【課題】複数の電極パッド間の短絡を確実に防止することができ、従来に比べて信頼性の高い半導体チップおよびそれを備える半導体パッケージを提供すること。
【解決手段】半導体基板１１と、半導体基板１１上に形成された層間絶縁膜１２と、層間絶縁膜１２上に形成された複数の電極パッド９と、層間絶縁膜１２上に形成されたポリイミドからなる表面保護膜１４であって、各電極パッド９を露出させるパッド開口２２が形成された表面保護膜１４とを含む半導体パッケージ１において、表面保護膜１４において隣り合う電極パッド９の間に、当該隣り合う電極パッド９が同一のポリイミドに接しないように、表面保護膜１４を選択的に除去したスリット開口２３を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の外部端子に加わる外力により外部端子の下方の絶縁膜にクラックが生じるのを抑制または防止する。
【解決手段】半導体基板１の主面上には複数の配線層が形成されている。この複数の配線層のうちの最上の配線層ＭＨの直下の第５配線層Ｍ５において、最上の配線層ＭＨのボンディングパッドＰＤのプローブ接触領域ＰＡの直下には、導体パターン（第５配線５Ｆ、ダミー配線およびプラグ６Ｃ）を形成しない。上記第５配線層Ｍ５において、最上の配線層ＭＨのボンディングパッドＰＤのプローブ接触領域ＰＡの直下以外の領域には、導体パターン（第５配線５Ｆ、ダミー配線およびプラグ６Ｃ）を形成する。 （もっと読む）

【課題】電極パッド間におけるデンドライトの発生を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、第１電極パッド１ａ及び第２電極パッド１ｂと、第１電極パッド１ａと第２電極パッド１ｂとの間に配置されている金属膜パターン３と、を有している。（１）金属膜パターン３は第１電極パッド１ａと電気的に接続されているか、又は、金属膜パターン３には第１電極パッド１ａと同電位が印加され、且つ、（２）金属膜パターン３は絶縁膜（保護絶縁膜２）により覆われている。 （もっと読む）

【課題】配線層の露出面において、ダイシングの工程等で水が接触することにより生じ、配線層の露出面における接合強度の低下や外観不良等の原因となる腐食の発生を抑制する。
【解決手段】半導体基板の一方の面側にて、標準電極電位が互いに異なる２種以上の金属を含む合金により形成された配線層を露出させる工程（パッドを開口する工程（Ｓ１０））と、前記配線層の露出面を含む範囲に、Ｎ_２／Ａｒプラズマを照射するプラズマ処理を行う工程（Ｎ_２／Ａｒプラズマ処理を行う工程（Ｓ３０））と、を含む方法を用いる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の金属配線を高信頼性化する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体装置は、第１の配線材、開口部、及び電極端子部が設けられる。第１の配線材は、半導体基板上の第１の層間絶縁膜上に設けられ、配線層として用いられる。開口部は、第１の配線材上に設けられた第２の層間絶縁膜をエッチングして形成される。電極端子部は、開口部及び開口部周囲の第２の層間絶縁膜上に設けられ、第１の配線材に接するバリアメタル膜、シードメタル膜、及び第２の配線材が開口部を覆うように積層形成され、第２の配線材の上部及び側面に被覆メタル膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】ガルバニック腐食に起因するパッド電極の剥離を低減することができ、かつ外部接続部材を接合する際のパッド電極の剥離をより低減することができる半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体層（ｎ型窒化物半導体層）２と、半導体層２上に設けられたパッド電極７と、を備える半導体素子（窒化物半導体素子）１０であって、パッド電極７は、半導体層２側から順に、Ｗ層、金属層、Ａｕ層が少なくとも積層されており、金属層は、Ｗよりも大きく、かつＡｕよりも小さい標準電極電位を有する金属から構成されており、金属層の膜厚は、５０ｎｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕを主成分とする材料からなる最上層配線からのパッシベーション膜の剥離を防止することができる、半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、層間絶縁膜２６と、絶縁材料からなり、層間絶縁膜２６上に形成されたパッシベーション膜３３と、銅を主成分とする材料からなり、層間絶縁膜２６の表面とパッシベーション膜３３との間に形成された最上層配線２８と、アルミニウムを主成分とする材料からなり、パッシベーション膜３３と最上層配線２８の表面との間に介在され、最上層配線２８の表面を被覆する配線被覆膜３１とを含む。 （もっと読む）

【課題】回路基板又はパッケージ基板上の露出型電気接点もしくはパッド構造及びその製作方法を提供する。
【解決手段】基板１０の表面１０ａ上の銅配線パターン１２を保護するためのはんだマスク１１が被覆されている。はんだマスク１１にははんだレジスト孔１１ａが形成されており、そこから一部の銅配線パターン１２が露出し、ワイヤボンディングまたははんだボールの電気接点の位置を定めている。回路基板または基板１０はこの電気接点を通してチップと電気的に接続する。はんだレジスト孔１１ａから露出した銅配線パターン１２には化学めっき法で形成されたニッケル金属層１３と金層１４と、ナノめっき膜１５が順次形成される。 （もっと読む）

【課題】耐腐食性が向上した電気的なコンタクトをソーラセルのような任意の半導体部品上に形成する製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも以下の工程段階、すなわち、（ａ）コンタクトを形成する湿った材料を、所望のストリップ状のおよび／または点状の構造で、半導体部品の少なくとも１つの外面に付着させること、（ｂ）湿った材料を、温度Ｔ_１への半導体部品の加熱によって乾燥し、時間ｔ_１に亘って、半導体部品を温度Ｔ_１に保つこと、（ｃ）乾燥した材料を、温度Ｔ_２への半導体部品の加熱によって焼結し、時間ｔ_２に亘って、半導体部品を温度Ｔ_２に保つこと、（ｄ）半導体部品を、室温に同じかほぼ同じである温度Ｔ_３に冷却し、時間ｔ_３に亘って、半導体部品を温度Ｔ_３に保つこと、（ｅ）半導体部品を温度Ｔ_４（Ｔ_４≦−３５℃）に冷却し、時間ｔ_４に亘って、半導体部品を温度Ｔ_４に保つこと、および(ｆ)半導体部品を室温に加熱することを有する。 （もっと読む）

【課題】金属膜の酸化を防止し、さらに金属膜の酸化を防止するだけでなく、酸化防止を行うことで新たに発生した不具合（腐食）も防止する。
【解決手段】
電子部品素子１では、基板２上に少なくとも３層からなる金属膜群５が形成されている。この金属膜群５は、少なくとも、金属膜５１と、金属膜５１を保護する保護膜５２と、金属膜５１と保護膜５２との電位差を無くす調整膜５３とから構成されている。この電子部品素子１では、基板２上に、金属膜５１、調整膜５３、および保護膜５２の順に積層されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の外部からの水分がパッド上の開口部に浸入した場合でも、開口部の側面に露出している窒化チタン膜が酸化チタン膜に変化することを抑制することができ、半導体装置の信頼性を向上できる技術を提供する。また、パッドの表面保護膜にクラックが発生することを抑制し、半導体装置の信頼性を向上できる技術を提供する。
【解決手段】開口部ＯＰ２の径を開口部ＯＰ１の径よりも小さくし、かつ、開口部ＯＰ２を開口部ＯＰ１に内包されるように形成する。これにより、開口部ＯＰ１の側面に露出する反射防止膜ＡＲの側面を、開口部ＯＰ２を形成している表面保護膜ＰＡＳ２で覆うことができる。この結果、反射防止膜ＡＲの側面を露出することなく、パッドＰＤを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】現在のＬＳＩ、すなわち、半導体集積回路装置の製造工程においては、デバイスの組み立て（たとえばレジン封止）後に、高温（たとえば摂氏８５から１３０度程度）・高湿（たとえば湿度８０％程度）の環境下での電圧印加試験（すなわち、高温・高湿試験）が広く行われている。これに関して、高温・高湿試験中に、正電圧が印加されるアルミニウム系ボンディング・パッドの上面端部において、封止レジン等を通して侵入した水分に起因する電気化学反応により、反射防止膜である窒化チタン膜が酸化されて膨張し、上部膜との剥がれや、膜クラックが発生することが、本願発明者等によって明らかにされた。
【解決手段】本願発明は、アルミニウム系ボンディング・パッドの周辺部において、パッド上の窒化チタン膜をリング・スリット状に除去するものである。 （もっと読む）

【課題】ヨウ素を含む腐食性ガスに対する耐食性に優れた端子、半導体装置及びこれらの防食方法を提供する。
【解決手段】アルミニウム又はアルミニウム合金からなり、ヨウ素が存在する雰囲気中で使用されるＡｌ端子１に対して、その表面の少なくとも一部、好ましくは金ワイヤー２が接合される領域の周辺部に、ヘキサシアノ鉄（ＩＩ）塩又はヘキサシアノ鉄（ＩＩＩ）酸塩などの電子メディエーター化合物を付着させる。そして、このＡｌ端子１を備える半導体素子を配線基板に搭載し、半導体素子のＡｌ端子１と配線基板の端子とを、ワイヤーボンディング法などにより金ワイヤー２を介して相互に接続する。 （もっと読む）

【課題】中空パッケージにおける端子とワイヤーとの異種金属接合部分の腐食を、容易にかつ確実に防止できる端子、実装構造体及びこれらの防食方法を提供する。
【解決手段】端子４を構成する金属層２上に、フッ素系樹脂又はシリコーン系樹脂などからなる撥水撥油性樹脂層３を形成する。また、このような端子４を備える素子５を、中空状のパッケージ本体１０に搭載し、超音波を利用したワイヤーボンディング法により、素子５の端子４とパッケージ本体１０のインナーリード１１とを、第一の金属とは主成分が異なる第二の金属からなるワイヤー１５を介して相互に接続して実装構造体とする。 （もっと読む）

【課題】ＵＢＭエッチング時に異種金属接触腐食によるＣｕ配線層の側壁エッチング量を抑え、ボンディング時にボンディング位置の目印を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】多層配線構造を有する半導体装置において、第１の配線層と、第１の配線層上に形成される層間絶縁膜と、層間絶縁膜の第１の配線層の形成位置内に、層間絶縁膜を貫通して形成される配線用溝と、配線用溝の周囲の層間絶縁膜上の一部と、に形成され、Ｃｕの層間絶縁膜への拡散を防止するバリアメタル膜と、バリアメタル膜上に形成され、上面に配線用溝に対応する部分が周囲よりも窪んだ凹部を有するＣｕを含む材料からなる第２の配線層と、第２の配線層上の全面に形成され、Ｃｕよりもイオン化傾向の大きい材料からなる第１の金属層、および凹部内に形成され、Ｃｕよりもイオン化傾向の小さい材料からなる第２の金属層を有するトップメタル層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】水分の浸入による半導体装置の信頼性低下を抑制した装置の提供。
【解決手段】ＧａＡｓ系半導体、ＩｎＰ系半導体、及びＧａＮ系半導体のいずれかからなる半導体層２と、半導体層２上に設けられ、端部４ａが半導体層２上に位置する第１窒化シリコン膜４と、第１窒化シリコン膜４の端部４ａを覆うように、半導体層２上及び第１窒化シリコン膜４上に設けられたポリイミドまたはベンゾシクロブテンのいずれかからなる保護膜１２と、半導体層２の上面及び第１窒化シリコン膜４の端部４ａに接するように、半導体層２と保護膜１２との間から第１窒化シリコン膜４の端部４ａと保護膜１２との間にかけて連続的に設けられた第１Ｔｉ層１４と、を具備することを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】金属パッドの下方に位置する層間絶縁膜にクラックが発生し、クラック内に水分が進入することがあっても、金属パッドの近傍の配線の信頼性が低下することを防止する。
【解決手段】半導体基板１０上に形成された層間絶縁膜１８と、層間絶縁膜１８を貫通して設けられたリング用金属配線２０Ａと、層間絶縁膜１８を貫通して設けられたコンタクト用金属配線２０Ｂと、層間絶縁膜１８上及びリング用金属配線２０Ａの全上面上に形成された第１の保護絶縁膜２１と、第１の保護絶縁膜２１上に形成された金属パッド２３とを備え、リング用金属配線２０Ａは、層間絶縁膜１８のうち金属パッド２３の下方に位置する領域にリング状に設けられており、金属パッド２３は、第１の保護絶縁膜２１に形成された第１の開口部２１ａを通じてコンタクト用金属配線２０Ｂに接続されている。 （もっと読む）

【課題】 特に、ダイシング工程時におけるボンディングパッドの腐食を防止できるとともに、ワイヤボンディングしたときの接合部のシェア強度を高くできる電子デバイス及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 表面にボンディングパッド６を備えた電子デバイス１において、前記ボンディングパッド６はＡｌあるいはＡｌ合金で形成されており、前記ボンディングパッド６の表面６ａが無機絶縁材料（例えばＳｉＯ₂）で形成されたキャップ層１１で覆われており、前記キャップ層１１の膜厚ｈ１が１ｎｍ以上８ｎｍ以下の範囲内で形成されている。 （もっと読む）

【課題】上部パッドの損傷に関係なく、下部パッドの大気露出を防止するボンディングパッド構造物を提供する。
【解決手段】ボンディングパッド構造物は、パシベーション膜１４０、上部パッド１２０、下部パッド１１０、及びコンタクト部材１３０を含む。上部パッドは、前記パシベーション膜で覆われる第１領域、及び前記パシベーション膜から露出された第２領域を有する。下部パッドは、前記第２領域を通じて露出されないように前記上部パッドの第１領域下部に位置する。コンタクト部材は、前記上部パッドと前記下部パッドとの間に介在され、前記上部パッドと前記下部パッドを電気的に連結させる。従って、下部パッドが大気中に露出されない。 （もっと読む）