【課題】誤配線を防止しつつ、かつ、インナリードの認識不良を抑制する。
【解決手段】半導体チップの主面に形成された複数のパッドと、半導体チップの周囲に配置された複数のインナリード５ａのワイヤボンディング領域５ａａとを、ワイヤを介してそれぞれ電気的に接続する工程において、複数のインナリード５ａを含む領域の画像データ９を画像処理手段が取得する工程と、画像処理手段が取得した画像データ９において、隣り合う複数のインナリード５ａを含む認識範囲９ａ内のインナリード５ａの位置を認識する工程と、位置が認識されたインナリード５ａのワイヤボンディング領域５ａａにワイヤを接合する工程とが含まれる。ここで、複数のインナリード５ａは、ワイヤボンディング領域５ａａの隣に配置される第１領域５ａｂを有し、第１領域５ａｂは、隣り合うインナリード５ａが有する第１領域５ａｂの光反射率が交互に異なるように配置する。 （もっと読む）

【課題】接続端子部の電導基材表面上に、耐熱性および半田濡れ性に優れためっき被膜が形成された、電子部品を提供すること。
【解決手段】本発明による電子部品は、接続端子部の電導基材表面上に、ゲルマニウムを含むニッケルめっき被膜が形成されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】サイズやボンディングパッド位置の異なるチップを実装する共用に適した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置には、互いにＶ字型に曲折接続する第一、第二フィンガー部２１２、２１３を含むジグザグ形フィンガー２１１を有するリードフレームの複数の第一リード２１０、および複数のボンディングパッド２２２を有するチップ２２０を設ける。ボンディングワイヤ２３１、２３２は、一端がチップ２２０のボンディングパッド２２２群と接続し、他端が第一、第二フィンガー部２１２、２１３のいずれかの組と任意に接続する。このワイヤーボンディングの方向は、第一、第二フィンガー部２１２、２１３のいずれか接続される組の延びる方向との間に第一角度を形成し、いずれか接続されない組の延びる方向との間に第二角度を形成し、第一角度は第二角度よりも小さくなるようにボンディングワイヤ２３１、２３２によってなされる。 （もっと読む）

【課題】低抵抗であって小型化が可能な半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体チップ１０に斜面部１４を形成し、半導体チップ１０の下面に複数の電極１１を設け、半導体チップ１０の上面に金属膜１５を蒸着させ、斜面部１４上の金属膜１５を第２電極１２とし、第１電極１１と対応するリードフレーム２０を接続し、第２電極１２と対応するリードフレーム２０とをストラップ１３で接続することで、第１電極１１及び第２電極１２とリードフレーム２０との導通路を形成する。 （もっと読む）

本発明は、パッケージ化された半導体デバイスを提供する。接合ワイヤがアルミニウムバンプ接合部によりリードに接合される。半導体デバイスは、リードを有するリードフレームに取り付けられ、当該リードはニッケルメッキ部を有している。５０μｍ（２ミル）のような細いアルミニウムワイヤとリードとの間にバンプ接合部を形成するために、アルミニウムバンプがニッケルメッキ部に接合され、ワイヤがバンプに接合される。バンプはニッケルをドープされたアルミニウムであり、１５０μｍ（６ミル）の直径のワイヤのような大きな直径のワイヤから形成される。
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集積回路配置の電気的に接続を、カーボンナノチューブにより容易にする。様々な実施例により、カーボンナノチューブ材料（１２０、１３５）は、金属のような他の材料（１３０、１２５）と関連する。カーボンナノチューブ材料は、異なる回路素子間の電気的に接続を容易にする。
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