【課題】 被加工物の表面が目的のプロファイルになるように該表面をエッチングする表面加工方法を提供する。
【解決手段】 まず、被加工物１の表面の加工前のプロファイルを測定する。次に、複数のノズル（供給手段）１２からこの表面に向けて所定の流量でエッチング液を供給しつつ、これらノズル１２の集合体１１をこの表面に沿って移動させる。その際、各ノズル１２から供給されるエッチング液の温度及びノズル集合体１１の移動速度を、被加工物表面上の各位置において目的プロファイルと加工前プロファイルの差から求めた加工深さにより定まる値になるように制御する。これにより、被加工物の表面を目的のプロファイルにすることができる。 （もっと読む）

【課題】エッチング槽の燐酸を液面を一定に保つための制御を行ない易い処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の処理装置は、半導体ウエハ１を熱燐酸によってエッチング処理する溢流部３ａ付のエッチング槽３と、前記溢流部３ａに溢流した燐酸をエッチング槽３外に導いて濾過、加熱および純水を添加してエッチング槽３内へ戻す循環濾過経路部５と、前記循環濾過経路部５から分岐配管６０を介し取り出された燐酸にフッ酸を加えて加熱処理する燐酸再生装置６と、前記燐酸再生装置６で再生された燐酸を前記エッチング槽３に補給する補給配管１４０ａと、新しい燐酸液を供給する新液供給部８とを含む。 （もっと読む）

【課題】槽内の使用中の燐酸を、循環濾過経路部とフッ酸を用いる燐酸再生装置で再生する処理装置において、燐酸再生装置側へ回収する回収時及び回収量を自動化し易くかつ燐酸中の不純物を低減したり一定に維持可能にする。
【解決手段】ウエハ１を熱燐酸により処理する溢流部３ａ付エッチング槽３と、溢流部３ａに溢流した燐酸を槽外に導いて濾過、加熱及び純水を添加して槽３内へ戻す循環濾過経路部５と、循環濾過経路部５から分岐配管６０を介し取り出された燐酸にフッ酸を加え加熱処理する燐酸再生装置６と、燐酸再生装置６で再生された燐酸を槽３に補給する補給配管６７ａとを備えた処理装置を対象としている。改良点は、分岐配管６０を循環濾過経路部５の燐酸を濾過する濾過部５２の手前に設け、燐酸再生装置６側へ分岐する燐酸の量を濾過部５２へ流れる循環液圧に応じ制御可能な流量調節手段（圧力計とニードル弁等）を有している。 （もっと読む）

【課題】
電子顕微鏡を用いずに銀を用いた反射電極の微小な欠陥の観察を簡易な光学顕微鏡等により実現するための手段を提供することにある。
【解決手段】
基板上にｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層をこの順序で含み、負極および正極がそれぞれｎ型半導体層およびｐ型半導体層に接して設けられており、該正極が少なくともコンタクトメタル層と、少なくともＡｇを成分として含む金属乃至合金からなっている反射層と、コンタクトメタル層および反射層の上面および側面全面を覆う様に設けられたＡｇを成分として含まない保護金属層を備える半導体発光素子の製造方法である。この方法において、発光素子を保護金属層に対しては侵食せず、Ａｇに対しては侵食作用を有する工程に曝し、発光素子の欠陥を検出する工程を設けたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理で循環使用している高温高濃度の燐酸溶液中の珪素濃度を前処理することなく、連続的に、簡易に且つ安価に測定し、エッチング装置を常に良好な処理が行える状態に管理可能とする測定装置及び測定方法の提供。
【解決手段】半導体基板処理装置の稼働中にエッチング液として使用されている燐酸溶液中の珪素濃度を測定するための装置であって、少なくとも反応槽と濃度測定槽とを有してなり、上記反応槽は、前記半導体基板処理装置から抜き出された一定量の燐酸溶液に弗化水素酸を加えることで弗化珪素化合物を生じさせ、更に該弗化珪素化合物を蒸発させる反応ユニットを有し、且つ、上記濃度測定槽は、反応槽からの蒸発した弗化珪素化合物を脱イオン水に通気させて加水分解する加水分解ユニットと、通気した後の脱イオン水中の珪素濃度の変率を測定する測定ユニットとを有する燐酸溶液中の珪素濃度測定装置。 （もっと読む）

【課題】 同一の組成物を使用して薄膜トランジスタ液晶表示装置のＴＦＴを構成するゲート配線材料であるＡｌ−Ｎｄ／Ｍｏ二重膜またはＭｏ／Ａｌ−Ｎｄ／Ｍｏ三重膜を、単一工程で、下部膜であるＡｌ−ＮｄまたはＭｏのアンダーカット現象なしに湿式エッチングして、優れたテーパを収得することができ、同時にソース／ドレイン配線材料であるＭｏ単一膜でも優れたプロファイルを形成することができるエッチング組成物を提供する。
【解決手段】 本発明による薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング組成物は、燐酸、硝酸、酢酸、燐酸塩、陰イオン界面活性剤及び水を含む。 （もっと読む）

【課題】 処理液を形成する薬液の特性を一定に維持して処理の安定化及び品質の向上を図れるようにすること。
【解決手段】 処理槽１０内に循環供給される薬液（ＤＨＦ，ＥＧ）の混合液からなる処理液であるエッチング液Ｅでエッチング処理する液処理装置において、各薬液を処理槽内に貯留された処理液に補充する薬液補充手段４０，５０と各薬液補充手段をそれぞれ構成する補充管路４３，５３に介設される開閉弁Ｖ2〜Ｖ5と、各補充管路に介設されて所定量の薬液を供給する薬液供給ポンプＰ1，Ｐ2と、各薬液の処理槽への補充タイミングを記憶し、この記憶された情報に基づいて各開閉手段及び各薬液供給手段に動作信号を伝達する制御コンピュータ７０とを具備する。制御コンピュータを、処理液の排液後に、処理槽内に複数の薬液を供給して処理液を作成する処理液交換工程後の経過時間毎に、各薬液毎に補充のタイミングを可変設定可能に形成する。 （もっと読む）

【課題】 基準を設定することにより、絶対的な値としての換算濃度を得ることができるとともに、調整工数を低減できる。
【解決手段】 基準液を処理槽１に貯留し、この状態で基準電圧を記憶部２６に記憶し、処理槽１に貯留した処理液を処理温度に加熱し、この状態で処理電圧を検出し、これらに基づいて濃度算出部２７が処理液の実比重を求める。濃度算出部２７は、実比重を、測定温度における比重に換算して換算実比重を求め、比重−濃度特性に基づき換算濃度を求める。実比重が装置の基準電圧に対する比率を表すので、これに基づき温度換算されて得られた換算濃度も絶対的な値となる。その結果、各装置で換算濃度を求めれば装置間の比較に利用でき、ユーザにとっても理解しやすい絶対的な値にでき、各装置で共通の基準を得ることができて各装置の調整工数を低減できる。 （もっと読む）

【課題】 基板上の電子部材や各種積層膜等を腐食させることなく、タングステン膜に対するエッチレートを安定化させ、かつ選択的にエッチングできる微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法を提供する。
【解決手段】 本発明の微細加工処理剤は、タングステン膜及びシリコン酸化膜が積層された基板を微細加工する微細加工処理剤であって、（１）フッ化水素と、（２）硝酸と、（３）ケトン、エーテル、エポキシド、アルデヒド、アミド、アミン、ニトリル、スルホキシド、ヘテロ環化合物、有機酸、フェノール、チオール、及びスルフィドからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物とを含み、前記タングステン膜に対する２５℃でのエッチレートが５〜５０００ｎｍ／分の範囲内であり、且つ、前記タングステン膜に対する２５℃でのエッチレートが、前記シリコン酸化膜に対する２５℃でのエッチレートの２倍以上であることを特徴とする。

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基板処理装置（３）にてポリマー除去処理を行うときのプロセスのうち、回転する基板（Ｗ）に除去液を吐出して拡布する工程では基板回転数、除去液温度、除去液流量および除去液吐出時間のデータを収集し、それらの組み合わせから総合的に判断して処理異常を検出する。また、純水吐出工程では基板回転数、純水流量および純水吐出時間のデータを収集し、それらの組み合わせから総合的に判断して処理異常を検出している。このように、処理結果に大きく影響する重要な工程の重要な制御要素の組み合わせから総合的にポリマー除去処理の処理異常を検出することによって、より高い精度の処理異常検出を行うことができる。
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【課題】 本発明は、エッチング処理を確実に行って歩留まりを向上させることができる半導体基板処理装置及びその方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 処理槽３０内に半導体基板２０が投入された後、所定のタイミングで、処理槽３０内の処理液の温度を計測し、当該タイミングにおける、所定フィルタを使用したときの処理槽３０内の処理液の温度と、計測された温度との温度差を算出し、温度差に基づいて半導体基板２０をエッチング処理する処理時間を算出し、算出された処理時間を基に半導体基板２０をエッチング処理する制御部１００を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】主としてＳｉで構成される領域と、主としてＳｉＯ_２で構成される領域との境界部に、落ち込みが生じることを防止しつつ、これらの領域同士の間に段差を容易かつ正確に形成し得るエッチング方法、このエッチング法を適用したトレンチ素子分離構造の形成方法、このトレンチ素子分離構造の形成方法によりトレンチ素子分離構造が形成された半導体基板、かかる半導体基板を備え、信頼性の高い半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明のエッチング方法では、主としてＳｉで構成される第１の領域と、主としてＳｉＯ_２で構成される第２の領域とを有する基材を、フッ化水素とオゾンとを含むエッチング剤を用いてエッチングするものである。このエッチング方法では、前記エッチング剤によるエッチングレートが、ＳｉＯ_２よりＳｉが高いことを利用して、前記第１の領域と前記第２の領域との境界部に段差を形成する。 （もっと読む）

【課題】 塩基性エッチング液を用いてシリコンの異方性エッチングを行うに際して、エッチング液を繰り返し使用してもエッチング速度が変動せず、上記のような対策を採ることなく安定してエッチングを行うことのできる方法を提供すること。
【解決手段】 内部に塩基性エッチング液が導入されるエッチング槽を有するエッチング装置を用い、ＴＭＡＨ等の塩基性エッチング液を当該装置内に滞在させて繰り返し使用することによりシリコンの異方性エッチングを行なう方法において、該エッチング装置内に導入された当初の塩基性エッチング液に含まれる炭酸イオンの濃度をＣ_０（ｍｏｌ／ｌ）としたときに、該塩基性エッチング液中に含まれる炭酸イオンの濃度Ｃ（ｍｏｌ／ｌ）をＣ_０±０．１（ｍｏｌ／ｌ）（但しＣは０以上の実数である）の範囲内に制御して、塩基性エッチング液をエッチング装置内に７２時間以上滞在させて使用する。 （もっと読む）

【課題】処理槽内の処理液の温度分布を略均一にすることにより、良好な基板処理を可能とする基板処理装置を提供する。
【解決手段】薬液調合槽５０のヒータ５３および処理槽２０のヒータ２９によってエッチング液の液温をエッチング温度に加温して維持する。また、エッチング温度以上のガス吐出温度に維持された窒素ガスを窒素ガス供給ノズル１２から処理槽２０の上部付近に向けて供給する。これにより、エッチング液２１からの熱移動を補償でき、エッチング液２１の各部分における温度分布を略均一に維持できるため、良好なエッチング処理を実行できる。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板表面にマイクロラフネスを生じる処理液中不純物の高感度検出方法を提供する。
【解決手段】 薬液もしくは純水で所定時間処理することにより、シリコン基板表面にマイクロラフネスを生じさせた後、シリコン基板のマイクロラフネスの状態を全反射赤外吸光度法で測定する。さらに、得られた吸収スペクトルのうち、特定の吸収波数によって規定される吸収ピークを基準ピークと定め、さらに他の特定の吸収波数によって規定される吸収ピークを対照ピークと定め、基準ピークと対照ピークとのピーク強度比を取ることによってシリコン基板表面のマイクロラフネス発生状態の検出や、数値化による定量評価を可能にする。 （もっと読む）

酸化ケイ素のエッチング速度を安定させつつ高い選択性を提供する、酸化ケイ素に対する窒化ケイ素の選択エッチング装置（図５）及び方法。本発明は、プロセスチャンバ（１０）、注入ライン（２０、２１、２２）、供給ライン（３０、３１、３２）、再循環ライン（４０）、プロセス制御器（２００）、濃度センサー（５０）、粒子計数器（５５）、排出ライン（９０）、を含む。本発明は、少なくともひとつの基板の処理中に、使用されるエッチング液の構成要素の濃度比を動的制御し、および／または、エッチング液内の粒子数を動的制御する。結果として、エッチング液の液寿命は延び、エッチングプロセスパラメータは、よりしっかりと制御される。
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