【課題】 素子領域の金属電極層上を保護膜で覆い、該保護膜を開口して電極パッド部を形成し、電極パッド部に導電性接着材を供給して金属接続板を接続する半導体装置において、金属接続板の固着時に溶融した導電性接着材が電極パッド部から外側に広がり、半導体基板（チップ）の端部に達してショートする問題があった。
【解決手段】 一主面に素子領域２が設けられた半導体基板１と、素子領域２上に設けられた金属電極層４と、金属電極層４上を覆う保護膜５と、保護膜５の一部を開口して設けられた電極パッド部８と、電極パッド部８と電極パッド部８に直近の半導体基板１の端部との間の保護膜５に設けられた溝部９とを具備する。電極パッド部８に供給された導電性固着材１１が溶融し電極パッド部８から外側に広がった場合であっても、導電性固着材１１は溝部９に埋め込まれることで溝部９の外側への広がりが規制され、半導体基板１の端部に達することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】全体の回路設計のために消費されるシリコン領域を減少させることにより集積回路チップのコストを減少させる。
【解決手段】補強されたボンドパッド２４１を有する集積回路のための構造と製作方法がボンドパッド２４１の下に配置される集積回路の少なくとも１つの部分を含み、この少なくとも１つの回路部分が少なくとも１つの誘電層とこの少なくとも１つの誘電層に配置されるパターン形成された電導性補強構造とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】兼用パッドのサイズを専用パッドよりも大きくするとともに、半導体装置のサイズ増大を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、第１の方向に延伸された第１のエッジＥ１と、第１の方向と実質的に直交する第２の方向に延伸された第２のエッジＥ２とを含む半導体チップ１０と、半導体チップ上に形成され、互いに第２の方向に沿った長さが実質的に等しい複数の第１グループパッドＧＰ１と、半導体チップ上に形成され、第２の方向に沿った長さが、複数の第１グループパッドの第２の方向に沿った長さよりも長い、第２グループパッドＧＰ２と、を備える。複数の第１グループパッドと第２グループパッドとは、第２グループパッドと第２のエッジとの間に複数の第１グループパッドのいずれをも含まずに、第１の方向に沿って一列に並んで配置されている。 （もっと読む）

【課題】エレクトロマイグレーション現象の発生を抑制して高い接続信頼性を確保すると共に、従来技術と同等以上の放熱性および導電性を確保したフリップチップ接続部を有する半導体装置およびそれを用いた電子部品を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、球状の金属コアを内蔵したはんだボールが配設されたフリップチップ接続部を備えた半導体装置であって、前記半導体装置は前記はんだボールと電気的接続されるランドおよび前記ランドと電気的接続される引出配線を有しており、前記金属コアは前記はんだよりも高い熱伝導率と電気伝導率とを有する材料からなり、前記ランドには前記はんだボールと接続する表面に球面状の窪みが形成されており、前記窪みの中心と前記引出配線との距離が前記ランドの中心と前記引出配線との距離よりも長いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】少ない工程でパッド電極に段差を設けた半導体素子を製造することができる半導体素子の製造方法及び半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１２上に中間絶縁膜１４、下層メタル配線１６、層間絶縁膜１８を形成し、層間絶縁膜１８上にパッド電極２０を形成し、パッド電極２０上に最終保護膜２２を形成し、最終保護膜２２上に、パッド電極２０の一部に対応した第１領域に開口部を備えるレジスト２２を形成し、最終保護膜２２をエッチングすると共に、パッド電極２０の一部の第１領域を予め定めた深さまでエッチングすることにより凹部２０Ａを形成し、パッド電極２０の第１領域を囲う第２領域上の最終保護膜２２をエッチングし、レジスト２２を除去することにより、半導体素子１０を製造する。 （もっと読む）

【課題】高周波特性を損なうことなく、チップ単体又はウェハレベルでプローブ検査を可能とする半導体素子を提供する。
【解決手段】ＥＡＭ領域１２に電界を印加又は電流を注入するＥＡＭ部電極１４と、ＥＡＭ部電極１４と接続されたワイヤボンディング用のパッド電極１５とを有するＥＡＭ付き半導体レーザにおいて、パッド電極１５を複数のメッシュ穴１６を有するメッシュ形状に形成した。 （もっと読む）