【課題】半導体素子のためのボンディングワイヤおよび銀（Ａｇ）が主成分として使用される、該ボンディングワイヤを用いるＬＥＤパッケージを提供する。
【解決手段】半導体素子のためのボンディングワイヤ５０は、５ｐｐｍ〜１０ｗｔ％にて亜鉛（Ｚｎ）、スズ（Ｓｎ）、およびニッケル（Ｎｉ）からなる群から選択される少なくとも１つを含み、残りが銀（Ａｇ）および他の不可避の不純物を含む。 （もっと読む）

【課題】狭ピッチ化、細線化、長ワイヤ化において高強度で、高曲げ剛性であること、高いボール部接合性およびウェッジ接合性を有すること、工業的な量産性、高速ボンディング使用性にも優れていること、などを兼備する半導体素子用ボンディングワイヤを提供する。
【解決手段】導電性の金属からなる外周部２と、前記金属を主成分とする合金からなる芯線１と、さらにその芯線１と外周部２の間に拡散層３を有し、前記拡散層３が濃度勾配を有することを特徴とする半導体用ボンディングワイヤである。また、導電性を有する第１の金属または該第１の金属を主成分とする合金からなる芯線１と、前記芯線１の第１の金属とは異なる導電性を有する第２の金属または該第２の金属を主成分とする合金からなる外周部２、さらにその芯線１と外周部２の間に、拡散層３を有し、前記拡散層３が濃度勾配を有することを特徴とする半導体用ボンディングワイヤである。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の最上層の保護膜のクラックを防いで、半導体装置の信頼性の向上を図ることのできる技術を提供する。
【解決手段】ボンディングパッドＢＰ１を長方形状とし、ボンディングパッドＢＰ１のワイヤボンディング領域ＢＰ１ｗでの保護膜５の重なり幅を、ボンディングパッドＢＰ１のプローブ領域ＢＰ１ｐでの保護膜５の重なり幅よりも広くなるように、ボンディングパッドＢＰ１上の保護膜５に開口部６を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ電極ａとの接合性がよく、かつＡｕボンディングワイヤより安価なボンディング用ワイヤとする。
【解決手段】半導体素子のＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ被覆された電極ａと回路配線基板の導体配線ｃをボールボンディング法によって接続するためのボンディング用ワイヤＷであって、Ｐｄ、Ａｕから選ばれる１種以上の元素を合計で０．７〜１．５質量％、Ｃａ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅから選ばれる１種以上の元素を合計で１〜１０質量ｐｐｍ、Ｃｕを２０〜３００質量ｐｐｍそれぞれ含み、それ以外がＡｇ及び不可避不純物からなる。Ｐｄ、Ａｕの添加によって湿潤環境下での１ｓｔ接合の信頼性が確保でき、Ｃａ等の添加によってワイヤ強度及び耐熱性が向上し、Ｃｕの添加によって十分なワイヤの強度とボール（ＦＡＢ）ｂが安定して真球状となる。 （もっと読む）

【課題】高温信頼性の高いＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ被覆電極ａへの接合性が高く、かつ脆弱なチップに対するダメージも少なく安価なボンディングワイヤＷとする。
【解決手段】半導体素子のＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ被覆電極ａと回路配線基板の導体配線ｃをボールボンディング法によって接続するための線径１０〜５０μｍの銀ボンディングワイヤである。芯材１外周面にＰｔ又はＰｄの被覆層２を形成し、その被覆層の断面積とこのワイヤの断面積の比（％）を０．１〜０．６％とする。この断面積比の被覆層厚ｔとすることによって、図（ａ）、（ｂ）で示す溶け残り部分（窪み）の無い真球状のＦＡＢ（ボールｂ）を得ることができるため、チップダメージが発生し難い。芯材１は、Ｐｄ、Ｐｔ又はＡｕから選ばれる１種以上を合計で０．５〜５．０質量％含み、かつＣａ、Ｃｕ、希土類から選ばれる１種以上の元素を合計で５〜５００質量ｐｐｍ含んで、それ以外がＡｇ及び不可避不純物からなる。 （もっと読む）

【課題】金からなるワイヤまたは金からなるバンプと、パッド電極との接合強度を、より高めることが可能な電子デバイスを提供する。
【解決手段】金からなるワイヤ６が接続されるパッド電極１を備えた電子デバイス１０であって、パッド電極１は、ＡｌまたはＡｌ合金からなる下地電極１ａと、下地電極１ａ上のＴｉまたはＣｒからなる中間膜１ｂと、中間膜１ｂ上のワイヤ６が接続されるＡｕ膜１ｃとが順に積層されてなる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子上の電極及び外部接続端子などの間を接続するために利用されるボンディングワイヤに関し、被覆銅ワイヤを引き伸ばすと芯材の銅が露呈して、銅が酸化してしまう問題を避け、量産使用性が良く、製造コストを低く抑えることができる複合銀ワイヤを提供する。
【解決手段】銀を主成分として金を含む複合銀ワイヤであって、金を４質量％以上８質量％以下で含み、かつ、パラジウムを２〜４質量％で含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕワイヤーによるボンディング時に電極パッド下の半導体素子に損傷が生じない半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】銅を主成分とするボンディングワイヤによる電気的接続が可能な半導体装置であって、半導体素子１０と、半導体素子１０上に配置されたアルミニウムを主成分とする電極パッド２０と、電極パッド２０上に配置された、表面にボンディングワイヤが接続される無電解ニッケル・パラジウム・金めっき層３１・３２・３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】高温、高湿度環境で使用される半導体用ボンディングワイヤにおいて、アルミパッドとの接合信頼性を向上する。
【解決手段】純度９９．９９９質量％以上の金：４〜１０質量％、純度９９．９９質量％以上のパラジウム：２〜５質量％、残部が純度９９．９９９質量％以上の銀からなる三元合金系ボンディングワイヤであって、酸化性非貴金属ｊ元素が１５〜７０質量ｐｐｍ含有し、連続ダイス伸線前に焼きなまし熱処理がされ、連続ダイス伸線後に調質熱処理がされ、窒素雰囲気中でボールボンディングされる半導体用ボンディングワイヤ。Ag-Au-Pd三元合金ワイヤとアルミニウムパッドの接合界面でＡｇ_２Ａｌ金属間化合物層とワイヤとの間の腐食がＡｕ_２ＡｌとＰｄ濃化層によって抑制される。 （もっと読む）

【課題】ボール表面の酸化による硬度上昇を防止するとともに真球性を確保することにより、パッドダメージを発生させず接合性の高いボールを形成するボンディングワイヤを提供する。
【解決手段】銅を主成分とする芯材１０と、該芯材の上にパラジウムを被覆した外層２０とを有するボンディングワイヤであって、前記芯材がリン及び硫黄を含有し、該リンの濃度が０．００１〜０．０１５質量％の範囲であり、該硫黄の濃度が０．０００１〜０．０００７質量％の範囲であることを特徴とするボンディングワイヤ。 （もっと読む）

【課題】長期接合信頼性を向上し、ファインピッチ化に対応した低温でのバンプ形成を可能とするものとする。
【解決手段】半導体素子のアルミニウム製電極４にバンプ法によってバンプ５を形成するための線径１０〜５０μｍのワイヤＷである。このワイヤＷは、Ｐｄを０．５〜１．３重量％含有し、Ｃａ、Ｃｅ、Ｎｄのうち少なくとも１種以上を総和５０〜１００重量ｐｐｍ含有し、残部が金及び不可避不純物からなる組成を有する。この組成であると、溶融ボール２の再結晶領域が短くなってバンプ高さＬが短く安定化し、かつ、ワイヤＷの先端と放電棒ｇの距離が安定するため、スパークエラーによるマシンストップが発生することなく連続でバンプ形成が可能となるとともに、長期接合信頼性を向上し得る。 （もっと読む）

【課題】金属製ワイヤ表面に有機被膜を形成したボンディングワイヤにおいて、スプールからのワイヤほぐれ性と半導体素子へのワイヤ接続性を確保しつつ、ボンディング時のワイヤ削れを防止し、キャピラリ汚れの発生を防止することのできるボンディングワイヤ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】有機被膜の厚みが０．５〜３ｎｍであり、ワイヤ表面をＴＯＦ−ＳＩＭＳ分析し、２次イオンスペクトルピークについて金属製ワイヤの主成分金属ピーク強度によって規格化し、炭素を１〜６有するアミンの１種以上（Ｃ系成分）に起因するピーク強度が１以上であり、炭素を１５〜２１有する陽イオン系界面活性剤（Ａ系成分）に起因するピーク強度が１以上であるか、及び／又は、炭素を１５〜２０有する非イオン系界面活性剤（Ｂ系成分）に起因するピーク強度が０．１以上であるボンディングワイヤである。 （もっと読む）

【課題】ボールボンディング法によって、長期接合信頼性を向上し、低温でのボンディングを可能とする狭ピッチ化に対応したものとする。
【解決手段】半導体素子のアルミニウム製電極ａと回路配線基板の導体配線ｃをボールボンディング法によって接続するための線径１０〜５０μｍのボンディング用ワイヤである。Ｐｄを０．２〜２重量％含有し、Ｃａ、Ｂｅのうち少なくとも１種以上を１〜５０重量ｐｐｍ含有し、Ａｇ、Ｍｇ、Ｇｅ、Ｃｕのうち少なくとも1種以上を１〜１００重量ｐｐｍ含有し、残部が金及び不可避不純物からなる組成を有して、引張強度が１９６〜２９４ＭＰａである。引張強度を１９６〜２９４ＭＰａとすることで、２ｎｄボンディング時にワイヤが潰れ易く、接合面積が大きくなるため、安定した２ｎｄボンディング性を示し、かつ、極細線で発生しやすいリーニングや樹脂封止時のワイヤ流れを防止できる。 （もっと読む）

【課題】 発光装置の光特性を向上させるために、ボンディングワイヤ表面への金属被覆をすることなしに波長３８０〜５６０ｎｍの光の反射率が高く、化学的安定性を高めた安価なボンディングワイヤを提供する。
【解決手段】 銀を主成分とし、１００００〜９００００質量ｐｐｍの金、１００００〜５００００質量ｐｐｍのパラジウム、１００００〜３００００質量ｐｐｍの銅、１００００〜２００００質量ｐｐｍのニッケルから選ばれた少なくとも１種以上の成分を含み、塩素含有量が１質量ｐｐｍ未満で、波長３８０〜５６０ｎｍの光の反射率が９５％以上のボンディングワイヤである。 （もっと読む）

【課題】 電気伝導性の高いＡｇの電気比抵抗をさほど低下させることなく、またＡｇの表面を化学的に安定化させ、窒素ガス中でワイヤ表面が黒色化せず、ボール底部に尖りの無い真球状のボールを形成でき、かつ時効軟化の起らないＡｇボンディングワイヤを提供する。
【解決手段】 本発明に係るＡｇボンディングワイヤは、１００００〜５５０００質量ｐｐｍのＡｕと１〜１００質量ｐｐｍのＢｉとを含有する。
さらにＰｄを２００００質量ｐｐｍ以含有したものであっても良い。バンプワイヤとしても有用である。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージや電子部品の実装基板で用いられるワイヤボンディングの接合性を向上させる。
【解決手段】ワイヤ１２の先端に形成されたボール１４の表面にフェムト秒レーザを照射して縞状の第１の凹凸１６を形成する。次に、ボール１４を第１の電極２０に接触させて超音波振動を印加しながら押し潰すことにより、ワイヤ１２を第１の電極２０にボンディングする。ここで、第１の凹凸１６が延びる方向は、超音波振動の振幅方向に直交する。これにより、接合界面の結晶が微細化されるため、低荷重でも塑性変形がしやすく、金属拡散接合しやすくなり、接合性が向上する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置におけるボンディングパッド部と金合金細線のボール部との接合部の高温信頼性を向上させる。
【解決手段】銀（Ａｇ）や金（Ａｕ）等がめっきされた配線基板上に接続する外部リードと純アルミニウム（Ａｌ）または純度９９％以上のアルミニウム合金からなる半導体チップの電極パッドとを電気的に接続する金合金細線がパラジウム（Ｐｄ）を０．５〜０．７質量％、白金（Ｐｔ）を０．１〜０．３質量％および残部金（Ａｕ）で構成することにより、高温動作環境下においてもパッド電極と金合金ボール部との接合界面において、マイクロボイド(微小空孔)の発生やアルミニウム酸化物（Ａｌ₂Ｏ₃）層の成長粗大化を防止し、長期間安定した金ボンディングワイヤの接合強度が得られる。また、高温大気中(樹脂封止なし)や高温のハロゲンフリー樹脂の封止にも対応できる。 （もっと読む）

【課題】直径２０μm以下の極細線ボールボンディング用ワイヤにおいて、数十万回の連続ボンディングを可能とする。
【解決手段】５N以上の高純度金に３N以上の高純度Pd、Pt、Cuの一以上を合計５〜２質量％含有させた合金マトリックスに微量添加元素として、Ca、Mg、Laをそれぞれ５〜５質量ｐｐｍ含有、または、さらにBe：１〜２０ｐｐｍ、及び／またはCe、Y、及びEuの一種以上を合計で１〜３０質量ｐｐｍ、さらにこれらの微量添加元素の合計が１００ｐｐｍ以下含有させることにより、溶融ボール表面の添加元素の表面偏析を抑制し、それらの析出物や酸化物がボンディング時にキャピラリー先端部に堆積することによるループ形成時のワイヤの摺動抵抗増加を抑制する。
これらキャピラリー先端部の表面性状が滑らかな状態に維持されることによって、ワイヤボンディングにおけるネック損傷や不着などの接合不良が抑制され、長期間の連続ボンディングが可能となる。 （もっと読む）

【課題】同一のボンディングパッドに対して異なる金属のボンディングワイヤーを用いて信頼性の高い配線を行う。
【解決手段】窒化物半導体ヘテロ接合型電界効果トランジスタにおけるソース電極８,ドレイン電極９,ソースパッド８'およびドレインパッド９'をＴi,Ａl,ＭoおよびＡuを順次積層して形成し、ソースパッド８'およびドレインパッド９'の一部をエッチングによって開口して、Ａl露出部を形成している。したがって、ソースパッド８'またはドレインパッド９'におけるＡu露出部に対しては、Ａuボンディングワイヤーを用いたワイヤーボンディングを行う一方、上記Ａl露出部に対しては、Ａlボンディングワイヤーを用いたワイヤーボンディングを行うことによって、優れた密着性とエレクトロマイグレーション耐性を得ることができる。 （もっと読む）