【課題】ワイヤボンディング接続が行われる半導体チップにおいて、ワイヤボンディング時における電極パッド下の半導体部へのダメージの低減、および、ワイヤの位置ずれによる当該ワイヤのダメージの低減を図る。
【解決手段】半導体部１１の一面１２上に電極パッド１４とを備える半導体チップにおいて、電極パッド１４上に積層されて接続され、半導体部１１の一面１２上に突出する導電性材料よりなるバンプ１５と、半導体部１１の一面１２上に設けられ、電極パッド１４およびバンプ１５を封止する電気絶縁性の保護膜１６と、を備え、バンプ１５の先端面１５ａは保護膜１６より露出するとともに、保護膜１６とバンプ１５の先端面１５ａとは連続した同一平面を構成している。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディングマシンを使用してワイヤボンドを形成する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも１つの目標ボンディング制御値を選択する工程３００と、アルゴリズムおよび前記少なくとも１つの目標ボンディング制御値を使用して、ワイヤボンドを形成するためのボンディングパラメータを生成する工程３０２と、前記生成されたボンディングパラメータを使用して、ワイヤボンドを形成する工程３０４と、前記形成されたワイヤボンドの前記少なくとも１つの選択された目標ボンディング制御値が前記少なくとも１つの選択された目標ボンディング制御値の所定の許容範囲以内であるかを決定する工程３０６と、前記形成されたワイヤボンドの前記少なくとも１つの選択された目標ボンディング制御値が前記所定の許容範囲以内でない場合、少なくとも１つのボンディング調整値を調節する工程３１０とを含む。 （もっと読む）

【課題】配線層を薄くした場合にも電極パッド形成領域で配線層がなくなることを確実に防止できるようにし、配線層と電極パッドとを安定して電気的に接続させる。
【解決手段】半導体基板１上の第４層間絶縁膜１０中に複数のコンタクト用配線１１Ｂが形成されている。各コンタクト用配線１１Ｂの上及び第４層間絶縁膜１０の上に第１保護絶縁膜１２が形成されており、第１保護絶縁膜１２には、各コンタクト用配線１１Ｂを露出させる第１開口部１２ａが形成されている。第１開口部１２ａの内部にはバリアメタル膜１３を介して、コンタクト用配線１１Ｂと電気的に接続する電極パッド１４が形成されている。第１開口部１２ａの下側には、コンタクト用配線１１Ｂが配置されていない領域が存在している。 （もっと読む）

【課題】ボンディング点で局所的に熱が発生する場合に、半導体チップの表面の広い範囲に効率的に伝熱し、ボンディング点が局所的に過熱してワイヤと表面電極の接合強度が劣化する現象の発生を抑制する。
【解決手段】ワイヤ２２がボンディングされている表面電極１６の表面に、表面電極１６よりも熱伝導率が高い材料の被覆層２０が形成されている。ワイヤ２２がボンディングされている表面電極１６の表面に、表面電極１６よりも熱伝導率が高い材料をコーティングすれば、半導体チップ１４の表面の広い範囲に効率的に伝熱することができ、ボンディング点が局所的に過熱されてしまう現象の発生を防止できる。あるいは、表面電極に表面被覆層を介してワイヤをボンディングしてもよい。この場合は、表面電極の表面に、表面電極よりも熱伝導率が高い材料で、表面電極よりも厚く形成されている被覆層を形成する。 （もっと読む）

【課題】工程数を増加させず、有機誘電体層上に形成された電極端子にワイヤボンディングできる半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置１０は、半導体基板１１と、半導体基板１１の上に形成される有機物で構成される有機誘電体層１４と、有機誘電体層１４の上に形成される電極端子１５と、有機誘電体層１４を貫き、電極端子１５を支える支持体１３とを備える。また、支持体１３は電極端子１５の直下に形成されてもよい。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッドの分断を防止することが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】ｐ型半導体層４と、ｐ型半導体層４の表面に形成されており、ワイヤＷがボンディングされる主部５１、およびこの主部５１から延びる延出部５２を有するボンディングパッド５と、を備える半導体装置Ａ１であって、主部５１と延出部５２とが繋がれている部分の外形線５ａは、曲線とされている。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置チップサイズの縮小のためにボンディングパッド下の領域を有効活用する技術の開発が望まれているという問題がある。
【解決手段】本発明においては、ボンディングパッド下の領域にストライプタイプのプラグ用配線を配置し、プラグ用配線とパッド用配線とを導電プラグで接続する構造とする。導電プラグが杭の役目となりパッド用配線の剥れ防止、パッド下の配線の断線を防止する。さらにプラグ用配線により最低パターン率を確保することで、エッチングやＣＭＰ等の条件出しが容易となる。内部回路と同等の微細パターンの配線をパッド下の通過配線として利用でき、かつ拡散歩留りが向上する。 （もっと読む）

【課題】電極パッドに作用する衝撃荷重や金属細線の引き千切り時の引張り力から、内部の配線や絶縁膜を保護できる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】第１電極パッド３２と第２電極パッド３４の間に、ビア３６を環状に配列したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 腐食媒体がＡｕ膜と絶縁膜との界面から無電解メッキで形成されたＮｉ側に浸入することを防止でき、ボンディング箇所での電気的接続性能が劣化することを防止できる圧力センサを提供する。
【解決手段】 Ｐが４重量％未満含有されたＮｉによりＮｉ膜２４を形成する。このような構造の場合、圧力センサＳ１が排気ガス環境において使用されたときにＮｉ膜２４の端部が狭い範囲で不働態化される。これにより、Ｎｉ膜２４の端部が広い範囲で酸素を含む層２７に変質してしまうことを防止でき、電気的な接続構造の耐久性能が劣化してしまうことを防止することが可能となる。 （もっと読む）

本方法（１０）によって、補強構造支持体を有する配線（６０，１６０，２６０）構造が、下層の機能的金属層が低モジュラスの誘電体によって絶縁分離される状態で実現する。複数の開口を有する第１金属層（８０）が基板の上に設けられる。第１電気絶縁層（８２）が第１金属層の上に設けられる。複数の開口を有する第２金属層（８４）が第１電気絶縁層の上に設けられる。配線パッド領域を画定する配線パッド（６１，１４０）が第２金属層の上に設けられる。２つの金属層における少なくとも所定の数の開口（９８，９９）を位置整合させて配線構造の構造強度を向上させる。位置整合の程度は、用途及び使用する材料によって異なる。ボンディングワイヤ接続または導電性バンプを配線構造に使用することができる。
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【課題】銅製の相互接続構造を具備した半導体デバイスを製造する方法を提供すること。
【解決手段】パッシベーション層３２を半導体基板上に形成する。このパッシベーション層は、相互接続材料にボンディングされたときに金属学的に安定した材料（例：Ｔａ）から選択される。相互接続部３１とワイヤ３０との間にパッシベーション層３２が形成される。このパッシベーション層３２がＡｌとＣｕとの直接接触を回避させる。 （もっと読む）

【課題】 ボンディングパッドの下面にも電子部品を配置することができる構造を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 外部接続端子を構成するボンディングパッド２４と、ボンディングパッド２４の下面に、少なくとも二層の銅膜４４，１６と、前記隣接する銅膜４４，１６同士を接続するように設けられる接続ビア１８から形成されるボンディングパッド下部領域４８と、ボンディングパッド下部領域４８を取り囲むように銅膜および隣接する銅膜同士を接続する環状導体より構成されるシールリング４２と、シールリング４２の外側においてボンディングパッド２４に接続される配線２６と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッドの下層におけるクラックの発生を抑制しつつ、ボンディングパッドの下層を有効活用して装置の小型化を図る。
【解決手段】半導体装置１０は、半導体基板１１と、外部との電気的接続をとるための接続領域１２ａを有するボンディングパッド１２と、半導体基板１１とボンディングパッド１２との間に介在する第１層間絶縁層１３と、第１層間絶縁層１３に埋設されたメタル配線層１４とを備える。メタル配線層１４は第１層間絶縁層１３より硬度の小さい材質からなる。メタル配線層１４の少なくとも一部は、積層方向において接続領域１２ａと重なり、接続領域１２ａと重なるメタル配線層１４の領域には、積層方向に貫通し、メタル配線層１４をその層方向において分離している切欠部３０ａ〜３０ｅが形成されているとともに、この切欠部３０ａ〜３０ｅに第１層間絶縁層１３の一部が埋め込まれている。 （もっと読む）