【課題】ワイヤボンディング時の接続信頼性を向上できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体基板１上に形成された第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜上に形成された保護膜３と、保護膜３の内側に形成されたボンディングパッド電極部４と、ボンディングパッド電極部４に接続するボンディングワイヤ６とを備えており、ボンディングワイヤ６における、ボンディングパッド電極部４とボンディングワイヤ６との接続部の外端部の直下に、保護膜３は配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】切削又は研削加工を用いつつ、低コストで金属電極を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１２の主面１２ａに下地電極１４を形成する工程と、下地電極を覆う保護膜１６を形成するとともに、該保護膜に下地電極を露出させる開口部１６ａを形成する工程と、保護膜及び開口部から臨む下地電極の表面を覆うように第１金属膜２２を形成する工程と、第１金属膜が形成された半導体基板を、裏面１２ｂを搭載面として吸着ステージ３０に吸着固定した状態で、吸着ステージと平行に設定された基準面上Ｐ１に位置する保護膜の部分及び第１金属膜の部分を、切削により除去して、第１金属膜をパターニングする工程と、パターニング工程後、裏面から半導体基板を研削し、半導体基板の厚さを所定厚さまで薄くする工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】所定値以上の厚みを有するパッドを少ない工程数で形成することができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、アルミ層２２を、半導体基板上に形成された層間絶縁膜１の上方に堆積させる。アルミ層２２上には、アルミ層２４を堆積させる。パッド領域１０２のアルミ層２４の上方に、フォトレジスト７を形成する。フォトレジスト７を用いてエッチングを行うことにより、パッド領域１０２にパッド上層５２を形成するとともに、配線領域１０１のアルミ層２４を除去する。そして、フォトレジスト８を、パッド領域１０２のパッド上層５２を覆い、かつ、配線領域１０１で配線パターンを構成するように形成する。フォトレジスト８を用いてエッチングを行うことにより、パッド領域１０２にパッド下層５１を形成するとともに、配線領域１０１に配線２を形成する。 （もっと読む）

【課題】生産性を低下させることなく、基板の外周部にレジスト残渣が発生することを抑制可能な厚膜レジストの現像方法、及び半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】回路素子層の上面に、厚膜レジストを形成する工程と、厚膜レジストを露光する工程と、露光後に、３０〜５０ｒｐｍの範囲内の一定の回転速度で炭化珪素基板を回転させながら、厚膜レジストの上方から現像液を供給することで、厚膜レジストの上面に現像液よりなるパドルを形成し、該パドルにより厚膜レジストを現像して、厚膜レジストに回路素子層の上面を露出する開口部を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】電極パッド間におけるデンドライトの発生を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、第１電極パッド１ａ及び第２電極パッド１ｂと、第１電極パッド１ａと第２電極パッド１ｂとの間に配置されている金属膜パターン３と、を有している。（１）金属膜パターン３は第１電極パッド１ａと電気的に接続されているか、又は、金属膜パターン３には第１電極パッド１ａと同電位が印加され、且つ、（２）金属膜パターン３は絶縁膜（保護絶縁膜２）により覆われている。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッドの変色の発生を抑制することのできる配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂基板１０の上面にフリップチップ接続用の接続パッド１３となる第１パッド１３Ａと、ボンディングパッド１４となる第２パッド１４Ａとを形成し、第２パッド１４Ａの表面にめっき１４Ｂを形成し、第１パッド１３Ａの表面にのみ選択的に粘着層１５を被着する。続いて、粘着層１５にはんだ粉１６を付着し、樹脂基板１０の上面全面にハロゲン濃度が０．１５ｗｔ％以下のフラックス４０を塗布し、はんだ粉１６をリフローにより溶融して第１パッド１３Ａにはんだ１３Ｂを被着する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディング接続が行われる半導体チップにおいて、ワイヤボンディング時における電極パッド下の半導体部へのダメージの低減、および、ワイヤの位置ずれによる当該ワイヤのダメージの低減を図る。
【解決手段】半導体部１１の一面１２上に電極パッド１４とを備える半導体チップにおいて、電極パッド１４上に積層されて接続され、半導体部１１の一面１２上に突出する導電性材料よりなるバンプ１５と、半導体部１１の一面１２上に設けられ、電極パッド１４およびバンプ１５を封止する電気絶縁性の保護膜１６と、を備え、バンプ１５の先端面１５ａは保護膜１６より露出するとともに、保護膜１６とバンプ１５の先端面１５ａとは連続した同一平面を構成している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属膜の端部の応力により金属膜の端部直下の表面電極がダメージを受けることを防止できる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、基板２４と、該基板２４の上に、アルミを含む材料で形成された表面電極２６と、該表面電極２６の上に、はんだ付け可能な材料で形成された金属膜２８と、該表面電極２６の上の部分と、該金属膜２８の端部に重なる重畳部分３０ａとが一体的に形成されて該金属膜２８の端部を固定する端部固定膜３０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＭＩＭキャパシタを備え、バイアホールを必須とせず、小さなチップサイズにおいても大きなキャパシタ容量を実現することができ、ＭＩＭキャパシタの内部電極と外部電極の電位の設定自由度が高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置２は、半導体チップ１０と、半導体チップ１０の表面１０Ｔに形成された電子回路と、半導体チップ１０の少なくとも１つの側面１０Ｌ、１０Ｒに形成され、半導体チップ１０側から内部電極２１と絶縁膜２２と外部電極２３との積層構造を有するＭＩＭキャパシタ２０とを備えている。半導体装置２は、半導体チップ１０の表面１０Ｔ上から側面１０Ｌ、１０Ｒに形成されたＭＩＭキャパシタ２０上に平面的に延びて、ＭＩＭキャパシタ２０の内部電極２１に接触した表面電極３０を備えている。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディングによるクラックが入りにくい半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板と、前記半導体基板の表面に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜の上に設けられた多孔質金属膜と、前記多孔質金属膜の上に設けられ、パッド領域を定義する開口部が設けられる保護膜と、前記開口部に対してワイヤボンディングされたワイヤと、を有する半導体装置とする。ワイヤボンディングの衝撃で発生した応力は、多孔質金属膜の歪みにより、多孔質金属膜にほとんど吸収され、絶縁膜にクラックが入ることを防止する。 （もっと読む）

【課題】複数のコンデンサを内蔵したチップを用いることなく、かつ、回路基板上においてコンデンサの配置スペースが必要とされることなく、高周波ノイズ除去を行うことが可能な構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】キャパシタ構造部２を形成し、それを半導体チップ１のパッド４１、４２の上に単体で実装する。つまり、半導体チップ１の複数の場所にキャパシタ構造部２を実装する場合には、各場所に一対で、つまり１つずつキャパシタ構造部２を備えるようにする。このような構造のキャパシタ構造部２を備えるようにしても、高周波ノイズ除去を行うことができる。また、複数のコンデンサを内蔵したチップを用いなくても済むし、キャパシタ構造部２を必要な場所に個々に配置することができることから、回路基板上においてコンデンサの配置スペースが必要とされることもない。 （もっと読む）

【課題】隣接する２つのトランジスタ同士が接続された構成を有し、省スペースと電流集中による信頼性の低下の抑制とを両立させた半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、第１のトランジスタ１０１と接続された第１のバス１１１、第２のトランジスタ１０２と接続された第２のバス１１２と、第１のバス１１１と第２のバス１１２との間に形成され、第１のバス１１１と第２のバス１１２とを接続するバス間配線１２１とを備えている。バス間配線１２１は、第１のバス１１１における第２のバス１１２と対向する辺の一部及び第２のバス１１２における第１のバス１１１と対向する辺の一部と接続されている。第１のコンタクトパッド１３１は、第１のバス１１１の一部と接続され、第２のコンタクトパッド１３２は、第２のバス１１２の一部と接続されている。 （もっと読む）

【課題】全体の回路設計のために消費されるシリコン領域を減少させることにより集積回路チップのコストを減少させる。
【解決手段】補強されたボンドパッド２４１を有する集積回路のための構造と製作方法がボンドパッド２４１の下に配置される集積回路の少なくとも１つの部分を含み、この少なくとも１つの回路部分が少なくとも１つの誘電層とこの少なくとも１つの誘電層に配置されるパターン形成された電導性補強構造とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッドの下の絶縁膜にクラックが入ることをより防止する。
【解決手段】三層構造のボンディングパッドを有する半導体装置とし、この三層構造のボンディングパッドは、第一金属膜と、第二金属膜と、第三金属膜とからなり、第二金属膜は、第一金属膜及び第三金属膜のヤング率よりも高いヤング率を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の金属配線を高信頼性化する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体装置は、第１の配線材、開口部、及び電極端子部が設けられる。第１の配線材は、半導体基板上の第１の層間絶縁膜上に設けられ、配線層として用いられる。開口部は、第１の配線材上に設けられた第２の層間絶縁膜をエッチングして形成される。電極端子部は、開口部及び開口部周囲の第２の層間絶縁膜上に設けられ、第１の配線材に接するバリアメタル膜、シードメタル膜、及び第２の配線材が開口部を覆うように積層形成され、第２の配線材の上部及び側面に被覆メタル膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】第２メタル層が密着する絶縁層にクラックを生じさせ難い半導体装置の配線構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の配線構造は、絶縁層１２と、絶縁層１２によって覆われた第１メタル層１３と、互いに間隔をあけて絶縁層１２上に配列され且つ第１メタル層１３より厚く形成された複数の電極部分１０１，１０２，…を有する第２メタル層１４とを備え、絶縁層１２の複数のビアホール内に配置された第１メタル層１３と複数の電極部分１０１，１０２，…との間を繋ぐ複数の電極部分によって、複数の電極部分を第１メタル層１３に電気的に接続する複数の貫通配線１５を備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程の増大を抑制しつつ、パッドの針跡を容易に確認できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１と、半導体基板１上に形成された回路素子と、半導体基板１上に形成され、回路素子と電気的に接続されたパッド（接続パッド４）と、を有している。パッドは、平面視において、導体が存在する実体パターン４１と、前記導体が存在しない開口パターン４２と、を含む所定のパターン形状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】焼結性金属接合材を用いた場合でも、接合部からの接合材のはみ出しを抑制し、信頼性の高い半導体素子およびこれを用いた半導体装置を得ることを目的とする。
【解決手段】板状をなし、表裏の面のうちの少なくとも一方に、焼結性金属接合材によって配線部材６を接合するための電極３Ｅｆが設けられた半導体素子３であって、電極３Ｅｆの電極面は、焼結性金属接合材を構成する金属微粒子と金属結合可能な金属の膜が被覆されているとともに、電極面を取り囲むように、電極面に対して立体的に形成された枠部４が設けられているように構成した。 （もっと読む）

【課題】ボンディングワイヤーをより確実にボンディングパッドに接続すること。
【解決手段】配線６が形成される半導体チップ本体部分２と、ボンディングワイヤー２２に接続されるボンディングパッド１２と、半導体チップ本体部分２とボンディングパッド１２との間に配置されるボンディングパッド下層絶縁体１４と、配線６とボンディングパッド１２とを接続する接続ビア１６とを備えている。このような半導体装置によれば、ボンディングパッド１２のうちのボンディングワイヤー２２に接続される表面は、ボンディングパッド下層絶縁体１４の分だけより高い位置に配置され、ワイヤーボンディングに利用されるキャピラリ２１は、ボンディングパッド１２と異なる他の部分１１に接触することが防止される。このため、このような半導体装置は、ボンディングパッド１２がより確実にボンディングワイヤー２２に接続されることができる。 （もっと読む）