【課題】 基板上の位置による処理液の吐出距離の差が小さい液吐出機構、及びその液吐出機構を備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板Ｗに処理液を吐出する液吐出機構２に、処理液を吐出するシャワーノズル１２と、シャワーノズル１２と直接又は間接的に接続され、シャワーノズル１２を揺動するために予め定められた軸を中心に回動可能なシャワーパイプ１１と、シャワーパイプ１１の揺動を、処理液の吐出の中心方向が基板Ｗにほぼ垂直になる回動位置と、この回動位置から、シャワーノズル１２と基板Ｗの間の距離が一旦短くなる回動方向へ予め定められた角度だけ回転した回動位置との間で行うように制御するモータ４１及びリンク機構４２とを備え、処理液の吐出の中心方向を示す線と前記軸とが同一面に含まれないようにシャワーノズル１２を備えた。 （もっと読む）

【課題】 基板を回転させながら基板に処理液を供給して該基板に対して所定の処理を施す基板処理装置において、基板中央部への処理液の付着を防止しながら、基板周縁部の処理幅を均一にして処理する。
【解決手段】 基板Ｗの上面には、その平面サイズＤ１が基板サイズＤ２と同等以上の大きさである雰囲気遮断板９が対向して配設される。雰囲気遮断板９の周縁部にはノズル６が挿入可能な上下方向に貫通する貫通孔９ｅが形成されており、ノズル移動機構６７によりノズル６を駆動することで、ノズル６を該貫通孔９ｅに挿入させて基板Ｗの上面周縁部ＴＲに対向する対向位置Ｐ１と、雰囲気遮断板９から離れた退避位置Ｐ２とに位置決めすることができる。対向位置Ｐ１に位置決めされたノズル６から基板Ｗの上面周縁部ＴＲに処理液が供給される。 （もっと読む）

【課題】 吐出ノズルから基板に対し処理液を吐出して基板を処理する場合に、処理液の使用量を低減させることができ、設備の簡易化および小型化が可能である装置を提供する。
【解決手段】 基板支持手段により支持された基板の主面へ処理液を吐出する吐出ノズル１２に複数の吐出口１６ａ、１６ｂを形設し、吐出ノズル１２の各吐出口１６ａ、１６ｂからそれぞれ異なる方向へ処理液を吐出して基板の主面へ処理液を供給する。 （もっと読む）

【課題】 基板を回転させながら基板に処理液を供給して該基板に対して所定の処理を施す基板処理装置において、基板表面への処理液の再付着を効果的に防止する。
【解決手段】 スピンベース５の周縁部付近には、基板Ｗの下面周縁部に当接しつつ基板Ｗを支持する支持部７が複数個、スピンベース５から上方に向けて突出して設けられている。そして、複数個の支持部７によって基板Ｗの下面と対向するスピンベース５から所定の間隔離間させた状態で基板Ｗが水平に支持されている。そして、基板Ｗの上面と雰囲気遮断板９の対向面９ａとの間に形成される空間に対向面９ａに設けられた複数のガス噴出口９ｂから不活性ガスを噴出させる。これにより、基板Ｗはその上面側に供給される不活性ガスによって、支持部７に押圧されてスピンベース５に保持される。 （もっと読む）

【課題】基板処理に繰り返し使用される薬液やその薬液中の異物を除去するためのフィルタの寿命を長期化できる薬液回収方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハへの薬液供給開始から所定時間が経過するまでの間は、ウエハの処理に用いられた薬液が、共用配管１５から分岐廃棄配管２４を通して高濃度廃液ドレンへ廃棄される。そして、所定時間の経過後にウエハの処理に用いられた薬液は、共用配管１５から分岐回収配管２３を通して回収タンク２２に回収される。そのため、薬液の供給開始後の初期の段階で、ウエハからポリマなどの異物が多量に除去されても、その多量の異物が回収タンク２２内の薬液に混入することを防止できる。その結果、再利用される薬液から異物を除去するための前段フィルタ３５などの寿命を長期化することができ、また、繰り返し使用される薬液の寿命を長期化することができる。 （もっと読む）

【課題】 ＺｎＯ層を洗浄することができ並びにライン分離処理システムを行うことができ、層の湿式化学的粗面化と関連付けて層の構造化後にできるだけ少ない方法技術的な経費および時間消費量で大きな表面積、即ち一般に１ｍ^２またはそれ以上の表面積に再現可能で均質に実現できる方法および装置の提供。
【解決手段】 柔軟性のないまたは柔軟性のある支持体の上に配置された予備構造化された酸化亜鉛層を有する基板を処理する手段において、該基板をエッチング液で処理するための第一の手段、該基板を洗浄液で処理するための第二の手段および第一の手段から第二の手段に基板を運搬するための別の手段よりなることを特徴とする、上記装置。 （もっと読む）

本発明によるウェーハ処理装置のための送出ヘッドは、入口(60)、出口(50)、ドレイン(56)及び貫通通路(42)を有する。貫通通路(42)は、入口(60)、出口(50)及びドレイン(56)を相互に接続する。入口(60)は、貫通通路(42)の底部よりも第１の高さ(62)上方にあり、出口(50)は、底部よりも第２の高さ(52)上方にあり、ドレイン(56)は、底部よりも第３の高さ(58)上方にある。第１のバルブ(66)が入口(60)に接続され、第２のバルブ(68)がドレイン(56)に接続される。第１のバルブ(66)が開き且つ第２のバルブ(68)が閉じているとき、流体が入口(60)に流入し、出口(50)から流出する。第２のバルブ(68)が開き且つ第１のバルブ(66)が閉じているとき、貫通通路(42)からの流体がドレイン(56)から流出する。ポンプ(70)がドレイン(56)に接続されるのが良い。
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処理ヘッドアッセンブリとベースアッセンブリを含むワークピース処理システムであり、処理ヘッドアッセンブリは処理ヘッドと上部ロータを有し、ベースアッセンブリはベースと下部ロータを有している。ベースおよび下部ロータは磁石を備え、この磁石が生成する磁力により、上部ロータは下部ロータと係合可能であり、係合した上下のロータは、処理を受けるために半導体ウエハーが配置される処理チャンバを形成する。ワークピースを処理する処理流体は、処理ヘッドがワークピースを回転させる間に、処理チャンバへ任意に導入される。加えて、処理チャンバの周りと、処理チャンバを通過する気流により、ワークピース上に加わるパーティクルが低減される。
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本発明は、半導体ウエハや液晶基板などの基板を回転させながら、薬液処理、洗浄処理、乾燥処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。本発明はまた、半導体ウエハなどの基板を回転させながら保持する基板保持装置に係り、特に、洗浄装置やエッチング装置などに好適に使用される基板保持装置に関する。本発明の基板処理装置は、基板を回転保持する基板保持部を有し、基板を回転させて基板に流体を供給して処理を行い、前記基板保持部には前記流体を吸引する保持部吸引部が配置されている。また、本発明の基板保持装置は、基板の端部に当接して該基板を回転させる複数のローラを備え、複数のローラは基板の半径方向に沿って移動する。

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【課題】 半導体基板を分割するために切削溝を形成した際のダイシングダメージを確実に除去することができる半導体基板のエッチング方法及びエッチング装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 複数の半導体素子が形成された半導体基板におけるダイシングラインに切削溝を形成した後、該切削溝の内壁に荷重条件下で半導体のエッチング溶液を接触させて、前記切削溝の内壁又はその近傍に形成された欠陥領域を除去する半導体基板のエッチング方法及び複数の半導体素子が形成され、ダイシングラインに切削溝が形成された半導体基板をエッチング溶液中又は空気中の所定位置に保持するための半導体基板の保持手段と、前記切削溝の内壁に荷重条件下で半導体のエッチング溶液を接触させるためのエッチング溶液に対する荷重手段とからなる半導体基板のエッチング装置。 （もっと読む）

【課題】 ギャザリングされた各半導体ウェーハの外周部の略全面を均一に面取りエッチングする半導体ウェーハの表面処理方法を提供する。
【解決手段】 ギャザリングウェーハＧの各ウェーハ外周部間の隙間形成面同士にブラシ１６を当接し、これらの部分にエッチング液を吹きかけならがブラッシングする。これにより、ギャザリングされた各シリコンウェーハＷの外周部の山谷部分のエッチングムラが小さくなる。その結果、各ウェーハ外周部の略全面を均一に面取りエッチングすることができる。 （もっと読む）