半導体装置及び半導体装置の製造方法
【課題】電極パッド間におけるデンドライトの発生を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、第１電極パッド１ａ及び第２電極パッド１ｂと、第１電極パッド１ａと第２電極パッド１ｂとの間に配置されている金属膜パターン３と、を有している。（１）金属膜パターン３は第１電極パッド１ａと電気的に接続されているか、又は、金属膜パターン３には第１電極パッド１ａと同電位が印加され、且つ、（２）金属膜パターン３は絶縁膜（保護絶縁膜２）により覆われている。
【解決手段】半導体装置は、第１電極パッド１ａ及び第２電極パッド１ｂと、第１電極パッド１ａと第２電極パッド１ｂとの間に配置されている金属膜パターン３と、を有している。（１）金属膜パターン３は第１電極パッド１ａと電気的に接続されているか、又は、金属膜パターン３には第１電極パッド１ａと同電位が印加され、且つ、（２）金属膜パターン３は絶縁膜（保護絶縁膜２）により覆われている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は、導電膜により構成された電極パッド（特許文献１のパッドメタル、特許文献２のボンディングパッド）と、電極パッドを覆うように設けられ、且つ、電極パッドを露出させる開口を有する絶縁膜（パッシベーション膜）と、を有し、電極パッドにワイヤーがボンディングされる場合がある（特許文献１、２）。
【０００３】
なお、特許文献１には、パッドメタルに隣接して配線が設けられていることが記載されているが、特許文献１の半導体装置においては隣り合うボンディングパッド間には配線が設けられていない。
【０００４】
また、特許文献２には、配線に隣接するボンディングパッドにスリットを設けることが開示されているが、特許文献２の半導体装置においては隣り合うボンディングパッド間には配線が設けられていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−３１１８３２号公報
【特許文献２】国際公開第２００６／０４６３０２号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
半導体装置の経時劣化により、半導体装置内のチップの電極パッド間に、電極パッドやワイヤーの材質であるＡｇやＣｕが電析し、デンドライトが発生する（イオンマイグレーションによりデンドライト状（樹状）の析出結晶成長が生じる）場合がある。そして、そのデンドライトに起因する電極パッド間のショートが発生したりするため、半導体装置の信頼性が低下する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、第１電極パッド及び第２電極パッドと、
前記第１電極パッドと前記第２電極パッドとの間に配置されている金属膜パターンと、
を有し、
（１）前記金属膜パターンは前記第１電極パッドと電気的に接続されているか、又は、前記金属膜パターンには前記第１電極パッドと同電位が印加され、
且つ、
（２）前記金属膜パターンは絶縁膜により覆われていることを特徴とする半導体装置を提供する。
【０００８】
この半導体装置によれば、第１電極パッドと第２電極パッドとの間に配置されている金属膜パターンを有している。
そして、（１）金属膜パターンは第１電極パッドと電気的に接続されているか、又は、金属膜パターンには第１電極パッドと同電位が印加されている（金属膜パターンと第１電極パッドとがＧＮＤどうしである場合を含む）。よって、第１電極パッドと金属膜パターンとの間に電位差が生じない。これにより、第１電極パッド或いはそれに接続されたワイヤーからデンドライト成長する成分（以下、デンドライト状析出成分：例えばＡｇ、Ｃｕ等）が電析（または析出）しても、このデンドライト状析出成分の金属イオン成分が第２電極パッド側へ電界により引かれて移動することによりデンドライトが成長してしまうことが抑制される。よって、第１電極パッドと第２電極パッドとのショートの発生を抑制することができる。
また、（２）金属膜パターンは絶縁膜により覆われている。よって、金属膜パターンからのデンドライト状析出成分の電析（または析出）が抑制される。
【０００９】
また、本発明は、第１電極パッドと第２電極パッドとを形成する工程と、
前記第１電極パッドと前記第２電極パッドとの間に金属膜パターンを形成する工程と、
を有し、
（１）前記金属膜パターンを前記第１電極パッドと電気的に接続する工程、又は、前記金属膜パターンに前記第１電極パッドと同電位を印加する工程を有し、
且つ、
（２）前記金属膜パターンを絶縁膜により覆う工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、半導体装置の電極パッド間におけるデンドライトの発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１の実施形態に係る半導体装置を示す図である。
【図２】第２の実施形態に係る半導体装置を示す図である。
【図３】第３の実施形態に係る半導体装置を示す図である。
【図４】実施形態に係る半導体装置のメカニズムを説明するための図である。
【図５】比較例に係る半導体装置を示す図である。
【図６】比較例に係る半導体装置の問題点を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の実施形態について説明する前に、先ず、比較例に係る半導体装置について説明する。
【００１３】
図５は比較例に係る半導体装置を示す図であり、このうち図５（ａ）は平面図、図５（ｂ）は図５（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。図６は比較例に係る半導体装置の問題点を示す図である。
【００１４】
図５に示すように、比較例に係る半導体装置は、複数の電極パッド１と、これら電極パッド１を覆う保護絶縁膜（パッシベーション膜）２と、を有し、この保護絶縁膜２には、電極パッド１を露出させる開口２ａが形成されている。なお、電極パッド１は、例えば、銅（Ｃｕ）を含有する。
【００１５】
図６に示すように、電極パッド１には、ワイヤー５がボンディングされる。ワイヤー５は、例えば、銀（Ａｇ）及び銅を含有する。
【００１６】
更に、電極パッド１、保護絶縁膜２及びワイヤー５は、封止樹脂（図示略）により封入される。
【００１７】
比較例に係る半導体装置では、電極パッド１及びワイヤー５から金属性の生成物が析出する。そして、電極パッド１間に電位差がある場合、電極パッド１間に電界が生じるため、図６に示すように、その電界に沿って保護絶縁膜２上（保護絶縁膜２と封止樹脂との界面）にデンドライト４が形成され、電極パッド１間のショートを引き起こす場合がある。
ここで、デンドライト４は、電極パッド１或いはワイヤー５が含有するＡｇやＣｕが電析（又は析出）することにより形成される。ＡｇやＣｕ等は、例えば、封止樹脂の応力やその成分変質が環境要因となって析出する。
【００１８】
以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面（図５、図６を含む）において、同様の構成要素には同一の符号を付し、適宜に説明を省略する。
【００１９】
〔第１の実施形態〕
図１は第１の実施形態に係る半導体装置を示す図である。このうち図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【００２０】
本実施形態に係る半導体装置は、第１電極パッド１ａ及び第２電極パッド１ｂと、第１電極パッド１ａと第２電極パッド１ｂとの間に配置されている金属膜パターン３と、を有し、（１）金属膜パターン３は第１電極パッド１ａと電気的に接続されているか、又は、金属膜パターン３には第１電極パッド１ａと同電位が印加され、且つ、（２）金属膜パターン３は絶縁膜（保護絶縁膜２）により覆われている。以下、詳細に説明する。
【００２１】
図１に示すように、第１の実施形態の場合、例えば、金属膜パターン３は、接続配線６、７を介して第１電極パッド１ａと電気的に接続されている。これにより、金属膜パターン３は、第１電極パッド１ａと同電位となっている。
【００２２】
更に、金属膜パターン３は保護絶縁膜２により覆われている。保護絶縁膜２は、酸化膜或いは窒化膜等である。
【００２３】
なお、第１電極パッド１ａ、第２電極パッド１ｂ、金属膜パターン３及び接続配線６、７は、同層に形成され、同一の金属材料からなる。これら第１電極パッド１ａ、第２電極パッド１ｂ、金属膜パターン３及び接続配線６、７は、同一工程で一括して形成される。
【００２４】
ここで、デンドライト４（図６）は、例えば、隣り合う電極パッド１のうち、一方の電極パッド１を起点として成長する。以下、隣り合う電極パッド１のうち、デンドライト４の成長の起点となる方の電極パッド１を、電析物成長側パッドと称す。
【００２５】
ここで、デンドライト４の成長メカニズムを説明する。デンドライト４は、例えば、銀のイオンマイグレーション、又は、銅のイオンマイグレーションにより成長する。
【００２６】
先ず、銀のイオンマイグレーションによるデンドライト４の成長を説明する。
（１）先ず、銀電極間（例えば、隣り合うワイヤー５間）の電位差と、周囲雰囲気中から表面に吸着された水の存在と、により電離が発生する。
Ａｇ → Ａｇ＋
Ｈ２Ｏ → Ｈ＋ ＋ ＯＨ−
（２）次に、 Ａｇ＋ＯＨ−は陽極側でＡｇＯＨを生成して析出する。
（３）次に、ＡｇＯＨは分解して陽極側で Ａｇ２Ｏとなりコロイド状に分散する。
２ＡｇＯＨ ←→ Ａｇ２Ｏ＋Ｈ２Ｏ
（４）次に、水和反応により下記反応が進み、Ａｇ＋が陰極側に移動しＡｇのデンドライト状の析出が進む。
Ａｇ２Ｏ＋Ｈ２Ｏ ←→ ２ＡｇＯＨ ←→ ２Ａｇ＋ ＋ ２ＯＨ−
【００２７】
次に、銅のイオンマイグレーションによるデンドライト４の成長を説明する。
（１）銀電極間（例えば、第１及び第２電極パッド１ａ、１ｂ間）の電位差と、周囲雰囲気中から表面に吸着された水の存在と、が存在しているとする。
陽極では、以下の反応が起こる。
Ｃｕ＋４Ｈ２Ｏ → Ｃｕ（ＯＨ）２＋Ｏ２↑ ＋ ３Ｈ２↑
陰極では、以下の反応が進む。
Ｃｕ（ＯＨ）２ → ＣｕＯ↓ ＋ Ｈ２Ｏ
この結果、ＣｕＯのデンドライトが陰極側から陽極側に向かって成長する。
（２）さらに、陰イオン Ｘ−ｎ（例えば Ｃｌ−）が関与して、以下の反応が進み、金属Ｃｕが析出する。
Ｃｕ２Ｏ＋（２／ｎ）Ｘ−ｎ ＋ ２Ｈ＋ → ＣｕＸ２／ｎ ＋ Ｈ２Ｏ ＋ Ｃｕ
Ｃｕ＋ｎＸ− → ＣｕＸｎ ＋ ｎｅ−
ＣｕＸｎ → Ｃｕ＋ｎ ＋ ｎＸ−
Ｃｕ＋ｎ ＋ ｎｅ− → Ｃｕ
【００２８】
図１において、第１及び第２電極パッド１ａ、１ｂのうち、第１電極パッド１ａが電析物成長側パッドであるとする。この場合、第１電極パッド１ａと第２電極パッド１ｂとの間に位置する金属膜パターン３（以下、金属膜パターン３ａ）を、第２電極パッド１ｂよりも第１電極パッド１ａの近くに配置する。
【００２９】
ここで、図４を参照して、金属膜パターン３によりデンドライト４の発生を抑制できるメカニズムについて説明する。
図４（ａ）は、図１と同等の機能を有する半導体装置の平面図である。図４（ｂ）の上部は、図４（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図（ただし、ワイヤー５の図示を省略している）である。また、図４（ｂ）の下部は、図４（ｂ）の各部と対応する電位を示す図である。
【００３０】
なお、図４において、金属膜パターン３は、図示しない接続配線を介して第１電極パッド１ａに対して電気的に接続されているか、又は、第１電極パッド１ａと同電位が印加されている。このため、図４においても、金属膜パターン３は、第１電極パッド１ａと同電位となっている。
【００３１】
図４に示すように、第１及び第２電極パッド１ａ、１ｂ間に電位差がある場合、第１及び第２電極パッド１ａ、１ｂ間に電界Ｅが生じる。
また、電極パッド１は、電析するＣｕを成分として含有し、ワイヤー５は、電析するＡｇ及びＣｕを成分として含有している。
半導体装置を長期的に使用することにより、電極パッド１やワイヤー５から、Ａｇ、Ｃｕ等が電析（または、析出）する。
【００３２】
ここで、第２電極パッド１ｂと金属膜パターン３との間（図４（ｂ）のＣ部）には電位差Ｄが存在するため、当該部分には、電界Ｅが生じる。
【００３３】
一方、第１電極パッド１ａと金属膜パターン３とが同電位であるため、図４（ｂ）に示すように、第１電極パッド１ａと金属膜パターン３との間（図４（ｂ）のＢ部）には電位差が生じないため、当該部分には、電界が生じない。
このため、第１電極パッド１ａからＡｇ、Ｃｕ等のデンドライト状析出成分が電析（または、析出）しても、このデンドライト状析出成分が第２電極パッド１ｂ側へ移動することが抑制されるので、デンドライト４（図６）の形成が抑制される。
このように、デンドライト４の成長を抑制させる同電位障壁としての金属膜パターン３の存在により、電極パッド１間におけるデンドライト４の発生を抑制することができる。
【００３４】
なお、第１電極パッド１ａと第２電極パッド１ｂとの間に金属膜パターン３を形成することにより、図４（ｂ）及び図１（ｂ）に示すように、第１電極パッド１ａと第２電極パッド１ｂとの間の保護絶縁膜２に段差８、９が形成されるので、この段差８、９によっても、デンドライト４の形成が抑制される。なお、段差８、９の高さは、例えば、１μｍ以上２μｍ以下程度とすることができるが、それ以上の高さに形成しても良い。
このように、デンドライト４の成長を抑制させる物理障壁としての段差８、９の存在によっても、デンドライト４の発生を抑制することができる。
【００３５】
本実施形態の場合、段差８、９は、デンドライト４の成長方向（すなわち、電極パッド１の面方向）に対して垂直な壁である。このように、デンドライト４の成長方向に対して垂直な壁があることによって、デンドライト４の成長を好適に抑制することができる。
【００３６】
なお、図１では２つの電極パッド１のみを示しているが、半導体装置は、例えば、３つ以上の電極パッド１を有しており、第１電極パッド１ａ（つまり、接続配線６、７を介して金属膜パターン３と接続されている電極パッド１）と第２電極パッド１ｂとが交互に配置されている。
【００３７】
なお、図１では隣り合う電極パッド１のうちの一方にのみ、接続配線６、７を介して金属膜パターン３を接続した構造を示しているが、各電極パッド１が、接続配線６、７を介して金属膜パターン３に接続されていても良い。
【００３８】
半導体装置は、素子分離膜が形成された半導体基板と、半導体基板上に形成されたＭＯＳトランジスタと、素子分離膜上及びＭＯＳトランジスタ上に形成された多層配線層と、を有する。
【００３９】
電極パッド１、金属膜パターン３及び接続配線６、７は、多層配線層における最上層の配線層に形成されている。
【００４０】
次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。
この製造方法は、第１電極パッド１ａと第２電極パッド１ｂとを形成する工程と、第１電極パッド１ａと第２電極パッド１ｂとの間に金属膜パターン３を形成する工程と、を有し、（１）金属膜パターン３を第１電極パッド１ａと電気的に接続する工程、又は、金属膜パターン３に第１電極パッド１ａと同電位を印加する工程を有し、且つ、（２）金属膜パターン３を絶縁膜（保護絶縁膜２）により覆う工程を有する。以下、詳細に説明する。
【００４１】
まず、半導体基板に素子分離膜（フィールド酸化膜）を形成する。これにより、素子形成領域が分離される。素子分離膜は、例えばＳＴＩ法を用いて形成されるが、ＬＯＣＯＳ法を用いて形成されても良い。次に、素子形成領域に位置する半導体基板に、ゲート絶縁膜及びゲート電極を形成する。ゲート絶縁膜は酸化シリコン膜であってもよいし、酸化シリコン膜よりも誘電率が高い高誘電率膜（例えばハフニウムシリケート膜）であってもよい。ゲート絶縁膜が酸化シリコン膜である場合、ゲート電極はポリシリコン膜により形成される。またゲート絶縁膜が高誘電率膜である場合、ゲート電極は、金属膜（例えばＴｉＮ）とポリシリコン膜の積層膜により形成される。また、ゲート電極がポリシリコンにより形成される場合、ゲート電極を形成する工程において、素子分離膜上にポリシリコン抵抗を形成しても良い。
【００４２】
次に、素子形成領域に位置する半導体基板に、ソース及びドレインのエクステンション領域を形成する。次にゲート電極の側壁にサイドウォールを形成する。次に、素子形成領域に位置する半導体基板に、ソース及びドレインとなる不純物領域を形成する。このようにして、半導体基板上にＭＯＳトランジスタが形成される。
【００４３】
次に、素子分離膜上及びＭＯＳトランジスタ上に、多層配線層を形成する。多層配線層における最上層の配線層には、電極パッド１が形成される。
ここで、最上層の配線層を形成する際には、電極パッド１だけでなく、金属膜パターン３及び接続配線６、７も形成する。なお、電極パッド１は、ＭＯＳトランジスタの直上を避けて半導体チップ外周のフィ−ルド酸化膜上に配置する。
【００４４】
次に、多層配線層上に、保護絶縁膜（パッシベーション膜）２を形成する。保護絶縁膜２には、電極パッド１上に位置する開口２ａが形成される。また、この保護絶縁膜２により、金属膜パターン３及び接続配線６、７を覆う。
【００４５】
その後、ウェハを半導体チップに個片化する。各半導体チップは、複数の電極パッド１を有する。これら電極パッド１は、特殊な場合を除き、その直下に回路素子がほとんど形成されない半導体チップの外周に配置されている。電極パッド１の直下には、素子（ＭＯＳトランジスタ等）が存在しておらず、フィールド酸化膜が存在している。
モールド品等の場合、更に、リードフレーム上の所定の位置へ半導体チップをマウントし、半導体チップの電極パッド１とリードとをワイヤー５を介してボンディングする。更に、半導体チップ及びワイヤー５を封止樹脂により封入する。
こうして、半導体装置が得られる。
【００４６】
以上のような第１の実施形態によれば、半導体装置は、第１電極パッド１ａと第２電極パッド１ｂとの間に配置されている金属膜パターン３を有し、金属膜パターン３は第１電極パッド１ａと電気的に接続され、且つ、金属膜パターン３は保護絶縁膜２により覆われている。
よって、電析物成長側の第１電極パッド１ａと金属膜パターン３との間に電位差が生じない。これにより、第１電極パッド１ａ或いはそれに接続されたワイヤー５から電析（または析出）したデンドライト状析出成分（例えばＡｇ、Ｃｕ等）が、第２電極パッド１ｂ側へ移動してデンドライトが成長してしまうことが抑制される。よって、第１電極パッド１ａと第２電極パッド１ｂとのショートの発生を抑制することができる。
このように、電析物成長側の第１電極パッド１ａに電界が掛からないようにすることによって、該第１電極パッド１ａと隣り合う第２電極パッド１ｂに向けてデンドライトが成長することを抑制することができる。
また、金属膜パターン３は保護絶縁膜２により覆われているので、金属膜パターン３からのデンドライト状析出成分の電析（または析出）は抑制される。
【００４７】
なお、金属膜パターン３を第２電極パッド１ｂよりも第１電極パッド１ａの近くに配置したことによって、より一層、第１電極パッド１ａが電界の影響を受けにくくすることができる。
【００４８】
また、第１電極パッド１ａと第２電極パッド１ｂとの間に段差８、９が形成されているので、この段差８、９の存在によっても、デンドライトの成長を抑制することができる。また、これら段差８、９が、デンドライトの成長方向に対して直交する壁（物理障壁）であることによって、より好適に、デンドライトの成長を抑制する効果が得られる。
【００４９】
なお、金属膜パターン３は、電極パッド１と同一工程で作成することができるため、プロセスを追加することなく、デンドライトの成長を抑制することができる。
【００５０】
〔第２の実施形態〕
図２は第２の実施形態に係る半導体装置を示す図である。このうち図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。なお、第２の実施形態に係る半導体装置は、以下に説明する点の他は、第１の実施形態に係る半導体装置と同様に構成されている。
【００５１】
図２に示すように、本実施形態の場合、保護絶縁膜２において第１電極パッド１ａと第２電極パッド１ｂとの間に位置する部位の上に、金属膜パターン３が形成されている。このため、本実施形態の場合、金属膜パターン３は、第１及び第２電極パッド１ａ、１ｂとは異なる層に位置する。
【００５２】
金属膜パターン３は、例えば、金属膜をスパッタ形成し、この金属膜上にフォトリソグラフィーによりマスクパターンを形成し、このマスクパターンを介して金属膜をエッチングすることにより形成することができる。
ここで、金属膜は、例えば、アルミニウム等であることが挙げられる。この場合、金属膜は、デンドライト状析出成分としてのＡｇ及びＣｕの何れも含有していないことになる。
【００５３】
更に、マスクパターンを除去した後で、必要に応じて、金属膜パターン３上に保護絶縁膜（パッシベーション膜）１０を形成する。
【００５４】
金属膜パターン３には、第１電極パッド１ａと同電位が印加される。
【００５５】
なお、本実施形態の場合、段差８、９は、保護絶縁膜２上に形成された保護絶縁膜１０により構成されている。このため、段差８、９は、保護絶縁膜２より起立するように形成されている、といえる。
【００５６】
以上のような第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果が得られる。
また、第２の実施形態の半導体装置は、既成製品に対し、金属膜パターン３及び保護絶縁膜１０を追加で形成することによって得ることができる。
なお、第２の実施形態の構造では、半導体界面安定化のため、Ａｌ膜等の金属膜パターンを全面スパッタして形成後にアニールする製品の場合に、その金属膜パターンを前面除去せず、フォトリソグラフィー及びエッチングを行うことによって、金属膜パターン３を形成することも可能である。この場合、段差８、９は２μｍ程度となる。
または、新たに金属膜層を所望の膜厚で同様に形成することも可能であり、この場合、その金属膜層の膜厚を自由に設定できる。
【００５７】
〔第３の実施形態〕
図３は第３の実施形態に係る半導体装置を示す図である。このうち図３（ａ）は平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。なお、第２の実施形態に係る半導体装置は、以下に説明する点の他は、第１の実施形態に係る半導体装置と同様に構成されている。
【００５８】
本実施形態の場合、保護絶縁膜２において、金属膜パターン３上の部位に、溝（凹部）１１が形成されている。これにより、第１電極パッド１ａと第２電極パッド１ｂとの間に段差８、９が形成されている。
【００５９】
本実施形態の構造は、例えば、電極パッド１を含む配線層がＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈ）により平坦化されている場合であって、保護絶縁膜２の膜厚が十分に厚い場合に、適用することができる。
【００６０】
溝１１は、例えば、溝１１の形成領域と対応する開口を有するマスクパターンをフォトリソグラフィーにより形成し、このマスクパターンを介して保護絶縁膜２をエッチングすることによって形成することができる。
【００６１】
以上のような第３の実施形態によっても、第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００６２】
なお、上記の各実施形態では、金属膜パターン３が保護絶縁膜２（又は保護絶縁膜１０）により覆われている例を説明したが、金属膜パターン３におけるデンドライト状析出成分（Ａｇ、Ｃｕ等）の含有率が、デンドライト状の析出結晶成長が生じないレベルであれば、金属膜パターン３は絶縁膜により覆われておらず、露出（例えば封止樹脂に接触）していても良い。
【００６３】
なお、デンドライト４（図６）の厚みは、例えば、数μmにも達する場合がある。このため、上記においては、物理障壁として、電極パッド１間に、５μ程度の深さの溝を形成することによって、電極パッド１間に段差を得ることも有効である。
【００６４】
また、ワイヤー５についても、デンドライト状析出成分（Ａｇ、Ｃｕ等）を含有していないものとすることも好ましい。
【００６５】
また、保護絶縁膜（パッシベーション膜）２と封止樹脂との間に耐湿性樹脂を介在させても良い。
【符号の説明】
【００６６】
１ 電極パッド
１ａ 第１電極パッド
１ｂ 第２電極パッド
２ 保護絶縁膜
２ａ 開口
３ 金属膜パターン
４ デンドライト
５ ワイヤー
６、７ 接続配線
８、９ 段差
１０ 保護絶縁膜
１１ 溝
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は、導電膜により構成された電極パッド（特許文献１のパッドメタル、特許文献２のボンディングパッド）と、電極パッドを覆うように設けられ、且つ、電極パッドを露出させる開口を有する絶縁膜（パッシベーション膜）と、を有し、電極パッドにワイヤーがボンディングされる場合がある（特許文献１、２）。
【０００３】
なお、特許文献１には、パッドメタルに隣接して配線が設けられていることが記載されているが、特許文献１の半導体装置においては隣り合うボンディングパッド間には配線が設けられていない。
【０００４】
また、特許文献２には、配線に隣接するボンディングパッドにスリットを設けることが開示されているが、特許文献２の半導体装置においては隣り合うボンディングパッド間には配線が設けられていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−３１１８３２号公報
【特許文献２】国際公開第２００６／０４６３０２号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
半導体装置の経時劣化により、半導体装置内のチップの電極パッド間に、電極パッドやワイヤーの材質であるＡｇやＣｕが電析し、デンドライトが発生する（イオンマイグレーションによりデンドライト状（樹状）の析出結晶成長が生じる）場合がある。そして、そのデンドライトに起因する電極パッド間のショートが発生したりするため、半導体装置の信頼性が低下する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、第１電極パッド及び第２電極パッドと、
前記第１電極パッドと前記第２電極パッドとの間に配置されている金属膜パターンと、
を有し、
（１）前記金属膜パターンは前記第１電極パッドと電気的に接続されているか、又は、前記金属膜パターンには前記第１電極パッドと同電位が印加され、
且つ、
（２）前記金属膜パターンは絶縁膜により覆われていることを特徴とする半導体装置を提供する。
【０００８】
この半導体装置によれば、第１電極パッドと第２電極パッドとの間に配置されている金属膜パターンを有している。
そして、（１）金属膜パターンは第１電極パッドと電気的に接続されているか、又は、金属膜パターンには第１電極パッドと同電位が印加されている（金属膜パターンと第１電極パッドとがＧＮＤどうしである場合を含む）。よって、第１電極パッドと金属膜パターンとの間に電位差が生じない。これにより、第１電極パッド或いはそれに接続されたワイヤーからデンドライト成長する成分（以下、デンドライト状析出成分：例えばＡｇ、Ｃｕ等）が電析（または析出）しても、このデンドライト状析出成分の金属イオン成分が第２電極パッド側へ電界により引かれて移動することによりデンドライトが成長してしまうことが抑制される。よって、第１電極パッドと第２電極パッドとのショートの発生を抑制することができる。
また、（２）金属膜パターンは絶縁膜により覆われている。よって、金属膜パターンからのデンドライト状析出成分の電析（または析出）が抑制される。
【０００９】
また、本発明は、第１電極パッドと第２電極パッドとを形成する工程と、
前記第１電極パッドと前記第２電極パッドとの間に金属膜パターンを形成する工程と、
を有し、
（１）前記金属膜パターンを前記第１電極パッドと電気的に接続する工程、又は、前記金属膜パターンに前記第１電極パッドと同電位を印加する工程を有し、
且つ、
（２）前記金属膜パターンを絶縁膜により覆う工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、半導体装置の電極パッド間におけるデンドライトの発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１の実施形態に係る半導体装置を示す図である。
【図２】第２の実施形態に係る半導体装置を示す図である。
【図３】第３の実施形態に係る半導体装置を示す図である。
【図４】実施形態に係る半導体装置のメカニズムを説明するための図である。
【図５】比較例に係る半導体装置を示す図である。
【図６】比較例に係る半導体装置の問題点を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の実施形態について説明する前に、先ず、比較例に係る半導体装置について説明する。
【００１３】
図５は比較例に係る半導体装置を示す図であり、このうち図５（ａ）は平面図、図５（ｂ）は図５（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。図６は比較例に係る半導体装置の問題点を示す図である。
【００１４】
図５に示すように、比較例に係る半導体装置は、複数の電極パッド１と、これら電極パッド１を覆う保護絶縁膜（パッシベーション膜）２と、を有し、この保護絶縁膜２には、電極パッド１を露出させる開口２ａが形成されている。なお、電極パッド１は、例えば、銅（Ｃｕ）を含有する。
【００１５】
図６に示すように、電極パッド１には、ワイヤー５がボンディングされる。ワイヤー５は、例えば、銀（Ａｇ）及び銅を含有する。
【００１６】
更に、電極パッド１、保護絶縁膜２及びワイヤー５は、封止樹脂（図示略）により封入される。
【００１７】
比較例に係る半導体装置では、電極パッド１及びワイヤー５から金属性の生成物が析出する。そして、電極パッド１間に電位差がある場合、電極パッド１間に電界が生じるため、図６に示すように、その電界に沿って保護絶縁膜２上（保護絶縁膜２と封止樹脂との界面）にデンドライト４が形成され、電極パッド１間のショートを引き起こす場合がある。
ここで、デンドライト４は、電極パッド１或いはワイヤー５が含有するＡｇやＣｕが電析（又は析出）することにより形成される。ＡｇやＣｕ等は、例えば、封止樹脂の応力やその成分変質が環境要因となって析出する。
【００１８】
以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面（図５、図６を含む）において、同様の構成要素には同一の符号を付し、適宜に説明を省略する。
【００１９】
〔第１の実施形態〕
図１は第１の実施形態に係る半導体装置を示す図である。このうち図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【００２０】
本実施形態に係る半導体装置は、第１電極パッド１ａ及び第２電極パッド１ｂと、第１電極パッド１ａと第２電極パッド１ｂとの間に配置されている金属膜パターン３と、を有し、（１）金属膜パターン３は第１電極パッド１ａと電気的に接続されているか、又は、金属膜パターン３には第１電極パッド１ａと同電位が印加され、且つ、（２）金属膜パターン３は絶縁膜（保護絶縁膜２）により覆われている。以下、詳細に説明する。
【００２１】
図１に示すように、第１の実施形態の場合、例えば、金属膜パターン３は、接続配線６、７を介して第１電極パッド１ａと電気的に接続されている。これにより、金属膜パターン３は、第１電極パッド１ａと同電位となっている。
【００２２】
更に、金属膜パターン３は保護絶縁膜２により覆われている。保護絶縁膜２は、酸化膜或いは窒化膜等である。
【００２３】
なお、第１電極パッド１ａ、第２電極パッド１ｂ、金属膜パターン３及び接続配線６、７は、同層に形成され、同一の金属材料からなる。これら第１電極パッド１ａ、第２電極パッド１ｂ、金属膜パターン３及び接続配線６、７は、同一工程で一括して形成される。
【００２４】
ここで、デンドライト４（図６）は、例えば、隣り合う電極パッド１のうち、一方の電極パッド１を起点として成長する。以下、隣り合う電極パッド１のうち、デンドライト４の成長の起点となる方の電極パッド１を、電析物成長側パッドと称す。
【００２５】
ここで、デンドライト４の成長メカニズムを説明する。デンドライト４は、例えば、銀のイオンマイグレーション、又は、銅のイオンマイグレーションにより成長する。
【００２６】
先ず、銀のイオンマイグレーションによるデンドライト４の成長を説明する。
（１）先ず、銀電極間（例えば、隣り合うワイヤー５間）の電位差と、周囲雰囲気中から表面に吸着された水の存在と、により電離が発生する。
Ａｇ → Ａｇ＋
Ｈ２Ｏ → Ｈ＋ ＋ ＯＨ−
（２）次に、 Ａｇ＋ＯＨ−は陽極側でＡｇＯＨを生成して析出する。
（３）次に、ＡｇＯＨは分解して陽極側で Ａｇ２Ｏとなりコロイド状に分散する。
２ＡｇＯＨ ←→ Ａｇ２Ｏ＋Ｈ２Ｏ
（４）次に、水和反応により下記反応が進み、Ａｇ＋が陰極側に移動しＡｇのデンドライト状の析出が進む。
Ａｇ２Ｏ＋Ｈ２Ｏ ←→ ２ＡｇＯＨ ←→ ２Ａｇ＋ ＋ ２ＯＨ−
【００２７】
次に、銅のイオンマイグレーションによるデンドライト４の成長を説明する。
（１）銀電極間（例えば、第１及び第２電極パッド１ａ、１ｂ間）の電位差と、周囲雰囲気中から表面に吸着された水の存在と、が存在しているとする。
陽極では、以下の反応が起こる。
Ｃｕ＋４Ｈ２Ｏ → Ｃｕ（ＯＨ）２＋Ｏ２↑ ＋ ３Ｈ２↑
陰極では、以下の反応が進む。
Ｃｕ（ＯＨ）２ → ＣｕＯ↓ ＋ Ｈ２Ｏ
この結果、ＣｕＯのデンドライトが陰極側から陽極側に向かって成長する。
（２）さらに、陰イオン Ｘ−ｎ（例えば Ｃｌ−）が関与して、以下の反応が進み、金属Ｃｕが析出する。
Ｃｕ２Ｏ＋（２／ｎ）Ｘ−ｎ ＋ ２Ｈ＋ → ＣｕＸ２／ｎ ＋ Ｈ２Ｏ ＋ Ｃｕ
Ｃｕ＋ｎＸ− → ＣｕＸｎ ＋ ｎｅ−
ＣｕＸｎ → Ｃｕ＋ｎ ＋ ｎＸ−
Ｃｕ＋ｎ ＋ ｎｅ− → Ｃｕ
【００２８】
図１において、第１及び第２電極パッド１ａ、１ｂのうち、第１電極パッド１ａが電析物成長側パッドであるとする。この場合、第１電極パッド１ａと第２電極パッド１ｂとの間に位置する金属膜パターン３（以下、金属膜パターン３ａ）を、第２電極パッド１ｂよりも第１電極パッド１ａの近くに配置する。
【００２９】
ここで、図４を参照して、金属膜パターン３によりデンドライト４の発生を抑制できるメカニズムについて説明する。
図４（ａ）は、図１と同等の機能を有する半導体装置の平面図である。図４（ｂ）の上部は、図４（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図（ただし、ワイヤー５の図示を省略している）である。また、図４（ｂ）の下部は、図４（ｂ）の各部と対応する電位を示す図である。
【００３０】
なお、図４において、金属膜パターン３は、図示しない接続配線を介して第１電極パッド１ａに対して電気的に接続されているか、又は、第１電極パッド１ａと同電位が印加されている。このため、図４においても、金属膜パターン３は、第１電極パッド１ａと同電位となっている。
【００３１】
図４に示すように、第１及び第２電極パッド１ａ、１ｂ間に電位差がある場合、第１及び第２電極パッド１ａ、１ｂ間に電界Ｅが生じる。
また、電極パッド１は、電析するＣｕを成分として含有し、ワイヤー５は、電析するＡｇ及びＣｕを成分として含有している。
半導体装置を長期的に使用することにより、電極パッド１やワイヤー５から、Ａｇ、Ｃｕ等が電析（または、析出）する。
【００３２】
ここで、第２電極パッド１ｂと金属膜パターン３との間（図４（ｂ）のＣ部）には電位差Ｄが存在するため、当該部分には、電界Ｅが生じる。
【００３３】
一方、第１電極パッド１ａと金属膜パターン３とが同電位であるため、図４（ｂ）に示すように、第１電極パッド１ａと金属膜パターン３との間（図４（ｂ）のＢ部）には電位差が生じないため、当該部分には、電界が生じない。
このため、第１電極パッド１ａからＡｇ、Ｃｕ等のデンドライト状析出成分が電析（または、析出）しても、このデンドライト状析出成分が第２電極パッド１ｂ側へ移動することが抑制されるので、デンドライト４（図６）の形成が抑制される。
このように、デンドライト４の成長を抑制させる同電位障壁としての金属膜パターン３の存在により、電極パッド１間におけるデンドライト４の発生を抑制することができる。
【００３４】
なお、第１電極パッド１ａと第２電極パッド１ｂとの間に金属膜パターン３を形成することにより、図４（ｂ）及び図１（ｂ）に示すように、第１電極パッド１ａと第２電極パッド１ｂとの間の保護絶縁膜２に段差８、９が形成されるので、この段差８、９によっても、デンドライト４の形成が抑制される。なお、段差８、９の高さは、例えば、１μｍ以上２μｍ以下程度とすることができるが、それ以上の高さに形成しても良い。
このように、デンドライト４の成長を抑制させる物理障壁としての段差８、９の存在によっても、デンドライト４の発生を抑制することができる。
【００３５】
本実施形態の場合、段差８、９は、デンドライト４の成長方向（すなわち、電極パッド１の面方向）に対して垂直な壁である。このように、デンドライト４の成長方向に対して垂直な壁があることによって、デンドライト４の成長を好適に抑制することができる。
【００３６】
なお、図１では２つの電極パッド１のみを示しているが、半導体装置は、例えば、３つ以上の電極パッド１を有しており、第１電極パッド１ａ（つまり、接続配線６、７を介して金属膜パターン３と接続されている電極パッド１）と第２電極パッド１ｂとが交互に配置されている。
【００３７】
なお、図１では隣り合う電極パッド１のうちの一方にのみ、接続配線６、７を介して金属膜パターン３を接続した構造を示しているが、各電極パッド１が、接続配線６、７を介して金属膜パターン３に接続されていても良い。
【００３８】
半導体装置は、素子分離膜が形成された半導体基板と、半導体基板上に形成されたＭＯＳトランジスタと、素子分離膜上及びＭＯＳトランジスタ上に形成された多層配線層と、を有する。
【００３９】
電極パッド１、金属膜パターン３及び接続配線６、７は、多層配線層における最上層の配線層に形成されている。
【００４０】
次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。
この製造方法は、第１電極パッド１ａと第２電極パッド１ｂとを形成する工程と、第１電極パッド１ａと第２電極パッド１ｂとの間に金属膜パターン３を形成する工程と、を有し、（１）金属膜パターン３を第１電極パッド１ａと電気的に接続する工程、又は、金属膜パターン３に第１電極パッド１ａと同電位を印加する工程を有し、且つ、（２）金属膜パターン３を絶縁膜（保護絶縁膜２）により覆う工程を有する。以下、詳細に説明する。
【００４１】
まず、半導体基板に素子分離膜（フィールド酸化膜）を形成する。これにより、素子形成領域が分離される。素子分離膜は、例えばＳＴＩ法を用いて形成されるが、ＬＯＣＯＳ法を用いて形成されても良い。次に、素子形成領域に位置する半導体基板に、ゲート絶縁膜及びゲート電極を形成する。ゲート絶縁膜は酸化シリコン膜であってもよいし、酸化シリコン膜よりも誘電率が高い高誘電率膜（例えばハフニウムシリケート膜）であってもよい。ゲート絶縁膜が酸化シリコン膜である場合、ゲート電極はポリシリコン膜により形成される。またゲート絶縁膜が高誘電率膜である場合、ゲート電極は、金属膜（例えばＴｉＮ）とポリシリコン膜の積層膜により形成される。また、ゲート電極がポリシリコンにより形成される場合、ゲート電極を形成する工程において、素子分離膜上にポリシリコン抵抗を形成しても良い。
【００４２】
次に、素子形成領域に位置する半導体基板に、ソース及びドレインのエクステンション領域を形成する。次にゲート電極の側壁にサイドウォールを形成する。次に、素子形成領域に位置する半導体基板に、ソース及びドレインとなる不純物領域を形成する。このようにして、半導体基板上にＭＯＳトランジスタが形成される。
【００４３】
次に、素子分離膜上及びＭＯＳトランジスタ上に、多層配線層を形成する。多層配線層における最上層の配線層には、電極パッド１が形成される。
ここで、最上層の配線層を形成する際には、電極パッド１だけでなく、金属膜パターン３及び接続配線６、７も形成する。なお、電極パッド１は、ＭＯＳトランジスタの直上を避けて半導体チップ外周のフィ−ルド酸化膜上に配置する。
【００４４】
次に、多層配線層上に、保護絶縁膜（パッシベーション膜）２を形成する。保護絶縁膜２には、電極パッド１上に位置する開口２ａが形成される。また、この保護絶縁膜２により、金属膜パターン３及び接続配線６、７を覆う。
【００４５】
その後、ウェハを半導体チップに個片化する。各半導体チップは、複数の電極パッド１を有する。これら電極パッド１は、特殊な場合を除き、その直下に回路素子がほとんど形成されない半導体チップの外周に配置されている。電極パッド１の直下には、素子（ＭＯＳトランジスタ等）が存在しておらず、フィールド酸化膜が存在している。
モールド品等の場合、更に、リードフレーム上の所定の位置へ半導体チップをマウントし、半導体チップの電極パッド１とリードとをワイヤー５を介してボンディングする。更に、半導体チップ及びワイヤー５を封止樹脂により封入する。
こうして、半導体装置が得られる。
【００４６】
以上のような第１の実施形態によれば、半導体装置は、第１電極パッド１ａと第２電極パッド１ｂとの間に配置されている金属膜パターン３を有し、金属膜パターン３は第１電極パッド１ａと電気的に接続され、且つ、金属膜パターン３は保護絶縁膜２により覆われている。
よって、電析物成長側の第１電極パッド１ａと金属膜パターン３との間に電位差が生じない。これにより、第１電極パッド１ａ或いはそれに接続されたワイヤー５から電析（または析出）したデンドライト状析出成分（例えばＡｇ、Ｃｕ等）が、第２電極パッド１ｂ側へ移動してデンドライトが成長してしまうことが抑制される。よって、第１電極パッド１ａと第２電極パッド１ｂとのショートの発生を抑制することができる。
このように、電析物成長側の第１電極パッド１ａに電界が掛からないようにすることによって、該第１電極パッド１ａと隣り合う第２電極パッド１ｂに向けてデンドライトが成長することを抑制することができる。
また、金属膜パターン３は保護絶縁膜２により覆われているので、金属膜パターン３からのデンドライト状析出成分の電析（または析出）は抑制される。
【００４７】
なお、金属膜パターン３を第２電極パッド１ｂよりも第１電極パッド１ａの近くに配置したことによって、より一層、第１電極パッド１ａが電界の影響を受けにくくすることができる。
【００４８】
また、第１電極パッド１ａと第２電極パッド１ｂとの間に段差８、９が形成されているので、この段差８、９の存在によっても、デンドライトの成長を抑制することができる。また、これら段差８、９が、デンドライトの成長方向に対して直交する壁（物理障壁）であることによって、より好適に、デンドライトの成長を抑制する効果が得られる。
【００４９】
なお、金属膜パターン３は、電極パッド１と同一工程で作成することができるため、プロセスを追加することなく、デンドライトの成長を抑制することができる。
【００５０】
〔第２の実施形態〕
図２は第２の実施形態に係る半導体装置を示す図である。このうち図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。なお、第２の実施形態に係る半導体装置は、以下に説明する点の他は、第１の実施形態に係る半導体装置と同様に構成されている。
【００５１】
図２に示すように、本実施形態の場合、保護絶縁膜２において第１電極パッド１ａと第２電極パッド１ｂとの間に位置する部位の上に、金属膜パターン３が形成されている。このため、本実施形態の場合、金属膜パターン３は、第１及び第２電極パッド１ａ、１ｂとは異なる層に位置する。
【００５２】
金属膜パターン３は、例えば、金属膜をスパッタ形成し、この金属膜上にフォトリソグラフィーによりマスクパターンを形成し、このマスクパターンを介して金属膜をエッチングすることにより形成することができる。
ここで、金属膜は、例えば、アルミニウム等であることが挙げられる。この場合、金属膜は、デンドライト状析出成分としてのＡｇ及びＣｕの何れも含有していないことになる。
【００５３】
更に、マスクパターンを除去した後で、必要に応じて、金属膜パターン３上に保護絶縁膜（パッシベーション膜）１０を形成する。
【００５４】
金属膜パターン３には、第１電極パッド１ａと同電位が印加される。
【００５５】
なお、本実施形態の場合、段差８、９は、保護絶縁膜２上に形成された保護絶縁膜１０により構成されている。このため、段差８、９は、保護絶縁膜２より起立するように形成されている、といえる。
【００５６】
以上のような第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果が得られる。
また、第２の実施形態の半導体装置は、既成製品に対し、金属膜パターン３及び保護絶縁膜１０を追加で形成することによって得ることができる。
なお、第２の実施形態の構造では、半導体界面安定化のため、Ａｌ膜等の金属膜パターンを全面スパッタして形成後にアニールする製品の場合に、その金属膜パターンを前面除去せず、フォトリソグラフィー及びエッチングを行うことによって、金属膜パターン３を形成することも可能である。この場合、段差８、９は２μｍ程度となる。
または、新たに金属膜層を所望の膜厚で同様に形成することも可能であり、この場合、その金属膜層の膜厚を自由に設定できる。
【００５７】
〔第３の実施形態〕
図３は第３の実施形態に係る半導体装置を示す図である。このうち図３（ａ）は平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ線に沿った断面図である。なお、第２の実施形態に係る半導体装置は、以下に説明する点の他は、第１の実施形態に係る半導体装置と同様に構成されている。
【００５８】
本実施形態の場合、保護絶縁膜２において、金属膜パターン３上の部位に、溝（凹部）１１が形成されている。これにより、第１電極パッド１ａと第２電極パッド１ｂとの間に段差８、９が形成されている。
【００５９】
本実施形態の構造は、例えば、電極パッド１を含む配線層がＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈ）により平坦化されている場合であって、保護絶縁膜２の膜厚が十分に厚い場合に、適用することができる。
【００６０】
溝１１は、例えば、溝１１の形成領域と対応する開口を有するマスクパターンをフォトリソグラフィーにより形成し、このマスクパターンを介して保護絶縁膜２をエッチングすることによって形成することができる。
【００６１】
以上のような第３の実施形態によっても、第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００６２】
なお、上記の各実施形態では、金属膜パターン３が保護絶縁膜２（又は保護絶縁膜１０）により覆われている例を説明したが、金属膜パターン３におけるデンドライト状析出成分（Ａｇ、Ｃｕ等）の含有率が、デンドライト状の析出結晶成長が生じないレベルであれば、金属膜パターン３は絶縁膜により覆われておらず、露出（例えば封止樹脂に接触）していても良い。
【００６３】
なお、デンドライト４（図６）の厚みは、例えば、数μmにも達する場合がある。このため、上記においては、物理障壁として、電極パッド１間に、５μ程度の深さの溝を形成することによって、電極パッド１間に段差を得ることも有効である。
【００６４】
また、ワイヤー５についても、デンドライト状析出成分（Ａｇ、Ｃｕ等）を含有していないものとすることも好ましい。
【００６５】
また、保護絶縁膜（パッシベーション膜）２と封止樹脂との間に耐湿性樹脂を介在させても良い。
【符号の説明】
【００６６】
１ 電極パッド
１ａ 第１電極パッド
１ｂ 第２電極パッド
２ 保護絶縁膜
２ａ 開口
３ 金属膜パターン
４ デンドライト
５ ワイヤー
６、７ 接続配線
８、９ 段差
１０ 保護絶縁膜
１１ 溝
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極パッド及び第２電極パッドと、
前記第１電極パッドと前記第２電極パッドとの間に配置されている金属膜パターンと、
を有し、
（１）前記金属膜パターンは前記第１電極パッドと電気的に接続されているか、又は、前記金属膜パターンには前記第１電極パッドと同電位が印加され、
且つ、
（２）前記金属膜パターンは絶縁膜により覆われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記金属膜パターンは、前記第１及び第２電極パッドと同層に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記金属膜パターンは、前記第１及び第２電極パッドとは異なる層に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１電極パッドと前記第２電極パッドとの間に段差が形成されていることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記絶縁膜に前記段差が形成されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記段差は、前記絶縁膜より起立するように形成されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
第１電極パッドと第２電極パッドとを形成する工程と、
前記第１電極パッドと前記第２電極パッドとの間に金属膜パターンを形成する工程と、
を有し、
（１）前記金属膜パターンを前記第１電極パッドと電気的に接続する工程、又は、前記金属膜パターンに前記第１電極パッドと同電位を印加する工程を有し、
且つ、
（２）前記金属膜パターンを絶縁膜により覆う工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１】
第１電極パッド及び第２電極パッドと、
前記第１電極パッドと前記第２電極パッドとの間に配置されている金属膜パターンと、
を有し、
（１）前記金属膜パターンは前記第１電極パッドと電気的に接続されているか、又は、前記金属膜パターンには前記第１電極パッドと同電位が印加され、
且つ、
（２）前記金属膜パターンは絶縁膜により覆われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記金属膜パターンは、前記第１及び第２電極パッドと同層に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記金属膜パターンは、前記第１及び第２電極パッドとは異なる層に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１電極パッドと前記第２電極パッドとの間に段差が形成されていることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記絶縁膜に前記段差が形成されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記段差は、前記絶縁膜より起立するように形成されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
第１電極パッドと第２電極パッドとを形成する工程と、
前記第１電極パッドと前記第２電極パッドとの間に金属膜パターンを形成する工程と、
を有し、
（１）前記金属膜パターンを前記第１電極パッドと電気的に接続する工程、又は、前記金属膜パターンに前記第１電極パッドと同電位を印加する工程を有し、
且つ、
（２）前記金属膜パターンを絶縁膜により覆う工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１３−２６２５１（Ｐ２０１３−２６２５１Ａ）
【公開日】平成２５年２月４日（２０１３．２．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１５６２３６（Ｐ２０１１−１５６２３６）
【出願日】平成２３年７月１５日（２０１１．７．１５）
【出願人】（３０２０６２９３１）ルネサスエレクトロニクス株式会社 (8,021)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年２月４日（２０１３．２．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年７月１５日（２０１１．７．１５）
【出願人】（３０２０６２９３１）ルネサスエレクトロニクス株式会社 (8,021)
【Ｆターム（参考）】
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