【課題】高温環境下で使用することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】第１インナー電極と第２インナー電極との積層からなるワイヤー接続領域を合金化防止溝によって第１アウター電極および第２アウター電極と分離することでワイヤーボンディング界面から成長したＡｕ−Ａｌ合金層の進行を抑制し、半導体装置表面のパッシベーション膜のクラックを防止する。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極とソース電極との間に印加される電圧がソース電極パッドの電気抵抗による電圧降下で低下することを防止でき、安定した動作を実現できる電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】このＧａＮ ＨＦＥＴによれば、ボンディング部１６Ｂの第２のパッド部１６Ｂ‐２は、電極接続部１６Ａが含有する複数の接続部分１９のうちの第２の方向(ソース電極１２とドレイン電極１１が対向している方向)の一端に配置された接続部分１９の上記第２の方向の外端を電極延在方向へ延長した仮想延長線Ｌ１に関して第１のパッド部１６Ｂ‐１とは反対側に位置している。第２のパッド部１６Ｂ‐２に接続された第２のソース配線２４のボンディング箇所の第２の方向の位置を電極接続部１６Ａのソース電極１２との接続部分１９の第２の方向の位置と重ならないようにして、ソース電極１２からの電流が第２のソース配線２４に流れにくくできる。 （もっと読む）

【課題】ワイヤショートやワイヤ流れのリスクを低減する方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、主面上に第１および第２の接続パッド１２４，１２５を有する配線基板１２と、第１の電極パッド１４１を有する第１の半導体チップ１４と、第１の電極パッド１４１より小さいサイズの第２の電極パッド１６１を有する第２の半導体チップ１６と、第１の電極パッド１４１と第１の接続パッド１２４とを接続する第１のワイヤ２２と、第２の電極パッド１６１と第２の接続パッド１２５とを接続する第２のワイヤ２４とを含む。第１の電極パッド１４１は第２のワイヤ２４の幅広部２４１より大きく、第２の電極パッド１６１は第２のワイヤ２４の幅広部２４１より小さい。第２のワイヤ２４は、幅広部２４１が第２の接続パッド１６１に接続され、他端がバンプ電極３０を介して第２の電極パッド１６１に接続される。バンプ電極３０は、第２の電極パッド１６１より小さい。 （もっと読む）

【課題】 素子領域の金属電極層上を保護膜で覆い、該保護膜を開口して電極パッド部を形成し、電極パッド部に導電性接着材を供給して金属接続板を接続する半導体装置において、金属接続板の固着時に溶融した導電性接着材が電極パッド部から外側に広がり、半導体基板（チップ）の端部に達してショートする問題があった。
【解決手段】 一主面に素子領域２が設けられた半導体基板１と、素子領域２上に設けられた金属電極層４と、金属電極層４上を覆う保護膜５と、保護膜５の一部を開口して設けられた電極パッド部８と、電極パッド部８と電極パッド部８に直近の半導体基板１の端部との間の保護膜５に設けられた溝部９とを具備する。電極パッド部８に供給された導電性固着材１１が溶融し電極パッド部８から外側に広がった場合であっても、導電性固着材１１は溝部９に埋め込まれることで溝部９の外側への広がりが規制され、半導体基板１の端部に達することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】電極パッド間におけるデンドライトの発生を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、第１電極パッド１ａ及び第２電極パッド１ｂと、第１電極パッド１ａと第２電極パッド１ｂとの間に配置されている金属膜パターン３と、を有している。（１）金属膜パターン３は第１電極パッド１ａと電気的に接続されているか、又は、金属膜パターン３には第１電極パッド１ａと同電位が印加され、且つ、（２）金属膜パターン３は絶縁膜（保護絶縁膜２）により覆われている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの小型化を維持して半導体装置の組み立てのワイヤボンディング性を向上させる。
【解決手段】プローブピンを接触させるプローブ接触面６ｄとワイヤ５を接続するワイヤ接続面６ｅとが形成され、さらにプローブ接触面６ｄは主面６ａに対して傾斜した面であり、かつワイヤ接続面６ｅはプローブ接触面６ｄと異なった角度の面である電極パッド６ｃを備えたメモリチップ６と、メモリチップ６が搭載されたタブ２ｃと、複数のインナリード２ａ及びアウタリード２ｂと、メモリチップ６の電極パッド６ｃのワイヤ接続面６ｅとインナリード２ａとを接続する複数のワイヤ５とを有している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属膜の端部の応力により金属膜の端部直下の表面電極がダメージを受けることを防止できる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、基板２４と、該基板２４の上に、アルミを含む材料で形成された表面電極２６と、該表面電極２６の上に、はんだ付け可能な材料で形成された金属膜２８と、該表面電極２６の上の部分と、該金属膜２８の端部に重なる重畳部分３０ａとが一体的に形成されて該金属膜２８の端部を固定する端部固定膜３０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディング接続が行われる半導体チップにおいて、ワイヤボンディング時における電極パッド下の半導体部へのダメージの低減、および、ワイヤの位置ずれによる当該ワイヤのダメージの低減を図る。
【解決手段】半導体部１１の一面１２上に電極パッド１４とを備える半導体チップにおいて、電極パッド１４上に積層されて接続され、半導体部１１の一面１２上に突出する導電性材料よりなるバンプ１５と、半導体部１１の一面１２上に設けられ、電極パッド１４およびバンプ１５を封止する電気絶縁性の保護膜１６と、を備え、バンプ１５の先端面１５ａは保護膜１６より露出するとともに、保護膜１６とバンプ１５の先端面１５ａとは連続した同一平面を構成している。 （もっと読む）

【課題】全体の回路設計のために消費されるシリコン領域を減少させることにより集積回路チップのコストを減少させる。
【解決手段】補強されたボンドパッド２４１を有する集積回路のための構造と製作方法がボンドパッド２４１の下に配置される集積回路の少なくとも１つの部分を含み、この少なくとも１つの回路部分が少なくとも１つの誘電層とこの少なくとも１つの誘電層に配置されるパターン形成された電導性補強構造とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】兼用パッドのサイズを専用パッドよりも大きくするとともに、半導体装置のサイズ増大を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、第１の方向に延伸された第１のエッジＥ１と、第１の方向と実質的に直交する第２の方向に延伸された第２のエッジＥ２とを含む半導体チップ１０と、半導体チップ上に形成され、互いに第２の方向に沿った長さが実質的に等しい複数の第１グループパッドＧＰ１と、半導体チップ上に形成され、第２の方向に沿った長さが、複数の第１グループパッドの第２の方向に沿った長さよりも長い、第２グループパッドＧＰ２と、を備える。複数の第１グループパッドと第２グループパッドとは、第２グループパッドと第２のエッジとの間に複数の第１グループパッドのいずれをも含まずに、第１の方向に沿って一列に並んで配置されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程の増大を抑制しつつ、パッドの針跡を容易に確認できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１と、半導体基板１上に形成された回路素子と、半導体基板１上に形成され、回路素子と電気的に接続されたパッド（接続パッド４）と、を有している。パッドは、平面視において、導体が存在する実体パターン４１と、前記導体が存在しない開口パターン４２と、を含む所定のパターン形状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】焼結性金属接合材を用いた場合でも、接合部からの接合材のはみ出しを抑制し、信頼性の高い半導体素子およびこれを用いた半導体装置を得ることを目的とする。
【解決手段】板状をなし、表裏の面のうちの少なくとも一方に、焼結性金属接合材によって配線部材６を接合するための電極３Ｅｆが設けられた半導体素子３であって、電極３Ｅｆの電極面は、焼結性金属接合材を構成する金属微粒子と金属結合可能な金属の膜が被覆されているとともに、電極面を取り囲むように、電極面に対して立体的に形成された枠部４が設けられているように構成した。 （もっと読む）

【課題】ウェハテスト時に生じたプローブ痕を有する電極パッドに対してワイヤボンディングの接合が十分な強度で接合されたボンディングワイヤを備えた半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電極パッド１を有する半導体チップと、一端に形成された圧着ボール３が電極パッド１に接合されたボンディングワイヤ１０と、ボンディングワイヤ１０の他端が接続された配線とを備える。ウェハテストにより電極パッド１に形成されたプローブ痕２の凹部底面２ｃに圧着ボール３が接合され、凹部底面２ｃと圧着ボール３との接合領域４の大きさが凹部底面２ｃの大きさと等しい、または小さい。 （もっと読む）

【課題】アルミスプラッシュ及びアルミ剥がれ不良を抑制し、狭パッドピッチ化を実現するワイヤボンデ工法を提供する。
【解決手段】半導体素子８上の所定の領域に、回路領域と電気接続され、ボンディン領域となるアルミ電極６が配置されている。前記アルミ電極６の銅ワイヤ接続領域下層またはその周辺に、アルミ電極６に覆われるように層間膜１３を形成することにより、アルミ剥がれ不良を低減させ、かつアルミスプラッシュを抑制することで、狭パッドピッチ化への対応が可能となる。 （もっと読む）

【課題】エレクトロマイグレーション現象の発生を抑制して高い接続信頼性を確保すると共に、従来技術と同等以上の放熱性および導電性を確保したフリップチップ接続部を有する半導体装置およびそれを用いた電子部品を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、球状の金属コアを内蔵したはんだボールが配設されたフリップチップ接続部を備えた半導体装置であって、前記半導体装置は前記はんだボールと電気的接続されるランドおよび前記ランドと電気的接続される引出配線を有しており、前記金属コアは前記はんだよりも高い熱伝導率と電気伝導率とを有する材料からなり、前記ランドには前記はんだボールと接続する表面に球面状の窪みが形成されており、前記窪みの中心と前記引出配線との距離が前記ランドの中心と前記引出配線との距離よりも長いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】少ない工程でパッド電極に段差を設けた半導体素子を製造することができる半導体素子の製造方法及び半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１２上に中間絶縁膜１４、下層メタル配線１６、層間絶縁膜１８を形成し、層間絶縁膜１８上にパッド電極２０を形成し、パッド電極２０上に最終保護膜２２を形成し、最終保護膜２２上に、パッド電極２０の一部に対応した第１領域に開口部を備えるレジスト２２を形成し、最終保護膜２２をエッチングすると共に、パッド電極２０の一部の第１領域を予め定めた深さまでエッチングすることにより凹部２０Ａを形成し、パッド電極２０の第１領域を囲う第２領域上の最終保護膜２２をエッチングし、レジスト２２を除去することにより、半導体素子１０を製造する。 （もっと読む）

【課題】回路規模の大きな半導体チップを用いる場合においても、チップ中央部に安定して電源電圧を供給できる半導体装置を低コストに実現する。
【解決手段】半導体装置２５は、半導体チップ４と、半導体チップ４の主面の周縁部上に形成された外部パッド７と、主面上であって、外部パッド７よりも内側に形成された複数の内部パッド８及び９と、主面上を覆い、外部パッド７上及び複数の内部パッド８及び９上に開口を有する保護膜６と、内部パッド同士を電気的に接続する第１の金属細線１６とを備える。複数の内部パッド８及び９は、外部パッド７よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】高周波特性を損なうことなく、チップ単体又はウェハレベルでプローブ検査を可能とする半導体素子を提供する。
【解決手段】ＥＡＭ領域１２に電界を印加又は電流を注入するＥＡＭ部電極１４と、ＥＡＭ部電極１４と接続されたワイヤボンディング用のパッド電極１５とを有するＥＡＭ付き半導体レーザにおいて、パッド電極１５を複数のメッシュ穴１６を有するメッシュ形状に形成した。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディング時にパッド側の構造へダメージが発生することを抑制することのできるワイヤボンディング構造を提供する。
【解決手段】４はＣｕワイヤ、５は溶融したＡｕ、６はキャピラリ、７は加熱るつぼ、８はＦＡＢ（Ｆｒｅｅ Ａｉｒ Ｂａｌｌ）である。キャピラリ６先端から０．５ｍｍだけＣｕワイヤ（直径２５μｍ）を突出させ、１１００℃に加熱された加熱るつぼの中の液体化したＡｕに、Ｃｕワイヤの先端を５０μｍだけ、０．２ｓ浸漬する。先端部に直径５０μｍのＦＡＢ８が形成され、これを用いて半導体装置（不図示）の電極パッド（不図示）へワイヤボンドを行う。ワイヤ先端がワイヤよりも低融点かつ低硬度の導電性材料で被覆されていることで、当該ワイヤ先端をパッドにボンディングするとき低ストレスなワイヤボンドが可能となる。 （もっと読む）

【課題】パッド電極に荷重または衝撃力が加わっても、周囲の絶縁膜にクラックが発生しにくい構造の半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、平面形状が、略円形、略楕円形、少なくとも１つの内角が９０°より大きい略多角形、および、少なくとも１つの角部に面取りや丸みをつけた略多角形、ならびに、これらの少なくとも一部分を含む形状の組合せからなる群から選ばれた平面形状となるような凹部を形成する凹部形成工程と、前記凹部の内面に少なくとも一部を被覆する下敷膜を形成する下敷膜形成工程と、絶縁膜で覆われた前記凹部に導電性の電極材質を埋め込むパッド部形成工程とを含み、前記凹部形成工程は、第１の凹部を形成する工程と、前記第１の凹部の一部分においてさらに深く凹む第２の凹部を形成する工程とを含む。 （もっと読む）