材料からなる被覆層18で覆うように構成する。この被覆層18を構成する耐環境性に優れた材料としては、好適には、ニッケル/金、ニッケル/パラジウム、又はニッケル/パラジウム/金が用いられる。 (もっと読む)


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