【課題】クラックの発生を抑制できるとともに、ＳＯＧ膜の剥離を抑えることが可能な半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子が形成された半導体基板３上に、ＳＯＧ膜を含む層間絶縁膜１０が形成されており、この層間絶縁膜１０を介して、配線層１２ａ〜１２ｄが半導体素子と電気的に接続されている。さらに、一方面側がボンディング接続されるパッド部１２ｄ（第４配線層１２ｄ）と、層間絶縁膜１０に配置されると共に配線層１２ａ〜１２ｃを接続するビアホール１５ａ〜１５ｃと、ビアホール１５ａ〜１５ｃ内に埋め込まれる導電層１６ａ、１６ｂとを有している。そして、ビアホール１５ａ〜１５ｃは、パッド部１２ｄよりも下方に設けられており、導電層１６ａ、１６ｂの少なくとも一部は、内部に空洞部１７を有している。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の最上層の保護膜のクラックを防いで、半導体装置の信頼性の向上を図ることのできる技術を提供する。
【解決手段】ボンディングパッドＢＰ１を長方形状とし、ボンディングパッドＢＰ１のワイヤボンディング領域ＢＰ１ｗでの保護膜５の重なり幅を、ボンディングパッドＢＰ１のプローブ領域ＢＰ１ｐでの保護膜５の重なり幅よりも広くなるように、ボンディングパッドＢＰ１上の保護膜５に開口部６を形成する。 （もっと読む）

【課題】電極パッド間におけるデンドライトの発生を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、第１電極パッド１ａ及び第２電極パッド１ｂと、第１電極パッド１ａと第２電極パッド１ｂとの間に配置されている金属膜パターン３と、を有している。（１）金属膜パターン３は第１電極パッド１ａと電気的に接続されているか、又は、金属膜パターン３には第１電極パッド１ａと同電位が印加され、且つ、（２）金属膜パターン３は絶縁膜（保護絶縁膜２）により覆われている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属膜の端部の応力により金属膜の端部直下の表面電極がダメージを受けることを防止できる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、基板２４と、該基板２４の上に、アルミを含む材料で形成された表面電極２６と、該表面電極２６の上に、はんだ付け可能な材料で形成された金属膜２８と、該表面電極２６の上の部分と、該金属膜２８の端部に重なる重畳部分３０ａとが一体的に形成されて該金属膜２８の端部を固定する端部固定膜３０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】回路規模の大きな半導体チップを用いる場合においても、チップ中央部に安定して電源電圧を供給できる半導体装置を低コストに実現する。
【解決手段】半導体装置２５は、半導体チップ４と、半導体チップ４の主面の周縁部上に形成された外部パッド７と、主面上であって、外部パッド７よりも内側に形成された複数の内部パッド８及び９と、主面上を覆い、外部パッド７上及び複数の内部パッド８及び９上に開口を有する保護膜６と、内部パッド同士を電気的に接続する第１の金属細線１６とを備える。複数の内部パッド８及び９は、外部パッド７よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】スピンコート法で保護膜を形成する際にクラウンの発生を抑制できるボンディングパッド部に通じるパッド窓の形成方法、及びこのようなパッド窓の形成方法に使用できる保護膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】マイクロレンズを覆うように、水溶性重合体と下記式（１）に示す化合物とを含有する保護膜形成用組成物をスピンコート法により塗布する。


（式中、Ｒ¹〜Ｒ⁴はそれぞれ炭素数１〜５のアルキル基、Ｒ⁵及びＲ⁶はそれぞれ炭素数２〜４のアルキレン基、ｎ及びｍはそれぞれ０〜５０の整数を示す。）
【効果】スピンコート法で形成した保護膜が段差部分を確実に被覆でき、クラウンの発生を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】薄型化された半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体ＩＣチップ１３の電極パッド１４ａに金球１５によってワイヤの一端をボンディングし、イン−リードにワイヤの他端をボンディングして、電極パッド１４ａからイン−リードまでのワイヤループ１６を形成する工程と、金球１５よりイン−リード側の半導体ＩＣチップ１３上の所定位置で、ワイヤループ１６を半導体ＩＣチップ１３側に押し下げるように、バンプ金球１７によってワイヤループ１６をボンディングする工程とを有し、前記所定位置は、少なくともバンプ金球１７よりイン−リード側のワイヤループ１６の最上部の高さをバンプ金球１７の頂部１７ａの高さＨ１７よりも低くする位置に設定されている。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、金属細線として金線を用いており、材料コストが低減し難いという問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置では、アイランド７上に半導体素子１０が固着され、半導体素子１０の固着領域の周囲のアイランド７には、複数の貫通孔８が形成される。そして、半導体素子１０の電極パッドとリード４とは銅線１１により電気的に接続される。この構造により、銅線１１を用いることで金線の場合と比較して材料コストが低減される。また、電極パッド上に金ボール１２を形成することで、電極パッド間のショートが防止される。 （もっと読む）

【課題】未接合部が生じることを抑制した、Ｃｕワイヤボンドが可能なボンディングパッドを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】能動素子と、この能動素子と電気的に接続されたアルミニウムを主成分とする電極１とを備え、電極の最表面をアルミニウムと銅との化合物層５で被覆し、Ｃｕワイヤを用いたボンディングでも未接合部が生じることを抑制することができる、熱性、耐ヒートサイクル性が向上し、長期信頼性の高い半導体装置。 （もっと読む）

【課題】ボンディングに用いられた金属細線に、樹脂封止工程で折れ、曲がりが生じて、隣接する金属細線同士が接触してしまうことのない高品質な半導体装置を提供する。
【解決手段】樹脂封止型の半導体装置２において、半導体チップ１４は主面に複数の電極１８を有し、主面における前記電極の位置よりも外周側に絶縁性の金属細線案内部材１５が固定され、金属細線案内部材１５に形成された孔１７ａを通り、溝１７ｂに嵌め込まれた金属細線１６によって電極１８と外部リード１２とが接続された状態で、半導体チップ１４、外部リード１２、金属細線案内部材１５及び金属細線１６が樹脂封止されている。 （もっと読む）

【課題】中空パッケージにおける端子とワイヤーとの異種金属接合部分の腐食を、容易にかつ確実に防止できる端子、実装構造体及びこれらの防食方法を提供する。
【解決手段】端子４を構成する金属層２上に、フッ素系樹脂又はシリコーン系樹脂などからなる撥水撥油性樹脂層３を形成する。また、このような端子４を備える素子５を、中空状のパッケージ本体１０に搭載し、超音波を利用したワイヤーボンディング法により、素子５の端子４とパッケージ本体１０のインナーリード１１とを、第一の金属とは主成分が異なる第二の金属からなるワイヤー１５を介して相互に接続して実装構造体とする。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディング接続の半導体パッケージにおいて、配線抵抗に起因する電源電圧の低下および接地電圧の上昇を効果的に抑制することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１０の周縁領域に外部接続端子１７Ｂと接続されて電源電圧ＶＤＤＢを受ける第１のボンディングパッド２２が設けられる。さらに、電源配線パターン１４に第２、第３のボンディングパッド２７，２８が設けられ、第２、第３のボンディングパッド２７，２８間が補助ワイヤ２９によって接続される。ここで、第２、第３のボンディングパッド２７，２８および補助ワイヤ２９は、電源配線パターン１４の配置が制限される領域４２に設けられる。これによって、配線抵抗に起因する半導体チップ１の中央部での電源電圧ＶＤＤＢの低下を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】ダイシング後にパッドの表面に接続される金属物の密着性を改善することができ
る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１の製造方法において、半導体基板１０の上方の層間絶縁膜３６
上に金属パッド４０を形成する工程と、酸素含有雰囲気内において熱処理を行い、金属パ
ッド４０の表面にアルミニウム又はアルミニウム合金を有する金属酸化膜４１を形成する
工程と、半導体基板１０を分割してチップを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 特に、ダイシング工程時におけるボンディングパッドの腐食を防止できるとともに、ワイヤボンディングしたときの接合部のシェア強度を高くできる電子デバイス及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 表面にボンディングパッド６を備えた電子デバイス１において、前記ボンディングパッド６はＡｌあるいはＡｌ合金で形成されており、前記ボンディングパッド６の表面６ａが無機絶縁材料（例えばＳｉＯ₂）で形成されたキャップ層１１で覆われており、前記キャップ層１１の膜厚ｈ１が１ｎｍ以上８ｎｍ以下の範囲内で形成されている。 （もっと読む）

【課題】欠陥が発生した場合に、容易に外部からテスト信号のための接続面に接触することができる半導体コンポーネントを提供する。
【解決手段】半導体コンポーネント１は、少なくとも１つの半導体チップ２を有しており、その中に電気回路が統合されている。半導体チップ２は、電気的に絶縁するカプセル材料３によって包囲されており、かつその表面６に、カプセル材料３によって覆われる、テスト信号のための少なくとも１つの接続面を有している。接続面は、半導体チップ２の表面６を越えて張り出す分析接点９ａ、９ｂと電気的に導通するように接続されており、その分析接点は、カプセル材料３の内部にその外表面に対して距離をもって配置されており、かつカプセル材料３の表面近傍の層の除去によって露出可能である。 （もっと読む）

【課題】配線間隔を広げることなくボンディング処理時に発生するボンディングパッドの移動を抑制することができ、製造効率に優れ、また、ダイサイズ並びに装置全体の小型化が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板２上に、少なくとも、絶縁膜３と、配線層４と、絶縁膜３及び配線層４を覆う保護膜５とがこの順で積層され、保護膜５には該保護膜５の少なくとも一部を除去することによって開口部５１が形成されており、該開口部５１から配線層４が露出することによって形成されるボンディングパッド６が備えられ、配線層４には、ボンディングパッド６の周囲の少なくとも一部に凹部７が形成されており、保護膜５が凹部７に埋め込まれるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】高温動作状態であっても半導体素子の表面電極膜が電気的、機械的に安定した状態を維持できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子１は、その表裏面にそれぞれ電極１ａ，１ｂを有し、表面電極１ａとして形成されたアルミ電極膜の劣化による電気抵抗の増加や、アルミワイヤ２の剥離を阻止するために、アルミ電極膜の上にニッケル膜３が、金属保護膜として成膜されている。また、裏面電極１ｂは、ＤＢＣ基板の電気回路パターンを構成する導体層とはんだ接合されている。ここでは、表面電極１ａはＩＧＢＴモジュールのエミッタ電極であって、そこにはニッケル膜３の上にアルミワイヤ２を熱圧着あるいは超音波振動によって接合する配線構造が採用される。 （もっと読む）

【課題】腐食環境で使用されるものであって、体格を大きくすることなく、電極部の腐食を抑制することができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】腐食環境に晒される半導体装置であって、半導体基板１０と、半導体基板１０に形成されるものであり、外部との電気的接続用の電極部３１を有する配線層３０と、電極部３１に対応する位置に開口部４１を有した状態で配線層３０を覆う保護層４０と、電極部３１を覆う導電性のアモルファス構造を有するブロック層５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板の一面に形成されたアルミニウム電極に対してはんだ付け用もしくはワイヤボンディング用の金属電極を形成してなる半導体装置において、金属電極の凹凸を小さくし、アルミニウム電極の接合性を向上させるとともに、電気的不良を低減する。
【解決手段】 半導体基板１の一面１ａ上にアルミニウム電極１１を形成し、アルミニウム電極１１の上に保護膜１２を形成し、保護膜１２に開口部１２ａを形成するとともに、開口部１２ａから臨むアルミニウム電極１１の表面をエッチングした後、このエッチングされたアルミニウム電極１１の表面上に金属電極１３を形成してなる半導体装置において、エッチングにより形成されたアルミニウム電極１１の表面の凹部１１ａは、その開口部側よりも底部側の方が広がった形状となっている。 （もっと読む）

【課題】 短絡等の不具合が生じる虞がなく、配線自由度を容易に増大させることができ、配線の変更を容易かつ短時間で行うことができる半導体素子及びそれを備えたワイヤボンディング・チップサイズ・パッケージ（ＷＢＣＳＰ）を提供する。
【解決手段】 本発明のＷＢＣＳＰは、パッド３３上に再配線パターン４７ａが、絶縁層４３上に再配線パターン４７ｂがそれぞれ形成され、再配線パターン４７ａ、４７ｂ上にバンプ電極３６ａ、３６ｂが形成され、再配線パターン４７ｂとパッド３２とはボンディングワイヤ３８により接続され、再配線パターン４７ａ、４７ｂ及びボンディングワイヤ３８は絶縁層３９により封止され、ボンディングワイヤ３８の最上部は、再配線パターン４７ａ、４７ｂより上方かつバンプ電極３６ａ、３６ｂの下端部より下方に位置していることを特徴とする。 （もっと読む）