【課題】集積回路間の縮小化の要求に応えた、安定した接合強度を有する純銅にＰｄを被覆したボンディングワイヤを提供する。
【解決手段】集積回路素子電極ａと回路配線基板導体配線ｃをボールボンディング法によって接続するための線径Ｌ５０.８μｍ以下のボンディングワイヤＷである。芯材１が純銅及び不可避不純物からなり、その芯材１の外周全面に、Ｐｄによる厚みｔ_２：０．０１０〜０．０９０μｍの被覆層２を形成し、その表面に０．０００１〜０．０００５μｍ厚ｔ_３の炭素濃縮層３を形成する。また、調質熱処理の炉温度：４００℃以上８００℃以下、同処理時間は０．３３〜１秒で行なって、室温での引張試験による引張強さＴＳ_Ｒと２５０℃での引張試験による引張強さＴＳ_Ｈの比（ＨＲ＝ＴＳ_H／ＴＳ_R×１００）を５０〜７０％とする。その炭素濃縮層３は、伸線時の潤滑剤の洗浄度合によって形成する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンドの非有効エリアとされていた、傾斜部やビア上、ビアカバー上に安定に、かつ少ない接続面積でワイヤを接続できる半導体装置を提供する。
【解決手段】開口部と、開口部内に設けられたダイパッドと、開口部の周囲に設けられた傾斜部と、インナリードと、を有するパッケージと、第１の電極パッドを有し、かつ、ダイパッド上に搭載された半導体チップと、インナリードと第１の電極パッドとを接続する第１のワイヤと、を備え、インナリードの少なくとも一部は、傾斜部上に配置され、前記傾斜部上において、かつ、前記インナリード上には、第１の部材が配置され、前記第１の部材上には、前記第１のワイヤが接続されている半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】生産性を低下させることなく、基板の外周部にレジスト残渣が発生することを抑制可能な厚膜レジストの現像方法、及び半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】回路素子層の上面に、厚膜レジストを形成する工程と、厚膜レジストを露光する工程と、露光後に、３０〜５０ｒｐｍの範囲内の一定の回転速度で炭化珪素基板を回転させながら、厚膜レジストの上方から現像液を供給することで、厚膜レジストの上面に現像液よりなるパドルを形成し、該パドルにより厚膜レジストを現像して、厚膜レジストに回路素子層の上面を露出する開口部を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】所定値以上の厚みを有するパッドを少ない工程数で形成することができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、アルミ層２２を、半導体基板上に形成された層間絶縁膜１の上方に堆積させる。アルミ層２２上には、アルミ層２４を堆積させる。パッド領域１０２のアルミ層２４の上方に、フォトレジスト７を形成する。フォトレジスト７を用いてエッチングを行うことにより、パッド領域１０２にパッド上層５２を形成するとともに、配線領域１０１のアルミ層２４を除去する。そして、フォトレジスト８を、パッド領域１０２のパッド上層５２を覆い、かつ、配線領域１０１で配線パターンを構成するように形成する。フォトレジスト８を用いてエッチングを行うことにより、パッド領域１０２にパッド下層５１を形成するとともに、配線領域１０１に配線２を形成する。 （もっと読む）

【課題】フェイスアップ実装方法において、低コストで半導体チップを損傷する虞のない半導体チップの実装方法を提供する。
【解決手段】主平面２０Ａと、裏面２０Ｂとを備えた半導体チップ２０を基板１０上に実装する半導体チップ実装方法であって、半導体チップ２０の主平面２０Ａにチップ側バンプ４１を形成するチップ側バンプ形成工程と、ピックアップ手段６０の吸着面６１にチップ側バンプ４１を当接させながら半導体チップ２０をピックアップするピックアップ工程と、裏面２０Ｂが基板１０と対向するように半導体チップ２０を基板１０の所定位置に載置する載置工程と、半導体チップ２０を基板１０に固定する固定工程と、を有する半導体チップの実装方法により上記課題が解決される。 （もっと読む）

【課題】信頼性の低下を抑制し得る半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置２は、表面に表面電極４４が形成されている半導体素子４０と、表面電極４４上に接合される導電板材５０と、を有している。導電板材５０は、表面電極４４と対向する底面１０２と、底面１０２と反対側であって、大電流用ワイヤ６０がボンディングされる領域を有する上面１０４とを備える。上面１０４の面積は底面１０２の面積より大きい。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の組み立てにおけるボイドの発生を抑制する。
【解決手段】一対の第１辺３ａａ，３ａｂ及び一対の第２辺３ａｃ，３ａｄを有する四角形からなるダイパッド３ａにＭＣＵチップ１とＡＦＥチップ２を搭載し、ＭＣＵチップ１及びＡＦＥチップ２にワイヤボンディングを行った後、２つの第２辺３ａｃ，３ａｄのうちの一方の第２辺３ａｃ側から他方の第２辺３ａｄ側に向かって樹脂を供給し、前記樹脂をＭＣＵチップ１上の第１パッド群１ｃｃと第２パッド群１ｃｄとの間の開口に通してチップ間を充填することで、チップ間の領域におけるボイドの発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを搭載する半導体装置の大きさを拡大することなく、隣り合う電極パッド間やボンディングワイヤー間で電流が流れるのを防止又は可及的に抑制することのできるワイヤーボンディング方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】第１電極パッド３に対するボンディングワイヤーＷ１と、第１電極パッド３に隣り合う第２電極パッド４に対するボンディングワイヤーＷ２とを、互いに隣り合わないボンディングポイントでボンディングするようにした。 （もっと読む）

【課題】実施形態によれば、オーバーハング部に対するワイヤボンディング不良を防ぐ半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、実ボンディング時におけるボンディングヘッドが接地基準位置をサーチする下降速度及び荷重と同じ下降速度及び荷重でもってボンディングヘッドをオーバーハング部のボンディングパッドに対して下降させて接触させ、接地基準位置を予め取得する。実ボンディングでは、半導体チップにおける下方の支持体から張り出したオーバーハング部に形成されたボンディングパッドに対する前記接地基準位置までボンディングヘッドを下降させて、ボンディングヘッドの先端でワイヤをボンディングパッドに押し付けて接合する。 （もっと読む）

【課題】モールド樹脂注入時にワイヤが倒れることを防止し、チップエッジからワイヤまでの距離を大きくして絶縁距離を確保する電力用半導体装置を提供する。
【解決手段】ワイヤで接続された制御チップとパワーチップがモールド樹脂１０により封止された電力用半導体装置１００であって、パワーチップは、ワイヤがウエッジボンディングされた接合部と、接合部の近傍に設けられたバンプとをその表面上に有し、ワイヤは、バンプの上を通って延びる。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッドの下の絶縁膜にクラックが入ることをより防止する。
【解決手段】三層構造のボンディングパッドを有する半導体装置とし、この三層構造のボンディングパッドは、第一金属膜と、第二金属膜と、第三金属膜とからなり、第二金属膜は、第一金属膜及び第三金属膜のヤング率よりも高いヤング率を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】非貴金属を主成分とするボンディングワイヤを使用した接合の信頼性を向上できるボンディングワイヤの接合構造及び接合方法を提供する。
【解決手段】ボンディングワイヤ５０の接合構造は、半導体素子１０の電極１０ａ上に形成されたバンプ上にボンディングワイヤを接合するボンディングワイヤの接合構造であって、ボンディングワイヤは、非貴金属を主成分とする芯材と、芯材を被覆する貴金属層とからなり、半導体素子の電極上に形成されたバンプ及びバンプ上にウエッジ接合されたボンディングワイヤが貴金属層を介して接合されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】第２メタル層が密着する絶縁層にクラックを生じさせ難い半導体装置の配線構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の配線構造は、絶縁層１２と、絶縁層１２によって覆われた第１メタル層１３と、互いに間隔をあけて絶縁層１２上に配列され且つ第１メタル層１３より厚く形成された複数の電極部分１０１，１０２，…を有する第２メタル層１４とを備え、絶縁層１２の複数のビアホール内に配置された第１メタル層１３と複数の電極部分１０１，１０２，…との間を繋ぐ複数の電極部分によって、複数の電極部分を第１メタル層１３に電気的に接続する複数の貫通配線１５を備えている。 （もっと読む）

【課題】ウェハテスト時に生じたプローブ痕を有する電極パッドに対してワイヤボンディングの接合が十分な強度で接合されたボンディングワイヤを備えた半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電極パッド１を有する半導体チップと、一端に形成された圧着ボール３が電極パッド１に接合されたボンディングワイヤ１０と、ボンディングワイヤ１０の他端が接続された配線とを備える。ウェハテストにより電極パッド１に形成されたプローブ痕２の凹部底面２ｃに圧着ボール３が接合され、凹部底面２ｃと圧着ボール３との接合領域４の大きさが凹部底面２ｃの大きさと等しい、または小さい。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを実装する際のコスト低減、パッケージ基板の小型化、および配線パターンの最適化を実現できる半導体チップを提供することである。
【解決手段】本発明にかかる半導体チップ１０は、半導体チップ１０に設けられると共に、少なくとも一つの電極パッド６を備える電極パッド群１と、半導体チップ１０に設けられる少なくとも一つの電極パッドであって、電極パッド６から出力される信号と同じ信号を出力可能である電極パッド７を備える電極パッド群２と、を備える。そして第１の電極パッド群の一の電極パッドおよび第２の電極パッド群の一の電極パッドうち、当該信号が供給される他の半導体チップの他の電極パッドと距離が近い方の電極パッドが、他の半導体チップの当該他の電極パッドと接続される。 （もっと読む）

【課題】ボンディングワイヤーをより確実にボンディングパッドに接続すること。
【解決手段】配線６が形成される半導体チップ本体部分２と、ボンディングワイヤー２２に接続されるボンディングパッド１２と、半導体チップ本体部分２とボンディングパッド１２との間に配置されるボンディングパッド下層絶縁体１４と、配線６とボンディングパッド１２とを接続する接続ビア１６とを備えている。このような半導体装置によれば、ボンディングパッド１２のうちのボンディングワイヤー２２に接続される表面は、ボンディングパッド下層絶縁体１４の分だけより高い位置に配置され、ワイヤーボンディングに利用されるキャピラリ２１は、ボンディングパッド１２と異なる他の部分１１に接触することが防止される。このため、このような半導体装置は、ボンディングパッド１２がより確実にボンディングワイヤー２２に接続されることができる。 （もっと読む）

【課題】配線基板の一面を封止する封止体の配線基板の端縁部における剥離を防止し、信頼性を大幅に向上させると共に、更なる小型化を可能とした半導体装置を提供する。
【解決手段】配線基板２の一面には、複数のボンディングパッド６が端縁部に沿って並ぶボンディングパッド群６Ａ，６Ｂと、一面を被覆する絶縁膜１１とが設けられ、半導体チップ３の配線基板２と対向する面とは反対側の面には、複数のチップパッド１３が端縁部に沿って並ぶチップパッド群１３Ａ，１３Ｂが設けられ、ボンディングパッド６とチップパッド１３との間がボンディングワイヤー１４を介して電気的に接続され、絶縁膜１１には、ボンディングパッド群６Ａ，６Ｂを露出させる開口部１２が設けられ、この開口部１２は、配線基板２の端縁部に臨んで開口されると共に、配線基板２の端縁部に沿って並ぶボンディングパッド群６Ａ，６Ｂの間で連続して開口されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置における多ピン化とコスト低減化を実現する。
【解決手段】マイコンチップ３と、マイコンチップ３の横に並べて配置され、かつマイコンチップ３より厚さが薄いＳＤＲＡＭ２と、タブ５ｃと、複数のインナリード５ａおよびアウタリード５ｂと、マイコンチップ３のパッドとＳＤＲＡＭ２のパッドとを接続する第１のワイヤ６ａと、マイコンチップ３の前記パッドとインナリード５ａとを接続するとともに、ＳＤＲＡＭ２を飛び越えて配置され、かつ第１のワイヤ６ａのループより高い位置にループが形成された第２のワイヤ６ｂとからなり、メモリ用バスのインターフェイス回路を外部端子に接続せずにチップ間接続のみとしてパッケージ内で閉じるようにしたため、その分のピンを他の機能に活用でき、多ピン化を図ることができ、かつフレームタイプの採用によりＳＩＰ（半導体装置）１のコスト低減化を図る。 （もっと読む）

【課題】ポリイミド膜上に設けた電極パッドに導体バンプなしにＡlワイヤを確実に接合でき、ポリイミド膜からの電極パッドの剥離や電極パッドとＡlワイヤとの接合不良を防止できるパワーデバイスを提供する。
【解決手段】絶縁基板１上に設けられた半導体素子(２,３,６)と、絶縁基板１上に形成され、半導体素子(２,３,６)を覆う軟質ポリイミド膜１１と、軟質ポリイミド膜１１上に形成された電極パッド９と、電極パッド９にワイヤボンディングにより一端が接合されたＡlワイヤ１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】プローブ跡を除去でき、かつ、製造コストが増加することを抑制できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、回路が形成された基板１００と、この基板１００上に形成され、表面に保護絶縁膜３００が形成された多層配線層と、この多層配線層の最上層の配線層に位置し、上記回路に接続し、かつ、表面が保護絶縁膜と略同一面となっている電極パッド２００と、を備える。また、このような半導体装置の製造方法は、回路が形成された基板１００上に、この回路に接続し、かつ、保護絶縁膜３００から突出した突出部２０１を有する電極パッド２００を形成する工程と、プローブ端子５００を電極パッド２００に接触させることにより、回路の動作テストを行う工程と、突出部２０１の少なくとも表面を研磨する工程と、有する。 （もっと読む）