【課題】基板を搬送しながら基板に対しエッチング液を循環させつつ供給してエッチング処理する場合に、エッチング液成分の濃度を正確に測定できる装置を提供する。
【解決手段】エッチング液の循環経路の途中でエッチング液の一部をサンプリング液として取り出し、サンプリング用配管４４を通してサンプリング液を硝酸濃度モニタ５２内へ導く。硝酸濃度モニタ５２において、吸光光度計によりサンプリング液の吸光度を計測し、濃度管理用のパソコン５４により、計測された吸光度からサンプリング液中の硝酸濃度を算出する。装置管理用のパソコン６２から濃度管理用のパソコン５４へ送られる、基板のエッチング処理枚数の情報に基づいて、マスキング剤の添加量を算出し、供給ユニット５８により、算出された量のマスキング剤をサンプリング液中に添加し、エッチング処理に伴って基板上から溶出したアルミニウム成分をマスキングする。 （もっと読む）

【課題】超臨界流体の存在下に被処理基板に対して成膜工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等の加工を容易に行うことのできる基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の基板の製造方法は、基板が設置された反応室内に超臨界流体を充填し、該超臨界流体に溶解させた原料を基板の表面近傍で反応させることで基板の表面を加工する基板の製造方法であって、基板を、反応室内の天井部１０に基板の表面を下方に向けて設置するものである。 （もっと読む）

【課題】所望のエッチングレートと対酸化膜選択比が得られるＨ_３ＰＯ_４液を簡単に調整することができる半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】Ｈ_３ＰＯ_４処理装置１００は、ウエハを浸漬するＨ_３ＰＯ_４液を滞留させる処理槽１０と、処理槽１０に新しいＨ_３ＰＯ_４液を供給する新液供給機構１５と、処理槽１０からＨ_３ＰＯ_４液を排液する排液機構１６，１７と、事前に入手された積算ＳｉＮエッチング量に対するエッチングレート，対酸化膜選択比を記憶したデータベース３１と、現在のＨ_３ＰＯ_４液を用いて次処理のウエハを処理した場合に所望のエッチングレートおよび対酸化膜選択比が得られるか否かを判断する処理判断部３４と、処理判断部３４の判断が否であり、かつ、現在のＨ_３ＰＯ_４液におけるＳｉ濃度を低下させる必要がある場合にＨ_３ＰＯ_４液排出量と新しいＨ_３ＰＯ_４液供給量を算出する給排液量計算部３５とを有する制御ユニット２０を具備する。 （もっと読む）

【課題】洗浄薬液の混合比を正確に求め、必要量の薬液補充を行うことにより薬液濃度を制御して、被エッチング膜に対するエッチング量を容易に制御する。
【解決手段】薬液交換時において、薬液槽１に供給される薬液２１，２２，２３の供給流量を、それぞれの薬液流量計３１，３２，３３により測定する。測定された流量にて演算部７において供給時間が計算され、供給流量と供給時間の積分値から各薬液の総投入量を算出する。各薬液の総投入量から混合比を求めて薬液濃度を算出する。このとき算出された濃度が設定濃度と異なる場合、所望する薬液濃度となるように各薬液の補充量を演算部７で算出し、補充量を供給時間を可変させることにより調整する。演算部７で算出された供給時間にわたり、補充する薬液のみミキシングバルブ４を開いて薬液槽１に薬液を供給し、薬液濃度を調整する。 （もっと読む）

【課題】処理液の再生により処理液に含まれる界面活性剤の濃度が低くなるのを防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、界面活性剤が含まれた処理液を貯留する貯留槽１１と、処理液によって基板を処理する処理機構１２と、貯留槽１１内の処理液を貯留槽１１と処理機構１２との間で循環させる第１循環機構２０と、処理機構１２での基板処理によって処理液に含まれるようになった金属イオンを吸着する吸着材が内部に充填された吸着容器３２，３３と、貯留槽１１内の処理液を吸着容器３２，３３内に供給して流通させるとともに、流通させた処理液を吸着容器３２，３３から貯留槽１１に回収し、貯留槽１１と吸着容器３２，３３との間で処理液を循環させる第２循環機構３４と、貯留槽１１に貯留された処理液又は吸着容器３２，３３から貯留槽１１に回収される処理液に界面活性剤を供給する供給機構７０とを備える。 （もっと読む）

【課題】処理液の取り替えサイクルを長くしたり、基板処理効率の低下を防止したり、基板処理コストを抑えることができる基板処理装置などを提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、貯留槽１１と基板処理機構１２と間で処理液を循環させる第１処理液循環機構２０と、基板処理機構１２における基板処理によって処理液中に含まれるようになった金属イオンを吸着する２つの吸着塔３２，３３と、貯留槽１１内の処理液を吸着塔３２，３３のいずれか一方に選択的に供給して循環させる第２処理液循環機構３４と、処理液の供給される吸着塔３２，３３が所定時間間隔で交互に切り換わるように第２処理液循環機構３４の作動を制御する制御装置２８とを備える。 （もっと読む）

【課題】薬液の供給を監視することにより、薬液の濃度測定系に異常が発生したことを精度よく検知することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】薬液の濃度測定系に異常があれば、アラーム値メモリ５７に記憶されている、正常な状態で供給された時の一定時間内における供給量（正常値）と、供給量積算部６３が算出する一定時間内における実績値との間に差が生じるので、判断部５９はその比較に基づき異常の発生を判断できる。供給量積算部６３は、濃度測定部５３及び濃度制御部５５の制御の下で所定時間内に薬液供給管３９から供給される薬液の供給量を積算し、供給配管１７を通して処理槽１に供給される処理液中の濃度を測定する濃度測定部５３とは別系統であるので、濃度測定部５３の不具合に関係なく、異常を正確に判断することができる。 （もっと読む）

【課題】処理槽内の処理液の比重値を算出するためのガスの配管にシリカが析出することを防止することができ、比重値が正確に計測され、エッチングレートの安定した半導体製造装置を提供する。
【解決手段】加熱した処理液に基板を浸漬して基板の表面処理を行う半導体製造装置において、前記処理液を貯留する処理槽１と、前記処理液中の所定深さからガスを放出し、その放出圧力から前記処理液の液圧を検出する圧力検出部５３と、前記検出された液圧に基づき前記処理液の比重を算出する比重算出部５４と、前記処理液中に放出されるガスを加熱するヒータ５５と、前記算出された比重に基づいて前記処理槽への純水供給量を制御するコントローラ５１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】、予め設定した複数の処理時間を参照することにより、処理液の劣化等を考慮した場合であっても効率的なスケジューリングを行うことができる基板処理装置のスケジュール作成方法を提供する。
【解決手段】制御部３７は、まず処理液のライフタイムに応じてそれぞれ異なる複数の処理時間ごとに、処理液を使用するリソースの使用タイミングを配置した処理ブロックを予め作成する。次いで、処理液を使用するリソースが使用されるタイミングに応じて、予め作成してある複数の処理ブロックの中から一つの処理ブロックだけを選択的に配置する。したがって、処理液の劣化等を考慮した場合であっても効率的なスケジューリングを行うことができる。また、処理時間を使用履歴に応じて自動的に変えるので、スケジュールを短縮することができ、装置の稼働率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたシリコン窒化膜のエッチングレートを一定に維持することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】浸漬処理槽１０に貯留されているリン酸水溶液は、循環ライン２０を通して循環されている。シリコン酸化膜およびシリコン窒化膜が形成された基板Ｗが浸漬処理槽１０のリン酸水溶液中に浸漬されることによってシリコン窒化膜の選択的なエッチング処理が進行する。再生ライン３０は、循環ライン２０を通して循環されるリン酸水溶液の一部を取り出して再生装置３１によりシロキサンを回収・排出してリン酸水溶液を再生する。制御部４０は、出側濃度計２４および入側濃度計３２の測定結果に基づいて流量調整弁３３を制御し、浸漬処理槽１０に貯留されているリン酸水溶液中に含まれるシロキサンの濃度が一定となるように浸漬処理槽１０に還流するリン酸水溶液の流量を調整する。 （もっと読む）

【課題】定期液交換処理を柔軟に配置することにより、無駄な待機時間を低減して基板処理のスループットを向上させることができる基板処理装置のスケジュール作成方法を提供する。
【解決手段】制御部は、まずライフタイムＬＴが経過する時点ｔ１で処理部のリソースに定期液交換処理ＸＬを配置する。その後、定期液交換処理ＸＬの配置に起因して、後続の処理工程ｄに待機時間が生じる場合には、延長時間ＥＴ内で定期液交換処理ＸＬを後にずらして配置し、本来は定期液交換処理ＸＬに後続する処理工程ｄを優先的に前に配置する。このように定期液交換処理ＸＬをライフタイムＬＴのアップにのみ基づき一律に配置するのではなく、定期液交換処理ＸＬを柔軟に配置するので、無駄な待機時間を低減して基板処理のスループットを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板を均一にエッチングすることができるエッチング液供給装置、エッチング装置及びエッチング方法を提供する。
【解決手段】本発明によるエッチング液供給装置は、エッチング槽でガラス基板をエッチングするエッチング装置に、水、フッ酸、及び無機酸を含む複数の構成成分からなるエッチング液を供給し、エッチング槽で用いられたエッチング液のフィードバックを受けるエッチング液タンクと、エッチング液タンクのエッチング液をエッチング槽に供給するエッチング液移送部と、エッチング液タンクのエッチング液における構成成分の少なくとも一部である制御構成成分の濃度を測定する濃度測定手段と、制御構成成分を各制御構成成分別にエッチング液タンクに供給する構成成分供給部と、濃度測定手段の測定結果に基づいて制御構成成分が供給されるように構成成分供給部を制御する制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板の面内における薬液処理の均一性を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の基板処理装置は、処理槽内の純水を薬液に置換するときには、処理槽内に供給する処理液中の薬液成分の濃度を段階的又は連続的に上昇させる。また、処理槽内の薬液を純水に置換するときには、処理槽内に供給する処理液中の薬液成分の濃度を段階的または連続的に低下させる。このため、処理槽内において一度に発生する薬液成分の濃度のばらつきが緩和され、基板の面内における薬液処理の均一性が向上する。 （もっと読む）

【課題】III 族窒化物半導体のウェットエッチング方法および半導体装置製造方法。
【解決手段】Ｒ面を表面とするＧａＮ基板１０の上にＳｉＯ₂ で構成された層間絶縁膜１１が形成されている（図１Ａ）。次に、層間絶縁膜１１をドライエッチングし（図１Ｂ）、コンタクトホール１２を形成する。その際ダメージ層１３が形成される。次に、濃度２５％、温度９０℃のＴＭＡＨ水溶液を用い、ウェットエッチングをする。ダメージ層１３はＲ面であるためエッチングされ、除去できる（図１Ｃ）。その後、金属膜１４を形成する（図１Ｄ）。 （もっと読む）

【課題】基板の表面上に形成されたシリコン窒化膜をシリコン酸化膜に対し選択的にエッチングする場合に、高い選択比でエッチングすることができ、それほど厳しい装置性能や制御が求められることがない方法を提供する。
【解決手段】加熱されたリン酸水溶液１４を処理槽１０内に貯留し、リン酸水溶液１４中に基板Ｗを浸漬させて、基板の表面上に形成されたシリコン窒化膜をシリコン酸化膜に対し選択的にエッチングする場合に、処理槽１０内に貯留されたリン酸水溶液１４にヘキサフルオロケイ酸水溶液を添加して、リン酸水溶液１４中にケイ素成分とフッ素成分とを含有させる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉとＳｉＧのエッチング時の選択比を向上させる。
【解決手段】Ｓｉ層とＳｉＧｅ層とを同一基板上に形成し、３分以内の時間内でＳｉＧｅ
層をフッ硝酸処理にて選択的にエッチング除去する。 （もっと読む）

【課題】熱酸化膜のエッチングを抑制しつつ、ＳｉＯ_２系堆積物およびＣＦ系堆積物を同一工程で選択的に除去することができるエッチング液およびそのようなエッチング液を用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、８６ｗｔ％〜９７．９ｗｔ％のＨ_２ＳＯ_４と、０．１ｗｔ％〜１０ｗｔ％のＨＦと、２ｗｔ％〜４ｗｔ％のＨ_２Ｏとを含む液体に１０ｐｐｍ以上のオゾンを溶解させたエッチング液５を用いたエッチング工程を具備する。 （もっと読む）

【課題】循環する高温の処理液へ補充液を効率よく混入して処理液の濃度及び温度分布を均一に保持することができる構造が簡単な基板処理方法及び基板処理システムを提供すること。
【解決手段】処理液及びウェーハＷを収容し上部開口縁に溢流堰３ｂが形成された内槽３と内槽の溢流堰から溢れる処理液を収容する外槽４とを有する処理槽２と、内槽と外槽とを接続して処理液の循環を行なう処理液循環路Ｌ_１と、処理槽から蒸発した処理液と実質的に同一量の補充液を補充する補充液供給手段と、を備えた基板処理システム１であって、補充液供給手段は、複数個の供給ノズル１４と、供給ノズルへ前記補充液を供給する補充液供給源に接続された補給路Ｌ_２を有し、複数個の供給ノズルは、そのノズル穴１４'が溢流堰近傍の内槽に貯留される処理液内の液面に対して浅い位置に溢流堰に向けられて設けられている。 （もっと読む）

【課題】エッチング特性を改善する単結晶シリコン用エッチング液を提供するとともに、この単結晶シリコン用エッチング液を用いることにより、高精細な蒸着マスクを安定して大量に製造することができるようにした、シリコン蒸着マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】水酸化カリウム水溶液からなるエッチング液に、エッチング調整イオンが添加されてなる単結晶シリコン用エッチング液である。エッチング調整イオンは金属イオンであり、金属イオンは例えばカルシウムイオン、鉛イオン、アルミニウムイオンである。 （もっと読む）

【課題】処理液により基板を処理する基板処理装置において、処理液の処理性能を維持し、基板処理装置の稼働率を向上させるとともに、処理液の消費量や排液量を低減できる技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、処理液を冷却タンク２５，２９に一旦貯留し、処理液を冷却する。これにより、処理液中に溶解している不純物を析出させて、冷却タンク２５，２９の底部に沈殿させる。そして、冷却タンク２５，２９に貯留された処理液の上澄み液を、再び処理槽１０へ供給する。このため、処理液の処理性能が維持され、処理液を再利用できる。また、処理液を新液に交換する頻度が低減されるため、基板処理装置１の稼働率が向上するとともに、処理液の消費量や排液量が低減される。 （もっと読む）